一種陰陽厚銅電路板的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陰陽厚銅電路板的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對于兩面銅箔厚度不同的陰陽厚銅電路板，現(xiàn)有技術(shù)通常采用單面蝕刻工藝或者線路補償工藝制作。
[0003]其中，單面蝕刻工藝包括:先在第一面蝕刻線路圖形，該過程中，將第二面用干膜完全覆蓋保護；然后，用干膜覆蓋保護第一面的線路圖形，再在第二面蝕刻線路圖形。
[0004]單面蝕刻工藝存在以下缺陷:第二次蝕刻時需要將第一面覆蓋干膜保護，但由于第一面已蝕刻出線路圖形，表面凸凹不平，所覆蓋的干膜容易局部褶皺，導致結(jié)合力差，防蝕能力較低。于是，在第二次蝕刻時，蝕刻藥水容易從側(cè)面或者破損部位進入第一面，損傷已經(jīng)蝕刻好的線路，尤其是對于直徑超過8_的鉆孔，由于鉆孔周圍不是大銅面，干膜封堵能力有限，容易破裂，使得鉆孔的金屬化內(nèi)壁容易被腐蝕掉。
[0005]線路補償工藝包括:對電路板兩面進行不同的補償設(shè)計，其中，對薄銅箔的一面，增加其線路尺寸的補償，然后按照蝕刻厚銅箔一面的參數(shù)進行雙面蝕刻，使薄銅箔一面增加的線路補償部分被過腐蝕去除，于是，同時將兩面的線路圖形制作出來。
[0006]該種線路補償工藝必然導致薄銅箔一面的線間距較大，無法制作高密度的線路圖形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實施例提供一種陰陽厚銅電路板的加工方法，以解決現(xiàn)有的單面蝕刻和線路補償工藝存在的上述問題。
[0008]本發(fā)明提供一種陰陽厚銅電路板的加工方法，包括:
[0009]提供厚銅箔和薄銅箔以及內(nèi)層板；對所述厚銅箔進行單面蝕刻，以便將所述厚銅箔的非線路圖形區(qū)域蝕刻減厚；將所述厚銅箔和所述薄銅箔壓合在所述內(nèi)層板的兩面，使所述厚銅箔的已被蝕刻的一面朝向所述內(nèi)層板，得到陰陽厚銅電路板；對所述陰陽厚銅電路板進行雙面蝕刻，以便將所述厚銅箔和所述薄銅箔的非線路圖形區(qū)域蝕刻去除，形成線路圖形。
[0010]本發(fā)明實施例采用先將厚銅箔的非線路圖形區(qū)域蝕刻減厚，然后壓合，進行雙面蝕刻的技術(shù)方案，取得了以下技術(shù)效果:
[0011]一方面，本發(fā)明采用雙面蝕刻工藝，干膜直接覆蓋在大銅面上，結(jié)合力好，防蝕能力強，可以防止單面蝕刻工藝出現(xiàn)的容易因干膜褶皺破損等損傷線路或金屬化孔的問題；
[0012]另一方面，雙面蝕刻步驟中，電路板兩面需要蝕刻去除的銅箔厚度相近甚至相同，因此，在薄銅箔的一面不必增加補償設(shè)計，于是不會增加薄銅箔一面的線路間距，相對于線路補償工藝，本發(fā)明可以制作具有更高密度的線路圖形。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明實施例提供的陰陽厚銅電路板的加工方法的流程圖；
[0014]圖2a和2b是對厚銅箔進行單面蝕刻的示意圖；
[0015]圖2c是厚銅箔的第一面在覆蓋抗蝕膜之后的示意圖；
[0016]圖3是壓合形成陰陽厚銅電路板的示意圖；
[0017]圖4a、4b和4c是對陰陽厚銅電路板進行雙面蝕刻形成線路圖形的不意圖。
【具體實施方式】
[0018]本發(fā)明實施例提供一種陰陽厚銅電路板的加工方法，以解決現(xiàn)有的兩面分別蝕刻工藝存在的上述問題。為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0019]請參考圖1，本發(fā)明實施例提供一種陰陽厚銅電路板的加工方法，包括:
[0020]110、提供厚銅箔和薄銅箔以及內(nèi)層板。
[0021]本實施例方法用于制作具有不同厚度表層銅箔的陰陽厚銅電路板，該陰陽厚銅電路板包括內(nèi)層板以及通過粘結(jié)層壓合在內(nèi)層板一面的厚銅箔和通過粘結(jié)層壓合在內(nèi)層板另一面的薄銅箔。
