本發(fā)明涉及被用于數(shù)字設(shè)備、AV設(shè)備、信息通信終端等各種電子設(shè)備的小型且薄型的共模噪聲濾波器。

背景技術(shù)：

圖16中表示現(xiàn)有的共模噪聲濾波器500?，F(xiàn)有的共模噪聲濾波器500是將絕緣體層1a至1g層疊而成的，在絕緣體層1b至1e的上表面分別形成線圈2和線圈3。線圈2具有螺旋狀的線圈導(dǎo)體4a和螺旋狀的線圈導(dǎo)體4b。線圈導(dǎo)體4a與線圈導(dǎo)體4b相互連接。線圈3具有螺旋狀的線圈導(dǎo)體5a和螺旋狀的線圈導(dǎo)體5b。線圈導(dǎo)體5a與線圈導(dǎo)體5b相互連接。構(gòu)成線圈2的線圈導(dǎo)體4a、4b、構(gòu)成線圈3的線圈導(dǎo)體5a、線圈導(dǎo)體5b被交替配置。線圈導(dǎo)體4a與線圈導(dǎo)體5a相互磁耦合來形成共模濾波器6。線圈導(dǎo)體4b與線圈導(dǎo)體5b相互磁耦合來形成共模濾波器7。通過共模濾波器6與共模濾波器7相互串聯(lián)連接，共模噪聲濾波器500針對共模的阻抗增大，共模噪聲被除去。

另外，涉及上述的共模噪聲濾波器的技術(shù)例如被公開在專利文獻(xiàn)1中。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：JP特開2002-373810號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

共模噪聲濾波器具備：第1至第5絕緣體層；和第1線圈，該第1線圈具有形成于第1絕緣體層的上表面的螺旋狀的第1線圈導(dǎo)體、和形成于第2絕緣體層的上表面并被設(shè)置于第1線圈導(dǎo)體的下方的螺旋狀的第2線圈導(dǎo)體。進(jìn)一步具備第2線圈，該第2線圈具有：形成于第3絕緣體層的上表面的螺旋狀的第3線圈導(dǎo)體、和形成于第4絕緣體層的上表面并被設(shè)置于第3線圈導(dǎo)體的下方的螺旋狀的第4線圈導(dǎo)體。進(jìn)一步具備：第1金屬層，形成于第5絕緣體層的上表面；第1外部電極至第4外部電極，分別連接于第1線圈導(dǎo)體至第4線圈導(dǎo)體；和第5外部電極，被設(shè)置為連接于第1金屬層并且連接于接地。并且，在第1線圈導(dǎo)體以及第2線圈導(dǎo)體之間設(shè)置第3線圈導(dǎo)體，在第3線圈導(dǎo)體以及第4線圈導(dǎo)體之間設(shè)置第2線圈導(dǎo)體，第1線圈導(dǎo)體與第3線圈導(dǎo)體相互磁耦合來形成第1共模濾波器，第2線圈導(dǎo)體與第4線圈導(dǎo)體相互磁耦合來形成第2共模濾波器。第1共模濾波器與第2共模濾波器串聯(lián)連接，第1金屬層被設(shè)置于第1線圈導(dǎo)體的上方。

作為第1、第2、第3以及第4線圈導(dǎo)體的位置關(guān)系中的另一形態(tài)，也可以在第3線圈導(dǎo)體以及第2線圈導(dǎo)體之間設(shè)置第1線圈導(dǎo)體，在第1線圈導(dǎo)體以及第4線圈導(dǎo)體之間設(shè)置第2線圈導(dǎo)體。

此外，也可以還具備第1靜電通過部，該第1靜電通過部若被施加規(guī)定的值以上的電壓則通電，若被施加低于所述規(guī)定的值的電壓則作為絕緣體而起作用，電連接于第1、第2、第3、第4以及第5外部電極。

此外，也可以還具備：第2靜電通過部，與上述同樣地起作用，電連接于第1、第2以及第5外部電極；和第3靜電通過部，電連接于第3、第4以及第5外部電極。

上述的共模噪聲濾波器特別是能夠提高寬頻帶中的共模噪聲的衰減特性。

附圖說明

圖1是實施方式1中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖2是圖1的共模噪聲濾波器的立體圖。

圖3是圖1的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

圖4是對圖1的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的共模噪聲的衰減特性進(jìn)行比較的圖。

圖5是實施方式1中的另一共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖6是實施方式2中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖7是圖6的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

圖8是對圖6的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的共模噪聲衰減特性進(jìn)行比較的圖。

圖9是對圖6的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的差動信號的振幅平衡度進(jìn)行比較的圖。

圖10是對圖6的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的差動信號的相位平衡度進(jìn)行比較的圖。

圖11是對圖6的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的模式轉(zhuǎn)換特性進(jìn)行比較的圖。

圖12是實施方式3中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖13是圖12的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

圖14是實施方式4中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖15是對圖14的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的共模噪聲衰減特性進(jìn)行比較的圖。

