晶體振蕩器及晶體振蕩器的制造方法【專利摘要】晶體振蕩器1包括：第一振蕩電路13，使晶體振子12以第一頻率振蕩；第一阻抗調(diào)整電路17，對(duì)具有晶體振子12與第一振蕩電路13的第一振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整；第二振蕩電路14，使晶體振子12以與第一頻率不同的第二頻率振蕩；第二阻抗調(diào)整電路18，對(duì)具有晶體振子12與第二振蕩電路14的第二振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整；以及控制電路19，對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17及第二阻抗調(diào)整電路18進(jìn)行控制?！緦＠f(shuō)明】晶體振蕩器及晶體振蕩器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體振蕩器及晶體振蕩器的制造方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]以前，已知如下的晶體振蕩器，S卩，具備多個(gè)晶體振子，能夠輸出第一頻率的振蕩信號(hào)、及與第一頻率不同的第二頻率的振蕩信號(hào)。例如，專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了一種溫度補(bǔ)償型的晶體振蕩器，其能夠輸出向外部裝置輸出的第一振蕩信號(hào)、及用于溫度傳感器用的第二振蕩信號(hào)。[0003][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][0004][專利文獻(xiàn)][0005][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開(kāi)2011-135342號(hào)公報(bào)【
發(fā)明內(nèi)容】[0006][發(fā)明所要解決的問(wèn)題][0007]圖12是表示輸出兩個(gè)頻率的信號(hào)的現(xiàn)有的晶體振蕩器100的構(gòu)成的圖。如圖12所示，現(xiàn)有的晶體振蕩器100包括:第一晶體振子101，使第一晶體振子101以第一頻率振蕩的第一振蕩電路102，第二晶體振子103，及使第二晶體振子103以第二頻率振蕩的第一振蕩電路104。然而，因現(xiàn)有的晶體振蕩器100具備兩個(gè)晶體振子，所以存在安裝面積增大的問(wèn)題。[0008]為了應(yīng)對(duì)所述問(wèn)題，有使一個(gè)晶體振子以不同的頻率同時(shí)振蕩的方法。圖13是表示使一個(gè)晶體振子以不同的頻率同時(shí)振蕩的晶體振蕩器110的構(gòu)成的圖。晶體振蕩器110包括晶體振子111、使晶體振子111以第一頻率振蕩的第一振蕩電路112、及使晶體振子111以第二頻率振蕩的第二振蕩電路113。然而，晶體振蕩器110存在各個(gè)振蕩電路相互影響而無(wú)法穩(wěn)定地使輸出信號(hào)振蕩的問(wèn)題。[0009]因此，本發(fā)明鑒于所述方面而完成，目的在于提供能夠減小安裝面積并且能夠使輸出信號(hào)穩(wěn)定地振蕩的晶體振蕩器及晶體振蕩器的制造方法。[0010][解決問(wèn)題的技術(shù)手段][0011]本發(fā)明的晶體振蕩器的特征在于包括:第一振蕩電路，使晶體振子以第一頻率振蕩;第一阻抗(impedance)調(diào)整電路，對(duì)具有所述晶體振子與所述第一振蕩電路的第一振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整;第二振蕩電路，使所述晶體振子以與所述第一頻率不同的第二頻率振蕩;第二阻抗調(diào)整電路，對(duì)具有所述晶體振子與所述第二振蕩電路的第二振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整；以及控制電路，對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路進(jìn)行控制。[0012]所述晶體振蕩器也可還包括負(fù)性電阻產(chǎn)生電路，所述負(fù)性電阻產(chǎn)生電路在所述晶體振子與所述第一振蕩電路及所述第二振蕩電路中的至少任一電路之間，在所述第一頻率及所述第二頻率中的任一頻率下，相對(duì)于所述第一振蕩系統(tǒng)或所述第二振蕩系統(tǒng)產(chǎn)生負(fù)性電阻。[0013]所述負(fù)性電阻產(chǎn)生電路優(yōu)選在所述第一頻率及所述第二頻率中的任一頻率下為高阻抗。