專利名稱：用于測(cè)試td-lte終端射頻性能的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的 方法和裝置。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代通信行業(yè)的發(fā)展，以及TD-SCDMA制式終端的日益成熟，TD-LTE (TD-SCDMA Long term evolution)技術(shù)不斷完善，TD-LTE終端生產(chǎn)量將會(huì)逐漸加大。為了檢查 TD-LTE終端的生產(chǎn)質(zhì)量和性能指標(biāo)，必須通過終端綜合測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試。目前還沒有成熟 的TD-LTE終端綜合測(cè)試儀，這樣嚴(yán)重限制了 TD-LTE終端廠商的研發(fā)和生產(chǎn)效率，增加了 TD-LTE終端的研發(fā)和生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目是針對(duì)上述技術(shù)問題，提供一種可以測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方 法和裝置，該方法及裝置可以在信令連接的情況下對(duì)TD-LTE終端進(jìn)行射頻性能測(cè)試。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法，其 特征在于它包括如下步驟1)打開TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的電源并按照3GPP (3rd Generation Paratership Project，第三代合作伙伴項(xiàng)目)協(xié)議關(guān)于TD-LTE終端射頻測(cè)試規(guī)范的參數(shù)要求，設(shè)置好 TD-LTE終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù)；將TD-LTE終端與TD-LTE終端綜合測(cè)試儀進(jìn)行射頻連 接，給TD-LTE終端上電；2)TD-LTE終端進(jìn)行開機(jī)入網(wǎng)信令流程；3)通過TD-LTE終端綜合測(cè)試儀尋呼TD-LTE終端建立專用的無線承載或通過 TD-LTE終端向TD-LTE終端綜合測(cè)試儀發(fā)起連接建立請(qǐng)求并建立專用的無線承載；在建立 專用的無線承載的信令流程中設(shè)置連接建立信令中的半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)，對(duì)TD-LTE終端進(jìn) 行半靜態(tài)調(diào)度；指定TD-LTE終端在固定的上行子幀上傳輸上行PUSCH(Physical uplink shared channel，物理上行共享信道)信號(hào)；4) TD-LTE終端綜合測(cè)試儀采集TD-LTE終端的上行PUSCH信號(hào)，再將此采集的上行 PUSCH信號(hào)傳輸給TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的信號(hào)處理模塊計(jì)算得到TD-LTE終端的射頻性 能指標(biāo)。在步驟3)中，在建立專用的無線承載的信令流程中，將連接建立信令的半靜態(tài) 調(diào)度參數(shù)中的子參數(shù)上行半持續(xù)調(diào)度間隔設(shè)置為sf 10，即10個(gè)子幀，半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)中 的子參數(shù) SPS C-RNTI (Semi-Persistent Scheduling Cell Radio Network Temporary Identifier，半持續(xù)調(diào)度小區(qū)臨時(shí)標(biāo)識(shí))設(shè)置為3GPP協(xié)議規(guī)定的參數(shù)值范圍內(nèi)任意一 個(gè)固定值；建立專用的無線承載后，TD-LTE終端綜合測(cè)試儀在無線幀中的子幀#6上以 DCI (Downlink Control Information,下行控制信息)格式0傳輸TD-LTE終端的下行 PDCCH(Physical downlink control channel，物理下行控制信道)信號(hào)，該下行 PDCCH 信號(hào)以TD-LTE終端的SPS C-RNTI進(jìn)行加擾，并通過下行PDCCH信號(hào)攜帶的DCI信息指定 TD-LTE終端在對(duì)應(yīng)的上行子幀#2上傳輸上行PUSCH信號(hào)；TD-LTE終端根據(jù)SPS C-RNTI檢 測(cè)到PDCCH信號(hào)，解析DCI信息，并在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號(hào)；由此完成了 TD-LTE 終端在固定子幀上傳輸上行PUSCH信號(hào)的過程。