圖16是現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

具體實施方式

參照圖16來對共模噪聲濾波器500的課題進(jìn)行說明。

在近年的智能電話所代表的移動終端中，需要考慮多個通信方式和通信頻帶來進(jìn)行設(shè)計。特別地，在蜂窩式無線方式中使用700MHz至3GHz的寬通信頻帶，在噪聲濾波器中也期望該通信頻帶中的噪聲衰減特性。

但是，圖16的共模噪聲濾波器500在混有共模噪聲時，共模濾波器6和共模濾波器7作為電感器而起作用，線圈導(dǎo)體4a和線圈導(dǎo)體5a相互在上下方向上磁耦合。由于線圈導(dǎo)體4b和線圈導(dǎo)體5b相互在上下方向上磁耦合，因此在共模噪聲濾波器500中的線圈2的輸入輸出之間以及線圈3的輸入輸出之間各自的阻抗變高，在輸入輸出之間產(chǎn)生電位差，因此在輸入輸出之間產(chǎn)生雜散電容。由此，由于若成為高頻區(qū)域則產(chǎn)生自諧振，在自諧振頻率以上的高頻區(qū)域，共模阻抗降低，因此高頻區(qū)域的共模噪聲的衰減特性劣化。其結(jié)果，具有在寬頻帶不能得到共模噪聲的衰減的課題。

以下，參照附圖來對在寬頻帶能夠提高共模噪聲的衰減特性的共模噪聲濾波器進(jìn)行說明。

(實施方式1)

圖1是實施方式1中的共模噪聲濾波器1001的分解立體圖。圖2是共模噪聲濾波器1001的立體圖。

如圖1所示，共模噪聲濾波器1001具有：絕緣體層11a～11h、形成于絕緣體層11b～11e的上表面的線圈12、線圈13、和在絕緣體層11g的上表面用于接地的金屬層14。將絕緣體層11a～11h、線圈12、線圈13以及金屬層14層疊來形成圖2所示的層疊體15。

線圈12具有螺旋狀的線圈導(dǎo)體16以及螺旋狀的線圈導(dǎo)體17，線圈導(dǎo)體16和線圈導(dǎo)體17相互串聯(lián)電連接。線圈13具有螺旋狀的線圈導(dǎo)體18以及螺旋狀的線圈導(dǎo)體19，線圈導(dǎo)體18和線圈導(dǎo)體19相互串聯(lián)電連接。

線圈導(dǎo)體18被設(shè)置于線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17之間，線圈導(dǎo)體17被設(shè)置于線圈導(dǎo)體18與線圈導(dǎo)體19之間。具體而言，線圈導(dǎo)體16～19按照從上方起為線圈導(dǎo)體16、線圈導(dǎo)體18、線圈導(dǎo)體17、線圈導(dǎo)體19的順序而被配置。

線圈導(dǎo)體16形成于絕緣體層11e的上表面，線圈導(dǎo)體17形成于絕緣體層11c的上表面，線圈導(dǎo)體18形成于絕緣體層11d的上表面，線圈導(dǎo)體19形成于絕緣體層11b的上表面。

也就是說，線圈12的線圈導(dǎo)體16以及線圈導(dǎo)體17與線圈13的線圈導(dǎo)體18以及線圈導(dǎo)體19被交替配置。

線圈導(dǎo)體16和線圈導(dǎo)體18相互磁耦合來形成共模濾波器20，線圈導(dǎo)體17和線圈導(dǎo)體19相互磁耦合來形成共模濾波器21。共模濾波器20與共模濾波器21相互串聯(lián)連接。金屬層14形成于線圈導(dǎo)體16的上方。

在共模噪聲濾波器1001中，絕緣體層11a～11h從絕緣體層11a起被依次層疊。絕緣體層11b～11f作為非強磁性體的材料，例如舉例有順磁性體或非磁性體。作為非磁性體的具體材料，舉例有Cu-Zn鐵氧體或者玻璃陶瓷等。絕緣體層11a、11g以及11h由強磁性體的材料構(gòu)成，作為強磁性體的具體材料，舉例有Ni-Cu-Zn鐵氧體等。

另外，優(yōu)選構(gòu)成絕緣體層11b～11f的材料使用非磁性體即非晶質(zhì)或者結(jié)晶質(zhì)的玻璃。

線圈導(dǎo)體16～19由銀等導(dǎo)電材料構(gòu)成，通過鍍覆工藝或者印刷工藝來形成為螺旋狀。另外，作為線圈導(dǎo)體16～19的另一形成方法，也可以通過使用了濺射或蝕刻的薄膜工藝來形成。也可以在通過薄膜工藝而形成的螺旋狀的線圈的上表面進(jìn)一步通過鍍覆工藝來形成螺旋狀的線圈。

線圈導(dǎo)體16和線圈導(dǎo)體18的一部分被配置于俯視下大致相同的位置。線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體18被卷繞的方向相同。通過上述的構(gòu)成，線圈導(dǎo)體16和線圈導(dǎo)體18磁耦合來形成共模濾波器20。同樣地，線圈導(dǎo)體17和線圈導(dǎo)體19的一部分也被配置于俯視下大致相同的位置。線圈導(dǎo)體17與線圈導(dǎo)體19被卷繞的方向相同。通過上述的構(gòu)成，線圈導(dǎo)體17和線圈導(dǎo)體19磁耦合來形成共模濾波器21。