所述負(fù)性電阻產(chǎn)生電路優(yōu)選在相對(duì)于所述第一頻率的規(guī)定范圍外的頻率及相對(duì)于所述第二頻率的規(guī)定范圍外的頻率下大致短路，且不產(chǎn)生負(fù)性電阻。[0014]所述晶體振蕩器也可還包括絕緣(isolat1n)調(diào)整電路，所述絕緣調(diào)整電路在所述晶體振子與所述第一振蕩電路及所述第二振蕩電路中的至少任一電路之間，用以確保振蕩電路間的絕緣。[0015]所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路也可具有包含多個(gè)電阻的電阻陣列(array)，所述控制電路通過(guò)對(duì)該電阻陣列進(jìn)行控制，而進(jìn)行所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路中的至少任一電路的電阻值的調(diào)整。[0016]所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路也可具有包含多個(gè)電容器的電容器陣列，所述控制電路通過(guò)對(duì)該電容器陣列進(jìn)行控制，而進(jìn)行所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路中的至少任一電路的電容值的調(diào)整。[0017]所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路也可具有可變電容二極管(d1de)，所述控制電路通過(guò)對(duì)該可變電容二極管進(jìn)行控制，而進(jìn)行所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路中的至少任一電路的頻率特性的調(diào)整。[0018]所述第一振蕩電路、所述第二振蕩電路、所述第一阻抗調(diào)整電路、所述第二阻抗調(diào)整電路及所述控制電路也可設(shè)置于集成電路內(nèi)。[0019]所述晶體振蕩器也可還包括如下兩個(gè)電路中的至少任一個(gè)電路:第一濾波器電路，設(shè)置于所述晶體振子與所述第一振蕩電路之間，阻斷所述第二頻率的振蕩信號(hào)；以及第二濾波器電路，設(shè)置于所述晶體振子與所述第二振蕩電路之間，阻斷所述第一頻率的振蕩信號(hào)。[0020]而且，所述晶體振蕩器也可還包括溫度控制電路，所述溫度控制電路對(duì)所述第一頻率及所述第二頻率進(jìn)行檢測(cè)，基于所述第一頻率與所述第二頻率之差，控制所述晶體振子的附近的溫度。[0021]本發(fā)明的制造方法為晶體振蕩器的制造方法，包括:第一步驟，對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路進(jìn)行調(diào)整而調(diào)整所述第一振蕩系統(tǒng)的阻抗；以及第二步驟，對(duì)所述第二阻抗調(diào)整電路進(jìn)行調(diào)整而調(diào)整所述第二振蕩系統(tǒng)的阻抗。[0022]而且，所述第一步驟包括下述步驟:通過(guò)對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路的電阻陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整流經(jīng)所述第一阻抗調(diào)整電路的電流值；以及通過(guò)對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路的電容器陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整所述第一阻抗調(diào)整電路的頻率特性，所述第二步驟包括下述步驟:通過(guò)對(duì)所述第二阻抗調(diào)整電路的電阻陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整流經(jīng)所述第二阻抗調(diào)整電路的電流值；以及通過(guò)對(duì)所述第二阻抗調(diào)整電路的電容器陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整所述第二阻抗調(diào)整電路的頻率特性。[0023][發(fā)明的效果][0024]根據(jù)本發(fā)明，發(fā)揮能夠減小安裝面積并且能夠使輸出信號(hào)穩(wěn)定地振蕩的效果?！靖綀D說(shuō)明】[0025]圖1是第一實(shí)施方式的晶體振蕩器的電路構(gòu)成圖。[0026]圖2A是表示將第一實(shí)施方式的第一阻抗調(diào)整電路中的電容值固定而使電阻值變化時(shí)的負(fù)性電阻特性的圖。[0027]圖2B是表示將第一實(shí)施方式的第一阻抗調(diào)整電路中的電阻值固定而使電容值變化時(shí)的負(fù)性電阻特性的圖。