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一種改善盲孔脫墊的hdi板制作工藝的制作方法

文檔序號(hào):9381838閱讀:853來(lái)源:國(guó)知局
一種改善盲孔脫墊的hdi板制作工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于線(xiàn)路板加工領(lǐng)域,具體涉及一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)于有樹(shù)脂塞孔流程的填孔電鍍HDI板,在樹(shù)塞孔流程后均需進(jìn)行砂帶打磨,需打磨3次才可將樹(shù)脂去除干凈。后工序中,對(duì)此類(lèi)板若走點(diǎn)鍍流程,由于填孔參數(shù)等眾多因素,孔口銅厚常會(huì)高于表銅,甚至超過(guò)干膜,所以采用機(jī)械打磨的辦法將多余的銅去掉。
[0003]但該流程存在如下的風(fēng)險(xiǎn):對(duì)于普通HDI板,板電層的厚度要求為6-8 μ m,此類(lèi)板在樹(shù)脂塞孔后進(jìn)行砂帶打磨,打磨量一般也是在6-8 μ m,且打磨次數(shù)在3次不易控制,導(dǎo)致砂帶打磨后剩余板電層為l_2um,后工序前處理微蝕后,所剩銅層厚度將小于lum,這對(duì)填孔電鍍銅層的結(jié)合力有影響,容易導(dǎo)致微裂紋的產(chǎn)生。點(diǎn)鍍填孔后,去除干膜,若盲孔孔口處銅厚高出表銅一定高度(接近干膜40 μ m或更高),磨板時(shí),高出的部分會(huì)與砂帶形成剪切力,該剪切力作用于孔內(nèi)電鍍銅并對(duì)盲孔底部結(jié)合處形成拉應(yīng)力,對(duì)結(jié)合部位造成機(jī)械損傷,留下品質(zhì)隱患。高出部分越多,磨板時(shí)對(duì)底部的應(yīng)力越大,若拉應(yīng)力大于電鍍銅與底銅的結(jié)合力則盲孔被拉起,形成微裂紋甚至脫墊。因此,現(xiàn)有流程中,磨板工序?qū)е旅た椎撞课⒘鸭y和脫墊的風(fēng)險(xiǎn)巨大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中磨板工序?qū)е旅た椎撞课⒘鸭y和脫墊的風(fēng)險(xiǎn)巨大的技術(shù)瓶頸,從而提供一種提高點(diǎn)鍍時(shí)盲孔底部與電鍍層的結(jié)合力;實(shí)現(xiàn)砂帶打磨量可控,避免盲孔底部微裂紋的形成,同時(shí)可以降低盲孔微裂紋及脫墊的風(fēng)險(xiǎn);改善了 HDI板盲孔微裂紋、脫墊問(wèn)題;成本低下,提高了成功率,減少了材料的耗損,符合節(jié)能環(huán)保的理念的HDI板制作工藝。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的公開(kāi)了一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述工藝順序包括第一次砂帶打磨、化學(xué)減銅、退膜步驟、第二次砂帶打磨。
[0006]優(yōu)選的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述所述第一次砂帶打磨和第二次砂帶打磨均對(duì)HDI板進(jìn)行了正反面打磨兩次打磨處理。
[0007]優(yōu)選的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述化學(xué)減銅步驟中,減銅后的鍍孔口銅柱高度< 20μπι后退膜。
[0008]優(yōu)選的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述砂帶打磨中,打磨后剩余板電層厚彡2 μπι或彡O μπι。
[0009]更為優(yōu)選的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,第一次砂帶打磨和第二次砂帶打磨的參數(shù)均為:用600或800#砂紙、3-3.5m/min的傳送速度、1-1.2kw的功率打磨正反兩面,每打磨一次減銅量為1.5-3.8 μ m0
[0010]進(jìn)一步的,所述的一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,打磨參數(shù)為..600#砂紙、3.5m/min的傳送速度、1.2kw的功率。
[0011]進(jìn)一步的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述第一次砂帶打磨之前,還依次包括開(kāi)料、內(nèi)層曝光、壓合、內(nèi)層鉆孔、內(nèi)層沉銅、內(nèi)層板電、內(nèi)層鍍孔圖形、鍍孔、樹(shù)脂塞孔。
[0012]進(jìn)一步的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述第一次砂帶打磨之后,化學(xué)減銅步驟之前,還依次包括內(nèi)層曝光、壓合、外層鉆孔、外層沉銅、全板電鍍、外層鍍孔圖形、填孔電鍍。
