專利名稱：單片薄膜諧振器格型濾波器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜諧振器，確切涉及單片格型濾波器中的薄膜諧振器及其制造方法。
現(xiàn)今在手持無線電設(shè)備領(lǐng)域中，極為廣泛地用結(jié)晶襯底上的壓電濾波器特別是聲表面波(SAW)濾波器用以作為射頻濾波器等。壓電濾波器由一個或多個壓電諧振器組成，這些壓電諧振器制作得小而輕，因而在小型便攜式通信裝置中特別有用。
在較低的頻率(即數(shù)十MHz)下，分立的晶體諧振器以格型結(jié)構(gòu)用作濾波器。但這種分立的諧振器都相當大，而且制造成本昂貴。分立諧振器在制造過程中還要求冗煩的頻率對準，因而無法擴展到諸如1-3GHz或更高的頻率。
曾經(jīng)嘗試采用薄膜諧振器，但壓電諧振器極為靈敏且須制作在某種相當結(jié)實的襯底上。然而，為使壓電諧振器適當?shù)毓ぷ鳎瑝弘娭C振器必須與該襯底“去耦合”，否則襯底會阻尼該諧振或振動。
在某些現(xiàn)有技術(shù)的裝置中，這種“去耦合”是將壓電諧振器制作在襯底表面上，然后從背面腐蝕出一個基本上穿通襯底的腔來實現(xiàn)的。因襯底可能很厚，故此工藝要求大量極其困難的腐蝕，還要求極其小心謹慎以確保腐蝕工藝過程在壓電裝置遭到損傷之前必須停止。又因?qū)σr底腐蝕有角度(為50°)，故所需的襯底量和諧振器的最終尺寸大為增加。
在某些現(xiàn)有技術(shù)的裝置中，這種“去耦合”是在襯底上制作一個犧牲層、然后在犧牲層上制作一個支持層來實現(xiàn)的。壓電裝置再在支持層上制作，再將犧牲層腐蝕掉。這就留下了延伸于空氣隙上橋狀支持層，使壓電裝置與襯底“去耦合”。這種制造壓電裝置的方法的問題是因需要除掉的材料在水平方向上大的尺寸量(凹進大)而難以腐蝕犧牲層。
通常，薄膜諧振器制造成多層濾波器及階梯形濾波器的形式，但多層濾波器要求至少沉積二個夾在金屬層之間的壓電薄膜層，明顯增加制造過程的復(fù)雜性并因而明顯提高了濾波器的成本。階梯形濾波器還有相當高的插入損耗，且體積大而成本高。
據(jù)此，設(shè)計一種用以制造簡單而便宜的壓電諧振器的新工藝方法，藉以可方便地制作壓電諧振器濾波器，當是有益的。
本發(fā)明的一個目的是提供一種新的改進的用以制造薄膜壓電諧振器格型濾波器的方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種新的改進的、用以在密封腔上制造薄膜壓電諧振器格型濾波器的方法，此方法顯著地易于現(xiàn)有技術(shù)的方法而且更便宜。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種新的改進的具有更高一致性和可靠性的薄膜壓電諧振器格型濾波器。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種新的改進的在平衡電路中便于與微分電路等一起使用的薄膜壓電諧振器格型濾波器。
本發(fā)明還有一個目的是提供一種新的改進的薄膜壓電諧振器格型濾波器，這種濾波器比現(xiàn)有技術(shù)濾波器小些且更易于制造，而且這種濾波器比現(xiàn)有技術(shù)濾波器更便宜更可靠。
本發(fā)明又有一個目的是提供一種新的改進的薄膜壓電諧振器格型濾波器，內(nèi)含二個有點類似于真實半格型濾波器的諧振器，這種濾波器比現(xiàn)有技術(shù)網(wǎng)絡(luò)濾波器小些，而且與微分放大器結(jié)合可提供已知的最簡單的薄膜諧振器濾波器，其性能在帶寬方面相似于全格型濾波器，并提供增益而不提供插入損失。
上述的問題和其它問題以及上述目的和其它目的在一種單片薄膜諧振器格型濾波器中至少部分地解決了。這種濾波器含有分隔開的第一導(dǎo)電薄膜帶，位于襯底上的用以限定第一組I/O端；一個壓電材料層，位于第一導(dǎo)電薄膜上；以及分隔開的第二導(dǎo)電膜帶。位于正交于第一帶的壓電層上，以形成多個交叉區(qū)，各交叉區(qū)限定一個薄膜諧振器和一個第二組I/O端。在選定的交叉區(qū)上放置多個介電膜部分，以對薄膜諧振器加上質(zhì)量負載(mass load)，從而降低諧振頻率。
