本發(fā)明涉及壓電石英晶體，具體是一種陶瓷封裝片式自加熱低功耗恒溫晶體振蕩器。

背景技術：

現有的恒溫晶體振蕩器產品都是通過控制晶體外圍的環(huán)境溫度來實現晶體溫度恒定的，恒溫晶振控溫電路的溫度控制傳感器、加熱體和晶體的晶片間必然存在熱梯度和能量損耗，這直接導致了傳統(tǒng)恒溫晶振的功耗和體積較大，穩(wěn)定時間較長。

技術實現要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種陶瓷封裝片式自加熱低功耗恒溫晶體振蕩器，其可以消除傳統(tǒng)控溫電路溫度傳感器和晶體之間溫度梯度，減小控溫電路相應時間，從而實現精準快速控溫；晶體和電路封裝到陶瓷腔體內，實現了產品小型化。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：

一種陶瓷封裝片式自加熱低功耗恒溫晶體振蕩器，包括基座，封閉基座的外殼，所述的基座內設有晶片固定臺，晶片的兩端與晶片固定臺連接，晶片的表面設有晶體電極和加熱電阻膜；晶片的下方設有溫度傳感器，溫度傳感器的下方設置ocxo控溫和振蕩集成電路。

基座是本發(fā)明的主要載體，采用陶瓷材料，將晶片和電路部分良好分離。

晶片主要由基片和設置在基片表面的晶體電極、加熱電阻膜組成；晶體電極用于晶體振蕩，加熱電阻膜通電后實現給晶片加熱功能。

外殼用于配合基座來封閉整個腔體，本發(fā)明中采用高真空封焊，確保產品腔體內真空和潔凈。

溫度傳感器內置于晶體內部，位于晶片下端，可以直接感知晶體內部溫度變化，結合控溫電路實現產品穩(wěn)定精密控制。

采用上述技術方案的本發(fā)明，與現有技術相比，其突出的特點是：

晶片本身作為恒溫晶振的加熱器，熱量直接加熱到晶片上，避免了溫度傳導延時和熱量損耗，極大的降低了產品的功耗；控溫電路用溫度傳感器內置于晶體腔體內，消除了傳統(tǒng)控溫電路溫度傳感器和晶體之間溫度梯度，減小控溫電路相應時間，從而實現了精準快速控溫；晶體和電路封裝到陶瓷腔體內，實現了產品小型化。

進一步的優(yōu)選技術方案如下：

所述的基座設有上安裝區(qū)和下安裝區(qū)，上安裝區(qū)安裝固定晶片及溫度傳感器，下安裝區(qū)安裝固定ocxo控溫和振蕩集成電路板。

通過設置上安裝區(qū)，下安裝區(qū)，便于分離開晶片和電路。

所述的基座的中部設有安裝座板，安裝座板上方為上安裝區(qū)，安裝座板下方為下安裝區(qū)。

基座的結構為上下兩層，其中上層主要用于放置晶片和溫度傳感器；下層用于布置產品電路，將晶片和電路部分良好分離。

所述ocxo控溫和振蕩集成電路中的控溫電路為直接放大式控溫電路，包括溫度傳感器rt、加熱電阻膜rh；振蕩電路為經典考比斯振蕩電路。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的剖視圖；

圖2是基座與晶片的俯視圖；

圖3是ocxo控溫和振蕩集成電路中的控溫電路示意圖；

圖4是ocxo控溫和振蕩集成電路中的振蕩電路示意圖；

附圖標記說明：1-基座；2-晶片；3-外殼；4-溫度傳感器；5-ocxo控溫和振蕩集成電路；6-晶體晶體電極；7-加熱電阻膜。

具體實施方式

下面結合實施例，進一步說明本發(fā)明。

參見圖1、圖2，一種陶瓷封裝片式自加熱低功耗恒溫晶體振蕩器，由基座1，封閉基座1的外殼3組成，基座1內設有晶片固定臺，晶片2的兩端與晶片固定臺連接，晶片2的表面設有晶體電極6和加熱電阻膜7；晶體電極6在上表面的接線端為c；晶體電極6在下表面的接線端為d；熱電阻膜7的兩個接線端為a、b；晶片2的下方設有溫度傳感器4，溫度傳感器4的下方設置ocxo控溫和振蕩集成電路5。

基座1設有上安裝區(qū)，下安裝區(qū)，上安裝區(qū)安裝固定晶片2及溫度傳感器4，下安裝區(qū)安裝固定ocxo控溫和振蕩集成電路5的電路板。

通過設置上安裝區(qū)，下安裝區(qū)，便于分離開晶片2和電路。

基座1的中部設有安裝座板，安裝座板上方為上安裝區(qū)，安裝座板下方為下安裝區(qū)。

基座1的結構為上下兩層，其中上層主要用于放置晶片2和溫度傳感器4；下層用于布置產品電路，將晶片2和電路部分良好分離。

基座1是本發(fā)明的主要載體，采用陶瓷材料，將晶片2和電路部分良好分離。

晶片2主要由基片和設置在基片表面的晶體電極6、加熱電阻膜7組成；晶體電極6用于晶體振蕩，加熱電阻膜7在引出端a、b通電后實現給晶片2加熱功能。

外殼3用于配合基座1來封閉整個腔體，本發(fā)明中采用高真空封焊，確保產品腔體內真空和潔凈。

溫度傳感器4內置于晶體內部，位于晶片2下端，可以直接感知晶體內部溫度變化，結合控溫電路實現產品穩(wěn)定精密控制。

ocxo控溫和振蕩集成電路5實現產品振蕩和控溫。參見圖3，控溫電路采用了直接放大式控溫電路，其中rt為溫度傳感器4，rh為加熱電阻膜7,a、b、為電阻膜的兩個節(jié)點；參見圖4，振蕩電路采用經典考比斯振蕩電路，c、d、為晶體電極的兩個連接點。

本實施例的優(yōu)點在于：晶片2本身作為恒溫晶振的加熱器，熱量直接加熱到晶片2上，避免了溫度傳導延時和熱量損耗，極大的降低了產品的功耗；控溫電路用溫度傳感器4內置于晶體腔體內，消除了傳統(tǒng)控溫電路溫度傳感器4和晶體之間溫度梯度，減小控溫電路相應時間，從而實現了精準快速控溫；晶體和電路封裝到陶瓷腔體內，實現了產品小型化。

以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例，本發(fā)明的保護不限于此，任何本技術領域的技術人員所能想到的與本技術方案技術特征等同的變化或替代，都涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種陶瓷封裝片式自加熱低功耗恒溫晶體振蕩器，包括基座，封閉基座的外殼，所述的基座內設有晶片固定臺，晶片的兩端與晶片固定臺連接，晶片的表面設有晶體電極和加熱電阻膜；晶片的下方設有溫度傳感器，溫度傳感器的下方設置OCXO控溫和振蕩集成電路。本發(fā)明消除了傳統(tǒng)控溫電路溫度傳感器和晶體之間溫度梯度，減小控溫電路相應時間，從而實現了精準快速控溫；晶體和電路封裝到陶瓷腔體內，實現了產品小型化。

技術研發(fā)人員：閻立群;張立強;王一民;崔立志;畢志國
受保護的技術使用者：唐山國芯晶源電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.07.07
技術公布日：2017.09.22