[0013]更為進(jìn)一步的,所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其中,所述第二次砂帶磨板之后,還包括外層圖形、圖形電鍍、外層蝕刻、絲印、阻焊、印制字符、沉鎳金。
[0014]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):通過(guò)優(yōu)化砂帶打磨參數(shù),實(shí)現(xiàn)了砂帶打磨量可控,避免盲孔底部與電鍍層臨界面相結(jié)合,提高了點(diǎn)鍍流程后砂帶打磨效率;通過(guò)化學(xué)減銅減薄盲孔孔口銅厚,減小磨板時(shí)盲孔底部受到的拉應(yīng)力,降低盲孔底部形成微裂紋導(dǎo)致脫墊的風(fēng)險(xiǎn);實(shí)現(xiàn)砂帶打磨量可控,在退膜前先用化學(xué)減銅方式減銅,可減小磨板時(shí)盲孔底部受到的拉應(yīng)力,避免盲孔底部微裂紋的形成,同時(shí)可以降低盲孔微裂紋及脫墊的風(fēng)險(xiǎn);改善了 HDI板盲孔微裂紋、脫墊問(wèn)題;化了打磨參數(shù),降低了打磨次數(shù),由原來(lái)的三次打磨,改善為兩次正反面打磨。既保證了樹(shù)脂打磨干凈,也控制了減銅量,成本低下,提高了成功率,減少了材料的耗損,符合節(jié)能環(huán)保的理念,具有極大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和市場(chǎng)前景。
【具體實(shí)施方式】
[0015]實(shí)施例
[0016]本實(shí)施例公開(kāi)了一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,具體工藝步驟如下:
[0017]S1:按拼板尺寸開(kāi)出芯板;
[0018]S2:以6格曝光尺完成內(nèi)層線(xiàn)路曝光,顯影后蝕刻出線(xiàn)路圖形;
[0019]S3:檢查內(nèi)層的開(kāi)短路等缺陷并作出修正;
[0020]S4:壓合:進(jìn)行棕化,棕化速度按照底銅銅厚棕化,然后根據(jù)板料Tg選用適當(dāng)?shù)膶訅簵l件進(jìn)行壓合,外層銅箔跟進(jìn)客戶(hù)要求成品表銅厚度選擇銅箔;
[0021]S5:根據(jù)板厚,利用鉆孔資料進(jìn)行內(nèi)層激光鉆孔加工;
[0022]S6:進(jìn)行內(nèi)層沉銅,其中背光測(cè)試9.5級(jí);
[0023]S7:進(jìn)行內(nèi)層板電鍍,控制在6-8um范圍;
[0024]S8:以6格曝光尺完成外層線(xiàn)路曝光,并進(jìn)行顯影,完成內(nèi)層鍍孔圖形;
[0025]S9:以合適的電流參數(shù)與電鍍時(shí)間,對(duì)盲孔進(jìn)行填平處理,完成填孔電鍍;
[0026]SlO:鍍孔:對(duì)顯影出來(lái)的孔進(jìn)一步鍍銅,孔銅單點(diǎn)與表銅最小點(diǎn)滿(mǎn)足要求;
[0027]Sll:樹(shù)脂塞孔:退膜后進(jìn)行樹(shù)脂填充通孔,測(cè)試孔銅合格后方可樹(shù)脂塞孔;
[0028]S12:第一次砂帶磨板:以?xún)?yōu)化后的參數(shù)正反面打磨兩次,節(jié)省打磨時(shí)間,剩余總銅厚滿(mǎn)足客戶(hù)要求,保證樹(shù)脂打磨干凈,同時(shí)需確保打磨后剩余板電層厚多2μπι或
O μ m ;
[0029]S13:以6格曝光尺完成內(nèi)層線(xiàn)路曝光,顯影后蝕刻出線(xiàn)路圖形
[0030]S14:檢查內(nèi)層的開(kāi)短路等缺陷并作出修正
[0031]S15:棕化速度按照底銅銅厚棕化,根據(jù)板料Tg選用適當(dāng)?shù)膶訅簵l件進(jìn)行壓合,夕卜層銅箔跟進(jìn)客戶(hù)要求成品表銅厚度選擇銅箔;
[0032]S16:外層鉆孔:激光鉆孔,根據(jù)板厚,利用鉆孔資料進(jìn)行鉆孔加工;
[0033]S17:外層沉銅:其中,背光測(cè)試9.5級(jí);
[0034]S18:全板電鍍:孔銅控制在7-12um范圍;
[0035]S19:外層鍍孔圖形:以6格曝光尺完成外層線(xiàn)路曝光,并進(jìn)行顯影;
[0036]S20:填孔電鍍:以合適的電流參數(shù)與電鍍時(shí)間,對(duì)盲孔進(jìn)行填平處理;
[0037]S21:化學(xué)減銅操作,鍍孔口銅柱高度< 20μπι后退膜;
[0038]S22:以?xún)?yōu)化后的參數(shù)正反面打磨兩次,完成砂帶打磨操作,節(jié)省打磨時(shí)間,保證打磨后剩余板電層厚彡2 μπ?或< O μ?? ;
[0039]S23:以6格曝光尺完成外層線(xiàn)路曝光,并進(jìn)行顯影,完成外層圖形操作;
[0040]S24:對(duì)孔、表銅要求進(jìn)行電鍍,完成圖形電鍍操作;
[0041]S25:堿性蝕刻,蝕刻速度按底銅進(jìn)行蝕刻,控制蝕刻線(xiàn)寬,完成外層蝕刻;
