核心基材與線路板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種核心基材以及線路板的制作方法，且特別是有關于一種核心基材及應用此核心基材的線路板的制作方法。
【背景技術】
[0002]一般來說，若欲形成具有內埋式線路的線路板，首先會先提供核心基材。此核心基材是由依序堆迭的介電層、第一銅箔層以及第二銅箔層所組成，其中第一銅箔層直接覆蓋介電層，而第二銅箔層直接覆蓋第一銅箔層。此處，第一銅箔層的厚度為18微米，而第二銅箔層的厚度為5微米，可視為超薄銅箔且具有較高的生產成本。接著，于第二銅箔層上形成圖案化線路層。接著，于圖案化線路層上形成絕緣層，來覆蓋圖案化線路層與暴露于圖案化線路層外的第二銅箔層。之后，通過特殊治具來使第一銅箔層與第二銅箔層分開。最后，通過蝕刻步驟來移除第二銅箔層，而暴露出絕緣層與圖案化線路層，而完成通過具有內埋式線路的線路板的制作。
[0003]然而，可視為超薄銅箔的第二銅箔層的成本較高，因而導致整體線路板的制作成本提高。再者，第一銅箔層與第二銅箔層之間也必須通過特殊治具才能分離，故此步驟也因需要此特殊治具而增加線路板整體的制作成本。此外，當通過蝕刻步驟來移除第二銅箔層時，由于蝕刻液也會同時侵蝕圖案化線路層，因而導致圖案化線路層的表面平整度降低，進而影響線路板的結構可靠度。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種核心基材，其具有成本較低的優(yōu)勢。
[0005]本發(fā)明還一目的在于提供一種線路板的制作方法，其應用上述的核心基材，具有較佳的表面平整度與結構可靠度。
[0006]為達上述目的，本發(fā)明的核心基材，其包括介電層、至少一離形層、至少一第一銅箔層以及至少一鎳層。離形層配置于介電層上且直接覆蓋介電層。第一銅箔層配置于離形層上且直接覆蓋離形層。鎳層配置于第一銅箔層上且直接覆蓋第一銅箔層。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一銅箔層的厚度介于12微米至35微米之間。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述的核心基材，還包括:第二銅箔層，配置于鎳層上且直接覆蓋鎳層。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二銅箔層的厚度介于5微米至35微米之間。
[0010]本發(fā)明的線路板的制作方法，其包括以下步驟。提供核心基材，此核心基材包括介電層、至少一離形層、至少一第一銅箔層以及至少一鎳層。離形層配置于介電層上且直接覆蓋介電層。第一銅箔層配置于離形層上且直接覆蓋離形層。鎳層配置于第一銅箔層上且直接覆蓋第一銅箔層。形成至少一圖案化線路層于鎳層上，其中圖案化線路層暴露出鎳層的一部分。形成至少一絕緣層于圖案化線路層上，其中絕緣層覆蓋圖案化線路層與鎳層的部分。進行掀離步驟，以使離形層與介電層分離。以鎳層為蝕刻終止層來進行第一次蝕刻步驟，以移除第一銅箔層，而暴露出鎳層。進行剝離步驟，以移除鎳層而暴露出圖案化線路層。圖案化線路層的頂面與絕緣層的上表面切齊。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成圖案化線路層的步驟包括:形成至少一圖案化光致抗蝕劑層于鎳層上，其中圖案化光致抗蝕劑層暴露出鎳層的另一部分。以鎳層為電鍍種子層，電鍍圖案化線路層于鎳層的另一部分上。移除圖案化光致抗蝕劑層，而暴露出鎳層的部分。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一銅箔層的厚度介于12微米至35微米之間。
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，上述的核心基材還包括第二銅箔層，配置于鎳層上且直接覆蓋鎳層。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二銅箔層的厚度介于5微米至70微米之間。
[0015]在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成圖案化線路層的步驟包括:形成至少一圖案化光致抗蝕劑層于第二銅箔層上，其中圖案化光致抗蝕劑層暴露出第二銅箔層一部分。以圖案化光致抗蝕劑層為蝕刻掩模，移除暴露于圖案化光致抗蝕劑層之外的第二銅箔層的部分。移除團案化光致抗蝕劑層，而形成圖案化線路層。
[0016]基于上述，由于本發(fā)明的核心基材至少是由介電層、離形層、第一銅箔層以及鎳層所組成，其中離形層、第一銅箔層與鎳層的成本較低。因此，相較于通過核心基材是由介電層、18微米的第一銅箔層以及5微米的第二銅箔層所組成而言，本發(fā)明的核心基材可具有成本較低的優(yōu)勢。
