本實(shí)用新型涉及印刷電路板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種新型導(dǎo)電膠膜。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品的小型化和輕量化發(fā)展，電子產(chǎn)品的組裝也在不斷地向高密度化發(fā)展，這就極大地推動了撓性電路板的發(fā)展。在國際市場的推動作用下，功能撓性電路板處于撓性電路板市場的主導(dǎo)地位，而功能撓性電路板一項(xiàng)重要指標(biāo)是電磁屏蔽。隨著手機(jī)等通訊設(shè)備功能聚合，組件急劇高頻高速化，在這種高頻及高速的驅(qū)動下所引發(fā)的組件內(nèi)部及外部的電磁干擾、以及信號在傳輸中衰減即插入損耗和抖動問題將逐漸嚴(yán)重。于是人們采用電磁屏蔽膜來降低或削弱電磁干擾。電磁屏蔽薄膜是一種滿足一定透光要求的透明貼膜，當(dāng)電磁波的傳播路徑遇到電磁屏蔽薄膜，它會改變電磁波的傳輸方向，有效阻斷無線電波、紅外、紫外等各種電磁波的傳播，從而能成功阻斷信息泄露、電子竊聽及電磁輻射的干擾影響，確保設(shè)備正常工作，避免人員遭受電磁輻射的影響。而現(xiàn)有屏蔽膜不僅屏蔽效能差，在金屬層受到多次彎折后就會導(dǎo)致電磁泄漏，而且現(xiàn)有屏蔽膜的厚度較厚，不適合卷狀生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型目的在于是提供一種適合卷狀生產(chǎn)且屏蔽效能高的具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，而且金屬層在受到多次彎折后依然具有良好的屏蔽效能。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案：具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，包括載體層、保護(hù)層和至少兩個(gè)銀包銅導(dǎo)電漆層，相鄰的兩個(gè)所述銀包銅導(dǎo)電漆層之間設(shè)置有上間隔層、金屬網(wǎng)層和下間隔層，所述金屬網(wǎng)層設(shè)置在所述上間隔層和所述下間隔層之間；所述銀包銅導(dǎo)電漆層、所述上間隔層、所述金屬網(wǎng)層和所述下間隔層分別設(shè)置在所述載體層和所述保護(hù)層之間；所述金屬網(wǎng)層的金屬網(wǎng)網(wǎng)眼里填充有導(dǎo)電粒子。

上述具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，所述銀包銅導(dǎo)電漆層設(shè)置在相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電膠層之間。

上述具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，所述銀包銅導(dǎo)電漆層的厚度為10-20μm，所述導(dǎo)電膠層的厚度為5-10μm。

上述具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，所述上間隔層的厚度為10-15μm。

上述具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，所述下間隔層的厚度為10-15μm。

上述具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，所述金屬網(wǎng)層的厚度為4-8μm。

上述具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，所述上間隔層上設(shè)置有貫穿所述上間隔層上表面和下表面的孔，所述下間隔層上設(shè)置有貫穿所述上間隔層上表面和下表面的孔；位于所述上間隔層上的孔內(nèi)和位于所述下間隔層的孔內(nèi)均填塞有銀包銅導(dǎo)電粒子或?qū)щ娔z體。

本實(shí)用新型的有益效果如下：

1.本實(shí)用新型不僅具有兩個(gè)及以上的導(dǎo)電漆層，還具有金屬網(wǎng)層，除了可以提供極高的屏蔽效果之外，金屬網(wǎng)層還能提高本實(shí)用新型的剝離強(qiáng)度。

2.本實(shí)用新型中金屬網(wǎng)層中金屬網(wǎng)網(wǎng)眼中填充的導(dǎo)電粒子可以使得本實(shí)用新型具有較強(qiáng)的抗彎折性，即使經(jīng)過多次彎折本實(shí)用新型的屏蔽效能也不會出現(xiàn)大幅度下降。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的上間隔層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-載體層；2-銀包銅導(dǎo)電漆層；3-保護(hù)層；4-上間隔層；5-下間隔層；6-金屬網(wǎng)層；7-導(dǎo)電粒子；8-導(dǎo)電膠體；9-導(dǎo)電膠層。

具體實(shí)施方式

為了更清楚地說明本實(shí)用新型，下面結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例和附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型具有極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，包括載體層1、保護(hù)層3和兩個(gè)銀包銅導(dǎo)電漆層2，相鄰的兩個(gè)所述銀包銅導(dǎo)電漆層2之間設(shè)置有上間隔層4、金屬網(wǎng)層6和下間隔層5，所述金屬網(wǎng)層6設(shè)置在所述上間隔層4和所述下間隔層5之間；所述銀包銅導(dǎo)電漆層2、所述上間隔層4、所述金屬網(wǎng)層6和所述下間隔層5分別設(shè)置在所述載體層1和所述保護(hù)層3之間；所述金屬網(wǎng)層6的金屬網(wǎng)網(wǎng)眼里填充有導(dǎo)電粒子7。其中，所述銀包銅導(dǎo)電漆層2設(shè)置在相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電膠層9之間。

本實(shí)施例中，為了使本實(shí)用新型更適用于卷狀生產(chǎn)，選用厚度為10μm的銀包銅導(dǎo)電漆層2作為所述銀包銅導(dǎo)電漆層2，選用5μm的導(dǎo)電膠層9作為所述導(dǎo)電膠層9，并且所述上間隔層4的厚度選擇10μm的厚度，所述下間隔層5的厚度選擇10μm的厚度，所述金屬網(wǎng)層6的厚度選擇4μm的厚度。

為了實(shí)現(xiàn)相鄰的兩個(gè)所述銀包銅導(dǎo)電漆層2上的有效電荷能夠有效連通，本實(shí)施例中，如圖2所示，所述上間隔層4上設(shè)置有貫穿所述上間隔層4上表面和下表面的孔，所述下間隔層5上設(shè)置有貫穿所述上間隔層4上表面和下表面的孔；位于所述上間隔層4上的孔內(nèi)和位于所述下間隔層5的孔內(nèi)均填塞有導(dǎo)電膠體8。

在本實(shí)施例中，兩層所述銀包銅導(dǎo)電漆層2和所述金屬網(wǎng)層6與所述導(dǎo)電粒子7構(gòu)成的金屬層形成多個(gè)屏蔽層，可以有效提高屏蔽效果，而且所述金屬網(wǎng)層6的金屬網(wǎng)構(gòu)成法拉第籠，起到屏蔽效應(yīng)，而且所述金屬網(wǎng)層6可以提高本實(shí)用新型的剝離強(qiáng)度，并且在所述金屬網(wǎng)層6的金屬網(wǎng)的網(wǎng)眼中填充的導(dǎo)電粒子7可以隨著彎折改變形狀，避免了金屬層在多次彎折的情況下發(fā)生斷裂導(dǎo)致屏蔽效果下降。

顯然，本實(shí)用新型的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型所作的舉例，而并非是對本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限定，對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉，凡是屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之列。