[0028]圖3是第二實(shí)施方式的晶體振蕩器的電路構(gòu)成圖。[0029]圖4是第三實(shí)施方式的晶體振蕩器的電路構(gòu)成圖。[0030]圖5是表示第三實(shí)施方式的第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路的電路構(gòu)成的一例的圖。[0031]圖6是表示第三實(shí)施方式的第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路的電路構(gòu)成的其他例的圖。[0032]圖7是表示第三實(shí)施方式的第一振蕩系統(tǒng)及第二振蕩系統(tǒng)中的負(fù)性電阻特性與晶體振子的阻抗特性的圖。[0033]圖8是第四實(shí)施方式的晶體振蕩器的內(nèi)部的電路構(gòu)成圖。[0034]圖9是表示晶體振蕩器中的信號(hào)路徑的圖。[0035]圖10是表示第四實(shí)施方式的晶體振蕩器的電路阻抗的頻率特性的圖。[0036]圖11是第五實(shí)施方式的晶體振蕩器的內(nèi)部的電路構(gòu)成圖。[0037]圖12是表示輸出兩個(gè)頻率的信號(hào)的現(xiàn)有的晶體振蕩器的構(gòu)成的圖。[0038]圖13是表示使一個(gè)晶體振子以不同的頻率同時(shí)振蕩的晶體振蕩器的構(gòu)成的圖?！揪唧w實(shí)施方式】[0039]〈第一實(shí)施方式〉[0040][晶體振蕩器I的構(gòu)成][0041]圖1是第一實(shí)施方式的晶體振蕩器I的電路構(gòu)成圖。[0042]晶體振蕩器I包括晶體振子12、第一振蕩電路13、第二振蕩電路14、第一阻抗調(diào)整電路17、第二阻抗調(diào)整電路18、控制電路19、第一絕緣調(diào)整電路20、及第二絕緣調(diào)整電路21。[0043]晶體振子12例如為AT切割(cut)的晶體振子或SC切割的晶體振子。[0044]第一振蕩電路13連接于晶體振子12，使晶體振子12以第一頻率振蕩而產(chǎn)生第一振蕩信號(hào)。[0045]第二振蕩電路14連接于晶體振子12，使晶體振子12以與第一頻率不同的第二頻率振蕩而產(chǎn)生第二振蕩信號(hào)。[0046]此處，將具有晶體振子12與第一振蕩電路13且產(chǎn)生第一振蕩信號(hào)的電路稱作第一振蕩系統(tǒng)，將具有晶體振子12與第二振蕩電路14且產(chǎn)生第二振蕩信號(hào)的電路稱作第二振蕩系統(tǒng)。[0047]在晶體振子12為AT切割的晶體振子的情況下，第一頻率為使晶體振子12以第一次數(shù)振蕩時(shí)的頻率，第二頻率為使晶體振子12以與第一次數(shù)不同的第二次數(shù)振蕩時(shí)的頻率。此處，第一次數(shù)及第二次數(shù)為晶體振子12的諧波(overtone)次數(shù)，第一頻率及第二頻率中的任一頻率也可為基本頻率。[0048]而且，在晶體振子12為SC切割的晶體振子的情況下，第一頻率為使晶體振子12以第一模式(例如B模式)振蕩時(shí)的頻率，第二頻率為使晶體振子12以第二模式(例如C模式)振蕩時(shí)的頻率。[0049]第一阻抗調(diào)整電路17設(shè)置于晶體振子12與第一振蕩電路13之間，對(duì)第一振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整。[0050]第二阻抗調(diào)整電路18設(shè)置于晶體振子12與第二振蕩電路14之間，對(duì)第二振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整。[0051]第一阻抗調(diào)整電路17及第二阻抗調(diào)整電路18具有:包含多個(gè)電阻的電阻陣列，及包含多個(gè)電容器的電容器陣列。[0052]控制電路19連接于第一阻抗調(diào)整電路17與第二阻抗調(diào)整電路18，對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17及第二阻抗調(diào)整電路18進(jìn)行控制?？刂齐娐?9在晶體振蕩器I的制造時(shí)，執(zhí)行如下步驟，即，對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17進(jìn)行調(diào)整而調(diào)整第一振蕩系統(tǒng)的阻抗的第一步驟，及對(duì)第二阻抗調(diào)整電路18進(jìn)行調(diào)整而調(diào)整第二振蕩系統(tǒng)的阻抗的第二步驟。