氧樹脂附件102和環(huán)氧樹脂附件103是黏合劑，其將MEMS裝置104和集成電路105附接到底座101。
[0025]MEMS裝置104接收聲能，并且將聲能轉(zhuǎn)換成電能。在這方面，MEMS裝置104可以包括隔膜和擋板。聲能使得隔膜運動，并且這改變了隔膜和擋板之間的電勢。產(chǎn)生的電流或電壓表示已由MEMS設(shè)備104接收的聲能。
[0026]集成電路105是執(zhí)行任意種類的處理功能的任意種類的集成電路，在一個示例中，集成電路105是緩沖器或放大器。其他示例的集成電路是可能的。線106是將電部件耦接在一起的連接。
[0027]封裝107是覆蓋集成電路105的材料(例如，娃基環(huán)氧樹脂(silicone-basedepoxy)) ο封裝107的目的是為集成電路105提供外部保護。
[0028]焊膏108是糊狀焊料。焊膏的目的是將蓋子和底座保持在一起。在一方面中，焊膏在蓋子的內(nèi)部和外部上。其他示例的傳導(dǎo)融合材料是可能的。
[0029]蓋子109是金屬蓋。蓋子109通過焊膏108附接到底座101。蓋子109由金屬(例如，黃銅或不銹鋼)構(gòu)成。該蓋子具有鍍制部分120和非鍍制部分122。鍍制部分120是用金鍍制的黃銅底座。在其他示例中，也可以使用鎳、鈀鎳金或者錫鍍制部。焊料將在鍍制部分120中融化，而且將不會附接到非鍍制部分122。該蓋子包括端口 124，聲能通過端口124進入組件100。
[0030]在一個示例中，鍍制區(qū)域(如圖中標(biāo)記尺寸126所示)是金屬殼總高度的大約1/4至1/3。金屬殼的高度可以根據(jù)該殼被放置的封裝的高度而改變。在一個示例中，該底座大約高0.35mm，并且總殼的高度大約是1-1.5mm。減小尺寸是可能的。應(yīng)當(dāng)理解的是，該方法可以使用頂部端口裝置和底部端口裝置。
[0031]現(xiàn)在，參照圖4和5，描述了具有選擇鍍制部的麥克風(fēng)組件400的另一示例。組件400包括蓋子402和底座404。蓋子402形成附接到底座404的金屬殼。為了簡潔，在圖4中未示出金屬殼內(nèi)的內(nèi)部部件(例如，MEMS裝置、集成電路)。
[0032]在這個示例中，蓋子或殼402是金屬蓋。蓋子402通過焊膏406附接到底座404。蓋子402由金屬(例如，所提到的兩個示例的黃銅或者不銹鋼)構(gòu)成。蓋子402包括非鍍制部分408和鍍制部分410。在一方面中，鍍制部分410是用金鍍制的黃銅底座。在另一示例中，可以使用鎳。焊料將在鍍制部分410中融化，而且將不會附接到非鍍制部分408。在這個示例中，蓋子402包括端口 412，其使圖4的示例成為頂部端口裝置。在其他示例中，該端口位于底部(即，經(jīng)由底座404)上，其使組件400成為底部端口裝置。
[0033]由于金屬殼402沒有被完全鍍制，所以實現(xiàn)了對可能蠕變或流過金屬殼402的焊料(或者某一其他傳導(dǎo)融合材料)的控制。不想要的結(jié)合材料(例如，焊料)被阻止進入想免受這種不想要的結(jié)合材料侵害的區(qū)域或容積，從而防止損壞麥克風(fēng)或其他聲學(xué)裝置的內(nèi)部部件。在這個示例中，焊料將不會上升到超過殼上由414標(biāo)記的線指示的水平線。在一個示例中，鍍制區(qū)域是金屬殼高度的大約1/4至1/3，并且該殼大約Imm高。其他尺寸是可能的。
[0034]此處描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，包括對用于實現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明人所熟知的最佳方式。應(yīng)該理解的是，所圖示的實施方式僅是示范性的，并且不應(yīng)該看作限制本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種聲學(xué)裝置，該聲學(xué)裝置包括: 基板； 基板蓋，該基板蓋布置在所述基板上； 多個電聲部件，該多個電聲部件布置在所述基板上且在所述基板蓋下面； 其中，所述基板蓋由基體金屬構(gòu)成，并且其中，所述基板蓋包括部分鍍制部，所述部分鍍制部被設(shè)置以防止沿著所述基板蓋的表面的焊料蠕變。2.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述基體金屬是黃銅。3.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述部分鍍制部是金。4.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述基體金屬是不銹鋼。5.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述部分鍍制部對防止焊料蠕變至所述基板蓋的預(yù)定高度是有效的。6.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述部分鍍制部包括所述蓋的區(qū)域的大約1/4至 1/3。7.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述部分鍍制部是鎳。8.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述基板蓋的表面包括所述基板蓋的內(nèi)表面。9.如權(quán)利要求1所述的聲學(xué)裝置，其中，所述基板蓋的表面包括所述基板蓋的外表面。10.一種用于聲學(xué)裝置的蓋，所述蓋包括: 基體金屬部分；以及 鍍制部，該鍍制部被部分布置在所述基體金屬部分上，所述鍍制部被設(shè)置以防止沿著所述蓋的表面的焊料蠕變； 其中，所述蓋被配置以附接到聲學(xué)裝置的基板。11.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述基體金屬是黃銅。12.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述鍍制部是金。13.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述基體金屬是不銹鋼。14.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述鍍制部對防止焊料蠕變至所述蓋的預(yù)定高度是有效的。15.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述鍍制部包括所述蓋的區(qū)域的大約1/4至1/3。16.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，部分鍍制部是鎳。17.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述蓋的表面包括所述蓋的內(nèi)表面。18.如權(quán)利要求10所述的蓋，其中，所述蓋的表面包括所述蓋的外表面。
【專利摘要】一種聲學(xué)裝置，該聲學(xué)裝置包括：基板、基板蓋和多個電聲部件。該基板蓋被布置在基板上，并且多個電聲部件被布置在基板上且在基板蓋下面。該基板蓋由基體金屬構(gòu)成，并且該基板蓋包括部分鍍制部。該部分鍍制部被設(shè)置以防止沿著基板蓋的表面的焊料蠕變。
【IPC分類】H04R19/04
【公開號】CN104904238
【申請?zhí)枴緾N201380039540
【發(fā)明人】T·K·林, K·B·弗里爾
【申請人】美商樓氏電子有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2013年7月25日
【公告號】US20140037124, WO2014018718A2, WO2014018718A3