專利名稱：智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其運(yùn)行方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及智能手機(jī)領(lǐng)域，特別涉及一種智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及所述智能手機(jī)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的運(yùn)行方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，人們可以在相同的晶圓面積上集成數(shù)量更多的半導(dǎo)體器件，實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的功能。手機(jī)也由打電話手機(jī)，經(jīng)歷功能手機(jī)，向智能手機(jī)發(fā)展。智能手機(jī)指具有獨(dú)立的操作系統(tǒng)，可以由用戶自行安裝軟件等第三方服務(wù)商提供的程序，能通過(guò)此類程序不斷對(duì)手機(jī)功能進(jìn)行擴(kuò)充，并可以通過(guò)移動(dòng)通訊網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)接入的手機(jī)。智能手機(jī)要支持打電話、發(fā)短信、處理音頻、視頻、安裝第三方程序等功能，對(duì)硬件系統(tǒng)的性能要求越來(lái)越高。智能手機(jī)的操作系統(tǒng)、用戶數(shù)據(jù)、應(yīng)用軟件均存放在非易失存儲(chǔ)器中；智能手機(jī)在運(yùn)行時(shí)，將實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存放在易失性存儲(chǔ)器中。目前，在智能手機(jī)系統(tǒng)中，非易失性存儲(chǔ)器如閃存，承擔(dān)著PC中系統(tǒng)硬盤的角色；易失性存儲(chǔ)器如同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)，承擔(dān)著PC中系統(tǒng)內(nèi)存的角色。目前，主流智能手機(jī)采用的非易失性存儲(chǔ)器包括eMMC模塊，LBA NAND FLASH, RAWNAND FLASH等，所述三種非易失性存儲(chǔ)器的單位容量存儲(chǔ)成本逐個(gè)遞減。目前，主流智能手機(jī)采用的易失性存儲(chǔ)器包括靜態(tài)隨即存儲(chǔ)器(SRAM)，偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(PSRAM)，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)等，所述三種易失性存儲(chǔ)器的單位容量存儲(chǔ)成本逐個(gè)遞減。常見的智能手機(jī) 存儲(chǔ)器管理架構(gòu)多采用eMMC作為非易失性存儲(chǔ)器，LPDDR2 SDRAM作為易失性存儲(chǔ)器。其優(yōu)點(diǎn)在于使用簡(jiǎn)便，缺點(diǎn)是與智能手機(jī)主處理芯片集成時(shí)集成度低，成本高。如何在滿足智能手機(jī)功能與應(yīng)用的前提下，在眾多種類與規(guī)格的存儲(chǔ)器中進(jìn)行器件的恰當(dāng)選型，將直接影響智能手機(jī)的制成成本和產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。目前智能手機(jī)硬件系統(tǒng)包括中央處理器、調(diào)制解調(diào)單元、內(nèi)存、閃存、圖形加速器、圖像處理器、音頻處理器、外設(shè)接口等，系統(tǒng)的軟件、硬件均相當(dāng)復(fù)雜，而手機(jī)系統(tǒng)的供電僅僅依賴手機(jī)電池，因此智能手機(jī)的電量消耗是一個(gè)極為關(guān)鍵的問(wèn)題。在手機(jī)電池容量不能無(wú)限增加的情況下，如何降低智能手機(jī)的功耗是智能手機(jī)設(shè)計(jì)優(yōu)先考慮的問(wèn)題之一。降低智能手機(jī)功耗的設(shè)計(jì)思想體現(xiàn)在智能手機(jī)設(shè)計(jì)的方方面面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能降低智能手機(jī)生產(chǎn)成本和運(yùn)行功耗的智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)；本發(fā)明還提供了一種所述智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)行方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括應(yīng)用處理單元102通過(guò)NAND FLASH總線104與RAW NAND FLASH器件103連接，用于存儲(chǔ)非易失數(shù)據(jù)及程序，通過(guò)DDR總線101與DDR3L SDRAM器件100連接，用于大容量高速數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)量大于256兆比特)存儲(chǔ)，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線105與基帶處理單元106連接，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線105實(shí)現(xiàn)對(duì)PSRAM器件108的擴(kuò)展訪問(wèn)；應(yīng)用處理單元102還設(shè)置有RAW NAND FLASH控制器110，用以控制NAND FLASH總線104，并對(duì)讀寫數(shù)據(jù)進(jìn)行編解碼保護(hù)；基帶處理單元106通過(guò)SRAM總線107與PSRAM器件108連接，用于小容量(數(shù)據(jù)量小于256兆比特)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)；基帶處理單元106還設(shè)置有時(shí)鐘管理單元109，用以控制手機(jī)運(yùn)行模式切換時(shí)，應(yīng)用處理單元102時(shí)鐘、DDR3L SDRAM器件100時(shí)鐘和NAND FLASH器件103時(shí)鐘的打開和關(guān)閉；所述智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)行方法，包括所述存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)工作狀態(tài)劃分為待機(jī)模式和工作模式；工作模式應(yīng)用處理單元102經(jīng)NAND FLASH總線104訪問(wèn)RAW NAND FLASH器件103 ;應(yīng)用處理單元102經(jīng)DDR總線101訪問(wèn)DDR3L SDRAM器件100 ；