[0017]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0018]圖1繪示為本發(fā)明的一實施例的一種核心基材的剖面示意圖。
[0019]圖2繪示為本發(fā)明的另一實施例的一種核心基材的剖面示意圖。
[0020]圖3繪示為本發(fā)明的另一實施例的一種核心基材的剖面示意圖。
[0021]圖4A至圖4G繪示為本發(fā)明的一實施例的線路板的制作方法的剖面示意圖。
[0022]圖5A至圖繪示為本發(fā)明的另一實施例的線路板的制作方法的剖面示意圖。
[0023]符號說明
[0024]100a、100b、100c、10d:核心基材
[0025]110:介電層
[0026]120、120a、120b:離形層
[0027]130、130a、130b:第一銅箔層
[0028]140、140a、130b:鎳層
[0029]150:第二銅箔層
[0030]200a、200a，、200b:線路板
[0031]210a、210b、210a’、210b’:圖案化線路層
[0032]212a、212a，、212b:頂面
[0033]220a、220b:絕緣層
[0034]222a、222b:上表面
[0035]Ml、M2、M3、M4:圖案化光致抗蝕劑層
【具體實施方式】
[0036]圖1繪示為本發(fā)明的一實施例的一種核心基材的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，核心基材10a包括介電層110、至少一離形層120 (圖1中僅示意地繪示一個)、至少一第一銅箔層130 (圖1中僅示意地繪示一個)以及至少一鎳層140 (圖1中僅示意地繪示一個)。
[0037]詳細來說，本實施例的離形層120配置于介電層110上且直接覆蓋介電層110。第一銅箔層130配置于離形層120上且直接覆蓋離形層120。鎳層140配置于第一銅箔層130上且直接覆蓋第一銅箔層130。更具體來說，在本實施例中，介電層110例如是膠片(prepreg, pp),離形層120完全覆蓋介電層110的表面。此時,第一銅箔層130的厚度,較佳地，例如是介于12微米至35微米之間。鎳層140的厚度，較佳地，例如是介于I微米至3微米之間。
[0038]由于本實施例的核心基材10a是由介電層110、離形層120、第一銅箔層130以及鎳層140所組成，其中離形層120的厚度、第一銅箔層130的厚度與鎳層140的厚度并非特殊材質或特殊尺寸，故其成本較低。因此，相較于通過核心基材是由介電層、18微米的第一銅箔層以及5微米的第二銅箔層所組成而言，本實施例的核心基材10a可具有成本較低的優(yōu)勢。此外，雖然此處的核心基材10a是以單面板結構作為舉例說明，但并不以此為限。
[0039]圖2繪示為本發(fā)明的另一實施例的一種核心基材的剖面示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重復贅述。請參考圖2，本實施例的核心基材10b與前述實施例的核心基材10a主要的差異是在于:本實施例核心基材10b還包括第二銅箔層150，其中第二銅箔層150配置于鎳層140上且直接覆蓋鎳層140。此處，第二銅箔層150的厚度，較佳地，例如是介于5微米至70微米之間。
[0040]圖3繪示為本發(fā)明的另一實施例的一種核心基材的剖面示意圖。本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參照前述實施例，本實施例不再重復贅述。請參考圖3，本實施例的核心基材10c與前述實施例的核心基材10a主要的差異是在于:本實施例的核心基材10c實質上為雙面板結構。詳細來說，在本實施例中，核心基材10c是由介電層110、二離形層120a、120b、二第一銅箔層130a、130b以及二鎳層140a、140b所組成。離形層120a、120b分別配置于介電層110彼此相對的兩表面上，而第一銅箔層130a、130b分別似于尚形層120a、120b上且直接復蓋尚形層120a、120b。鎮(zhèn)層140a、140b分別位于第一銅箔層130a、130b上且直接覆蓋第一銅箔層130a、130b。
[0041]以下將應用上述的核心基材10c來制作線路板，并配合圖4A至圖4G對本發(fā)明的線路板的制作方法進行詳細的說明。
[0042]圖4A至圖4G繪示為本發(fā)明的一實施例的線路板的制作方法的剖面示意圖。請先參考圖4A，依照本實施例的線路板的制作方法，首先，提供圖3的核心基材