[0042]S26:對(duì)HDI板盲孔網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行低阻值四線(xiàn)測(cè)試,以判斷盲孔是否存在微裂紋、空洞等缺陷;
[0043]S27:檢查外層的開(kāi)短路等缺陷并作出修正;
[0044]S28:將阻焊油墨均勻的涂覆在已經(jīng)前處理合格的PCB板上,使用小野曝光機(jī)曝光,阻焊菲林漲縮控制在+/-0.01mm,完成絲印阻焊;
[0045]S29:采用白網(wǎng)印刷字符和圖像;
[0046]S30:控制金、鎳層厚度,進(jìn)行沉鎳金操作。
[0047]顯然,上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例,而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述工藝順序包括第一次砂帶打磨、化學(xué)減銅、退膜步驟、第二次砂帶打磨。2.如權(quán)利要求1所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述所述第一次砂帶打磨和第二次砂帶打磨均對(duì)HDI板進(jìn)行了正反面打磨兩次打磨處理。3.如權(quán)利要求1所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述化學(xué)減銅步驟中,減銅后的鍍孔口銅柱高度< 20 μ m后退膜。4.如權(quán)利要求1所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述砂帶打磨中,打磨后剩余板電層厚彡2 μπι或< O μπι。5.如權(quán)利要求1所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,第一次砂帶打磨和第二次砂帶打磨的參數(shù)均為:用600或800#砂紙、3-3.5m/min的傳送速度、1_1.2kw的功率打磨正反兩面,每打磨一次減銅量為1.5-3.8 μπι。6.如權(quán)利要求5所述的一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,打磨參數(shù)為:600#砂紙、3.5m/min的傳送速度、1.2kw的功率。7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述第一次砂帶打磨之前,還依次包括開(kāi)料、內(nèi)層曝光、壓合、內(nèi)層鉆孔、內(nèi)層沉銅、內(nèi)層板電、內(nèi)層鍍孔圖形、鍍孔、樹(shù)脂塞孔。8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述第一次砂帶打磨之后,化學(xué)減銅步驟之前,還依次包括內(nèi)層曝光、壓合、外層鉆孔、外層沉銅、全板電鍍、外層鍍孔圖形、填孔電鍍。9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝,其特征在于,所述第二次砂帶磨板之后,還包括外層圖形、圖形電鍍、外層蝕刻、絲印、阻焊、印制字符、沉鎳金。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明屬于線(xiàn)路板加工領(lǐng)域,具體涉及一種改善盲孔脫墊的HDI板制作工藝。通過(guò)優(yōu)化砂帶打磨參數(shù),實(shí)現(xiàn)了砂帶打磨量可控,避免盲孔底部與電鍍層臨界面相結(jié)合,提高了點(diǎn)鍍流程后砂帶打磨效率;通過(guò)化學(xué)減銅減薄盲孔孔口銅厚,減小磨板時(shí)盲孔底部受到的拉應(yīng)力,降低盲孔底部形成微裂紋導(dǎo)致脫墊的風(fēng)險(xiǎn);實(shí)現(xiàn)砂帶打磨量可控,在退膜前先用化學(xué)減銅方式減銅,可減小磨板時(shí)盲孔底部受到的拉應(yīng)力,避免盲孔底部微裂紋的形成,同時(shí)可以降低盲孔微裂紋及脫墊的風(fēng)險(xiǎn);改善了HDI板盲孔微裂紋、脫墊問(wèn)題;成本低下,提高了成功率,減少了材料的耗損,符合節(jié)能環(huán)保的理念,具有極大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和市場(chǎng)前景。
【IPC分類(lèi)】H05K3/42
【公開(kāi)號(hào)】CN105101681
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510434101
【發(fā)明人】曾璇, 苗國(guó)厚, 劉克敢
【申請(qǐng)人】深圳崇達(dá)多層線(xiàn)路板有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年7月22日
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