一種低雜散寬帶10~20GHz鎖相環(huán)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于鎖相環(huán)裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]微波頻率源是各種電子系統(tǒng)的核心部件,微波鎖相源電路是微波頻率源中的常用電路。現(xiàn)有技術(shù)的鎖相環(huán)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。目前微波鎖相源電路主要是由鎖相環(huán)(PLL)芯片、VC0、環(huán)路濾波器組成。鎖相環(huán)(PLL)芯片是由數(shù)字分頻器和鑒相器構(gòu)成,其內(nèi)部寄存器需要通過串行或并行總線加載,數(shù)字噪聲就通過串行或并行總線寄生到VC0輸出端,產(chǎn)生雜散;鎖相環(huán)(PLL)芯片的工作頻率只有8GHz,對于頻率高于8GHz的微波鎖相源電路,需要在鎖相環(huán)(PLL)芯片的輸入端加分頻電路,而分頻器對輸出頻率的隔離有限,這樣分頻產(chǎn)生的子諧波就會在VC0輸出形成子諧波雜散。要想滿足雜散指標(biāo),就需要更復(fù)雜的開關(guān)濾波電路,增加了裝置的復(fù)雜程度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種可避免出現(xiàn)上述技術(shù)缺陷的低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán)裝置。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0005]—種低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán)裝置,包括依次連接的參考放大器、鎖相環(huán)、壓控振蕩器、耦合器、隔離放大器和分頻器,還包括環(huán)路濾波器、CPLD和TCX0,其中:所述環(huán)路濾波器分別與所述鎖相環(huán)和所述壓控振蕩器相連接;所述分頻器與所述鎖相環(huán)相連接;所述CPLD分別與所述鎖相環(huán)和所述TCX0相連接。
[0006]進(jìn)一步地,所述隔離放大器包括依次連接的第一衰減器、放大器和第二衰減器。
[0007]進(jìn)一步地,所述CPLD 為 EPM570T100I5。
[0008]進(jìn)一步地,所述TCX0連接有磁珠和鉭電容。
[0009]進(jìn)一步地,所述鉭電容的型號為TAJA106K016RNJ。
[0010]本發(fā)明提供的低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán)裝置,電路設(shè)計(jì)簡單,不需要復(fù)雜濾波器電路,子諧波雜散低,輸出頻譜純度高,數(shù)字寄生干擾低,電路組裝采用SMT工藝,工藝簡單,可以很好地滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。
【附圖說明】
[0011]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的鎖相環(huán)電路結(jié)構(gòu)框圖;
[0012]圖2為本發(fā)明的鎖相環(huán)裝置的電路結(jié)構(gòu)框圖;
[0013]圖3為本發(fā)明的隔離放大器的電路原理圖;
[0014]圖4為本發(fā)明的控制單元的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0016]如圖2所示,一種低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán)裝置,包括依次連接的參考放大器、鎖相環(huán)(PLL)、壓控振蕩器(VC0)、耦合器、隔離放大器和分頻器,還包括環(huán)路濾波器、CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件)和TCX0(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器),其中:所述環(huán)路濾波器分別與所述鎖相環(huán)和所述壓控振蕩器相連接;所述分頻器與所述鎖相環(huán)相連接;所述CPLD分別與所述鎖相環(huán)和所述TCX0相連接。CPLD與TCX0構(gòu)成鎖相環(huán)裝置的控制單元。
[0017]VC0為10?20GHz的工作頻率,為了降低子諧波雜散,選擇15dB的耦合度。這個耦合度可以方便地在微帶電路上實(shí)現(xiàn),印制板電路工藝容易加工,成本低,并對分頻器的反向泄漏到VC0端的信號提供15dB隔離。微帶耦合線有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口四個端口,其中,第一端口接VC0輸出,第三端口為耦合端接隔離放大器,第二端口是直通輸出,第四端口需要接50歐姆負(fù)載。當(dāng)前技術(shù)中,用普通的電阻來作為10?20GHz的50歐姆負(fù)載,電壓駐波比不好,對耦合性能有影響。本發(fā)明采用了 20dB的衰減器來替代50歐姆負(fù)載,保證了耦合器性能。
