本實(shí)用新型涉及聲表面波器件，具體涉及一種聲表面波器件電極。

背景技術(shù)：

CSP技術(shù)是最近幾年才發(fā)展起來的新型集成電路封裝技術(shù),應(yīng)用CSP技術(shù)封裝的產(chǎn)品封裝密度高,性能好,體積小,重量輕,與表面安裝技術(shù)兼容,因此它的發(fā)展速度相當(dāng)快,現(xiàn)已成為集成電路重要的封裝技術(shù)之一。

在現(xiàn)有技術(shù)中，聲表面波器件的叉指換能器、匯流條和電極等都是在同一時(shí)間印刷制作在壓片基底之上，之后會(huì)對(duì)CSP濾波器芯片通過電極植球的手段倒裝，但是現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是，由于電極十分薄，所以在焊球焊接時(shí)，會(huì)出現(xiàn)虛焊甚至焊透等現(xiàn)象。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中焊球焊接在電極之上的示意圖。如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于電極和換能器是同時(shí)完成的，而換能器本身不可以做的很厚，否則無法保證換能器性能，所以這樣無法保證電極51的厚度，在植球過程中，焊球61容易將很薄的鋁膜制作成的電極51超聲擊穿，導(dǎo)致鋁膜脫落。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型公開了一種聲表面波器件電極。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種聲表面波器件電極，包括壓電基底，壓電基底之上制作有叉指換能器以及位于所述叉指換能器兩側(cè)的反射柵；還包括連接于所述叉指換能器和所述反射柵之上的匯流條；所述匯流條末端連接有電極；所述電極之上焊接有焊球；所述匯流條包括兩層；第一層匯流條緊貼于所述壓電基底，且所述第一層匯流條的末端有鋸齒狀結(jié)構(gòu)；第二層匯流條覆蓋于所述第一層匯流條之上，且所述第二層匯流條的末端與所述電極相連接為一體；所述電極的厚度與所述第一層匯流條和所述第二層匯流條的厚度相等，且所述電極的內(nèi)側(cè)面、與所述第一層匯流條相接觸之處，嵌合在所述鋸齒狀結(jié)構(gòu)之中。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電極的厚度為2～3um；所述焊球焊接于所述電極的深度為0.5～1um。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電極的材料為鋁或者銅鋁合金。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述鋸齒狀結(jié)構(gòu)中的鋸齒等距排列。

本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：

本實(shí)用新型的電極和聲表面濾波器的其他部分分開，并在電極處做了鋸齒狀結(jié)構(gòu)，這樣可以使得第一層匯流條與電極處更好的連接，使得電極處的鋁膜更好的與芯片表面以及匯流條結(jié)合在一起，同時(shí)保證了電極處鋁膜的厚度，讓植球倒裝不易將電極鋁膜弄脫落。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中焊球焊接在電極之上的示意圖。

圖2是本實(shí)用新型的俯視圖。

圖3是圖2中A部分的放大圖。

圖4是匯流條與電極相連接處的側(cè)視圖。

圖5是無電極結(jié)構(gòu)的芯片光刻板。

圖6是包括第二層匯流條和電極結(jié)構(gòu)的套刻板。

圖7是套刻之后的芯片結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

圖2是本實(shí)用新型的俯視圖。如圖2所示，本實(shí)用新型包括壓電基底1，壓電基底1之上制作有叉指換能器2以及位于叉指換能器2兩側(cè)的反射柵3。還包括連接于叉指換能器2和反射柵3之上的匯流條4。匯流條4末端連接有電極5。電極5之上焊接有焊球6。匯流條4包括兩層；第一層匯流條41緊貼于壓電基底1制作，且第一層匯流條41的末端有鋸齒狀結(jié)構(gòu)7。

圖3是圖2中A部分的放大圖。如圖3所示，可見第一層匯流條41末端的鋸齒狀結(jié)構(gòu)7。由于第二層匯流條42覆蓋于第一層匯流條41之上，將第一層匯流條41及其末端的鋸齒狀結(jié)構(gòu)7覆蓋，所以在圖3中鋸齒狀結(jié)構(gòu)7表示為虛線。鋸齒狀結(jié)構(gòu)7中的鋸齒等距排列。

圖4是匯流條與電極相連接處的側(cè)視圖。如圖4所示，第二層匯流條42的末端與電極5相連接為一體，電極5的厚度與第一層匯流條41和第二層匯流條42的厚度相等，且電極5的內(nèi)側(cè)面、與第一層匯流條41相接觸之處，嵌合在鋸齒狀結(jié)構(gòu)7之中。

優(yōu)選的，電極5的厚度為2～3um；焊球6焊接于電極5的深度為0.5～1um。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了保證叉指換能器的質(zhì)量，電極的厚度一般在0.5um左右。 可見本實(shí)用新型在保證叉指換能器的厚度不變的情況下有效增加了電極的厚度，這樣焊球就能很好的與電極結(jié)合，也不會(huì)發(fā)生之前電極鋁膜容易脫落的情況。

優(yōu)選的，電極5的材料為鋁或者銅鋁合金。其中銅鋁合金性質(zhì)更佳。

本實(shí)用新型的制作過程為：

1、首先制作無電極結(jié)構(gòu)的芯片光刻板，圖5是無電極結(jié)構(gòu)的芯片光刻板。如圖5所示，圖5中的a、b、c、d四個(gè)位置為現(xiàn)有技術(shù)中電極結(jié)構(gòu)應(yīng)該處于的位置，而在本實(shí)用新型的此步驟中，將其去除。另外可由圖5中的第一層匯流條41末端看到鋸齒狀結(jié)構(gòu)7。

2、其次套刻第二層匯流條和電極。圖6是包括第二層匯流條和電極結(jié)構(gòu)的套刻板。如圖6所示，套刻板上只有第二層匯流條和電極結(jié)構(gòu)，其中第二層匯流條42的位置與第一層匯流條41的位置對(duì)應(yīng)。此步驟的目的是將匯流條加厚，且補(bǔ)充電極結(jié)構(gòu)。

圖6是套刻之后的芯片結(jié)構(gòu)。圖7所示的是芯片制作好之后的最終布局。

以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型不限于以上實(shí)施例。可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。