晶體振子及晶體振子的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體振子及晶體振子的制造方法，尤其涉及在由陶瓷(ceramic)等絕緣體形成的基座(base)利用導電性樹脂等粘合金屬蓋(cover)而將晶體片氣密密封于金屬蓋內(nèi)的晶體振子中，將電連接設置于基座的外底面的接地(ground，GND)端子與金屬蓋的導電體設置于密封面，防止因晶體振子的電路附近的電容變化、噪聲(noise)產(chǎn)生導致的電路的非正常動作的晶體振子及晶體振子的制造方法。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有的這種晶體振子中，如圖6及圖7所示，在俯視矩形狀的陶瓷基座I的表面Ib利用AgPd合金(銀-鈕(palladium)合金)一體地形成支持電極下層部3a及連接端子2a，在陶瓷基座I的四角部，在由片狀陶瓷毛坯時形成的貫通孔(通孔(through hole)) Ia的壁面構成的城堡型結構(castellat1n)(缺口部)分別形成有由AgPd形成的貫穿端子(through terminal) 2b、貫穿端子 2c。
[0003]而且，在陶瓷基座I的表面Ib形成支持電極下層部3a，所述支持電極下層部3a形成于與貫穿端子2c連接而保持晶體片5的支持電極3b的下層，且由AgPd合金形成。
[0004]而且，在所述支持電極下層部3a的上表面，利用AgPd形成通過導電性樹脂7而接合并保持晶體片5的支持電極3b，此外，在陶瓷基座I的上表面的外緣部的內(nèi)側形成帶狀的絕緣膜10，所述絕緣膜10使金屬蓋6與晶體片5的支持電極3b不會電氣短路。
[0005]而且，在所述絕緣膜10的上表面搭載金屬蓋6，通過低熔點玻璃、熱固性樹脂等適當?shù)拿芊獠牧辖雍嫌诮^緣膜10，從而將晶體片5氣密密封于金屬蓋6內(nèi)。
[0006]此外，通常在陶瓷基座I的外底面Ic的四角部設置四個安裝端子4，連接于各貫穿端子2b、2c的安裝端子4的電極圖案(electrode pattern)由AgPd合金形成。于此,連接于貫穿端子2c的安裝端子4成為被施加電壓的電極，另一方面，連接于貫穿端子2b的安裝端子4成為連接于地平面(ground level)的接地電極(參照專利文獻I及專利文獻2)。
[0007](專利文獻1:日本專利特開2013-70357號公報
[0008]專利文獻2:日本專利特開2011-211681號公報
[0009]專利文獻3:日本專利特開2009-105628號公報)
[0010]在利用導電性樹脂將金屬蓋氣密密封于由如所述陶瓷材料的絕緣體形成的基座的樹脂密封用封裝體(package)的基座中，在將金屬蓋樹脂密封的面(密封面)，將晶體片與外部端子連接的導電體設置于同一面上。因此，如果利用導電性樹脂將金屬蓋樹脂密封，那么晶體支持端子會與金屬蓋電短路，所以，由玻璃材料等形成的絕緣層形成于密封面。
[0011]此外，在基座的外底面設置有四個外部端子的晶體振子的情況下，未與晶體片連接的兩個端子(Ne端子)未配設于與所述密封面同一面上。
[0012]然而，在這些端子配設在同一面上的情況下，如上所述，因為絕緣層形成于基座的上表面，所以即便在密封時使用導電性樹脂固著金屬蓋，也無法與金屬蓋電連接，因此，無法防止因晶體振子的電路附近的電容變化、噪聲產(chǎn)生等導致的電路的非正常動作。
[0013]在這種現(xiàn)有的晶體振子中，因為金屬蓋未與接地端子電連接，所以如果從搭載這種晶體振子的電路側觀察，那么金屬蓋成為與靜電電容(C)或天線(antenna)電氣相同的狀態(tài)而發(fā)揮作用。