所述TD-LTE終端的射頻性能指標(biāo)包括發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)和接收機(jī)的性能指標(biāo)；其 中，對(duì)于進(jìn)行TD-LTE終端的發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)測(cè)試的步驟為根據(jù)各個(gè)測(cè)試項(xiàng)目的參數(shù)要 求設(shè)置TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的系統(tǒng)參數(shù)，TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的射頻接收單元采集 TD-LTE終端的上行PUSCH信號(hào)，再將此采集的上行PUSCH信號(hào)傳輸給TD-LTE終端綜合測(cè)試 儀的信號(hào)處理模塊計(jì)算得到TD-LTE終端的發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)；對(duì)于進(jìn)行TD-LTE終端的接收 機(jī)指標(biāo)測(cè)試的流程為根據(jù)接收機(jī)測(cè)試項(xiàng)目對(duì)TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的要求設(shè)置系統(tǒng)參 數(shù)；系統(tǒng)模擬器在與終端進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中獲取終端的數(shù)據(jù)傳輸誤碼率和吞吐量統(tǒng)計(jì) 參數(shù)；主控單元從系統(tǒng)模擬器中讀取數(shù)據(jù)傳輸誤碼率和吞吐量統(tǒng)計(jì)參數(shù)并進(jìn)行處理得到接 收機(jī)測(cè)試指標(biāo)。TD-LTE終端發(fā)射機(jī)性能測(cè)試需要測(cè)試的指標(biāo)如下=TD-LTE終端最大輸出功率，功 率控制，最低輸出功率，發(fā)射開/關(guān)功率，頻率誤差，誤差矢量幅度，占用帶寬，頻譜輻射模 板，鄰道泄漏比。TD-LTE終端的接收機(jī)性能測(cè)試需要測(cè)試的指標(biāo)如下參考靈敏度，最大輸入功 率，接收機(jī)誤碼率，吞吐量。一種實(shí)現(xiàn)上述方法的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置，它包括主控單元、系 統(tǒng)模擬器、功率分配單元和射頻處理單元，其中，所述系統(tǒng)模擬器和射頻處理單元均通過 PXI (PCI extensions for Instrumentation，面向儀器系統(tǒng)的PCI擴(kuò)展)總線連接主控單 元，所述系統(tǒng)模擬器與射頻處理單元通過LDVS (Low Voltage Differential Signaling低 壓差分信號(hào))數(shù)據(jù)接口連接，所述射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本振 單元，所述本振單元用于給射頻發(fā)射單元和射頻接收單元提供載波信號(hào)以及參考時(shí)鐘信 號(hào)，所述功率分配單元通過射頻接口連接所述射頻處理單元，所述功率分配單元通過PXI 總線連接到主控單元；所述功率分配單元用于實(shí)現(xiàn)上、下行信號(hào)的功率分配，并且將多部 TD-LTE終端并聯(lián)到TD-LTE終端綜合測(cè)試儀。所述系統(tǒng)模擬器根據(jù)3GPP協(xié)議中eNodeB (Evolved Node B，演進(jìn)型Node B，即 TD-LTE基站)與TD-LTE終端通信的Uu接口(eNodeB與用戶終端UE之間的通信接口)對(duì)應(yīng) 的協(xié)議規(guī)范，模擬出eNodeB的物理層協(xié)議、數(shù)據(jù)鏈路層協(xié)議、網(wǎng)絡(luò)層協(xié)議和NAS (Non Access Stratum，非接入層)層協(xié)議；所述系統(tǒng)模擬器用于建立和維持TD-LTE終端綜合測(cè)試儀和被 測(cè)TD-LTE終端之間的無線承載，便于進(jìn)行信令連接情況下的射頻性能的測(cè)試，所述系統(tǒng)模 擬器產(chǎn)生下行數(shù)字基帶I/Qdn-phase/Quadrature，同向正交)信號(hào)，經(jīng)過LVDS數(shù)據(jù)接口送 到射頻發(fā)射單元，所述系統(tǒng)模擬器將來自射頻接收單元的上行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)還原成信 令和業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)。