本實(shí)用新型涉及移動終端卡槽電路領(lǐng)域，尤其涉及一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路。

背景技術(shù)：

目前市場上的移動終端設(shè)備比較流行SIM卡與SD卡共卡槽結(jié)構(gòu)，且SIM卡在內(nèi)，SD卡在外，由于這種卡槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在拔插過程中，由于SD卡卡槽電路未及時下電，SIM卡碰到SD卡電源腳會有低概率燒毀SIM卡的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路。

本實(shí)用新型提出的SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路，包括：串聯(lián)的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分別與SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT連接和通過第一電阻R1與手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU連接， 第二MOS管Q2分別與SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER連接，第一、第二MOS管Q1、Q2根據(jù)SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT的電平導(dǎo)通或截止來控制SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER之間的的導(dǎo)通和隔離。

在一實(shí)施例中，當(dāng)未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT被預(yù)設(shè)置為高電平時，第一電阻R1連接在手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU與第一MOS管Q1的柵極之間，第一MOS管Q1的源極與所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源極連接，第二MOS管Q2的漏極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

在第二實(shí)施例中，當(dāng)未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT被預(yù)設(shè)置為低電平時，第一電阻R1的一端與手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU連接，另一端同時與第一MOS管Q1的柵極和所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的源極接地，漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏極連接，第二MOS管Q2的源極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

所述MOS管Q1為N-MOS管，MOS管Q2為P-MOS管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型根據(jù)所述SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT電壓判斷SD卡的插拔狀態(tài)；根據(jù)所述SD卡的插拔狀態(tài)控制SD卡的電源通斷，通過簡單電路來控制SD卡的電源的打開或關(guān)閉，解決了因SD卡電源未斷開而導(dǎo)致的SIM卡燒卡的問題，提升了用戶體驗(yàn)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型卡托示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一的電路圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。

本實(shí)用新型適用于如圖1所示的卡托，卡托內(nèi)設(shè)置有卡槽，同時供SIM卡和SD插入，由于SIM、SD共卡槽，SIM、SD共用一個插拔狀態(tài)的檢測引腳EINT，所以當(dāng)SIM插入時也會激活SD卡供電電路，對SD卡進(jìn)行供電，且SD卡位于SIM卡的外側(cè)，這經(jīng)常導(dǎo)致SIM卡被燒毀，主要包括以下四種情況：

1、拔出卡托的時候，SIM卡會經(jīng)過SD卡供電電源端VMCH_PMU的位置，由于SD 卡不能及時下電，可能會燒毀SIM卡；

2、開機(jī)過程有短暫時間SD卡供電電源端VMCH_PMU默認(rèn)是打開的，此時插入SIM卡可能會燒毀SIM卡；

3、半插入SIM卡后按開機(jī)鍵，開機(jī)過程有短暫時間SD卡供電電源端VMCH_PMU默認(rèn)是打開的，可能會燒毀SIM卡；

4、卡托未放入SD卡(僅放入SIM卡)，插入卡托后仍會激活SD卡檢測引腳EINT，系統(tǒng)會打開SD卡供電電源端VMCH_PMU，此時拔出卡托可能會燒毀SIM卡。

綜上，給SD卡供電的電源可能會導(dǎo)致SIM卡燒毀，本實(shí)用新型提供了一種SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路，將手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU、SD卡供電電源端VMCH_PMU與SD卡電源接口SD-POWER隔離，并根據(jù)SD卡的插拔狀態(tài)控制SD卡的電源通斷，解決了因SD卡電源未斷開而導(dǎo)致的SIM卡燒卡的問題，提升了用戶體驗(yàn)。

本實(shí)用新型提出的SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路包括：串聯(lián)的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1分別與SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT連接和通過第一電阻R1與手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU連接， 第二MOS管Q2分別與SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER連接，第一、第二MOS管Q1、Q2根據(jù)SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT的電平導(dǎo)通或截止來控制SD卡供電電源端VMCH_PMU和SD卡電源接口SD-POWER之間的的導(dǎo)通和隔離。