[0014]而且，在使用此種樹脂密封基座的晶體振子中，如果將晶體振子搭載于電路基板，那么雖然姑且可以使用，但例如存在如下情況:因人手靠近晶體振子導致電容變化、或電路附近產(chǎn)生噪聲導致形成于電路基板的電路不能正常地動作并發(fā)揮作用。
[0015]因此，為了消除這種故障，在縫焊(Seam Sealing)型的晶體振子中，蓋(蓋體(Iid))經(jīng)由密封圈(seal ring)而電連接于設置于陶瓷基座的外底面的接地端子(參照專利文獻3) ο

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明是為了解決這種問題點而完成的，涉及一種晶體振子，所述晶體振子在俯視矩形狀的陶瓷基座的主表面搭載晶體片，該晶體振子包括:所述晶體片的支持電極，形成于所述主表面；貫穿端子，形成于設置在所述陶瓷基座的四角部的缺口部；帶狀的絕緣膜，形成于所述陶瓷基座的外周部的內(nèi)側；以及金屬蓋，覆蓋所述晶體片將內(nèi)部氣密密封；所述晶體振子的特征在于:在能夠電連接于所述貫穿端子中的作為接地端子發(fā)揮作用的至少一個所述貫穿端子、且未形成所述絕緣膜的部位且在供所述金屬蓋固著并密封的密封面設置導電體，經(jīng)由所述導電體將所述接地端子與所述金屬蓋電連接。
[0017]此外，本發(fā)明的特征在于:所述導電體作為連接于兩個所述貫穿端子的導電膜而形成。
[0018]而且，本發(fā)明涉及一種晶體振子的制造方法，制造所述晶體振子，該制造方法的特征在于:在未形成所述絕緣膜的部位且在供所述金屬蓋固著并密封的部位形成導電體。
[0019]發(fā)明的效果
[0020]根據(jù)本發(fā)明的晶體振子，可防止因形成于晶體振子的電路附近的電容變化、噪聲產(chǎn)生導致的電路的非正常動作。
【附圖說明】
[0021]圖1是應用于作為本發(fā)明的晶體振子的實施例的晶體振子的端子焊盤的連接圖。
[0022]圖2是形成本發(fā)明的晶體振子的支持電極圖案的陶瓷基座的俯視圖。
[0023]圖3(a)、圖3(b)表不現(xiàn)有例及本發(fā)明的晶體振子的NC端子部的部分截面，圖3(a)表示圖7所示的現(xiàn)有例的NC端子部的I1-1I箭視部的部分截面，圖3(b)表示圖2所示的本發(fā)明的NC端子部的1-1箭視部的部分截面。
[0024]圖4是本發(fā)明的晶體振子的制造方法的步驟圖。
[0025]圖5是在本發(fā)明的晶體振子的制造中使用的片狀陶瓷毛坯中形成有貫通孔及斷開線(Break Line)的片狀陶瓷基板的俯視圖。
[0026]圖6是現(xiàn)有的晶體振子的縱截面圖。
[0027]圖7是圖6所示的現(xiàn)有的晶體振子的形成支持電極圖案的陶瓷基座的俯視圖。
[0028]附圖標記:
[0029]1:陶瓷基座
[0030]la:貫通孔
[0031]Ib:表面
[0032]Ic:外底面
[0033]2a:連接端子
[0034]2b:貫穿端子
[0035]2c:貫穿端子
[0036]3a:支持電極下層部
[0037]3b:支持電極
[0038]4:安裝端子
[0039]5:晶體片
[0040]6:金屬蓋
[0041]6a:凸緣
[0042]6b:熱固性樹脂
[0043]6c:導電性粘合劑
[0044]7:導電性樹脂
[0045]10:絕緣膜
[0046]11:導電體
[0047]S:片狀陶瓷基板
[0048]B:截斷線
[0049]#1、#3:連接端子
[0050]#2、#4:接地端子
【具體實施方式】
[0051]以下，基于附圖來說明本發(fā)明的晶體振子的實施例。
[0052](晶體振子的實施例)
[0053]首先，圖1表示應用于本發(fā)明的晶體振子的端子焊盤的連接圖，如圖1所示，在基座的外底面設置有四個安裝端子的晶體振子中，這四個安裝端子中的兩個