專利名稱：雙單晶背板麥克風系統(tǒng)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微加工的麥克風，并且更具體地涉及微加工的麥克風的制造方法。
背景技術(shù)：
麥克風通常具有與固態(tài)背板平行地布置的可移動膜片。膜片和背板形成可變電容器。膜片響應(yīng)于入射的聲能而移動，以改變可變電容，并且由此產(chǎn)生用于表示入射聲能的電信號。多晶硅可以被微加工來制造膜片和/或背板。然而，多晶硅的微加工的結(jié)構(gòu)可以從它們的制造保持應(yīng)力并且當被冷卻時可能變形、彎曲或甚至斷裂。多晶硅微機電系統(tǒng)(“MEMS”)結(jié)構(gòu)也可能具有通常不平坦的表面(即，它們可能不規(guī)則地起伏)，這可能潛在不利地影響它們作為可變電容器的板的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
在第一實施例中，雙背板微加工的麥克風具有在兩個單晶背板之間可移動地夾著的膜片，以形成兩個可變電容器，每一個可變電容器具有一個背板。諸如氧化層的兩個絕緣層將背板與膜片電隔離?！嵤├诒嘲鍖又换騼烧咧芯哂懈鞣N觸頭，以利到膜片和一個或兩個背板的電連接。說明性實施例包括與背板層之一相鄰的背側(cè)空腔，以提供對于麥克風的物理支撐，并且提供聲能達到膜片的路徑。在一些實施例中，背板之一或兩者是絕緣體上硅的晶片的一部分，而膜片可以是多晶硅。在一些實施例中，兩個背板層之一或兩者或者膜片層包括間隔物(standoffs)，用于調(diào)節(jié)在背板和膜片之間的間隙?？梢酝ㄟ^下述方式來制造雙背板麥克風提供具有第一導(dǎo)電單晶背板和導(dǎo)電膜片的第一晶片和具有第二導(dǎo)電單晶背板的第二晶片，并且將第二背板粘合到第一晶片，使得在第一背板和第二背板夾著膜片，但是膜片與第一背板和第二背板電隔離。膜片因此可以形成耦合的電容器，一個是連同第一背板形成，并且另一個是連同第二背板形成。背板之一或兩者可以在絕緣體上硅晶片的層中。在一些實施例中，背板之一或兩者或膜片層可以包括間隔物。一些實施例包括在背板之一或兩者上的可移動層，用于在制造期間接觸和固定膜片。在一些實施例中，可移動層最終被去除以釋放膜片。該裝配處理可以包含將第二背板從第二晶片向第一晶片轉(zhuǎn)移。在一些實施例中，第二晶片也包括犧牲(或粘結(jié))層和施主基板，并且該處理包括在粘合晶片后去除施主基板和犧牲層。


結(jié)合附圖通過參考下面的詳細描述，將更容易明白本發(fā)明的前述特征，在附圖中圖I示意地示出可以使用根據(jù)本發(fā)明的說明性實施例配置的MEMS麥克風的移動電話。圖2示意地示出可以根據(jù)本發(fā)明的說明性實施例配置的MEMS麥克風。圖3示意地示出通過線202的在圖2中所示的麥克風的截面圖。圖4示意地示出根據(jù)一個實施例的具有雙單晶背板的MEMS麥克風系統(tǒng)。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的說明性實施例的形成雙背板麥克風的處理。圖6A-6C示意地圖示根據(jù)各個實施例的麥克風的組件部分。圖7A-7E示意地圖示在說明性實施例中的根據(jù)制造的不同階段的麥克風的組件部分。
具體實施例方式在說明性實施例中，MEMS麥克風被配置成具有對于高最大聲壓、寬帶寬的檢測能力并且降低了毀壞的風險。為此，雙背板麥克風具有在兩個單晶背板之間夾著的可移動膜片。圖I示意地示出可以使用根據(jù)說明性實施例配置的麥克風的移動電話10。簡言之，電話10具有接收器12，用于接收音頻信號(例如，人的語音)；揚聲器部分14，用于生成音頻信號；以及應(yīng)答器16，用于發(fā)射和接收編碼音頻信號的電磁信號。在使用期間，人可以向接收器12內(nèi)說話，接收器12具有MEMS麥克風(圖2，如下所述)，MEMS麥克風將人的語音轉(zhuǎn)換為電信號。內(nèi)部邏輯(未示出)和應(yīng)答器16向諸如衛(wèi)星塔的遠程源調(diào)制這個信號，并且最終向在另一個電話10上的另一個人調(diào)制這個信號。