[0022]首先，制作好內(nèi)層板，并下料厚銅箔和薄銅箔。所述的內(nèi)層板可以是蝕刻好線路圖形的雙面覆銅板，也可以是基于雙面覆銅板層壓而成的多層板，其至少包括兩層線路圖形，本實施例中對于內(nèi)層板的具體結(jié)構(gòu)和制作方法不予限定。下料的厚銅箔和薄銅箔的厚度可以根據(jù)最終表層銅箔的厚度確定，可以比最終表層銅箔厚度較薄。例如，對于需要兩面表層銅箔厚度分別為60Z和30Z的陰陽厚銅電路板，可以分別下料50Z厚度的厚銅箔和20Z厚度的薄銅箔。
[0023]120、對所述厚銅箔進行單面蝕刻，以便將所述厚銅箔的非線路圖形區(qū)域蝕刻減厚。
[0024]本步驟中，通過對厚銅箔進行單面蝕刻，將厚銅箔的非線路圖形區(qū)域蝕刻減厚至接近所述薄銅箔的厚度。該單面蝕刻步驟包括:如圖2a所示，先將厚銅箔210的第一面的線路圖形區(qū)域以及第二面全部覆蓋抗蝕膜301，然后對厚銅箔210進行蝕刻，在第一面的非線路圖形區(qū)域形成凹槽2101，該凹槽2101底部未被蝕刻去除部分的厚度應(yīng)當接近薄銅箔的厚度；然后褪去抗蝕膜301，如2b所示。例如，對于50Z厚度的厚銅箔和20Z厚度的薄銅箔，可以將厚銅箔的非線路圖形區(qū)域蝕刻減厚至接近20Z的厚度。
[0025]本發(fā)明的一些實施例中，可以通過在厚銅箔210上設(shè)置標準銅厚測量區(qū)域，來控制單面蝕刻的深度。如圖2c所示，是厚銅箔210的第一面在覆蓋抗蝕膜301之后的示意圖，抗蝕膜301至少覆蓋厚銅箔210第一面的線路圖形區(qū)域，還可以覆蓋厚銅箔201第一面的邊緣區(qū)域211，這些邊緣區(qū)域中一般用于設(shè)置一些定位孔等來輔助加工，最后在銑外形時還可能被切割去除，因此被沒有必要進行蝕刻。所說的標準銅厚測量區(qū)域302可以在所說的邊緣區(qū)域211中劃定。
[0026]一種實施方式中，標準銅厚測量區(qū)域302將不會被覆蓋抗蝕膜301，在單面蝕刻過程中，標準銅厚測量區(qū)域302會被蝕刻形成凹槽；但標準銅厚測量區(qū)域302周圍的邊緣區(qū)域211由于被覆蓋了抗蝕膜301，因此不會被蝕刻，而是保持原狀。于是，可以使用測量儀器來測量標準銅厚測量區(qū)域302蝕刻形成的凹槽的深度，來確定單面蝕刻的蝕刻深度。具體應(yīng)用中，對于厚銅箔210的單面蝕刻，可以通過多次蝕刻來完成，即:每蝕刻設(shè)定時間后，將厚銅箔210從蝕刻槽中取出，通過測量標準銅厚測量區(qū)域302形成的凹槽的深度來確認蝕刻深度；如果蝕刻深度不夠，則放入蝕刻槽中再次蝕刻；通過多次蝕刻使蝕刻深度達到預設(shè)深度。為了提高對蝕刻深度的控制精度，可以減少每次蝕刻的時間，增加蝕刻的次數(shù)。
[0027]另一種實施方式中，可以預先采用控深銑工藝將標準銅厚測量區(qū)域302加工成凹槽，通過控制控深銑的深度，使凹槽底部保留的厚銅箔的厚度與單面蝕刻步驟計劃蝕刻的深度相同。覆蓋抗蝕膜時，在所述標準銅厚測量區(qū)域302的周圍設(shè)置抗蝕膜，但暴露出所述標準銅厚測量區(qū)域302。在單面蝕刻過程中，通過判斷所述標準銅厚測量區(qū)域302的凹槽底部的厚銅箔是否被蝕刻去除，來確認是否達到單面蝕刻計劃蝕刻的深度。當標準銅厚測量區(qū)域302的凹槽底部的厚銅箔被完全蝕刻去除時，表示單面蝕刻的深度達到了設(shè)計深度，于是，停止單面蝕刻。
[0028]該單面蝕刻完畢后，線路圖形區(qū)域被加工成半成品的線路圖形，由于蝕刻深度較大，這些線路圖形的線肩部位可能會形成披峰。而厚銅箔210的已被蝕刻的第一面后續(xù)將被朝向內(nèi)層板進行壓合，壓合過程中，置于厚銅箔210和內(nèi)層板之間的半固化片(PP)的膠水會流入蝕刻出的凹槽2101中，使PP中的玻纖直接接觸到線路圖形的線肩部位，以至于可能傷害PP中的玻纖層或內(nèi)層板。
[0029]為了防止線路肩部形成的披峰或者陡峭的線路肩部本身在壓合時傷害到PP玻纖層或內(nèi)層板，一種可選的/優(yōu)選的實施方式中，在單面蝕刻步驟之后，還可以包括:對所述厚銅箔210的已被蝕刻的一面進行微蝕處理的步驟。通過微蝕，可以去除披峰，并使線肩部位變得平滑，從而減少或避免對PP玻纖層或內(nèi)層板的傷害。