這些薄膜諧振器的位置緊密地放置在一起，并采用標準的半導(dǎo)體制造工藝方法來制作，以使它們彼此極為相似，因而在用于格型濾波器結(jié)構(gòu)中時有良好的補償。因這些薄膜諧振器極為相似，故在一個單一的工藝步驟中可在片子上所有選定的薄膜諧振器上容易地執(zhí)行介質(zhì)膜的質(zhì)量加載。


圖1-4示出薄膜諧振器制造過程中各個階段的簡化剖面圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的單片薄膜諧振器格型濾波器的頂視圖；圖6示出圖5結(jié)構(gòu)的簡化示意圖；圖7示出其中含有圖5所示格型濾波器的接收器前端的簡化方框圖；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的另一種單片薄膜諧振器格型濾波器的頂視圖；以及圖9示出其中含有圖5和圖8所示二種格型濾波器的接收器前端的簡化方框圖。
現(xiàn)參照附圖，圖1-4是簡化的高倍放大剖面圖，圖中示出帶有密封腔的薄膜壓電諧振器具體制造工藝中的幾個階段。根據(jù)所使用的不同的薄膜材料，可能需要額外的隔離層、保護膜和包封等，為簡化和更好地理解本發(fā)明，此處略去了所有這些層或膜。所示例的具體結(jié)構(gòu)和制造方法僅僅是為了舉例的目的，根據(jù)本發(fā)明可設(shè)想出制造格型濾波器的其它方法，它們包括但不限于襯底腐蝕、犧牲層、反射阻抗匹配層等。為了公開在襯底上制造薄膜諧振器方法的目的，將1994年12月13日公開的題為“帶有多層聲學(xué)反射阻抗匹配層的薄膜諧振器及其方法”的美國專利5373268引用在這里作為參考。
在這一具體的實施例中，為了解釋的目的，采用了下面的制造方法。具體參照圖1，圖中示出一個第一襯底10，帶有平坦上表面11。襯底10可以是可容易地加工的任何一種方便的材料，例如任何一種熟知的半導(dǎo)體材料。在本具體例子中，襯底10是一個通常用來制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的硅片。
一個坑12用任何方便的手段在襯底10的平坦上表面11中形成?？梢岳斫猓瑘D1只示出含有襯底10和僅有一個坑12的一部分片子，但襯底10可能包含有多個坑12，所有的坑可同時形成。在這個優(yōu)選實施例中，坑12是按照本領(lǐng)域熟知的方式用掩模、光抗蝕劑等并腐蝕襯底10使平坦上表面11圖形化來形成的。
提供一個帶有平坦表面的第二襯底14，并在第二襯底14的平坦表面上放置一個通常為介電材料的層15，以便在襯底14和層15之間形成一個平坦表面16?？梢岳斫?，圖1只示出了含有襯底14的片子的一部分，但襯底14的整個表面可能都被層15覆蓋，或者層15被圖形化只覆蓋在坑12的位置上。層15由這樣一種材料構(gòu)成，亦即該材料的特點是平坦表面16可連接于第一襯底10的平坦表面11。層15材料的另一特點是第二襯底14相對于層15可選擇性地腐蝕。例如，在這個優(yōu)選實施例中，襯底14是一個硅片(如有關(guān)襯底10所述的)，而層15是用任何熟知的氧化技術(shù)生長在襯底14的平坦表面上的氧化層(SiO2)。
具體參照圖2，層15的表面連接于襯底10的平坦表面11以便至少覆蓋坑12。當然，諸如粘合的或其它化學(xué)的、片子鍵合等任何一種連接技術(shù)都可用于此目的。在本最佳實施例中，采用了一種標準的片子鍵合技術(shù)，亦即，對拼合表面進行拋光以確保平整度，再將表面簡單地連接(處于并列位置)在一起，然后加熱以提供牢固的化學(xué)鍵。