所述射頻發(fā)射單元用來將系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生的下行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)進(jìn)行調(diào)制和 上變頻處理后發(fā)射給被測(cè)TD-LTE終端。所述射頻接收模塊接收被測(cè)TD-LTE終端的射頻信號(hào)，并將該被測(cè)TD-LTE終端的 射頻信號(hào)下變頻為中頻信號(hào)，再轉(zhuǎn)化為數(shù)字中頻信號(hào)，然后經(jīng)正交解基帶信號(hào)，所述上行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)一路經(jīng)過LVDS接口實(shí)時(shí)傳送到系統(tǒng)模擬器中恢復(fù)為 信令和數(shù)據(jù)，以保持信令的連接，另一路緩存在接收模塊的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中并經(jīng)過PXI總線 送到主控單元進(jìn)行射頻指標(biāo)分析。所述主控單元包括人機(jī)接口單元、集成控制單元、信號(hào)處理單元和遠(yuǎn)程控制單元， 所述集成控制單元用于控制系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和射頻切換開關(guān)單元；所述信號(hào)處 理單元用于分析被測(cè)TD-LTE終端的射頻性能；所述遠(yuǎn)程控制單元用于TD-LTE終端綜合測(cè) 試儀與計(jì)算機(jī)進(jìn)行遠(yuǎn)程交互，實(shí)現(xiàn)TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的遠(yuǎn)程控制。本發(fā)明的方法通過模擬TD-LTE基站的功能，使TD-LTE終端綜合測(cè)試儀與終端建 立專用無線承載和數(shù)據(jù)傳輸，并通過射頻接收單元采集終端的信號(hào)進(jìn)行分析，使得TD-LTE 終端綜合測(cè)試儀可以在信令連接的情況下對(duì)TD-LTE終端進(jìn)行射頻性能測(cè)試。本發(fā)明的裝 置根據(jù)上述方法設(shè)計(jì)出一種用于在信令連接條件下測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的TD-LTE終 端綜合測(cè)試儀。


圖1為TD-LTE終端的時(shí)域資源分配圖；圖2為本發(fā)明的TD-LTE綜測(cè)儀的系統(tǒng)功能原理圖；
圖3為TD-LTE終端射頻指標(biāo)測(cè)試流程圖其中，圖1中S子幀表示同步子幀，向上的箭頭表示上行子幀，向下的箭頭表示下 行子幀。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明如圖5所示的一種用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置即TD-LTE終端綜合測(cè)試 儀，它包括主控單元、系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和功率分配單元，其中，系統(tǒng)模擬器、射頻 處理單元和功率分配單元均通過PXI總線連接主控單元，系統(tǒng)模擬器與射頻處理單元通過 LDVS(低壓差分信號(hào))數(shù)據(jù)接口連接，射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本 振單元，本振單元用于給射頻發(fā)射單元和射頻接收單元提供載波信號(hào)以及10MHZ的參考時(shí) 鐘信號(hào)。該裝置具備簡(jiǎn)化的TD-LTE基站的功能，可以與TD-LTE終端進(jìn)行信令連接和數(shù)據(jù) 傳輸?shù)葮I(yè)務(wù)，并且可以對(duì)TD-LTE終端進(jìn)行信令連接條件下的射頻測(cè)試。上述技術(shù)方案中，系統(tǒng)模擬器主要運(yùn)行協(xié)議棧軟件，根據(jù)3GPP協(xié)議中eNodeB(即 TD-LTE基站)與TD-LTE終端通信的Uu接口對(duì)應(yīng)的協(xié)議規(guī)范，模擬出eNodeB的物理層協(xié)議、 數(shù)據(jù)鏈路層協(xié)議、網(wǎng)絡(luò)層協(xié)議和NAS層協(xié)議；系統(tǒng)模擬器用于建立和維持TD-LTE終端綜合 測(cè)試儀和被測(cè)TD-LTE終端之間的無線承載，便于進(jìn)行信令連接情況下的射頻性能的測(cè)試， 系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生下行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)，經(jīng)過LVDS數(shù)據(jù)接口送到射頻發(fā)射單元，系統(tǒng)模擬 器將來自射頻接收單元的上行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)還原成信令和業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)。