一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法
【專利摘要】本實發(fā)明公開了一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其【具體實施方式】為：取藍(lán)寶石材料，對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料；將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度；去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級的精度；將所得的晶片通過純凈水清洗、室溫下晾干；晾干后對藍(lán)寶石單面進(jìn)行均勻涂膠，方便黏貼在手機(jī)屏上使其牢固不易脫落。所述工藝可以獲得表面無損傷層、粗糙度達(dá)到納米級藍(lán)寶石手機(jī)貼膜片，而且大大縮短制備周期，從而節(jié)約生產(chǎn)成本，又達(dá)到提高勞動生產(chǎn)率的目的。
【專利說明】一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，屬于貼膜加工制備方法【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]藍(lán)寶石Sapphire，又稱白寶石，是人造單晶材料，分子式為Al2O3，為六方晶體結(jié)構(gòu)。硬度極高(莫氐硬度:9.2~9.4)、耐高溫、耐磨損、抗腐蝕和透光波段寬(光譜范圍:
0.3~6μπι)的優(yōu)質(zhì)光功能材料。具有集優(yōu)良光學(xué)性能、物理性能和化學(xué)性能的獨(dú)特結(jié)合體。作為最硬(單晶純度≤99.99%，硬度911101^)的氧化物晶體，藍(lán)寶石由于其光學(xué)和物理特性而被運(yùn)用于各種要求苛刻的領(lǐng)域。藍(lán)寶石可以在高溫下保持其高強(qiáng)度、優(yōu)良的熱屬性和透過率。它有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學(xué)腐蝕。隨著手機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展，藍(lán)寶石(Α1203)晶體已經(jīng)成為現(xiàn)代工業(yè)極為重要的基礎(chǔ)材料。
[0003]隨著手機(jī)貼膜的市場應(yīng)用需求，取代貼膜材料改用藍(lán)寶石新材料開發(fā)加工成為人們研究的焦點，藍(lán)寶石材料由于其硬度高且脆性大，機(jī)械加工困難，如何開發(fā)獲取藍(lán)寶石新材料成為人們所關(guān)注的熱點問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明涉及藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工制備方法【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是整個制備加工方法。
[0005]本發(fā)明采取的具體技術(shù)方案是:
所述一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的工藝組成包括材料一切割一倒角一粗磨一退火--DMP—CMP—清洗一涂膠一成品檢驗。
[0006]所述的切割是對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工。
[0007]所述的倒角是將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免應(yīng)力集中造成缺陷。
[0008]所述的粗磨是去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度。
[0009]所述的退火是改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大。
[0010]所述的DMP是改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度。
[0011]所述的CMP是改善晶片粗糙度,使其表面達(dá)到納米級的精度。
[0012]所述的涂膠是對藍(lán)寶石單面進(jìn)行均勻涂膠方便黏貼在手機(jī)屏上使其牢固不易脫落。
[0013]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有的有益效果是:
1.本發(fā)明方法采用藍(lán)寶石材料作為手機(jī)貼膜，具有硬度高、透光率高、強(qiáng)度好、耐磨等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的玻璃面板，使用壽命更長、不易劃傷、透過率更好，不需要重復(fù)貼膜等方法來保護(hù)屏幕劃傷，同時也節(jié)省大量貼膜材料和費(fèi)用，具有明顯的經(jīng)濟(jì)價值。
2.產(chǎn)品質(zhì)量提升:藍(lán)寶石材料與傳統(tǒng)的貼膜材料相比，(I).使用壽命更長；(2).不易劃傷；(3).透過率更好；
3.環(huán)保性:藍(lán)寶石材料為環(huán)保材料，不會污染環(huán)境。

【具體實施方式】
[0014]取一塊藍(lán)寶石材料，切割:對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料；將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度；去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級的精度；將所得的晶片通過純凈水清洗、室溫下晾干I~2小時；晾干后對藍(lán)寶石單面進(jìn)行均勻涂膠，方便黏貼在手機(jī)屏上使其牢固不易脫落。
[0015]實例I取藍(lán)寶石材料，對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料；將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度；去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級的精度；將所得的晶片通過純凈水清洗、室溫下晾干I小時；晾干后對藍(lán)寶石單面進(jìn)行均勻涂膠，黏貼在手機(jī)屏上，I年后貼膜不脫落且無劃痕。
[0016]實例2取藍(lán)寶石材料，對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料；將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度；去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級的精度；將所得的晶片通過純凈水清洗、室溫下晾干1.5小時；晾干后對藍(lán)寶石單面進(jìn)行均勻涂膠，黏貼在手機(jī)屏上，2年后貼膜不脫落且無劃痕。
[0017]實例3取藍(lán)寶石材料，對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料；將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度；去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級的精度；將所得的晶片通過純凈水清洗、室溫下晾干2小時；晾干后對藍(lán)寶石單面進(jìn)行均勻涂膠，黏貼在手機(jī)屏上，3年后貼膜不脫落且無劃痕。
【權(quán)利要求】
1.一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的加工方法包括材料--切割一倒角一粗磨一退火--DMP--CMP--清洗一涂膠一成品檢驗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的切割是對晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的倒角是將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免應(yīng)力集中造成缺陷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的粗磨是去除切片時造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的退火是改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的DMP是改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的CMP是改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級的精度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)貼膜加工方法，其特征在于:所述的涂膠是對藍(lán)寶石單面 進(jìn)行均勻涂膠方便黏貼在手機(jī)屏上使其牢固不易脫落。
【文檔編號】H04M1/02GK104073882SQ201410294314
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月20日
【發(fā)明者】潘相成 申請人:常州市好利萊光電科技有限公司