[0018]如圖3所示,所述隔離放大器包括依次連接的第一衰減器ATT1、放大器A1和第二衰減器ATT2,用于放大耦合器耦合來的VC0信號,并隔離分頻器的反向泄漏信號。隔離放大器巧妙利用了放大器的正向放大、反向衰減特性。第一衰減器ATT1和第二衰減器ATT2是3dB衰減,放大器A1的增益是21dB,反向隔離是40dB。隔離放大器對分頻器的反向泄漏信號有46dB的隔離。分頻器本身對反向泄漏信號隔離有40dB,加上耦合器電路的隔離15dB,整個鎖相環(huán)裝置對分頻器的反向泄漏信號隔離大于100dB,可以不用復(fù)雜的開關(guān)濾波電路來實(shí)現(xiàn)高雜散指標(biāo)。
[0019]如圖4所示,CPLD與TCX0構(gòu)成鎖相環(huán)裝置的控制單元,控制單元根據(jù)外部接口命令,加載鎖相環(huán)(PLL)芯片內(nèi)部寄存器,使鎖相環(huán)(PLL)芯片將VC0鎖定在要求的頻率上??刂茊卧腃PLD采用可編程器件EPM570T100I5,需要用時(shí)鐘才能工作。數(shù)字時(shí)鐘的抖動產(chǎn)生的數(shù)字噪聲通過鎖相環(huán)(PLL)芯片的接口線對鎖相環(huán)(PLL)芯片產(chǎn)生干擾,最終會寄生到VC0的輸出頻譜的近端上。本發(fā)明優(yōu)選采用20MHz的TCX0(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)作為EPM570T100I5的時(shí)鐘,該TCX0具有低的時(shí)鐘抖動和低雜散。在供電上用磁珠和鉭電容對TCX0(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)和EPM570T100I5電源進(jìn)行隔離,有效地防止了信號串?dāng)_。TCX0上連接有磁珠和鉭電容,鉭電容的型號為TAJA106K016RNJ。
[0020]本發(fā)明提供的低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán)裝置,電路設(shè)計(jì)簡單,不需要復(fù)雜濾波器電路,子諧波雜散低,輸出頻譜純度高,數(shù)字寄生干擾低,電路組裝采用SMT工藝,工藝簡單,可以很好地滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。
[0021]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低雜散寬帶10?20GHZ鎖相環(huán)裝置,其特征在于,包括依次連接的參考放大器、鎖相環(huán)、壓控振蕩器、耦合器、隔離放大器和分頻器,還包括環(huán)路濾波器、CPLD和TCXO,其中:所述環(huán)路濾波器分別與所述鎖相環(huán)和所述壓控振蕩器相連接;所述分頻器與所述鎖相環(huán)相連接;所述CPLD分別與所述鎖相環(huán)和所述TCXO相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低雜散寬帶鎖相環(huán)裝置,其特征在于,所述隔離放大器包括依次連接的第一衰減器、放大器和第二衰減器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低雜散寬帶鎖相環(huán)裝置,其特征在于,所述CPLLD為EPM570T100I5。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低雜散寬帶鎖相環(huán)裝置,其特征在于,所述TCXO連接有磁珠和鉭電容。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的低雜散寬帶10?20GHz鎖相環(huán),其特征在于,所述鉭電容的型號為 TAJA106K016RNJ。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種低雜散寬帶10~20GHz鎖相環(huán)裝置,其特征在于,包括依次連接的參考放大器、鎖相環(huán)、壓控振蕩器、耦合器、隔離放大器和分頻器,還包括環(huán)路濾波器、CPLD和TCXO,其中:所述環(huán)路濾波器分別與所述鎖相環(huán)和所述壓控振蕩器相連接;所述分頻器與所述鎖相環(huán)相連接;所述CPLD分別與所述鎖相環(huán)和所述TCXO相連接。本發(fā)明提供的低雜散寬帶10~20GHz鎖相環(huán)裝置,電路設(shè)計(jì)簡單,不需要復(fù)雜濾波器電路,子諧波雜散低,輸出頻譜純度高,數(shù)字寄生干擾低,電路組裝采用SMT工藝,工藝簡單,可以很好地滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。
【IPC分類】H03L7/099
【公開號】CN105406862
【申請?zhí)枴緾N201510890226
【發(fā)明人】方涌, 尹紅波, 王洪林
【申請人】揚(yáng)州海科電子科技有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月7日