系統(tǒng)模擬器可模 擬出基站的系統(tǒng)環(huán)境。上述技術(shù)方案中，射頻發(fā)射模塊用來將系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生的下行數(shù)字基帶I/Q信號(hào) 進(jìn)行調(diào)制和上變頻處理后發(fā)射給被測(cè)TD-LTE終端。上述技術(shù)方案中，射頻接收模塊接收被測(cè)TD-LTE終端的射頻信號(hào)，并將該被測(cè)
6TD-LTE終端的射頻信號(hào)下變頻為中頻信號(hào)，再轉(zhuǎn)化為數(shù)字中頻信號(hào)，然后經(jīng)正交解調(diào)后轉(zhuǎn) 換為上行數(shù)字基帶信號(hào)，上行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)一路經(jīng)過LVDS接口實(shí)時(shí)傳送到系統(tǒng)模擬器 中恢復(fù)為信令和數(shù)據(jù)，以保持信令的連接，另一路緩存在接收模塊的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中并經(jīng)過 PXI總線送到主控單元進(jìn)行射頻指標(biāo)分析。上述技術(shù)方案中，它還包括功率分配單元，所述功率分配單元通過射頻接口連接 所述射頻處理單元，所述功率分配單元通過PXI總線連接到主控單元；所述功率分配單元 用于實(shí)現(xiàn)上、下行信號(hào)的功率分配，并且將多部TD-LTE終端并聯(lián)到TD-LTE終端綜合測(cè)試 儀。上述技術(shù)方案中，主控單元包括人機(jī)接口單元、集成控制單元、信號(hào)處理單元和遠(yuǎn) 程控制單元，集成控制單元用于控制系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和射頻切換開關(guān)單元；信號(hào) 處理單元用于分析被測(cè)TD-LTE終端的射頻性能；遠(yuǎn)程控制單元用于TD-LTE終端綜合測(cè)試 儀與計(jì)算機(jī)進(jìn)行遠(yuǎn)程交互，實(shí)現(xiàn)TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的遠(yuǎn)程控制。上述TD-LTE終端的開機(jī)入網(wǎng)信令流程為1. TD-LTE終端發(fā)送前導(dǎo)碼，2.系統(tǒng)模 擬器返回隨機(jī)接入響應(yīng)，3. TD-LTE終端請(qǐng)求連接，4.系統(tǒng)模擬器連接建立，5. TD-LTE終端 連接建立完成(包含附著請(qǐng)求和PDN連接請(qǐng)求的NAS信令)，6.系統(tǒng)模擬器下行信息(包 含查詢TD-LTE終端身份的NAS信令)，7. TD-LTE終端上行信息(包含反饋身份響應(yīng)的NAS 信令)，8.系統(tǒng)模擬器下行信息(包含鑒權(quán)請(qǐng)求的NAS信令)，9. TD-LTE終端上行信息 (包含鑒權(quán)響應(yīng)的NAS信令)，10.系統(tǒng)模擬器下行信息(包含激活NAS安全模式的NAS信 令)，11. TD-LTE終端上行信息(包含安全模式完成的NAS信令)，12.系統(tǒng)模擬器下行信息 (包含ESM信息請(qǐng)求的NAS信令)，13. TD-LTE終端上行信息(包含ESM信息響應(yīng)的NAS信 令)，14.系統(tǒng)模擬器下行信息激活測(cè)試模式，15. TD-LTE終端上行信息測(cè)試模式激活完成， 16.系統(tǒng)模擬器激活A(yù)S (Access Stratum，接入層)安全模式，17. TD-LTE終端安全模式完 成，18系統(tǒng)模擬器激對(duì)TD-LTE終端能力查詢，19. TD-LTE終端提供其能力信息，20.系統(tǒng)模 擬器連接重配(包含附著接受和激活默認(rèn)的無線承載請(qǐng)求的NAS信令)，21. TD-LTE終端連 接重配完成，22. TD-LTE終端上行信息傳輸(包含附著流程完成和接受激活默認(rèn)的無線承 載請(qǐng)求的NAS信令)，23.系統(tǒng)模擬器連接釋放。完成上述入網(wǎng)信令流程后，TD-LTE終端進(jìn) 入測(cè)試模式下的空閑狀態(tài)。上述TD-LTE終端建立無線承載的信令流程為1.系統(tǒng)模擬器尋呼TD-LTE終端， 2. TD-LTE終端連接請(qǐng)求，3.系統(tǒng)模擬器連接建立，4. TD-LTE終端連接建立完成(包含服務(wù) 請(qǐng)求的NAS信令)，5.系統(tǒng)模擬器激活A(yù)S安全模式，6. TD-LTE終端AS安全模式完成，7.