一種等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及等離子體處理裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，其電路結(jié)構(gòu)常用的電極連接方式有2種:一種是上電極接地，下電極與射頻電源相連接，在這種電極連接方式中，由于上下電極始終保持電壓差，等離子體處理裝置中的等離子體在該電壓差作用下對(duì)下電極上的待處理物的轟擊作用較大，可用于移除待處理物表面原子或原子團(tuán)，因此這種電極連接方式常見于等離子體刻蝕設(shè)備、等離子體物理清洗設(shè)備和等離子體濺射設(shè)備等中；另一種是下電極接地，上電極與射頻電源相連接，在這種電極連接方式中，由于下電極接地，等離子體處理裝置中的等離子體對(duì)下電極上的待處理物的轟擊作用較小，因此，這種電極連接方式常見于等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備、等離子體化學(xué)清洗設(shè)備等中。
[0003]而在等離子體處理工藝過程中，往往需要既能夠?qū)Υ幚砦锉砻孢M(jìn)行預(yù)處理，又能夠在在待處理物體表面沉積預(yù)定的材料。例如，在材料沉積工藝中，需要對(duì)待處理物表面行預(yù)處理，為了達(dá)到較好的預(yù)處理效果，需要提供較大的離子轟擊能量，改善基底表面材料的特性，提高表面結(jié)合力、提高材料沉積的質(zhì)量。而在材料沉積過程中需要減小等離子轟擊能量?，F(xiàn)有的等離子體處理設(shè)備為了能夠滿足上述需要通常通過設(shè)置多個(gè)不同頻率的射頻源，通過對(duì)射頻源的調(diào)節(jié)來調(diào)節(jié)離子的轟擊能量，這大大增加了等離子體處理設(shè)備的成本和復(fù)雜程度。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，以使等離子體處理裝置既可以在需要對(duì)待處理物表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)提供較大的離子轟擊能量，又能夠在對(duì)待處理物表面進(jìn)行材料沉積時(shí)減小等離子體轟擊能量。該等離子體處理裝置結(jié)構(gòu)簡單而且相對(duì)于現(xiàn)有的等離子體處理裝置降低了成本。
[0005]本實(shí)用新型提供一種等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)，該等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)包括上電極組、下電極組、第一開關(guān)和第二開關(guān)。上電極組包括至少一個(gè)上電極。下電極組包括至少一個(gè)下電極。下電極組的下電極支撐被處理物體。上電極組通過第一開關(guān)接地。下電極組通過第二開關(guān)接地。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，上電極組包括至少兩個(gè)上電極，各個(gè)上電極之間相互并聯(lián)。下電極組包括至少兩個(gè)下電極，各個(gè)下電極之間相互并聯(lián)。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，上電極組的上電極與相鄰的下電極組的下電極相對(duì)。
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)還包括變壓器。上電極組和下電極組通過所述變壓器與電源連接。上電極組和下電極組分別連接變壓器的兩個(gè)輸出端。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，在對(duì)被處理物體進(jìn)行預(yù)處理的情況下，第一開關(guān)閉合并且第二開關(guān)斷開，上電極組接地，以增加等離子體的轟擊能量。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，在對(duì)被處理物體進(jìn)行材料沉積的情況下，第一開關(guān)斷開并且第二開關(guān)閉合時(shí)，下電極組接地，以降低等離子體的轟擊能量。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，第一開關(guān)和第二開關(guān)斷開時(shí)，上電極組的上電極與所述下電極組的下電極的電壓絕對(duì)值相等，相位相反。
[0012]具有根據(jù)本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置既可以在需要對(duì)待處理物表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)提供較大的離子轟擊能量，又能夠在對(duì)待處理物表面進(jìn)行材料沉積時(shí)減小等離子體轟擊能量。該等離子體處理裝置結(jié)構(gòu)簡單而且相對(duì)于現(xiàn)有的等離子體處理裝置降低了成本。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，并不能理解為其對(duì)本實(shí)用新型的構(gòu)成任何限制。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實(shí)施例以及其他實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的附圖。
[0014]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的等離子體處理裝置的示意性的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將結(jié)合附圖，對(duì)本申請(qǐng)的一個(gè)以上的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。需要說明的是，基于本申請(qǐng)中的這些實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
[0016]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)I的示意性的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)I包括上電極組2、下電極組3、第一開關(guān)4和第二開關(guān)。上電極組2包括至少一個(gè)上電極21。下電極組3包括至少一個(gè)下電極31。下電極組3的下電極31支撐被處理物體8。上電極組2通過第一開關(guān)4接地。下電極組3通過第二開關(guān)接地。
[0017]進(jìn)一步地說，上電極組2包括至少兩個(gè)上電極21，各個(gè)上電極21之間相互并聯(lián)。下電極組3包括至少兩個(gè)下電極31，各個(gè)下電極31之間相互并聯(lián)。在如圖1所示的本實(shí)施例中，上電極組2包括兩個(gè)上電極21，這兩個(gè)上電極21之間相互并聯(lián)。下電極組3包括兩個(gè)下電極31，這兩個(gè)下電極31之間相互并聯(lián)。需要注意的是，本實(shí)用新型并不限于此，本實(shí)用新型上電極組可以只包括I個(gè)上電極，下電極組可以只包括一個(gè)下電極。
[0018]進(jìn)一步地說，上電極組2的上電極21與相鄰的下電極組3的下電極31相對(duì)。也就是說，上電極組2的上電極21與下電極組3的下電極31相互交替，并且相鄰的上電極21和下電極31彼此相對(duì)。在相鄰的上電極21和下電極31之間的空間產(chǎn)生等離子體。
[0019]進(jìn)一步地說，射頻等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)I還包括變壓器6。上電極組2和下電極組3通過變壓器6與電源7連接。上電極組2和下電極組3分別連接變壓器6的兩個(gè)輸出端。具體地說，如圖1所示，在本實(shí)施例中，上電極組2連接變壓器6的第一輸出端61，下電極組3連接變壓器6的第二輸出端62。變壓器6的輸入端與電源裝置7相連。電源7包括匹配器71和電源72。
[0020]進(jìn)一步地說，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的等離子體處理裝置中的電路結(jié)構(gòu)I還包括腔體(