基帶處理單元106經(jīng)SRAM總線107訪問(wèn)PSRAM器件108 ；啟動(dòng)待機(jī)模式應(yīng)用處理單元102將喚醒程序通過(guò)經(jīng)應(yīng)用基帶橋總線105寫入PSRAM 器件 108 ；進(jìn)入待機(jī)模式時(shí)鐘管理單元109關(guān)閉應(yīng)用處理單元102的時(shí)鐘，關(guān)閉DDR3SDRAM100的時(shí)鐘，關(guān)閉RAW NAND FLASH器件103的時(shí)鐘，即應(yīng)用處理單元102處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)，僅有漏電消耗，基帶處理單元106維持工作；退出待機(jī)模式基帶處理單元106通知應(yīng)用處理單元102的時(shí)鐘管理單元109，打開應(yīng)用處理單元102的時(shí)鐘，將應(yīng)用處理單元102切換至工作狀態(tài)；返回工作模式時(shí)鐘管理單元109打開應(yīng)用處理單元102中其他電路的時(shí)鐘，打開DDR3 SDRAM器件100的時(shí)鐘，應(yīng)用處理單元102從PSRAM器件108中讀取喚醒程序并執(zhí)行，進(jìn)入正常工作狀態(tài)。本發(fā)明的智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)采用RAW NAND FLASH器件，RAW NAND FLASH器件在所有非易失性存儲(chǔ)器中，單位容量存儲(chǔ)成本是最低的；智能手機(jī)在進(jìn)入待機(jī)模式后，DDR3L SDRAM器件、應(yīng)用處理單元、RAW NAND FLASH器件全部關(guān)斷時(shí)鐘，能降低系統(tǒng)運(yùn)行功耗。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1是本發(fā)明智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明100 是 DDR3L SDRAM 器件101 是 DDR 總線102是應(yīng)用處理單元103 是 RAW NAND FLASH 器件
104 是 NAND FLASH 總線
105是應(yīng)用基帶橋總線106是基帶處理單元108 是 PSRAM 器件109是時(shí)鐘管理單元110 是 RAW NAND FLASH 控制器
具體實(shí)施例方式如圖1所示，DDR3L SDRAM器件 100、DDR總線 101、應(yīng)用處理單元 102、RAW NAND FLASH器件 103、NAND FLASH總線104、應(yīng)用基帶橋總線105、基帶處理單元106、SRAM總線107、PSRAM108和時(shí)鐘管理單元109 ；應(yīng)用處理單元102通過(guò)NAND FLASH總線104與RAW NAND FLASH器件103連接，用于存儲(chǔ)非易失數(shù)據(jù)及程序，通過(guò)DDR總線101與DDR3L SDRAM器件100連接，用于大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線105與基帶處理單元106連接相互通訊，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線105實(shí)現(xiàn)對(duì)PSRAM器件108的擴(kuò)展訪問(wèn)；應(yīng)用處理單元102還設(shè)置有RAW NAND FLASH控制器110，用以控制NAND FLASH總線104，并對(duì)讀寫數(shù)據(jù)進(jìn)行編解碼保護(hù)；

基帶處理單元106通過(guò)SRAM總線與PSRAM器件108連接，用做小容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線105通知應(yīng)用處理單元102，使手機(jī)進(jìn)入待機(jī)模式或自待機(jī)模式中喚醒，進(jìn)入工作模式；基帶處理單元106還設(shè)置有時(shí)鐘管理單元109，用以控制手機(jī)運(yùn)行模式切換時(shí)，應(yīng)用處理單元102時(shí)鐘、DDR3L SDRAM器件100時(shí)鐘和NAND FLASH器件103時(shí)鐘的打開和關(guān)閉。所述智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)行方法，包括所述存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)工作狀態(tài)劃分為待機(jī)模式和工作模式；工作模式應(yīng)用處理單元102經(jīng)NAND FLASH總線104訪問(wèn)RAWNAND FLASH器件103 ;應(yīng)用處理單元102經(jīng)DDR總線101訪問(wèn)DDR3L SDRAM器件100 ；基帶處理單元106經(jīng)SRAM總線107訪問(wèn)PSRAM器件108 ；啟動(dòng)待機(jī)模式應(yīng)用處理單元102將喚醒程序通過(guò)經(jīng)應(yīng)用基帶橋總線105寫入PSRAM 器件 108 ；進(jìn)入待機(jī)模式時(shí)鐘管理單元109關(guān)閉應(yīng)用處理單元102的時(shí)鐘，關(guān)閉DDR3SDRAM100的時(shí)鐘，關(guān)閉RAW NAND FLASH器件103的時(shí)鐘，即應(yīng)用處理單元102處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)，僅有漏電消耗，基帶處理單元106維持工作；退出待機(jī)模式基帶處理單元106通知應(yīng)用處理單元102的時(shí)鐘管理單元109，打開應(yīng)用處理單元102的時(shí)鐘，將應(yīng)用處理單元102切換至工作狀態(tài)。以上通過(guò)具體實(shí)施方式