系 統(tǒng)模擬器連接重配(包含激活專用無線承載的NAS信令)，8. TD-LTE終端連接重配完成， 9. TD-LTE終端建立專用EPS (Evolved Packet System，演進(jìn)分組系統(tǒng))承載(包含接受激 活專用無線承載的NAS信令)，10.系統(tǒng)模擬器連接釋放。上述TD-LTE終端進(jìn)入環(huán)回測(cè)試模式的信令流程為1.系統(tǒng)模擬器下行信息傳輸 (包含的打開環(huán)回測(cè)試模式NAS信令)，2. TD-LTE終端上行信息傳輸(包含打開環(huán)回測(cè)試模 式完成的NAS信令)。一種用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法，其特征在于它包括如下步驟1)打開TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的電源并按照3GPP協(xié)議關(guān)于TD-LTE終端射頻測(cè) 試規(guī)范的參數(shù)要求，設(shè)置好TD-LTE終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù)；將TD-LTE終端與TD-LTE終端綜合測(cè)試儀進(jìn)行射頻連接，給TD-LTE終端上電；2)TD-LTE終端進(jìn)行開機(jī)入網(wǎng)信令流程；3)通過TD-LTE終端綜合測(cè)試儀尋呼TD-LTE終端建立專用的無線承載或通過 TD-LTE終端向TD-LTE終端綜合測(cè)試儀發(fā)起連接建立請(qǐng)求并建立專用的無線承載；在建立 專用的無線承載的信令流程中設(shè)置連接建立信令中的半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)，對(duì)TD-LTE終端進(jìn) 行半靜態(tài)調(diào)度；指定TD-LTE終端在固定的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號(hào)；4) TD-LTE終端綜合測(cè)試儀采集TD-LTE終端的上行PUSCH信號(hào)，再將此采集的上行 PUSCH信號(hào)傳輸給TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的信號(hào)處理模塊計(jì)算得到TD-LTE終端的射頻性 能指標(biāo)。上述步驟3)中，在建立專用的無線承載的信令流程中，將連接建立信令 (RRCConnectionSetup)的半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)中的子參數(shù) semiPersistSchedlntervalUL(Sem i-persistent scheduling interval in uplink，上行半持續(xù)調(diào)度間隔)設(shè)置為 sf 10，即 10個(gè)子幀，半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)中的子參數(shù)SPS C-RNTI (Semi-Persistent Scheduling Cell Radio Network Temporary Identif ier，半持續(xù)調(diào)度小區(qū)臨時(shí)標(biāo)識(shí))設(shè)置為3GPP協(xié)議規(guī)定 的參數(shù)值范圍內(nèi)任意一個(gè)固定值；建立專用的無線承載后，TD-LTE終端綜合測(cè)試儀在無線 幀中的子幀#6上以DCI格式0傳輸TD-LTE終端的下行PDCCH信號(hào)，該下行PDCCH信號(hào)以 TD-LTE終端的SPS C-RNTI進(jìn)行加擾，并通過下行PDCCH信號(hào)攜帶的DCI信息指定TD-LTE 終端在對(duì)應(yīng)的上行子幀#2上傳輸上行PUSCH信號(hào)；TD-LTE終端根據(jù)SPS C-RNTI檢測(cè)到 PDCCH信號(hào)，解析DCI信息，并在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號(hào)；由此完成了 TD-LTE終端 在固定子幀上傳輸上行PUSCH信號(hào)的過程。