線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17通過在貫通絕緣體層11d和絕緣體層11e的貫通孔分別形成的過孔電極12a來相互電連接。

線圈導(dǎo)體18與線圈導(dǎo)體19通過在貫通絕緣體層11c和絕緣體層11d的貫通孔分別形成的過孔電極13a來相互電連接。

另外，分別形成于絕緣體層11d和絕緣體層11e的2個過孔電極12a被設(shè)置于俯視下相同的位置。分別形成于絕緣體層11c、11d的2個過孔電極13a也同樣地被設(shè)置于俯視下相同的位置。過孔電極12a以及過孔電極13a是在絕緣體層11d、11e、11c以及11d的規(guī)定的位置，通過激光進(jìn)行開孔來形成貫通孔，向這些貫通孔填充銀等導(dǎo)電材料而形成的。

金屬層14由銀或者銀鈀合金等金屬材料構(gòu)成，在絕緣體層11g的上表面通過印刷工藝、鍍覆工藝或者貼付金屬箔等來以板狀連續(xù)地形成。

金屬層14被配置于比線圈導(dǎo)體16～19之中位于最上方的線圈導(dǎo)體16更靠上方。金屬層14與線圈12、13之中的線圈12對置，并且金屬層14不是與線圈12的整體而是與線圈導(dǎo)體16、17之中的線圈導(dǎo)體16對置。

另外，線圈導(dǎo)體16也可以不是俯視下與金屬層14的整體對置的構(gòu)成，例如也可以是與金屬層14的一部分對置的構(gòu)成。能夠變更俯視下線圈導(dǎo)體16的線寬度和長度來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整線圈導(dǎo)體16與金屬層14對置的面積。通過調(diào)整線圈導(dǎo)體16與金屬層14對置的面積，能夠調(diào)整線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間產(chǎn)生的電容分量。此外，也可以變更金屬層14的面積來調(diào)整線圈導(dǎo)體16與金屬層14對置的面積。

優(yōu)選線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17的長度之和實質(zhì)上等于線圈導(dǎo)體18與線圈導(dǎo)體19的長度之和。通過實質(zhì)上相等，差動信號的平衡變好，能夠防止差動信號的損耗變大。在該情況下，通過使線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17的長度不同，能夠調(diào)整線圈導(dǎo)體16與金屬層14對置的面積，調(diào)整在線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間產(chǎn)生的電容分量。

另外，雖然圖1中，在金屬層14的上下表面設(shè)置由磁性材料構(gòu)成的絕緣體層11h、11f，但也不是必須在金屬層14的上下表面設(shè)置磁性材料。

另外，層疊的絕緣體層11a～11h的數(shù)量并不局限于圖1所示的片數(shù)。此外，構(gòu)成絕緣體層11a～11h的材料也可以相同。

通過上述的構(gòu)成，形成圖2所示的層疊體15。在層疊體15的相互相反側(cè)的一對端面，設(shè)置分別與線圈導(dǎo)體16～19電連接的外部電極22～25。在層疊體15的相互相反側(cè)的一對端面，設(shè)置與金屬層14電連接的外部電極26。金屬層14經(jīng)由引出用電極14a來與外部電極26連接。

對于外部電極22～26，通過印刷工藝來在層疊體15的一對端面以及一對側(cè)面形成銀。也可以在該銀的表面通過鍍覆工藝來形成鎳層。也可以在該鎳層的表面通過鍍覆工藝來進(jìn)一步形成錫或焊料材料等低熔點金屬。

圖3是實施方式1中的共模噪聲濾波器1001的電路示意圖。

如上所述，在共模噪聲濾波器1001中，線圈12具有螺旋狀的線圈導(dǎo)體16以及螺旋狀的線圈導(dǎo)體17。線圈13具有螺旋狀的線圈導(dǎo)體18以及螺旋狀的線圈導(dǎo)體19。線圈導(dǎo)體16和線圈導(dǎo)體18相互磁耦合來形成共模濾波器20。線圈導(dǎo)體17和線圈導(dǎo)體19相互磁耦合來形成共模濾波器21。共模濾波器20與共模濾波器21串聯(lián)連接。線圈導(dǎo)體16～19按照從上方起線圈導(dǎo)體16、線圈導(dǎo)體18、線圈導(dǎo)體17、線圈導(dǎo)體19的順序而被配置。

特別地，通過金屬層14被配置于比線圈導(dǎo)體16～19之中位于最上方的線圈導(dǎo)體16更靠上方，在混入了共模噪聲時，能夠在寬頻帶衰減共模噪聲。這是通過在并非線圈12的整體而是主要線圈導(dǎo)體16與連接于接地的金屬層14之間產(chǎn)生電容分量，并且在線圈導(dǎo)體17與金屬層14實質(zhì)上不產(chǎn)生電容分量，從而能夠得到2個衰減極。

