一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)，主要由一次晶體振蕩電路和二次晶體振蕩電路組成，其特征在于，還設有與一次晶體振蕩電路和二次晶體振蕩電路相連接對稱集電極式觸發(fā)電路，所述對稱集電極式觸發(fā)電路由晶體管Q1，晶體管Q2，一端與晶體管Q1的集電極相連接、另一端經二極管D3后與晶體管Q1的基極相連接的電阻R3，與電阻R3相并聯(lián)的電容C5，一端與晶體管Q2的集電極相連接、另一端經二極管D4后與晶體管Q2的基極相連接的電阻R4等組成。本實用新型整體結構較為簡單，其制作和使用非常方便。同時，本實用新型充分利用了對稱集電極式觸發(fā)電路的非線性特性，能顯著的降低功耗。
【專利說明】
一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種觸發(fā)器，具體是指一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)。

【背景技術】
[0002]觸發(fā)器是數(shù)字集成電路中基本的構件，它們決定著包括功耗、延遲、面積、可靠性等電路的性能。但在目前大多數(shù)的電路運用中均采用正脈沖來進行觸發(fā)，加之其電路結構設計不合理，因此會存在功耗較大，以及在有效脈寬期間會出現(xiàn)兩管均截止的情況，不利于應用電路的正常運行，存在一定的安全隱患。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的在于克服目前觸發(fā)器所存在的功耗較大以及兩管均會同時出現(xiàn)截止的缺陷，提供一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)。
[0004]本實用新型的目的通過下述技術方案實現(xiàn):一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)，主要由一次晶體振蕩電路和二次晶體振蕩電路組成，同時，還設有與一次晶體振蕩電路和二次晶體振蕩電路相連接對稱集電極式觸發(fā)電路。所述對稱集電極式觸發(fā)電路由晶體管Q1，晶體管Q2，一端與晶體管Ql的集電極相連接、另一端經二極管D3后與晶體管Ql的基極相連接的電阻R3，與電阻R3相并聯(lián)的電容C5，一端與晶體管Q2的集電極相連接、另一端經二極管D4后與晶體管Q2的基極相連接的電阻R4，與電阻R4相并聯(lián)的電容C6，一端與二極管D3與電阻R3的連接點以及二極管D4與電阻R4的連接點同時相連接、另一端外接+6V電壓的電阻R5組成；所述主緩沖晶體振蕩電路與電阻R4相并聯(lián)，副緩沖晶體振蕩電路與電阻R3相并聯(lián)，且晶體管Ql的發(fā)射極和晶體管Q2的發(fā)射極均接地。
[0005]進一步地，所述一次晶體振蕩電路由倒相放大器U1，串接在倒相放大器Ul的輸入端與輸出端之間的電阻Rl和石英晶體振蕩器XI，正極與倒相放大器Ul的輸入端相連接、負極與二極管Dl的P極相連接的電容Cl，以及正極與倒相放大器Ul的輸出端相連接、負極與二極管Dl的N極相連接的可調電容C2組成；所述二極管Dl的P極則與晶體管Ql的集電極相連接，而二極管Dl的N極則與二極管D3和電阻R3的連接點相連接。
[0006]所述二次晶體振蕩電路由倒相放大器U2，串接在倒相放大器U2的輸入端與輸出端之間的電阻R2和石英晶體振蕩器X2，正極與倒相放大器U2的輸入端相連接、負極與二極管D2的P極相連接的可調電容C4，以及正極與倒相放大器U2的輸出端相連接、負極與二極管D2的N極相連接的電容C3組成；所述二極管D2的P極與晶體管Q2的集電極相連接，而二極管D2的N極則與二極管D4和電阻R4的連接點相連接。
[0007]本實用新型較現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0008](I)本實用新型整體結構較為簡單，其制作和使用非常方便。
[0009](2)本實用新型充分利用了對稱集電極式觸發(fā)電路的非線性特性，能顯著的降低功耗。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的整體結構示意圖。

【具體實施方式】
[0011]下面結合實施例對本實用新型作進一步地詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。
[0012]實施例
[0013]如圖1所示，本實用新型主要包括有一次晶體振蕩電路、二次晶體振蕩電路，以及與一次晶體振蕩電路和二次晶體振蕩電路均相連接的對稱集電極式觸發(fā)電路。
[0014]該對稱集電極式觸發(fā)電路由晶體管Q1，晶體管Q2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，電容C5，電容C6及二極管D3和二極管D4構成。連接時，電阻R3的一端與晶體管Ql的集電極相連接，其另一端經二極管D3后與晶體管Ql的基極相連接，以形成一個電回路。而電容C5則與電阻R3相并聯(lián)，以形成一個RC濾波電路。