上述技術(shù)方案中，所述TD-LTE終端的射頻性能指標(biāo)包括發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)和接收 機(jī)的性能指標(biāo)；其中，對(duì)于進(jìn)行TD-LTE終端的發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)測(cè)試的步驟為根據(jù)各個(gè)測(cè) 試項(xiàng)目的參數(shù)要求設(shè)置TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的系統(tǒng)參數(shù)，TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的 射頻接收單元采集TD-LTE終端的上行PUSCH信號(hào)，再將此采集的上行PUSCH信號(hào)傳輸給 TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的信號(hào)處理模塊計(jì)算得到TD-LTE終端的發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)；對(duì)于進(jìn) 行TD-LTE終端的接收機(jī)指標(biāo)測(cè)試的流程為根據(jù)接收機(jī)測(cè)試項(xiàng)目對(duì)TD-LTE終端綜合測(cè)試 儀的要求設(shè)置系統(tǒng)參數(shù)；系統(tǒng)模擬器在與終端進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中獲取終端的數(shù)據(jù)傳輸 誤碼率和吞吐量統(tǒng)計(jì)參數(shù)；主控單元從系統(tǒng)模擬器中讀取數(shù)據(jù)傳輸誤碼率和吞吐量統(tǒng)計(jì)參 數(shù)并進(jìn)行處理得到接收機(jī)測(cè)試指標(biāo)。TD-LTE終端發(fā)射機(jī)性能測(cè)試需要測(cè)試的指標(biāo)如下=TD-LTE終端最大輸出功率，功 率控制，最低輸出功率，發(fā)射開/關(guān)功率，頻率誤差，誤差矢量幅度，占用帶寬，頻譜輻射模 板，鄰道泄漏比。TD-LTE終端的接收機(jī)性能測(cè)試需要測(cè)試的指標(biāo)如下參考靈敏度，最大輸 入功率，接收機(jī)誤碼率，吞吐量。下面結(jié)合圖3對(duì)TD-LTE終端射頻指標(biāo)測(cè)試流程做進(jìn)一步詳細(xì)說明，如圖3所示的 TD-LTE終端綜合測(cè)試儀對(duì)TD-LTE終端的射頻指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試流程為TD_LTE終端綜 合測(cè)試儀硬件啟動(dòng)和初始化；設(shè)置入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù)；TD-LTE終端進(jìn)行手機(jī)開機(jī)入網(wǎng)信 令流程；建立TD-LTE終端綜合測(cè)試儀與TD-LTE終端間的專用無線承載，即建立連接和數(shù)據(jù) 傳輸；配置測(cè)試項(xiàng)目所需的環(huán)境系統(tǒng)參數(shù)環(huán)境；TD-LTE終端綜合測(cè)試儀進(jìn)行數(shù)據(jù)采集與信 息收集；TD-LTE終端綜合測(cè)試儀進(jìn)行信號(hào)處理和射頻指標(biāo)分析；根據(jù)需要切換頻點(diǎn)或測(cè)試
8項(xiàng)目并執(zhí)行射頻性能測(cè)試；測(cè)試完畢，釋放無線連接；判斷是否還需要進(jìn)行下一部TD-LTE
終端的測(cè)試，執(zhí)行前述測(cè)試過程；所有測(cè)試項(xiàng)目完成則關(guān)閉硬件，結(jié)束測(cè)試。 本說明書未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求
一種用于測(cè)試TD LTE終端射頻性能的方法，其特征在于它包括如下步驟1)打開TD LTE終端綜合測(cè)試儀的電源并按照3GPP協(xié)議關(guān)于TD LTE終端射頻測(cè)試規(guī)范的參數(shù)要求，設(shè)置好TD LTE終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù)；將TD LTE終端與TD LTE終端綜合測(cè)試儀進(jìn)行射頻連接，給TD LTE終端上電；2)TD LTE終端進(jìn)行開機(jī)入網(wǎng)信令流程；3)通過TD LTE終端綜合測(cè)試儀尋呼TD LTE終端建立專用的無線承載或通過TD LTE終端向TD LTE終端綜合測(cè)試儀發(fā)起連接建立請(qǐng)求并建立專用的無線承載；在建立專用的無線承載的信令流程中設(shè)置連接建立信令中的半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)，對(duì)TD LTE終端進(jìn)行半靜態(tài)調(diào)度；指定TD LTE終端在固定的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號(hào)；4)TD LTE終端綜合測(cè)試儀采集TD LTE終端的上行PUSCH信號(hào)，再將此采集的上行PUSCH信號(hào)傳輸給TD LTE終端綜合測(cè)試儀的信號(hào)處理模塊計(jì)算得到TD LTE終端的射頻性能指標(biāo)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法，其特征在于在步驟 