然后，通過研磨和/或拋光將襯底14加工成合適的厚度，再用標準的半導(dǎo)體腐蝕技術(shù)將襯底14的剩余部分清除掉?？梢岳斫?，加工和/或腐蝕量取決于所用材料的起始厚度和諧振頻率。在這個優(yōu)選實施例中，為簡化操作，如圖3所示，用加工和腐蝕方法清除了整個片子(襯底14)以暴露表面16。在腐蝕過程中，二氧化硅層15構(gòu)成一個天然的腐蝕停止層以確保不致清除過多的材料。
具體參照圖4，在覆蓋坑12的層15的平坦表面16上制作一個薄膜諧振器結(jié)構(gòu)20。諧振器結(jié)構(gòu)20包含一個第一電極22，位于覆蓋坑12的層15的表面16上，和一個第二電極24，覆蓋著第一電極22但其間夾有一個壓電膜25。按照諧振器制造技術(shù)中熟知的方式，將第一電極22制作在表面16上，在電極22上沉積壓電膜25，并在壓電膜25的表面上沉積第二電極24?？梢岳斫?，電極22和24可用諸如適當金屬的真空沉積、無電沉積之類的任何熟知技術(shù)來制作。
此處應(yīng)該注意，在同一片于上制作了多個分立的壓電諧振器，而且由于各個諧振器都相當小(每邊約為幾百微米)且多個諧振器被緊密制作在一起，故各諧振器將極為相似于其鄰近的諧振器。利用所述的制造技術(shù)，在同一襯底片子上制作了所需數(shù)目的壓電諧振器，再將它們電連接起來以形成所需的壓電濾波器結(jié)構(gòu)。在這個實施例中，電連接的圖形化是在對電極22和24進行圖形化的同時進行的。
為獲得可靠的工作和良好的“去耦合”，層15的標稱厚度為壓電諧振器厚度的一半。在優(yōu)選實施例中，生長在硅襯底14上的氧化層15的厚度可極為精確地加以控制。而且，由于在清除襯底14的過程中，層15構(gòu)成了一個天然的腐蝕停止層，故在其余的制造工序中，層15的厚度不會明顯改變。又因在坑12在優(yōu)選實施例中是通過腐蝕形成的，而層16被生長成所需的厚度且連接于襯底10，故整個壓電諧振器可制作成遠小于現(xiàn)有技術(shù)的諧振器，而且可將多個諧振器(通常是具體濾波器的)極為緊密地制作在一起。應(yīng)該注意，可以對每個諧振器制作一個坑12，或者如有需要，一個具體濾波器中的所有諧振器可裝在一個單一的坑上。
在完成諧振器結(jié)構(gòu)20的壓電層25及電極22和24之后，將材料膜27加于電極24上表面可改變諧振頻率。薄膜27可以是任何方便的介電材料諸如氮化硅(Si3N4)、氧化硅或者較重的材料，例如額外的金屬。在一個優(yōu)選實施例中，薄膜27是用等離子增強化學(xué)氣相淀積法生成的氮化硅。在使用過程中，薄膜27對諧振器結(jié)構(gòu)20進行質(zhì)量加載，通常是使諧振頻率降低。如本領(lǐng)域所公知的，諧振頻率直接與加載諧振器的質(zhì)量平方根除以諧振器的剛度常數(shù)(stiffness constant)。層27的厚度就這樣被選取來提供諧振頻率的所需改變。
參照圖5，圖中示出根據(jù)本發(fā)明的單片薄膜諧振器格型濾波器30的頂視圖。濾波器30包含一個帶有端點40、41、42和43的諧振器35、37和38的2×2陣列。諧振器35-38中的每一個都如上所述地構(gòu)建，不同的只是第一導(dǎo)電膜被置于襯底10上且分隔成一對分隔開的導(dǎo)電帶以確定第一組I/O端40和41。
在這個優(yōu)選實施例中，諧振器35-38的區(qū)域被限定在導(dǎo)電帶上，并在這些區(qū)域上放置一個石英片或壓電薄膜。但可以理解，如有必要，個別的壓電層也可以單獨地置于每個諧振器上。但采用單一層可使所有的四個諧振器35-38更為均勻并彼此更相似，當應(yīng)用于格型濾波器結(jié)構(gòu)中時，這就可得到良好的補償。
第二導(dǎo)電膜被置于壓電薄膜上且分隔成一對隔開的導(dǎo)電帶以確定第二組I/O端42和43。第二對隔開的導(dǎo)電帶通常取向為正交于第一組導(dǎo)電帶，以便第二對導(dǎo)電帶中的每一個覆蓋各個第一對導(dǎo)電帶的一部分，其覆蓋區(qū)即前此確定的諧振器35-38區(qū)域。結(jié)果是如圖6所示，四個諧振器被連接成一個格型濾波器結(jié)構(gòu)。