在說明性實施例中，接收器12具有麥克風，該麥克風被機械地配置有相對精確的低頻截止點(即，在沒有顯著失真的情況下它可以檢測的最低頻率，其在本領(lǐng)域中經(jīng)常被稱為“_3dB點”)。圖2示意地示出MEMS麥克風18 (也稱為“麥克風芯片18”)的一部分的頂部立體圖。圖3示意地示出通過圖2的線2-2的同一麥克風18的截面圖。為了說明清楚，圖2或圖3都未示出第二背板。除了其他方面，麥克風18包括靜態(tài)背板20，靜態(tài)背板20支撐柔性膜片22并且與柔性膜片22 —起形成可變電容器。在說明性實施例中，從單晶硅形成背板20(例如，下述的絕緣體上硅晶片的頂層)，而從諸如沉積多晶硅的沉積材料形成膜片22。然而，其他實施例使用其他類型的材料來形成背板20和膜片22。例如，單晶硅大體積晶片或某種沉積材料可以形成背板20。以類似的方式，單晶硅大體積晶片、絕緣體上硅晶片的一部分或某種其他的沉積材料可以形成膜片22。為了便利操作，背板20具有引導(dǎo)到背側(cè)空腔26的多個通孔孔徑(“背板孔徑24”)。彈簧28可移動地將膜片22連接到麥克風18的靜態(tài)/固定部分40，其包括基板(也被附圖標號“30”標識)。彈簧28有效地形成多個孔徑，所述多個孔徑允許聲能的至少一部分通過膜片22。也被稱為“膜片孔徑32”的這些孔徑32可以是任何合理的形狀，諸如狹縫形狀、圓孔或某種不規(guī)則形狀。然而，其他實施例可以具有其他類型的彈簧28以及孔徑24和32。入射聲能使得膜片22振動，因此在它和背板20之間產(chǎn)生改變的電容。這樣的聲能可以從任何方向接觸麥克風18。例如，在圖3中，聲能被示出為向上傳播，首先通過背板20，并且然后部分通過和對著膜片22。在其他實施例中，聲能可以在相反方向上傳播。芯片上或芯片外電路(未示出)接收(經(jīng)由圖2的觸頭36)這個改變的電容，并且將這個改變的電容轉(zhuǎn)換為可以進一步被處理的電信號。應(yīng)當注意，圖2-3中所示特定麥克風18的討論僅為了說明的目的。根據(jù)說明性實施例，雙背板麥克風400具有一對通常平行的、單晶硅背板層402和
412，每一個單晶硅背板層分別具有背板401和411 ;以及多晶硅膜片層408，并且可移動導(dǎo)電膜片409夾在背板層401、411之間，如圖4中示意性圖示的。膜片409以及背板401和411的布置可以被描述為形成堆疊體。通常，相對于多晶硅背板，單晶背板會更堅硬，并且具有更一致的表面。這與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計相反，現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計具有單個背板和/多晶硅背板。膜片409形成兩個電容器，與每個背板401、411各形成一個。當入射聲能撞擊膜片409時，膜片移動或振動。當膜片移動到更接近一個背板時，它移動得更加遠離另一個背板。因為電容與膜片和背板之間的間隙成反比，所以通過膜片向一個背板移動而形成的電容增大，而通過膜片遠離另一個背板而形成的電容減小。當膜片409固定時，通過在麥克風400內(nèi)的其他結(jié)構(gòu)來確定在膜片與背板401、411的每一個之間的距離。在圖4中，膜片409和第一背板401之間的間隙415由粘合介質(zhì)410的尺寸來確定，而膜片409和第二背板411之間的間隙414由粘合介質(zhì)413的尺寸來確定。單晶背板的硬度響應(yīng)于外力或撞擊的聲能而抵抗背板的彎曲，并且可以因此使得背板和膜片之間的間隙比諸如微加工的多晶硅背板的其他背板更一致。一些實施例包括作為麥克風結(jié)構(gòu)的一部分的導(dǎo)電連接器，以利到麥克風400的各種部件的電連接。例如，在第二背板層412上的觸頭420電耦合到背板層412和第二背板
411。這使得第二背板411電連接到在麥克風系統(tǒng)內(nèi)的其他電路，所述其他電路可以例如向背板411供電或感測由背板411和膜片409形成的電容。耦合到通孔422的另一個觸頭421穿過第二背板層412，并且電連接到膜片409。通孔422通過絕緣氧化物內(nèi)襯423與第二背板層412絕緣。第一背板401通過通孔425電耦合到又一個觸頭424，該通孔425穿過第二背板層
