一種壓控振蕩器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種壓控振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在的無線通信系統(tǒng)中，時鐘是各種通信協(xié)議或通信標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)，保證了時鐘的穩(wěn)定才能保證信息的正確傳輸。抑制時鐘頻率漂移的常用方法是采用數(shù)字鎖相環(huán)，數(shù)字鎖相環(huán)是基于鎖相環(huán)的同步原理，采用數(shù)字方式，跟蹤一個輸入?yún)⒖紩r鐘源，輸出時鐘和輸入時鐘經(jīng)過相位(頻率)比較后，得出一個相位差(頻率差)值，再經(jīng)過低通濾波器方法，去控制VCO (壓控振蕩器)，最終使得輸出時鐘和輸入時鐘嚴(yán)格保持同頻。
[0003]傳統(tǒng)的數(shù)字鎖相環(huán)包括數(shù)字鑒相器、低通濾波器和壓控振蕩器三部分。數(shù)字鑒相器檢測輸入時鐘源和輸出時鐘的相位差，低通濾波器根據(jù)數(shù)字鑒相器的檢測結(jié)果經(jīng)過低通濾波器方法得到一個電壓控制值，輸出給壓控振蕩器，壓控振蕩器在此電壓下控制下輸出時鐘。其中，低通濾波方法，即鎖相環(huán)方法，一般都采用幾組參數(shù)，包括捕捉參數(shù)和跟蹤參數(shù)，其中捕捉參數(shù)捕捉時鐘的范圍較大，反映在方法上，即逼近步長較大，所采用的比例系數(shù)較大，當(dāng)然相應(yīng)的時鐘抖動也較大，而跟蹤參數(shù)捕捉范圍較小，放映在方法上即逼近步長較小，所采用的比例系數(shù)也較小，積分系數(shù)較大，相應(yīng)的時鐘抖動較小。
[0004]移動通信系統(tǒng)所需的頻率很高，例如3G (第三代移動通信技術(shù))中的一種制式WCDMA (寬帶碼分多址)，需要2.1GHz的頻率，而現(xiàn)有技術(shù)壓控振蕩器輸出高頻率時受溫度影響很大，發(fā)現(xiàn)的頻率漂移很較大，同時可能會有帶寬的限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種壓控振蕩器，抑制壓控振蕩器輸出頻率受工作溫度的影響而發(fā)生漂移。
[0006]一種壓控振蕩器，包括開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊、調(diào)諧電容器模塊、輔助電容器模塊和溫度補(bǔ)償模塊，所述開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊用于在第一控制信號的控制下提供第一電容值；所述調(diào)諧電容器模塊用于在第二控制信號的控制下提供第二電容值；所述溫度補(bǔ)償模塊用于根據(jù)當(dāng)前溫度提供溫度補(bǔ)償偏壓，所述輔助電容器模塊在所述溫度補(bǔ)償偏壓的控制下提供第三電容值；所述第一電容值、第二電容值和第三電容值的并聯(lián)電容值與預(yù)定頻率相對應(yīng)。
[0007]可選的，所述溫度補(bǔ)償模塊包括溫度傳感模塊、數(shù)字信號處理模塊、分壓網(wǎng)絡(luò)模塊和電流源，所述溫度傳感模塊用于檢測當(dāng)前溫度，并將檢測到的溫度數(shù)據(jù)傳送給所述數(shù)字信號處理模塊，所述數(shù)字信號處理模塊對所述溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行處理以生成數(shù)字信號，所述分壓網(wǎng)絡(luò)模塊在所述數(shù)字信號的控制下，根據(jù)所述電流源提供的電流提供所述溫度補(bǔ)償偏壓。
[0008]可選的，所述分壓網(wǎng)絡(luò)模塊由一系列電阻陣列構(gòu)成。
[0009]可選的，所述壓控振蕩器還包括:第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管和電感線圈，
[0010]所述第一 MOS管的柵極與第二 MOS管的漏極相連，第二 MOS管的柵極與第一 MOS管的漏極相連，所述第一 MOS管和第二 MOS管的源極分別連接在第三MOS管的漏極，所述第三MOS管的源極加電源電壓；
[0011]所述開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊的一端連接在第一 MOS管的漏極，另一端連接在第二 MOS管的漏極；
[0012]所述調(diào)諧電容器模塊與所述輔助電容器模塊并聯(lián)，并且一端通過第一電容器與第一MOS管的漏極相連，另一端通過第二電容器與第二 MOS管的漏極相連；
[0013]所述電感線圈連接于第一 MOS管的漏極和第二 MOS管的漏極之間，并且電感線圈的中心點(diǎn)接地。
[0014]可選的，所述調(diào)諧電容器模塊包括第三電容器、第四電容器，所述第三電容器的負(fù)極與所述第四電容器的負(fù)極相連，所述第三電容器的負(fù)極和第四電容器的負(fù)極用于接收所述第二控制信號；第三電容器的正極與所述第一電容器的一端連接，第四電容的正極與所述第二電容器的一端連接。