3)中，在建立專用的無線承載的信令流程中，將連接建立信令的半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)中的子參 數(shù)上行半持續(xù)調(diào)度間隔設(shè)置為sflO，即10個(gè)子幀，半靜態(tài)調(diào)度參數(shù)中的子參數(shù)SPS C-RNTI 設(shè)置為3GPP協(xié)議規(guī)定的參數(shù)值范圍內(nèi)任意一個(gè)固定值；建立專用的無線承載后，TD-LTE終 端綜合測(cè)試儀在無線幀中的子幀#6上以DCI格式0傳輸TD-LTE終端的下行PDCCH信號(hào)， 該下行PDCCH信號(hào)以TD-LTE終端的SPS C-RNTI進(jìn)行加擾，并通過下行PDCCH信號(hào)攜帶的 DCI信息指定TD-LTE終端在對(duì)應(yīng)的上行子幀#2上傳輸上行PUSCH信號(hào)；TD-LTE終端根據(jù) SPS C-RNTI檢測(cè)到PDCCH信號(hào)，解析DCI信息，并在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號(hào)；由此 完成了 TD-LTE終端在固定子幀上傳輸上行PUSCH信號(hào)的過程。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法，其特征在于所述 TD-LTE終端的射頻性能指標(biāo)包括發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)和接收機(jī)的性能指標(biāo)；其中，對(duì)于進(jìn)行 TD-LTE終端的發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)測(cè)試的步驟為根據(jù)各個(gè)測(cè)試項(xiàng)目的參數(shù)要求設(shè)置TD-LTE 終端綜合測(cè)試儀的系統(tǒng)參數(shù)，TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的射頻接收單元采集TD-LTE終端的 上行PUSCH信號(hào)，再將此采集的上行PUSCH信號(hào)傳輸給TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的信號(hào)處理 模塊計(jì)算得到TD-LTE終端的發(fā)射機(jī)性能指標(biāo)；對(duì)于進(jìn)行TD-LTE終端的接收機(jī)指標(biāo)測(cè)試的 流程為根據(jù)接收機(jī)測(cè)試項(xiàng)目對(duì)TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的要求設(shè)置系統(tǒng)參數(shù)；系統(tǒng)模擬器 在與終端進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中獲取終端的數(shù)據(jù)傳輸誤碼率和吞吐量統(tǒng)計(jì)參數(shù)；主控單元 從系統(tǒng)模擬器中讀取數(shù)據(jù)傳輸誤碼率和吞吐量統(tǒng)計(jì)參數(shù)并進(jìn)行處理得到接收機(jī)測(cè)試指標(biāo)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法，其特征在于=TD-LTE 終端發(fā)射機(jī)性能測(cè)試需要測(cè)試的指標(biāo)如下=TD-LTE終端最大輸出功率，功率控制，最低輸 出功率，發(fā)射開/關(guān)功率，頻率誤差，誤差矢量幅度，占用帶寬，頻譜輻射模板，鄰道泄漏比。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法，其特征在于=TD-LTE 終端的接收機(jī)性能測(cè)試需要測(cè)試的指標(biāo)如下參考靈敏度，最大輸入功率，接收機(jī)誤碼率， 吞吐量。
6.一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述方法的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置，其特征在 于它包括主控單元、系統(tǒng)模擬器、功率分配單元和射頻處理單元，其中，所述系統(tǒng)模擬器和 射頻處理單元均通過PXI總線連接主控單元，所述系統(tǒng)模擬器與射頻處理單元通過LDVS數(shù)據(jù)接口連接，所述射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本振單元，所述本振 單元用于給射頻發(fā)射單元和射頻接收單元提供載波信號(hào)以及參考時(shí)鐘信號(hào)，所述功率分配 單元通過射頻接口連接所述射頻處理單元，所述功率分配單元通過PXI總線連接到主控單 