[0053]具體來(lái)說(shuō)，作為第一步驟中的控制，控制電路19執(zhí)行下述步驟:通過(guò)對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17的電阻陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整流經(jīng)第一阻抗調(diào)整電路17的電流值;及通過(guò)對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17的電容器陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整第一阻抗調(diào)整電路17的頻率特性。[0054]而且，作為第二步驟中的控制，控制電路19執(zhí)行下述步驟:通過(guò)對(duì)第二阻抗調(diào)整電路18的電阻陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整流經(jīng)第二阻抗調(diào)整電路18的電流值;及通過(guò)對(duì)第二阻抗調(diào)整電路18的電容器陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整第二阻抗調(diào)整電路18的頻率特性。[0055]以下，關(guān)于控制電路19的具體的控制方法，使用控制電路19對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17進(jìn)行控制的示例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。另外，控制電路19利用與控制第一阻抗調(diào)整電路17的情況相同的控制方法，來(lái)對(duì)第二阻抗調(diào)整電路18進(jìn)行控制，因而關(guān)于控制電路19對(duì)第二阻抗調(diào)整電路18進(jìn)行控制的示例將省略說(shuō)明。[0056]首先，控制電路19將第一阻抗調(diào)整電路17內(nèi)的電容值固定，對(duì)電阻陣列進(jìn)行控制，由此使第一阻抗調(diào)整電路17內(nèi)的電阻值變化，而使第一振蕩系統(tǒng)的負(fù)性電阻特性變化。具體來(lái)說(shuō)，控制電路19具有寄存器(register)，該寄存器中存儲(chǔ)著將第一阻抗調(diào)整電路17的電阻陣列的電阻值與流經(jīng)第一阻抗調(diào)整電路17的電流建立關(guān)聯(lián)所得的表格(table)。然后，控制電路19基于該表格來(lái)進(jìn)行電阻陣列的電阻值的步驟切換，由此對(duì)流經(jīng)第一阻抗調(diào)整電路17的電流值進(jìn)行切換。而且，控制電路19在第一振蕩系統(tǒng)中，以第一頻率的信號(hào)發(fā)生振蕩的方式對(duì)負(fù)性電阻特性進(jìn)行調(diào)整。[0057]圖2A是表示將第一實(shí)施方式的第一阻抗調(diào)整電路17中的電容值固定而使電阻值變化時(shí)的負(fù)性電阻特性的圖。圖2A中由實(shí)線所示的特性表示將第一阻抗調(diào)整電路17的電阻值設(shè)為第一電阻值時(shí)的負(fù)性電阻特性，由虛線所示的特性表示設(shè)為第二電阻值時(shí)的負(fù)性電阻特性，點(diǎn)線所示的特性表示設(shè)為第三電阻值時(shí)的負(fù)性電阻特性，單點(diǎn)劃線所示的特性表示設(shè)為第四電阻值時(shí)的負(fù)性電阻特性。如圖2A所示，可通過(guò)使電阻值變化，來(lái)確認(rèn)負(fù)性電阻為負(fù)值的頻率發(fā)生變化。[0058]例如，在從第一振蕩電路13輸出的第一振蕩信號(hào)的第一頻率為20MHz附近的情況下，控制電路19確定與20MHz時(shí)負(fù)性電阻的值顯示負(fù)值的第一電阻值對(duì)應(yīng)的電阻的組合。據(jù)此，控制電路19能夠在第一頻率附近將負(fù)性電阻調(diào)整為負(fù)值。[0059]然后，控制電路19以所確定的電阻的組合將電阻陣列固定，對(duì)電容器陣列進(jìn)行控制，由此使第一阻抗調(diào)整電路17內(nèi)的電容值變化，使負(fù)性電阻的頻率特性變化。具體來(lái)說(shuō)，控制電路19將如下表格存儲(chǔ)在寄存器中，該表格是將第一阻抗調(diào)整電路17的電容器陣列的電容值與流經(jīng)第一阻抗調(diào)整電路17的電流建立關(guān)聯(lián)所得。然后，控制電路19基于該表格進(jìn)行電容器陣列的電容值的步驟切換，由此切換第一阻抗調(diào)整電路17的電容值。由此，控制電路19對(duì)第一頻率附近的第一振蕩系統(tǒng)的負(fù)性電阻的深度進(jìn)行調(diào)整。[0060]圖2B是表示將第一實(shí)施方式的第一阻抗調(diào)整電路17中的電阻值固定，而使電容值變化時(shí)的負(fù)性電阻特性的圖。