412。通孔425通過絕緣氧化物內(nèi)襯426與第二背板412絕緣。圖4的麥克風400也包括背側(cè)腔體404，該背側(cè)腔體404穿過絕緣體上硅(“ SOI ”)晶片403的底部硅(手柄)層405和中間氧化物(例如，掩埋氧化物或“BOX”)層406。背側(cè)腔體404提供了通道，通過該通道，進入的聲能可達到膜片409，而中間氧化物406充當絕緣體，用來電隔離背板401和手柄層405。手柄層405的剩余部分430提供了用于在基板上支撐麥克風400的結(jié)構(gòu)。在第二背板層上沒有對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。這樣的對應(yīng)的結(jié)構(gòu)使得麥克風400更高，并且因此占用更大的體積，這在一些應(yīng)用中可能是不期望的(例如，在蜂窩電話或IC封裝體內(nèi)，其中，空間非常珍貴)。由于硅晶體生長的性質(zhì)，所以不能通過在膜片或另一個晶片附近原地生長多晶背板來完成制造具有單晶背板的雙背板麥克風。然而，可以通過下述方式來制造這樣的麥克風獨立的地產(chǎn)生多晶背板中的至少一個；以及通過例如經(jīng)由晶片粘合組裝其組件部分來制造麥克風。在一些實施例中，在晶片中的至少一個的完整制造之前(即，當一些制造步驟保持用于晶片中的至少一個時)，可以執(zhí)行下述部分在幾個組件晶片(例如，諸如兩個SOI晶片或者一個SOI晶片和單晶晶片)上單獨地制造部件，并且然后將晶片粘合在一起。在圖5的流程圖中描述了這樣的處理的說明性實施例。在圖6A、6B和6C中示意地圖示了在圖5的處理中可以使用的某些組件部分的說明性實施例，并且在圖7A-7E中圖
示了根據(jù)圖5的處理裝配的組件部分的說明性實施例。該處理在步驟501開始，其中，第一背板和膜片被設(shè)置在第一晶片上。第一晶片可以是SOI晶片，并且可以以本領(lǐng)域已知的方式來制造第一背板和膜片。例如，在圖6A中，在SOI晶片600的器件層(或背板層)603中示意地圖示了第一背板604。背板604包括可以允許聲波或聲能通過膜片606的一個或多個孔/孔徑/通路605。第一背板604與導(dǎo)電膜片606 —起形成電容器。為此,絕緣氧化層608物理地和電子地將膜片層607與背板層603分隔。晶片600也包括手柄層601和中間氧化物層602，中間氧化物層602包括背側(cè)空腔611。在一些實施例中，膜片606可以通過可去除或犧牲材料791緊固到第一晶片600，如圖7D中示意地圖示的。材料791可以用于在隨后的處理期間固定膜片606。除了其他方面，這可以降低或消除在雙背板麥克風的裝配期間膜片606與背板604接觸的風險。例如，材料791可以是犧牲多晶硅或氧化物。第二背板被設(shè)置在第二晶片上(步驟502)。第二晶片可以被稱為“施主”晶片，并且它具有與第二背板可分離的“施主”部分。背板說明性地是大約10微米厚，并且由多晶娃制成。例如，在圖6B中，第二晶片620包括在器件層(它也可以被稱為第二背板層)623中的第二背板624。第二背板624包括一個或多個溝槽625，所述一個或多個溝槽625以后將形成通過背板624的孔、孔徑或通路。手柄層621是施主層(換句話說，層621最終將向制造的雙背板麥克風施予背板層623)。在圖6C中示意地圖示了第二晶片的替代實施例。晶片630包括損傷平面631，其中，已經(jīng)植入了離子或其他雜質(zhì)。在一個實施例中，例如，在晶片630的表面632下植入離子(諸如氫離子)，以形成與表面632平行的損傷平面631。頂部表面632包括溝槽635，以部分地形成背板634。如上所述，溝槽635在完成層轉(zhuǎn)移后將形成通過第二背板634的孔徑。這樣，在損傷平面631之上的晶片630的區(qū)域是第二背板層。損傷平面631和在損傷平面之下的第二晶片630的部分633 (例如，在與溝槽635相對的第二晶片630的側(cè)上)是施主層。施主層可以通過破裂或割斷在損傷平面631層的晶片630而最終與背板624分離。