另一方面，在圖16的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器500中，在混入了共模噪聲時，共模濾波器6和共模濾波器7作為電感器而起作用。若頻率變高則該電感器的阻抗也變高，在共模噪聲濾波器500的輸入輸出部產(chǎn)生電位差，在輸入輸出之間產(chǎn)生雜散電容，進(jìn)行自并聯(lián)諧振。

相對于現(xiàn)有的共模噪聲濾波器500，在實施方式1的共模噪聲濾波器1001中，共模濾波器20和共模濾波器21作為電感器而起作用，去除共模噪聲。進(jìn)一步，若頻率變高，則通過線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間的電容分量，阻抗降低，能夠抑制共模噪聲濾波器1001的輸入輸出之間的電位差變得過高。進(jìn)一步地，通過抑制輸入輸出之間的雜散電容的產(chǎn)生，線圈12、13的自并聯(lián)諧振頻率變高。

由于實施方式1的共模噪聲濾波器1001通過線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間的電容分量，能夠?qū)⒐材Ｔ肼暸月返浇拥?，因此能夠在寬頻帶衰減共模噪聲。

另一方面，在不設(shè)置金屬層14的情況下，由于在線圈12、13的自并聯(lián)諧振時，線圈12、13的阻抗上升，導(dǎo)致在線圈12的輸入輸出之間產(chǎn)生電位差，因此在線圈12的輸出部分與接地之間也產(chǎn)生較大電位差。通過該電位差與連接于接地的金屬層14之間的電容分量，同時在線圈12的輸出與接地之間產(chǎn)生串聯(lián)諧振。

在實施方式1的共模噪聲濾波器1001中，由于僅在金屬層14與線圈導(dǎo)體16之間產(chǎn)生較小的電容，在金屬層14與線圈導(dǎo)體17之間不產(chǎn)生電容，因此在線圈12、13的自并聯(lián)諧振時，難以在線圈導(dǎo)體17與接地之間進(jìn)行串聯(lián)諧振。由此，由于能夠?qū)€圈12、13的自并聯(lián)諧振、線圈導(dǎo)體16與接地之間的與電容的串聯(lián)諧振進(jìn)行分離、調(diào)整，因此在共模噪聲的衰減量的頻率特性具有2個衰減極，其結(jié)果，能夠在寬頻帶衰減共模噪聲。

接下來，對實施方式1中的共模噪聲濾波器1001詳細(xì)進(jìn)行說明。

圖4是對作為實施例而記載于圖1的實施方式1的共模噪聲濾波器與作為比較例而記載于圖16的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的共模噪聲的衰減特性進(jìn)行比較的圖。

根據(jù)圖4可知，本實施例的共模噪聲濾波器能夠在高于比較例的共模噪聲濾波器的頻率區(qū)域衰減共模噪聲，進(jìn)一步地，能夠在蜂窩式無線方式的通信頻帶即700MHz至3GHz的寬頻帶衰減共模噪聲。

在圖4所示的共模噪聲衰減特性中，在比較例的共模噪聲濾波器中，在800MHz附近具有線圈2、線圈3的自諧振頻率。與此相對地，在本實施例的共模噪聲濾波器中，在2GHz附近具有線圈12和線圈13的自諧振頻率，線圈12、13作為電感器而起作用，從而能夠衰減共模。進(jìn)一步地，到3GHz附近，到與連接于接地的金屬層14之間的電容分量的諧振頻帶為止通過向接地的旁路效應(yīng)，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的共模衰減能力。

因此，通過在并非線圈12的整體的線圈導(dǎo)體16與連接于接地的金屬層14之間產(chǎn)生電容分量，從而在混入共模噪聲時作為電感器而起作用。因此，能夠使自諧振頻率位于較高的頻率區(qū)域，提高共模噪聲的衰減特性，并且在較高的頻率區(qū)域，通過向接地的旁路效應(yīng)能夠得到衰減特性。

此外，根據(jù)所希望的特性，能夠改變線圈導(dǎo)體16的長度相對于線圈12的整體的長度的比例。也就是說，由于通過調(diào)整線圈12與連接于接地的金屬層14的對置的面積，能夠調(diào)整線圈12與金屬層14之間的電容分量，因此能夠調(diào)整成為共模噪聲的衰減極的頻率。

另一方面，由于在混入差動(差模)的數(shù)字信號時，在線圈12、13分別產(chǎn)生的磁場被抵消且阻抗不增加，因此在線圈12與線圈13之間不產(chǎn)生電位差，線圈12、13作為低損耗的傳送線路而起作用。由此，由于在線圈12、13與金屬層14之間不會諧振，因此共模噪聲濾波器1001能夠在不使差動數(shù)字信號劣化的情況下維持信號的品質(zhì)。

進(jìn)一步地，調(diào)整線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間的距離來改變電容分量，或者改變線圈導(dǎo)體16～19的長度，能夠調(diào)整線圈導(dǎo)體16與接地之間的串聯(lián)諧振的諧振頻率、線圈12、13的自并聯(lián)諧振的諧振頻率。此時，通過使線圈12、13的諧振頻率接近或者一致，能夠在特定的頻率確保較大的衰減量。