[0015]可選的，所述輔助電容器模塊包括第五電容器和第六電容器，所述第五電容器的負(fù)極與所述第六電容器的負(fù)極相連，所述第三電容器的負(fù)極和第四電容器的負(fù)極加所述溫度補(bǔ)償偏壓，第三電容器的正極與所述第一電容器的一端連接，第四電容器的正極與所述第二電容器的一端連接。
[0016]可選的，所述開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊是兩個以上電容和開關(guān)組成的電容陣列。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明利用溫度補(bǔ)償模塊實(shí)時檢測振蕩器溫度，產(chǎn)生溫度補(bǔ)償偏壓，從而降低或抑制頻率漂移，使得輸出的頻率更穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是圖1的溫度補(bǔ)償模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3是本發(fā)明壓控振蕩器一實(shí)施例的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式的附圖，對本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施方式，而不是全部的實(shí)施方式。
[0022]圖1是本發(fā)明壓控振蕩器的模塊示意圖，如圖所示，本發(fā)明提供的壓控振蕩器包括開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊11、調(diào)諧電容器模塊12、輔助電容器模塊13、溫度補(bǔ)償模塊14。開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊11由多個電容構(gòu)成，由第一控制信號CsaEeT控制開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊11中各個電容的連接來確定開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊11提供的第一電容值。調(diào)諧電容器模塊12由鎖相環(huán)中低通濾波器輸出的第二控制信號控制提供第二電容值。所述溫度補(bǔ)償模塊14與輔助電容器模塊13相連，所述溫度補(bǔ)償模塊14根據(jù)當(dāng)前溫度產(chǎn)生溫度補(bǔ)償偏壓Vc2，所述溫度補(bǔ)償偏壓加在輔助電容器模塊13，所述輔助電容器模塊13在溫度補(bǔ)償偏壓的控制下提供第三電容值，所述第一電容值、第二電容值和第三電容值的并聯(lián)電容值與預(yù)定頻率Fvco相對應(yīng)。當(dāng)某個通信協(xié)議選定了一定通信信道，第一控制信號CsaECT控制開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)模塊11輸出相應(yīng)的頻率信號Fvaj，第二控制信號Vem調(diào)整調(diào)諧電容器模塊12來確保頻率信號Fva)穩(wěn)定，溫度補(bǔ)償模塊14根據(jù)壓控振蕩器所處環(huán)境溫度，產(chǎn)生溫度補(bǔ)償偏壓\2，所述溫度補(bǔ)償偏壓調(diào)整輔助電容器模塊13來確保在溫度變化的環(huán)境中頻率信號Fva)穩(wěn)定。
[0023]圖2是圖1的溫度補(bǔ)償模塊的模塊示意圖，如圖所示，所述溫度補(bǔ)償模塊包括溫度傳感模塊141、數(shù)字信號處理模塊142、分壓網(wǎng)絡(luò)模塊143、電流源144。所述分壓網(wǎng)絡(luò)模塊143由多個電阻組成的電阻陣列。所述溫度傳感模塊141與數(shù)字信號處理模塊142相連，所述數(shù)字信號處理模塊142與分壓網(wǎng)絡(luò)模塊143相連，所述溫度傳感模塊141檢測當(dāng)前溫度變化，并將檢測到的溫度數(shù)據(jù)傳送給所述數(shù)字信號處理模塊142，數(shù)字信號處理模塊142處理之后的信號控制所述分壓網(wǎng)絡(luò)模塊143電阻陣列的電阻值，電流源144提供的恒定電流流過分壓網(wǎng)絡(luò)模塊143產(chǎn)生所述溫度補(bǔ)償偏壓VC2。
[0024]圖3是本發(fā)明壓控振蕩器的一實(shí)施例的電路圖。如圖所不,第一 MOS管320和第二MOS管321交叉連接，第一 MOS管320的柵極與第二 MOS管321的漏極相連，第二 MOS管321的柵極與第一 MOS管320的漏極相連。所述第一 MOS管320和第二 MOS管321的源極分別連接在第三MOS管322的漏極。所述第三MOS管322與第四MOS管323形成鏡像結(jié)構(gòu)。所述第四MOS管323的源極和第三MOS管322的源極加電源電壓Vdd。所述第四MOS管323的柵極通過一個電阻同時與第三MOS管322的柵極以及電容器324的正極相連，電容器324的負(fù)極加電源電壓Vdd。所述第四MOS管323的源極連接帶隙電流源312的一端，帶