[0015]同樣，電阻R4的一端與晶體管Q2的集電極相連接，其另一端經二極管D4后與晶體管Q2的基極相連接，以形成一個電回路。而電容C6則與電阻R4相并聯(lián)，以形成一個RC濾波電路。
[0016]電阻R5為分壓電阻，其一端與二極管D3與電阻R3的連接點以及二極管D4與電阻R4的連接點相連接，其另一端則外接+6V電壓。所述晶體管Ql的發(fā)射極和晶體管Q2的發(fā)射極均接地。為確保使用效果，該二極管D3的P極需要與晶體管Ql的基極相連接，二極管D4的P極也需要與晶體管Q2的基極相連接。
[0017]所述的一次晶體振蕩電路與二次晶體振蕩電路結構均相同，該一次晶體振蕩電路由倒相放大器U1，電阻R1，石英晶體振蕩器XI，二極管Dl及電容Cl和可調電容C2組成。連接時，電阻Rl和石英晶體振蕩器Xl均直接串接在倒相放大器Ul的輸入端與輸出端之間；電容Cl的正極與倒相放大器Ul的輸入端相連接，其負極則與二極管Dl的P極相連接。而可調電容C2的正極則與倒相放大器Ul的輸出端相連接，其負極與二極管Dl的N極相連接。同時，該二極管Dl的P極還需要與晶體管Ql的集電極相連接，而其N極則與電阻R3和二極管D3的連接點相連接。
[0018]由于晶體管Ql的集電極與電阻R3和電容C5的連接點是等勢點，二極管D3與電阻R3和電容C5的連接點也是等勢點，以此，當二極管Dl的P極和N極分別與晶體管Ql的集電極相，以及電阻R3與二極管D3的連接點相連接等后，就相當于整個一次晶體振蕩電路與電阻R3相并聯(lián)。
[0019]同理，該二次晶體振蕩電路也由倒相放大器U2，電阻R2，石英晶體振蕩器X2，電容C3和可調電容C4，以及二極管D2組成。連接時，電阻R2和石英晶體振蕩器X2直接串接在倒相放大器U2的輸入端與輸出端之間；可調電容C4的正極與倒相放大器U2的輸入端相連接，其負極與二極管D2的P極相連接。所述電容C3的正極與倒相放大器U2的輸出端相連接，其負極與二極管D2的N極相連接的組成。
[0020]所述二極管D2的P極還要與晶體管Q2的集電極相連接，而二極管D2的N極則要與二極感D4與電阻R4的連接點相連接。如此以來，則電阻R3與電容C5的連接點、二極管D3的N極、二極管Dl的N極、二極管D2的N極、二極管D4的N極以及電阻R4與電容C6的連接點均形成了一個等勢點。
[0021]根據(jù)實際的需求，該晶體管Ql的集電極和晶體管Q2的集電極分別引出接線端，一起形成輸出端，用于外接外部電路。
[0022]如上所述，便可以很好的實現(xiàn)本實用新型。
【權利要求】
1.一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)，主要由一次晶體振蕩電路和二次晶體振蕩電路組成，其特征在于，還設有與一次晶體振蕩電路和_■次晶體振蕩電路相連接對稱集電極式觸發(fā)電路，所述對稱集電極式觸發(fā)電路由晶體管Q1，晶體管Q2，一端與晶體管Q1的集電極相連接、另一端經二極管D3后與晶體管Q1的基極相連接的電阻R3，與電阻R3相并聯(lián)的電容C5，一端與晶體管Q2的集電極相連接、另一端經二極管D4后與晶體管Q2的基極相連接的電阻R4，與電阻R4相并聯(lián)的電容C6，一端與二極管D3與電阻R3的連接點以及二極管D4與電阻R4的連接點同時相連接、另一端外接+6V電壓的電阻R5組成；所述主緩沖晶體振蕩電路與電阻R4相并聯(lián)，副緩沖晶體振蕩電路與電阻R3相并聯(lián)，且晶體管Q1的發(fā)射極和晶體管Q2的發(fā)射極均接地。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述一次晶體振蕩電路由倒相放大器U1，串接在倒相放大器U1的輸入端與輸出端之間的電阻R1和石英晶體振蕩器XI，正極與倒相放大器U1的輸入端相連接、負極與二極管D1的P極相連接的電容C1，以及正極與倒相放大器U1的輸出端相連接、負極與二極管D1的N極相連接的可調電容C2組成；所述二極管D1的P極則與晶體管Q1的集電極相連接，而二極管D1的N極則與二極管D3和電阻R3的連接點相連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種基于對稱集電極式的晶體振蕩觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述二次晶體振蕩電路由倒相放大器U2，串接在倒相放大器U2的輸入端與輸出端之間的電阻R2和石英晶體振蕩器X2，正極與倒相放大器U2的輸入端相連接、負極與二極管D2的P極相連接的可調電容C4，以及正極與倒相放大器U2的輸出端相連接、負極與二極管D2的N極相連接的電容C3組成；所述二極管D2的P極與晶體管Q2的集電極相連接，而二極管D2的N極則與二極管D4和電阻R4的連接點相連接。
【文檔編號】H03K3/02GK204190723SQ201420629761
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權日:2014年10月28日
【發(fā)明者】王艷 申請人:成都實瑞達科技有限公司