也可以在外部電極22～25與金屬層14之間形成若施加規(guī)定的值以上的電壓則被通電，若施加低于規(guī)定值的電壓則作為絕緣體而起作用的靜電通過部27a、27b。由此，共模噪聲濾波器1001不僅能夠衰減共模噪聲，而且即使被施加過電壓，也能夠在過電壓中保護(hù)電子設(shè)備。

圖5是在絕緣體層11a的下方具備靜電通過部27a、27b的實施方式1的另一共模噪聲濾波器1002的分解立體圖。在圖5中，對與圖1所示的共模噪聲濾波器1001相同的部分付與相同的參照編號。另外，在圖5中，為了簡化說明，省略絕緣體層11b的上方的構(gòu)成。此外，在圖5中，省略了圖2所示的外部電極22～26，但其被設(shè)置于相同的位置。

圖5的共模噪聲濾波器1002在被設(shè)置于絕緣體層11a的下方并由非磁性體構(gòu)成的絕緣體層11j具有分別連接于外部電極22～25的靜電用電極28a～28d。此外，共模噪聲濾波器1002還具有連接于外部電極26的靜電用電極29。與靜電用電極28a、28b的連接于外部電極22、23的部分的相反的一側(cè)的前端部128a、128b形成于靜電通過部27a中，與靜電用電極28b的連接于外部電極24、25的部分的相反的一側(cè)的前端部128c、128d形成于靜電通過部27b中。具體而言，靜電用電極28a、28b的前端部128a、128b在靜電通過部27a的下方延伸到靜電通過部27a與絕緣體層11j之間，靜電用電極28c、28d的前端部128c、128d在靜電通過部27b的下方延伸到靜電通過部27b與絕緣體層11j之間。由此，靜電用電極28a、28b以較大的面積與靜電通過部27a接觸，靜電用電極28c、28d以較大的面積與靜電通過部27b接觸。靜電用電極29從絕緣體層11j的一個側(cè)面到相反一側(cè)的另一側(cè)面形成為一直線狀，使得與靜電通過部27a、27b的下表面抵接。在靜電用電極28a～28d的各個前端部128a～128d與靜電用電極29之間設(shè)置縫隙29s。

也就是說，線圈導(dǎo)體16與靜電用電極28a經(jīng)由外部電極22而電連接。同樣地，線圈導(dǎo)體17與靜電用電極28b電連接，線圈導(dǎo)體18與靜電用電極28c電連接，線圈導(dǎo)體19與靜電用電極28d電連接。此外，金屬層14的引出用電極14a與靜電用電極29經(jīng)由外部電極26而電連接，外部電極26與靜電通過部27a、27b經(jīng)由靜電用電極29而連接。因此，在外部電極22與外部電極23之間設(shè)置靜電通過部27a并進(jìn)行連接，在外部電極24與外部電極25之間設(shè)置靜電通過部27b并進(jìn)行連接。

在外部電極22與外部電極23之間，線圈12、靜電通過部27a和靜電通過部27b相互并聯(lián)連接。若成為過電壓的規(guī)定的值以上的電壓被施加于外部電極22或者外部電極23，則電流從靜電通過部27a經(jīng)由外部電極26而流到接地。在外部電極24與外部電極25之間也同樣地，若成為過電壓的規(guī)定的值以上的電壓被施加于外部電極24或者外部電極25則電流從靜電通過部27b經(jīng)由外部電極26而流到接地。

在靜電用電極28a～28d與靜電用電極29的上表面，形成由非磁性體構(gòu)成的絕緣體層11k并由非磁性體夾著靜電用電極28a～28d和靜電用電極29。進(jìn)一步地，在絕緣體層11j的下表面形成由磁性體構(gòu)成的絕緣體層11m。

靜電通過部27a、27b構(gòu)成為通過印刷工藝或者涂覆等來將具有根據(jù)被施加的電壓而變化的電阻的電壓依存性電阻材料形成在絕緣體層11j上。作為電壓依存性電阻材料，能夠使用以氧化鋅為主成分的陶瓷材料等可變電阻材料、或者包含鋁、鎳、銅之中的至少一者的金屬材料、或者包含硅、環(huán)氧、酚醛之中的至少一者的樹脂材料。

此外，靜電用電極28a～28d和靜電用電極29由銀或者銀鈀合金等金屬材料構(gòu)成，在絕緣體層11j的上表面通過印刷工藝、鍍覆工藝或者貼付由該金屬材料構(gòu)成的金屬箔等方法來形成為板狀。

在上述的構(gòu)成中，是通過由板狀的金屬構(gòu)成的金屬層14、由板狀的金屬構(gòu)成的靜電用電極28a～28d和靜電用電極29來夾著線圈導(dǎo)體16～19的構(gòu)成，例如與僅在線圈導(dǎo)體16、19的一個的上方設(shè)置板狀的金屬的構(gòu)成相比，能夠減少層疊體15整體的密度的不均。