和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其特征是，包括 應(yīng)用處理單元(102)通過(guò)NAND FLASH總線(104)與RAW NAND FLASH器件(103)連接，用于存儲(chǔ)非易失數(shù)據(jù)及程序，通過(guò)DDR總線(101)與DDR3L SDRAM器件(100)連接，用于大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線(105)與基帶處理單元(106)連接，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線(105)實(shí)現(xiàn)對(duì)PSRAM器件(108)的擴(kuò)展訪問(wèn)； 應(yīng)用處理單元(102)還設(shè)置有RAW NAND FLASH控制器(110)，用以控制NAND FLASH總線(104)，并對(duì)讀寫數(shù)據(jù)進(jìn)行編解碼保護(hù)； 基帶處理單元(106)通過(guò)SRAM總線(107)與PSRAM器件(108)連接，用于小容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間； 基帶處理單元(106)還設(shè)置有時(shí)鐘管理單元(109)，用以控制手機(jī)運(yùn)行模式切換時(shí)，應(yīng)用處理單元(102)時(shí)鐘、DDR3L SDRAM器件(100)時(shí)鐘和NAND FLASH器件(103)時(shí)鐘的打開和關(guān)閉。
2.如權(quán)利要求1所述智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)行方法，其特征是，包括 所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)工作狀態(tài)劃分為待機(jī)模式和工作模式； 工作模式應(yīng)用處理單元(102)經(jīng)NAND FLASH總線(104)訪問(wèn)RAW NAND FLASH器件(103);應(yīng)用處理單元(102)經(jīng)DDR總線(101)訪問(wèn)DDR3L SDRAM器件(100)； 基帶處理單元(106)經(jīng)SRAM總線(107)訪問(wèn)PSRAM器件(108); 啟動(dòng)待機(jī)模式應(yīng)用處理單元(102)將喚醒程序通過(guò)經(jīng)應(yīng)用基帶橋總線(105)寫入PSRAM 器件(108)； 進(jìn)入待機(jī)模式時(shí)鐘管理單元(109)關(guān)閉應(yīng)用處理單元(102)的時(shí)鐘，關(guān)閉DDR3SDRAM(100)的時(shí)鐘，關(guān)閉RAW NAND FLASH器件(103)的時(shí)鐘，即應(yīng)用處理單元(102)處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)，僅有漏電消耗，基帶處理單元(106)維持工作； 退出待機(jī)模式基帶處理單元(106)通知應(yīng)用處理單元(102)的時(shí)鐘管理單元(109)，打開應(yīng)用處理單元(102)的時(shí)鐘，將應(yīng)用處理單元(102)切換至工作狀態(tài)； 返回工作模式時(shí)鐘管理單元(109)打開應(yīng)用處理單元(102)中其他電路的時(shí)鐘，打開DDR3SDRAM器件(100)的時(shí)鐘，應(yīng)用處理單元(102)從PSRAM器件(108)中讀取喚醒程序并執(zhí)行，進(jìn)入正常工作狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括應(yīng)用處理單元通過(guò)NAND FLASH總線與RAW NAND FLASH器件連接，用于存儲(chǔ)非易失數(shù)據(jù)及程序，通過(guò)DDR總線與DDR3L SDRAM器件連接，用于大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線與基帶處理單元連接，通過(guò)應(yīng)用基帶橋總線實(shí)現(xiàn)對(duì)PSRAM器件的擴(kuò)展訪問(wèn)；應(yīng)用處理單元還設(shè)置有RAW NAND FLASH控制器，用以控制NAND FLASH總線，并對(duì)讀寫數(shù)據(jù)進(jìn)行編解碼保護(hù)；基帶處理單元通過(guò)SRAM總線與PSRAM器件連接，用于小容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間；基帶處理單元還設(shè)置有時(shí)鐘管理單元，用以控制手機(jī)運(yùn)行模式切換時(shí)，應(yīng)用處理單元時(shí)鐘、DDR3L SDRAM器件時(shí)鐘和NAND FLASH器件時(shí)鐘的打開和關(guān)閉。本發(fā)明還公開了一種所述智能手機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)行方法。本發(fā)明能降低智能手機(jī)生產(chǎn)成本和運(yùn)行功耗。
文檔編號(hào)H04M1/725GK103067582SQ20121057282
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月25日
發(fā)明者黃秀蓀, 李琳, 黎驊, 毛天然 申請(qǐng)人:銳迪科科技有限公司