在任一情況下，如圖7D中示意地圖示的，第二背板￠24或634)可以具有可去除或犧牲材料790。材料790可以用于如圖7E中示意地圖示的在隨后的處理期間固定膜片606，并且可以例如是犧牲多晶硅、聚合物或氧化物。在一些應(yīng)用中，可能重要的是，膜片和第二背板之間的間隙與膜片和第一鑒別之間的間隙基本上相同。這樣，在一些實施例中，第二背板層或膜片層中的一個或兩者可以包括一個或多個不導(dǎo)電間隔物，諸如在圖6A中的間隔物610、在圖6B中的間隔物626和在圖6C中的間隔物636。這樣的間隔物凸立在它們附接到的表面的面上，并且它們的高度應(yīng)當匹配在膜片和第一背板之間的間隙。以這種方式，間隔物將防止在膜片和第二背板之間的間隙小于期望值(例如，小于在膜片和第一背板之間的間隙)。在一些實施例中，這樣的間隔物也可以用作在第二背板層上的觸頭和諸如膜片或第一背板的麥克風的另一個構(gòu)件之間的導(dǎo)體?？蛇x地，可以在第二晶片上制造(步驟503)諸如晶體管的集成電路和其他有源器
件、無源器件和互連結(jié)構(gòu)，這里僅列出幾個。在第二晶片上制造第二背板或諸如集成電路的麥克風結(jié)構(gòu)的其他部件提供了包括下述部分的潛在益處更低的制造成本，以及沒有損害在同一基板上制造微加工結(jié)構(gòu)(例如，諸如膜片)的風險。例如，可以在比制造一些微加工的結(jié)構(gòu)的危險高溫度更低的溫度下執(zhí)行這樣的制造。該處理然后繼續(xù)到步驟504，其中，第二晶片被放置得與第一晶片接觸并且粘合到第一晶片。圖7A和7B示意地圖示了使用在圖6A和6B中圖示的某些組件部分的步驟504。雖然這個說明性實施例采用SOI晶片，但是應(yīng)當注意，各個實施例不限于SOI晶片的使用。例如，也可以使用單晶(非SOI)晶片，諸如在圖6C中示意地圖示的第二晶片。如圖7A中不意地圖不的,具有第一背板604和在膜片層607中的膜片606的第一晶片600、以及具有第二背板層623的第二晶片620被設(shè)置和布置成使得第二背板層623面向膜片層607。如果存在電互連或通孔(例如，諸如在圖4中圖示的那些)，則在第二晶片620上的觸頭應(yīng)當與在第一晶片600上的對應(yīng)觸頭(例如，該觸頭可以在膜片層607上)對齊。一個或多個互連材料701被放置在第一晶片600和第二晶片620之間。互連材料701可以是粘性的或其他導(dǎo)電或不導(dǎo)電的粘合材料。互連材料701可以初始附接到第一晶片600、第二晶片620中的一個或兩者。在一些實施例中，如上所述，并且如圖7E中所示，互連材料701可以初始在膜片層607上，并且延伸跨過膜片606和在膜片606和第二背板624之間，以充當犧牲材料790。在任何情況下，互連材料701與膜片606橫向隔開，以避免干擾膜片606在完成的產(chǎn)品中的移動(例如，如在圖7C中那樣)。然后，兩個晶片600和620與互連材料701被置于一起并且彼此粘合，以形成如圖7B中所圖示的統(tǒng)一構(gòu)件。就此而論，兩個晶片經(jīng)由互連材料701而粘合。在替代實施例中，可以例如用金屬粘合物或氧化物直接粘合來完成粘合，而不插入粘合材料。在一些實施例中，在比可能損害MEMS結(jié)構(gòu)或集成電路的溫度低的溫度下形成晶片之間的粘合。在一些實施例中，例如，在大約攝氏200至400度的溫度下制造粘合物。一旦粘合了晶片，則去除第二晶片的部分(例如，施主部分)(步驟505)，留下粘合到第一晶片的第二背板。例如，在圖7C中，已經(jīng)去除了第二晶片620的施主層621和中間氧化物層622，留下了附接到第一晶片600 (具體地說，在這個實施例中，附接到膜片層607)的第二背板層623。就此而論，先前的溝槽635貫穿(例如，形成通過第二背板層623的孔或通路702)第二背板層623以形成背板624。去除施主基板621可以包含簡單地去除中間氧化物層622，因此允許施主基板621脫落。替代地，可以通過本領(lǐng)域已知的蝕刻、磨損或其他方法來去除施主基板。其他實施例可以通過蝕刻和磨損或研磨要去除的部分的組合來去除第二晶片的部分。例如，如果晶片是SOI晶片(620)，則可以通過磨損或研磨來去除手柄層(621)，以暴露絕緣層￠22)，該絕緣層然后可以通過蝕刻被去除。