此外，通過將與連接于接地的外部電極26連接的靜電用電極29用作為圖1所示的共模噪聲濾波器1001的金屬層14，能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品的輕薄化。進(jìn)一步地，通過線圈12、13與靜電用電極28a～28d以及靜電用電極29之間的雜散電容，也能夠期待衰減共模噪聲的效果。

另外，形成靜電通過部27a、27b、靜電用電極28a～28d和靜電用電極29的位置并不限定于絕緣體層11a的下方，例如也可以是金屬層14與線圈導(dǎo)體16之間。

此外，也可以取代靜電通過部27a、27b由電壓依存性電阻材料構(gòu)成，而是由空間構(gòu)成。靜電用電極28a～28d以及靜電用電極29的全部或者其一部也可以被設(shè)置于不同的層。此外，也可以在形成有金屬層14的絕緣體層11g的上表面設(shè)置連接于外部電極22～25的其他金屬層，在該其他金屬層與金屬層14之間形成縫隙，或者，在線圈導(dǎo)體16～19的各自的附近設(shè)置連接于外部電極26的其他金屬層，在其他金屬層與線圈導(dǎo)體16～19之間形成縫隙，并將該縫隙作為靜電通過部27a和靜電通過部27b。

另外，雖然在實施方式1中的共模噪聲濾波器1001中，將金屬層14設(shè)置于線圈導(dǎo)體16～19之中位于最上方的線圈導(dǎo)體16的上方，但也可以設(shè)置于線圈導(dǎo)體16～19之中位于最下方的線圈導(dǎo)體19的下方。

(實施方式2)

圖6是實施方式2中的共模噪聲濾波器2001的分解立體圖。另外，在實施方式2中，針對具有與實施方式1相同的構(gòu)成的部件，付與相同的符號。

實施方式2中的共模噪聲濾波器2001相對于圖1所示的實施方式1中的共模噪聲濾波器1001，如圖6所示，進(jìn)一步具備被配置于線圈導(dǎo)體16～19之中位于最下方的線圈導(dǎo)體19的下方的金屬層114。

金屬層114形成于絕緣體層11i的上表面。由此，金屬層14僅與線圈12、13之中的線圈12對置而不與線圈13對置，金屬層114僅與線圈12、13之中的線圈13對置而不與線圈12對置。進(jìn)一步地，金屬層14、114不與線圈12、13的整體對置而與線圈導(dǎo)體16、19分別對置。

圖7是實施方式2的共模噪聲濾波器2001的電路示意圖。

圖8是對作為實施例而記載于圖6的實施方式2的共模噪聲濾波器2001與作為比較例而記載于圖16的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器500的共模噪聲衰減特性進(jìn)行比較的圖。

根據(jù)圖8可知，本實施例的共模噪聲濾波器與比較例的共模噪聲濾波器相比，能夠更衰減高頻區(qū)域的共模噪聲，高頻區(qū)域的共模噪聲的衰減量較大。

在實施例中，由于產(chǎn)生線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間的雜散電容、線圈導(dǎo)體19與金屬層114之間的雜散電容，因此高頻區(qū)域的共模噪聲的衰減量變大。

此外，在比較例的共模噪聲濾波器中，流過線圈導(dǎo)體5a和線圈導(dǎo)體4b的差動信號由于其間的雜散電容，通過線圈3的信號和通過線圈2的信號的平衡被破壞并劣化。因此，在共模濾波器7和共模濾波器6各自中，差模信號的平衡度可能劣化。

圖9是對作為實施例而記載于圖6的實施方式2的共模噪聲濾波器與作為比較例而記載于圖16的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的差動(差模)信號的振幅平衡度進(jìn)行比較的圖。

圖10是對該差動信號的相位平衡度進(jìn)行比較的圖。圖11是對該模式轉(zhuǎn)換特性進(jìn)行比較的圖。另外，振幅平衡度以及相位平衡度是指，輸入到共模噪聲濾波器之前的差動信號的振幅以及相位與輸入到共模噪聲濾波器之后的差動信號的振幅以及相位的偏差表示零(理想狀態(tài))，越接近理想狀態(tài)，表示差動信號的質(zhì)量越高。

根據(jù)圖9至圖11可知，本實施例的共模噪聲濾波器與比較例的共模噪聲濾波器相比，差動(差模)信號的平衡度在振幅和相位這兩方面都較高。相對于本實施例，比較例中的劣化的分量(差動的不平衡部分)被轉(zhuǎn)換為共模分量。換句話說，在差動信號通過比較例的共模濾波器的內(nèi)部時可能產(chǎn)生共模噪聲。特別地，智能電話等蜂窩式無線方式的移動終端使用700MHz至3GHz的通信頻帶。在差動信號具有700MHz至3GHz的頻率分量的情況下，差動信號的一部分被轉(zhuǎn)換為700MHz至3GHz的共模噪聲，由于該共模噪聲導(dǎo)致移動終端的蜂窩式無線部的接收靈敏度劣化。