然后用膜27對諧振器36和37進行質(zhì)量加載以改變所需量的頻率并在諧振器35、38和諧振器36、37之間產(chǎn)生一個頻率偏離。當然可以理解，如果需要，也可以對諧振器35和38進行質(zhì)量加載來取代對諧振器36和37的質(zhì)量加載。根據(jù)窄帶寬的容性加載的程度，一對諧振器之間的頻率偏離與一對的極與另一對的零相重合一樣多(as much as having a pole ofone pair coincide with a zero of the other pair)。因諧振器35-38制作成極為靠近在一起，而一是用標準的半導(dǎo)體制造工藝制作的，故它們彼此極為相似，因此在用于格型濾波器結(jié)構(gòu)時，就可得到良好的補償。又因諧順35-38制作在襯底中的坑的上方，故而使它們非常緊密，這是采用現(xiàn)有技術(shù)背面襯底通道工藝是無法實現(xiàn)的。
具體參照圖7，圖中示出其中組合有圖5的格型濾波器的一種接收器前端50的簡化方框圖。前端50含有一個接收天線52，經(jīng)由一個不平衡單端濾波器53連接到一個平衡-不平衡轉(zhuǎn)換放大器55的單端輸入端。放大器55的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換輸出端經(jīng)由相似于圖5格型濾波器30的平衡濾波器56連接到混頻器57的平衡輸入端。微分電路例如微分放大器55和混頻器57，改進互調(diào)制分量，使畸變減小，且本身包含共模式補償。
參照圖8，圖中示出根據(jù)本發(fā)明的另一種單片薄膜諧振器格型濾波器60的頂視圖。濾波器60含有一個帶有端點70、71和73作為公共端的諧振器65和66的1×2陣列。諧振器65和66都按上述方式構(gòu)建，不同的是在此實施例中只對諧振器65加質(zhì)量負載。根據(jù)窄帶寬的容性加載程度，諧振器65和66對之間的頻率偏離是一個諧振器的極與另一諧振器的零相重合那樣多。因諧振器65和66被制作成非?？拷谝黄鹎矣蓸藴实陌雽?dǎo)體制造工藝制作，故它們彼此極為相似，因而在用于格型濾波器結(jié)構(gòu)中時，可得到良好的補償。
具體參照圖9，圖中示出其中組合有圖5和8二種格型濾波器的另一種接收器前端80的簡化方框圖。前端80含有一個接收天線82，經(jīng)由類似于圖8網(wǎng)絡(luò)濾波器60的半格型濾波器83連接到微分放大器85的二個輸入端。放大器85的微分輸出端經(jīng)由類似于圖5格型濾波器30的平衡濾波器86連接到混頻器87的平衡輸入端。利用半格型濾波器83將信號在前端80中，更早地轉(zhuǎn)換成微分對，以改善和簡化該結(jié)構(gòu)。
據(jù)此，現(xiàn)已公開了一種改進的薄膜壓電諧振器陣列和在需要時將諧振器連接成為一個格型濾波器或諸如惠斯登電橋結(jié)構(gòu)等的其它類型的濾波器的方便的方法。先前未曾有過薄膜諧振器制作成格型濾波器結(jié)構(gòu)，只有多層濾波器和階梯形濾波器。格型濾波器是最通用類型的濾波器，因在格型結(jié)構(gòu)中諧振器靜態(tài)電容的固有補償，故在同一工藝容量和諧振器設(shè)計(壓電材料和金屬化工藝)的情況下(亦即工藝品質(zhì)因數(shù)q/r相等時)，它們的帶寬比階梯形濾波器寬。
所公開的格型濾波器是一種平衡電路，它可以方便地與例如微分放大器和其它的微分電路一起使用。這些微分電路改進互調(diào)制分量，使畸變減小，且本身包含共模式補償。尚且，薄膜工藝使濾波器能夠工作在高頻下，并且新穎的布局使得格型濾波器采用簡單的工藝和例如不帶立交的連接，這種立交在現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致非平面化的電路。此外，用片子鍵合技術(shù)實現(xiàn)濾波器電路使諧振器區(qū)的尺寸較小，使工藝更適于制造且成本更低。比起用同樣技術(shù)實現(xiàn)的階梯形濾波器來，這種最終濾波器電路具有帶寬更大而插入損耗更小的優(yōu)點。工藝也比多層諧振器濾波器簡單得多。再則，這種新濾波器容易應(yīng)用于調(diào)制電路，在這種電路中低電壓運行導(dǎo)致微分放大。