在任何情況下，這樣的處理優(yōu)選地是低溫處理，低溫處理將不損害在器件中的MEMS結(jié)構(gòu)或電路(諸如CMOS電路)。一些處理使得施主晶片完整，而另一些處理使它完整但是比它原來薄。如果它保持得足夠厚以在其表面上制造可轉(zhuǎn)移層，則可以再使用該施主晶片。例如，在一些實施例中，可以通過下述方式來在施主晶片620上形成新的背板624 :在施主晶片620上制造犧牲層622 (諸如可以充當粘結(jié)層的氧化物層)，并且然后向犧牲層上制造或粘合新的背板624。在一些實施例中，基板(施主層)不必本身是晶片，但是可以是能夠支撐犧牲層和背板層的制造的任何基板。就此而論，說明性實施例可以指的是第二 “晶片”，但是應(yīng)當明白，該結(jié)構(gòu)不限于晶片或半導(dǎo)體晶片?？梢栽谔幚斫Y(jié)束之前執(zhí)行其他后處理(步驟506)，諸如拋光表面(例如，通過CMP或機械磨損)或互連電路。在某個點，例如，可以通過下述方式釋放膜片(步驟507):去除可去除或犧牲材料(790和/或791，如果有的話)的至少一些或在膜片606與背板604、624中的一個或兩者之間的其他剩余結(jié)構(gòu)。包括這樣的犧牲材料的一些實施例可以僅具有犧牲材料790或791中的一個。因此，一般而言，雙背板麥克風的一些實施例具有第一單晶背板、第二單晶背板和在第一和第二背板之間定位(或夾著)的柔性膜片。背板和晶片形成堆疊體，并且被小間隙隔開。膜片形成兩個可變電容器一與兩個背板的每一個各形成一個。到膜片和每一個背板的電連接允許通過連接的電路感測每一個電容。背板優(yōu)選地是相當堅硬的，并且將不響應(yīng)于任何入射的聲能而變形。例如由于單晶背板的某些物理屬性，諸如其硬度和平滑表面，所述以雙背板麥克風可以提供相對于單背板麥克風的多個優(yōu)點。雙背板麥克風系統(tǒng)的優(yōu)點可以包括寬動態(tài)范圍,包括相對高的最大聲壓(例如，大于120dB spI ;在一些實施例中，高達160dB spl或更大)和寬帶寬(例如，大于20kHz ;在一些實施例中，高達IOOkHz或更大)，這里僅列出幾個。而且，在差分電容器的情況下，可以采用比在單背板設(shè)計中使用的那些更高的偏置電壓?？梢詫⒛て浇拥侥て粋?cè)的背板的靜電力在一定程度上被在膜片和在另一側(cè)的背板之間的靜電力間隔。這些競爭的抵消力降低了將膜片拉到一個背板(可以被稱為“下拉”的現(xiàn)象)并且被不能恢復(fù)地卡住的可能性，并且因此，可以施加更高的偏置電壓。上述的本發(fā)明的實施例意在僅是示例性的；多種變化和修改對于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員將是顯而易見的。所有這樣的變化和修改意在處于如在任何所附的權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙背板麥克風，包括 第一背板層，所述第一背板層包括第一導(dǎo)電單晶背板； 第二背板層，所述第二背板層包括第二導(dǎo)電單晶背板；以及 導(dǎo)電的膜片，所述膜片可移動地被夾在所述第一背板和第二背板之間并且與所述第一背板和第二背板電隔離，其中，所述背板和膜片形成堆疊體，使得所述膜片與所述第一背板形成第一可變電容器，并且所述膜片與所述第二背板形成第二可變電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，其中，所述麥克風進一步包括在所述第一背板層和所述膜片之間的第一絕緣層以及在所述第二背板層和所述膜片之間的第二絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，所述第二背板層進一步包括 第二背板觸頭，所述第二背板觸頭電耦合到所述第二背板；以及膜片觸頭，所述膜片觸頭電耦合到所述膜片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙背板麥克風，所述第二背板層進一步包括電耦合到所述第一背板的第一背板觸頭。