元；所述功率分配單元用于實(shí)現(xiàn)上、下行信號(hào)的功率分配，并且將多部TD-LTE終端并聯(lián)到 TD-LTE終端綜合測(cè)試儀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置，其特征在于所述系 統(tǒng)模擬器根據(jù)3GPP協(xié)議中eNodeB與TD-LTE終端通信的Uu接口對(duì)應(yīng)的協(xié)議規(guī)范，模擬出 eNodeB的物理層協(xié)議、數(shù)據(jù)鏈路層協(xié)議、網(wǎng)絡(luò)層協(xié)議和NAS層協(xié)議；所述系統(tǒng)模擬器用于建 立和維持TD-LTE終端綜合測(cè)試儀和被測(cè)TD-LTE終端之間的無線承載，便于進(jìn)行信令連接 情況下的射頻性能的測(cè)試，所述系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生下行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)，經(jīng)過LVDS數(shù)據(jù)接 口送到射頻發(fā)射單元，所述系統(tǒng)模擬器將來自射頻接收單元的上行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)還原 成信令和業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置，其特征在于所述射 頻發(fā)射單元用來將系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生的下行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)進(jìn)行調(diào)制和上變頻處理后發(fā) 射給被測(cè)TD-LTE終端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置，其特征在于所述射 頻接收模塊接收被測(cè)TD-LTE終端的射頻信號(hào)，并將該被測(cè)TD-LTE終端的射頻信號(hào)下變頻 為中頻信號(hào)，再轉(zhuǎn)化為數(shù)字中頻信號(hào)，然后經(jīng)正交解調(diào)后轉(zhuǎn)換為上行數(shù)字基帶信號(hào)，所述上 行數(shù)字基帶I/Q信號(hào)一路經(jīng)過LVDS接口實(shí)時(shí)傳送到系統(tǒng)模擬器中恢復(fù)為信令和數(shù)據(jù)，以保 持信令的連接，另一路緩存在接收模塊的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中并經(jīng)過PXI總線送到主控單元進(jìn)行 射頻指標(biāo)分析。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的裝置，其特征在于所述 主控單元包括人機(jī)接口單元、集成控制單元、信號(hào)處理單元和遠(yuǎn)程控制單元，所述集成控制 單元用于控制系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和射頻切換開關(guān)單元；所述信號(hào)處理單元用于分 析被測(cè)TD-LTE終端的射頻性能；所述遠(yuǎn)程控制單元用于TD-LTE終端綜合測(cè)試儀與計(jì)算機(jī) 進(jìn)行遠(yuǎn)程交互，實(shí)現(xiàn)TD-LTE終端綜合測(cè)試儀的遠(yuǎn)程控制。
全文摘要
一種用于測(cè)試TD-LTE終端射頻性能的方法和裝置，方法步驟為，綜合測(cè)試儀設(shè)置好終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù)，將終端與綜合測(cè)試儀進(jìn)行射頻連接；終端進(jìn)行開機(jī)入網(wǎng)流程；在建立專用無線承載的信令流程中配置終端進(jìn)行上行半持續(xù)調(diào)度指定終端在固定的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號(hào)；綜合測(cè)試儀采集并分析該P(yáng)USCH信號(hào)的射頻性能。該裝置包括主控單元、系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和功率分配單元，射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本振單元。本發(fā)明使得綜合測(cè)試儀可對(duì)終端進(jìn)行射頻性能測(cè)試。
文檔編號(hào)H04W24/06GK101958757SQ20101027238
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月2日
發(fā)明者張家平, 朱富利, 王波, 王海, 羅先禮 申請(qǐng)人:湖北眾友科技實(shí)業(yè)股份有限公司