另一方面，在本實施例中的共模噪聲濾波器中，使金屬層14、114分別與在其之間不產(chǎn)生雜散電容的線圈導(dǎo)體16、19對置，通過與金屬層14、114間的微小電容，流過線圈導(dǎo)體16、19的差動信號的振幅以及相位的平衡度能夠調(diào)整為理想狀態(tài)。這樣，由于本實施例的共模噪聲濾波器能夠調(diào)整差模信號的平衡度，因此難以產(chǎn)生模式轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生共模噪聲的情況也變少。特別是如圖9以及圖10所示，在蜂窩式無線方式中的700MHz至3GHz的通信頻帶，本實施例中的共模噪聲濾波器與比較例的共模噪聲濾波器相比，差動信號的振幅平衡度和相位平衡度更好，更難以產(chǎn)生模式轉(zhuǎn)換。

另外，由于在實施方式1中的共模噪聲濾波器1001的實施例中，僅在線圈導(dǎo)體16與金屬層14之間形成電容，因此在共模濾波器20中，差模信號的平衡度被改善。但是，在實施方式2中的共模噪聲濾波器2001的實施例中，由于在共模濾波器20、21的兩者中差模信號的平衡度被改善，因此比實施方式1中說明的實施例更優(yōu)選。

此外，在實施方式1、2中，也可以使線圈導(dǎo)體18與線圈導(dǎo)體17之間的距離比線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體18之間的距離以及線圈導(dǎo)體17與線圈導(dǎo)體19之間的距離長。通過上述構(gòu)成，由于差動(差模)信號流過時的線圈導(dǎo)體18與線圈導(dǎo)體17之間的雜散電容減小，因此模式轉(zhuǎn)換變少，由于能夠預(yù)先減少差動(差模)信號的劣化，因此基于金屬層14的電容調(diào)整變得容易。此外，通過擴大與金屬層14對置的線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體18之間的距離，磁耦合變?nèi)酰ㄟ^擴大線圈導(dǎo)體17與線圈導(dǎo)體19之間的距離，磁耦合變?nèi)酢Ｒ虼?，能夠調(diào)整線圈12以及線圈13的各自的磁耦合時的自并聯(lián)諧振頻率，寬頻帶的共模噪聲除去性能的調(diào)整變得容易。

(實施方式3)

圖12是實施方式3中的共模噪聲濾波器3001的分解立體圖。另外，在實施方式3中，針對具有與實施方式1、2相同的構(gòu)成的部件，付與相同的符號，省略其說明。

實施方式3中的共模噪聲濾波器3001與實施方式1中的共模噪聲濾波器1001不同，如圖12所示，在構(gòu)成線圈13的線圈導(dǎo)體18與線圈導(dǎo)體19之間，配置構(gòu)成線圈12的線圈導(dǎo)體16和線圈導(dǎo)體17。

圖13是實施方式3中的共模噪聲濾波器3001的電路示意圖。

實施方式3中的共模噪聲濾波器3001與實施方式1中的共模噪聲濾波器1001同樣地，與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器500相比，更能夠衰減高頻區(qū)域的共模噪聲。在混入了差動信號的情況下，由于線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17是同電位，因此在線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17之間不產(chǎn)生雜散電容，能夠防止差模的特性阻抗的降低導(dǎo)致的差動信號的劣化。

此外，實施方式3中的共模噪聲濾波器3001與實施方式2的共模噪聲濾波器2001同樣地，也可以還具備被配置于位于最下方的線圈導(dǎo)體19的下方的金屬層114。

另外，也可以使線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體17之間的距離比線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體18之間的距離以及線圈導(dǎo)體17與線圈導(dǎo)體19之間的距離長。也就是說，通過共模濾波器21與共模濾波器22之間的磁耦合變?nèi)?，能夠調(diào)整線圈12、線圈13的磁耦合時的自并聯(lián)諧振頻率，寬頻帶的共模噪聲除去性能的調(diào)整變得容易。

(實施方式4)

圖14是實施方式4中的共模噪聲濾波器4001的分解立體圖。另外，在實施方式4中，針對具有與實施方式1～3相同的構(gòu)成的部件，付與相同符號，省略其說明。

在實施方式4中的共模噪聲濾波器4001中，與實施方式1中的共模噪聲濾波器1001不同，如圖14所示，還具備螺旋狀的線圈導(dǎo)體30，該線圈導(dǎo)體30具有與線圈導(dǎo)體16連接的一端部30a、和被設(shè)為開路的一端部30b。線圈導(dǎo)體30形成在被設(shè)置于線圈導(dǎo)體16與絕緣體層11f之間的非磁性體的絕緣體層11n的上表面，一端部30a經(jīng)由外部電極22來與線圈導(dǎo)體16電連接。

也就是說，線圈導(dǎo)體30被設(shè)置在線圈導(dǎo)體16～19之中被配置于最上方的線圈導(dǎo)體16與被配置于比線圈導(dǎo)體16更靠上方的金屬層14之間。線圈導(dǎo)體16與線圈導(dǎo)體30的一端部30a連接。進(jìn)一步地，線圈導(dǎo)體16中流動的電流的方向與線圈導(dǎo)體30中流動的電流的方向在俯視下相同。