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，所述第一背板層進一步包括第一側(cè)和第二偵牝所述第一側(cè)面向所述膜片，并且所述第二側(cè)包括背側(cè)空腔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，所述第二背板層進一步包括第一側(cè)和第二偵牝所述第一側(cè)面向所述膜片，并且所述第二側(cè)包括背側(cè)空腔。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，其中，所述第一背板層和所述第二背板層中的至少一個包括SOI晶片。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，進一步包括在所述第一背板層和所述晶片之間的絕緣層，并且其中所述膜片包括多晶硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙背板麥克風，其中，所述絕緣層包括氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙背板麥克風，進一步包括在所述第二背板層和所述膜片層之間的一個或多個間隔物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的雙背板麥克風，其中，所述間隔物凸立在所述第二背板層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的雙背板麥克風，其中，所述間隔物凸立在所述膜片層。
13.—種制造雙背板麥克風的方法，所述方法包括 提供第一晶片，所述第一晶片包括導(dǎo)電單晶背板和導(dǎo)電膜片； 提供第二導(dǎo)電單晶背板；以及 把所述第二背板粘合到所述第一單晶晶片，使得所述膜片被夾在所述第一背板和所述第二背板之間并且與所述第一背板和所述第二背板電隔離。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，其中，所述膜片與所述第一背板形成第一可變電容器，并且所述膜片與所述第二背板形成第二可變電容器。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，其中，把所述第二背板粘合到所述第一單晶晶片包括層轉(zhuǎn)移處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，所述方法進一步包括在粘合了所述晶片之后釋放所述膜片。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，其中，所述第二單晶背板包括第二晶片，所述第二晶片包括背板層、粘結(jié)層和施主層，并且其中所述方法進一步包括去除所述第一晶片的所述施主層和粘結(jié)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，其中，所述第二單晶背板和所述第一單晶晶片中的至少一個包括SOI層的器件層。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，其中，所述第一晶片進一步包括與所述第一背板相對的所述膜片的一側(cè)上的犧牲材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造雙背板麥克風的方法，其中，所述第二背板進一步包括具有第一面的第二背板層，其中，所述第一面包括一個或多個間隔物。
全文摘要
一種雙背板MEMS麥克風系統(tǒng)包括夾在兩個單晶硅背板之間的柔性膜片。可以通過下述方式來形成這樣的MEMS麥克風系統(tǒng)在獨立的晶片中制造每一個背板；以及然后將一個背板從其晶片向另一個晶片轉(zhuǎn)移，使得與膜片形成兩個分離的電容器。
文檔編號H04R19/00GK102792715SQ201080036868
公開日2012年11月21日 申請日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者楊·L·匡, 陳立, 陳都華 申請人:美國亞德諾半導(dǎo)體公司