雖然現(xiàn)已了本發(fā)明的具體實施例，但對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說仍可做進一步的修改和改進。可以理解，本發(fā)明不局限于所示的特定形式，所附權(quán)利要求書意旨覆蓋了不違背本發(fā)明的精神和范圍的所有修改。
權(quán)利要求
1.一種用于制造單片薄膜諧振器陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟提供一個帶有平坦表面的支持襯底；在支持襯底的平坦表面上放置一個第一導(dǎo)電膜，第一導(dǎo)電膜分隔成第一多個隔開的導(dǎo)電帶，以限定第一組I/O端；在第一導(dǎo)電膜上放置一個壓電材料層；在壓電材料層上放置一個第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜分隔成第二多個隔開的與第一多個導(dǎo)電帶成一個角度的導(dǎo)電帶，第二多個導(dǎo)電帶的每個在交叉區(qū)處覆蓋第一導(dǎo)電帶的每個的一部分并限定一個第二組I/O端，這些交叉區(qū)的每個限定一個具有諧振頻率的薄膜諧振器；及在多個交叉區(qū)的每個上放置一個介電材料膜部分，以對多個交叉區(qū)所限定的薄膜諧振器進行質(zhì)量加載，并改變已被質(zhì)量加載的薄膜諧振器的諧振頻率。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，提供支持襯底的步驟包括以下步驟提供一個帶有平坦表面的第一襯底；在第一襯底的平坦表面中制作一個坑；提供一個帶有平坦表面的第二襯底；在第二襯底的平坦表面上放置一層材料，以便在材料層上形成一個平行于第二襯底平坦表面的平坦表面，此材料層的特點是可連接于第一襯底的平坦表面，此材料層的進一步特點是第二襯底相對材料層可選擇性腐蝕；將材料層的平坦表面連接到覆蓋著坑的第一襯底的平坦表面；以及從材料層上腐蝕第二襯底的一部分，以暴露覆蓋著坑的區(qū)域中的被腐蝕的平坦表面。
3.權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在支持襯底的平坦表面上放置第一導(dǎo)電膜的步驟包含在覆蓋坑的區(qū)域中的被腐蝕的平坦表面上放置第一導(dǎo)電膜。
4.權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，放置各個多個介電材料膜部分的步驟包括選擇性沉積一層氮化硅。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，選擇性沉積氮化硅層的步驟包括用等離子增強化學(xué)氣相淀積法來沉積氮化硅層。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，放置部分介電材料膜以對薄膜諧振器進行質(zhì)量加載的步驟包括形成介電材料膜，其厚度使薄膜諧振器被質(zhì)量加載到足以降低薄膜諧振器的諧振頻率并在加載和未加載的薄膜諧振器之間產(chǎn)生一個頻率偏離，偏離量小于一個薄膜諧振器的極與另一個薄膜諧振器的零相重合所需的量。
7.一種用于制造單片薄膜諧振器格型濾波器的方法，其特征在于，包括以下步驟提供一個帶有平坦表面的支持襯底；在支持襯底的平坦表面上放置一個第一導(dǎo)電膜，第一導(dǎo)電膜分隔成第一對隔開的限定第一組I/O端的導(dǎo)電帶；在第一導(dǎo)電膜上放置一個壓電材料層；在壓電材料層上放置一個第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜分隔成正交于第一對導(dǎo)電帶的第二對隔開的導(dǎo)電帶，每個第二對導(dǎo)電帶在交叉區(qū)覆蓋各第一對導(dǎo)電帶的一部分并確定一個第二組I/O端，每個交叉區(qū)限定一個具有諧振頻率的薄膜諧振器，且薄膜諧振器排列成2×2陣列；以及在二個交叉區(qū)上放置一個介電材料膜以便對二個交叉區(qū)所確定的二個薄膜諧振器進行質(zhì)量加載并改變被加載的二個薄膜諧振器的諧振頻率，二個薄膜諧振器位于沿2×2陣列的對角線上。