實(shí)施例一

如圖2所示，本實(shí)施例提供的SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路包括：第一電阻R1、第二電阻R2、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，其中，第一電阻R1連接在手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU與第一MOS管Q1的柵極之間，第一MOS管Q1的源極與所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的源極連接，第二MOS管Q2的漏極與SD卡電源接口SD-POWER連接。其中，第一MOS管Q1為NMOS管，第二MOS管為PMOS管。

在本實(shí)施例中，當(dāng)未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT被預(yù)設(shè)置為高電平即1.8V，第一MOS管Q1 柵極為1.8V，柵極和源極間的電壓VGS=0V，小于NMOS管開啟電壓，第一MOS管Q1截止，SD卡供電電源端VMCH_PMU開啟后，第二MOS管Q2柵極和源極間的電壓VGS=0V，第二MOS管Q2截止，SD卡電源接口SD-POWER為0V，此時插入 SIM卡不會導(dǎo)致燒卡；

SIM卡插入后，檢測引腳EINT與GND接觸，第一MOS管Q1 柵極為0V，柵極和源極間的電壓VGS=1.8V，大于NMOS管的開啟電壓，第一MOS管Q1導(dǎo)通，SD卡供電電源端VMCH_PMU開啟后，第二MOS管Q2 導(dǎo)通，SD卡供電電源端VMCH_PMU經(jīng)第二MOS管Q2到SD卡電源接口SD_POWER給SD卡供電；

卡托拔出同時檢測引腳EINT與GND分離，檢測引腳EINT又變成高電平1.8V，第一MOS管Q1截止，第二MOS管Q2截止，SD卡電源接口SD_POWER與SD卡供電電源端VMCH_PMU分離，SD卡電源接口SD_POWER變?yōu)?V,即使SD卡供電電源端VMCH_PMU不能及時下電也不會導(dǎo)致燒卡。

實(shí)施例二

如圖3所示，本實(shí)施例提供的SIM卡與SD 卡共卡槽防燒卡電路包括：第一電阻R1、第二電阻R2、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2，其中，第一電阻R1的一端與手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU連接，另一端同時與第一MOS管Q1的柵極和所述檢測引腳EINT連接，第一MOS管Q1的源極接地，漏極同時與第二電阻R2的一端及第二MOS管Q2的柵極連接，第二電阻R2的另一端同時與SD卡供電電源端VMCH_PMU及第二MOS管Q2的漏極連接，第二MOS管Q2的源極與SD卡電源接口SD-POWER連接。

在本實(shí)施例中，當(dāng)未插入SIM卡前SD、SIM卡插拔狀態(tài)檢測引腳EINT被預(yù)設(shè)置為低電平即0V，即第一MOS管Q1 柵極為0V，柵極和源極間的電壓VGS=0V,小于NMOS開啟電壓，第一MOS管Q1截止，SD卡供電電源端VMCH_PMU開啟后，第二MOS管Q2 截止，SD卡電源接口SD_POWER 為0V，此時插入SIM卡不會導(dǎo)致燒卡；

SIM卡插入后，檢測引腳EINT被拉至高電平1.8V，第一MOS管Q1柵極和源極間的電壓VGS=1.8V，大于開啟電壓，第一MOS管Q1導(dǎo)通，SD卡供電電源端VMCH_PMU開啟后，第二MOS管Q2 導(dǎo)通，SD卡供電電源端VMCH_PMU經(jīng)第二MOS管Q2到SD卡電源接口SD_POWER給SD卡供電；

卡托拔出同時檢測引腳EINT與手機(jī)內(nèi)部電源端VIO18_PMU分離，檢測引腳EINT又變成低電平0V，第一MOS管Q1截止，第二MOS管Q2截止，SD卡電源接口SD_POWER與手機(jī)內(nèi)部電源端VMCH_PMU分離，SD卡電源接口SD_POWER變?yōu)?V，即使手機(jī)內(nèi)部電源端VMCH_PMU不能及時下電也不會導(dǎo)致燒卡。

與實(shí)施例一不同的是，本實(shí)施例考慮的是檢測引腳EINT默認(rèn)為低電平的狀態(tài)下的具體電路，兩個電路針對不同的情況，都可以控制SD卡電源的通斷，進(jìn)而防止SIM卡不被燒毀。

上述實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和變化，這些變形和變化都應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。