通過上述的構(gòu)成，由于在共模噪聲流入的情況下，線圈導(dǎo)體16～19全部作為電感器而起作用，與線圈導(dǎo)體30產(chǎn)生磁耦合，并且在線圈導(dǎo)體16～19產(chǎn)生較大阻抗，因此能夠在各個線圈導(dǎo)體16～19與線圈導(dǎo)體30之間產(chǎn)生電位差。由此，產(chǎn)生雜散電容，由該雜散電容、線圈導(dǎo)體16～19和線圈導(dǎo)體30形成諧振電路。因此，在更高頻區(qū)域，線圈導(dǎo)體30具有較大的阻抗分量。其結(jié)果，由于在線圈導(dǎo)體30與金屬層14之間產(chǎn)生諧振，因此能夠使更高頻率的共模噪聲旁路到接地。由此，能夠提高高頻區(qū)域的共模噪聲的衰減特性，實現(xiàn)寬頻帶的共模噪聲衰減特性。

圖15是對作為實施例而記載于圖14的實施方式4的共模噪聲濾波器4001與作為比較例而記載于圖16的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器500的共模噪聲衰減特性進(jìn)行比較的圖。

在本實施例中的共模噪聲濾波器中，除了700MHz至3GHz頻帶的共模噪聲的衰減，也能夠使5GHz的共模噪聲衰減。換句話說，除了蜂窩式無線通信終端、2.4GHz頻帶的WiFi通信頻帶，也對應(yīng)于5GHz的WiFi通信頻帶，能夠在寬頻帶衰減共模噪聲。

另一方面，由于在差動(differential)信號流入的情況下，在線圈導(dǎo)體16、線圈導(dǎo)體18中產(chǎn)生的磁場集中于線圈導(dǎo)體16、18的線之間，因此線圈導(dǎo)體16的上方以及下方的磁場分量被抵消。由此，由于在線圈導(dǎo)體16～19不產(chǎn)生較大的阻抗并作為低損耗的傳送線路而起作用，因此在各個線圈導(dǎo)體16～19與線圈導(dǎo)體30之間也難以產(chǎn)生雜散電容或磁耦合。由此，在高頻率下，在線圈導(dǎo)體30與金屬層14之間不產(chǎn)生諧振。其結(jié)果，差動信號不被旁路到接地，差動信號的損耗變小。

如以上那樣，通過將線圈導(dǎo)體30配置于線圈導(dǎo)體16的上方，根據(jù)混入的信號或者噪聲的差動模式、共模的傳送模式，線圈導(dǎo)體30的功能不同。由此，能夠在不使差動信號劣化的情況下，針對共模噪聲確保衰減量。

另外，為了增大金屬層14與線圈導(dǎo)體30的對置的面積，例如也可以局部擴大線圈導(dǎo)體30的線圈線的寬度的一部分來增大與金屬層14之間產(chǎn)生的電容。由此，在混入共模噪聲時能夠容易地調(diào)整與接地之間產(chǎn)生的串聯(lián)諧振頻率的值。

此外，上述的實施方式2～4的共模噪聲濾波器也可以還具備實施方式1中說明的靜電通過部27a、27b。

雖然實施方式1～4的共模噪聲濾波器具備一個線圈12以及一個線圈13，但電可以是具備2個以上的線圈12以及2個以上的線圈13的陣列類型。

雖然在實施方式1～4的共模噪聲濾波器中，具備一個共模濾波器20和一個共模濾波器21，但也可以具備2個以上的共模濾波器20和2個以上的共模濾波器21。

另外，在實施方式1～4中，“上表面”、“上方”、“下方”等表示方向的用語是表示僅取決于絕緣體層、線圈導(dǎo)體等共模噪聲濾波器的構(gòu)成部件的相對位置關(guān)系的相對方向的用語，并不是表示絕對方向的用語。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本公開的共模噪聲濾波器具有能夠提高高頻區(qū)域的共模噪聲的衰減特性的效果，特別是在被用作為數(shù)字設(shè)備、AV設(shè)備、信息通信終端等各種電子設(shè)備的噪聲對策的小型且薄型的共模噪聲濾波器等中有用。

-符號說明-

11a 絕緣體層

11b 絕緣體層(第4絕緣體層)

11c 絕緣體層(第2絕緣體層)

11d 絕緣體層(第3絕緣體層)

11e 絕緣體層(第1絕緣體層)

11f 絕緣體層

11g 絕緣體層(第5絕緣體層)

11h 絕緣體層

11i 絕緣體層

11j 絕緣體層

11k 絕緣體層

12 線圈(第1線圈)

12a 過孔電極

13 線圈(第2線圈)

13a 過孔電極

14 金屬層(第1金屬層)

15 層疊體

16 線圈導(dǎo)體(第1線圈導(dǎo)體)

17 線圈導(dǎo)體(第2線圈導(dǎo)體)

18 線圈導(dǎo)體(第3線圈導(dǎo)體)

19 線圈導(dǎo)體(第4線圈導(dǎo)體)

20 共模濾波器(第1共模濾波器)

21 共模濾波器(第2共模濾波器)