8.一種薄膜諧振器單片陣列，其特征在于，包括一個帶有平坦表面的支持襯底；一個位于支持襯底平坦表面上的第一導(dǎo)電膜，該第一導(dǎo)電膜分隔成第一多個隔開的導(dǎo)電帶以確定第一組I/O端；一個位于第一導(dǎo)電膜上的壓電材料層；一個位于壓電材料層上的第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜分隔成第二多個隔開的導(dǎo)電帶，且與第一多個導(dǎo)電帶呈一個角度，每個第二多個導(dǎo)電帶在交叉區(qū)處覆蓋每個第一導(dǎo)電帶的一部分并確定第二組I/O端，每個交叉區(qū)限定一個具有諧振頻率的薄膜諧振器；以及位于各個多個交叉區(qū)上放置多個介電材料膜部分，以便對多個交叉區(qū)所限定的薄膜諧振器進行質(zhì)量加載，并改變被加載的薄膜諧振器的諧振頻率。
9.一種單片薄膜諧振器網(wǎng)絡(luò)濾波器，其特征在于，包括一個帶有平坦表面的支持襯底；一個位于支持襯底平坦表面上的第一導(dǎo)電膜，第一導(dǎo)電膜分隔成為第一對隔開的導(dǎo)電帶，確定第一組I/O端；位于第一導(dǎo)電膜上的一個壓電材料層；位于壓電材料層上的一個第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜被分隔成為第二對隔開的導(dǎo)電帶，正交于第一對導(dǎo)電帶，每個第二對導(dǎo)電帶在交叉區(qū)處覆蓋各第一對導(dǎo)電帶的一部分并確定一個第二組I/O端，每個交叉區(qū)限定一個具有諧振頻率的薄膜諧振器，且各薄膜諧振器排列成2×2陣列；以及位于二個交叉區(qū)上以便對二個交叉區(qū)所限定的二個薄膜諧振器進行質(zhì)量加載并改變被加載的二個薄膜諧振器的諧振頻率的介電材料膜部分，此二個薄膜諧振器位于沿2×2陣列的對角線上。
10.一種單片薄膜諧振器，其特征在于，包括一個帶有平坦表面的支持襯底；一個位于支持襯底平坦表面上的第一導(dǎo)電膜，第一導(dǎo)電膜構(gòu)成確定第一I/O端的第一導(dǎo)電帶；一個位于第一導(dǎo)電膜上的壓電材料層；一個位于壓電材料層上的第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜分隔成第二對隔開的導(dǎo)電帶，每個第二對導(dǎo)電帶在交叉區(qū)處覆蓋第一導(dǎo)電帶的一部分并確定第二組I/O端，每個交叉區(qū)限定一個具有諧振頻率的薄膜諧振器而各薄膜諧振器排列成一個1×2的陣列；以及位于一個交叉區(qū)上、可對二個交叉區(qū)限定的一個薄膜諧振器進行質(zhì)量加載并改變被加載的一個薄膜諧振器的諧振頻率的介電材料膜部分。
全文摘要
一種單片薄膜諧振器網(wǎng)絡(luò)濾波器，它含有位于襯底上以便確定第一組I/O端的隔開的導(dǎo)電膜帶、一個位于導(dǎo)電膜上的壓電材料層、以及位于壓電層上正交于第一帶以形成交叉區(qū)的隔開的導(dǎo)電膜帶各交叉區(qū)確定一個薄膜諧振器和一個第二組I/O端。在選定的交叉區(qū)上放置多個介電膜部分以便對薄膜諧振器進行質(zhì)量加載從而降低諧振頻率。
文檔編號H03H9/17GK1148291SQ9611165
公開日1997年4月23日 申請日期1996年8月13日 優(yōu)先權(quán)日1995年8月17日
發(fā)明者盧克茫, 弗里德·S·?？思{爾, 羅伯特·C·金斯曼 申請人:摩托羅拉公司