圖2B中由實(shí)線所示的特性表示將第一阻抗調(diào)整電路17的電容值設(shè)為第一電容值時(shí)的負(fù)性電阻特性，虛線所示的特性表示設(shè)為第二電容值時(shí)的負(fù)性電阻特性，點(diǎn)線所示的特性表示設(shè)為第三電容值時(shí)的負(fù)性電阻特性，單點(diǎn)劃線所示的特性表示設(shè)為第四電容值時(shí)的負(fù)性電阻特性。如圖2B所示，通過(guò)使電容值變化，能夠確認(rèn)負(fù)性電阻為負(fù)值的頻率幾乎未變化，負(fù)性電阻的值的大小發(fā)生了變化。圖2B中，通過(guò)使電容值變化，能夠確認(rèn)20MHz附近的負(fù)性電阻的大小大幅地發(fā)生了變化。[0061]例如，在從第一振蕩電路13輸出的第一振蕩信號(hào)的第一頻率為20MHz附近的情況下，控制電路19以即便在20MHz下頻率發(fā)生變化，負(fù)性電阻也不會(huì)急劇變化的方式，確定與第二電容值對(duì)應(yīng)的電容器的組合。據(jù)此，控制電路19能夠以在第一頻率附近負(fù)性電阻不會(huì)大幅變化的方式進(jìn)行調(diào)整。另外，控制電路19也可通過(guò)對(duì)電容器陣列進(jìn)行控制，而確定第一頻率下穩(wěn)定地振蕩的電容的多個(gè)組合，并從所確定的電容的組合中選擇一個(gè)組合。[0062]而且，設(shè)為第一阻抗調(diào)整電路17及第二阻抗調(diào)整電路18具備電容器陣列，但不限于此，也可具有可變電容二極管。該情況下，控制電路19通過(guò)對(duì)該可變電容二極管進(jìn)行控制，而調(diào)整第一阻抗調(diào)整電路17及第二阻抗調(diào)整電路18中的至少任一電路的阻抗。[0063]第一絕緣調(diào)整電路20設(shè)置于晶體振子12與第一阻抗調(diào)整電路17之間，確保振蕩電路間的絕緣。[0064]具體來(lái)說(shuō)，第一絕緣調(diào)整電路20具備電容器201、電阻202、電容器203、及電阻204。電容器201與電阻202串聯(lián)連接，且連接于晶體振子12的一端與第一阻抗調(diào)整電路17的一端。電容器203與電阻204串聯(lián)連接，且連接于晶體振子12的另一端與第一阻抗調(diào)整電路17的另一端。[0065]第二絕緣調(diào)整電路21設(shè)置于晶體振子12與第二阻抗調(diào)整電路18之間，確保振蕩電路間的絕緣。[0066]具體來(lái)說(shuō)，第二絕緣調(diào)整電路21具備電容器211、電阻212、電容器213、及電阻214。電容器211與電阻212串聯(lián)連接，且連接于晶體振子12的一端與電容器201之間的連接點(diǎn)和第二阻抗調(diào)整電路18的一端。電容器213與電阻214串聯(lián)連接，且連接于晶體振子12的另一端與電容器203之間的連接點(diǎn)和第二阻抗調(diào)整電路18的另一端。[0067]此處，第一絕緣調(diào)整電路20及第二絕緣調(diào)整電路21的電容值及電阻值根據(jù)第一振蕩信號(hào)及第二振蕩信號(hào)的用途來(lái)進(jìn)行調(diào)整。例如，第一實(shí)施方式中，第一振蕩信號(hào)為輸出至外部的振蕩信號(hào)，在要求高穩(wěn)定性的情況下，通過(guò)對(duì)第一絕緣調(diào)整電路20的電容值進(jìn)行調(diào)整而確保絕緣。該情況下，也可不在第一絕緣調(diào)整電路20設(shè)置電阻。而且，在第二振蕩信號(hào)為不可容許特性的劣化的振蕩信號(hào)的情況下，通過(guò)對(duì)第二絕緣調(diào)整電路21的電阻值進(jìn)行調(diào)整而確保絕緣。[0068]這樣，通過(guò)設(shè)置第一絕緣調(diào)整電路20及第二絕緣調(diào)整電路21，在各個(gè)振蕩系統(tǒng)中，能夠不易受到其他振蕩系統(tǒng)的影響而穩(wěn)定地輸出振蕩信號(hào)。[0069][第一實(shí)施方式的效果][0070]如以上，第一實(shí)施方式的晶體振蕩器I包括:對(duì)第一振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整的第一阻抗調(diào)整電路17，對(duì)第二振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整的第二阻抗調(diào)整電路18，及對(duì)第一阻抗調(diào)整電路17及第二阻抗調(diào)整電路18進(jìn)行控制的控制電路19。據(jù)此，能夠?qū)⒏鱾€(gè)振蕩系統(tǒng)中的負(fù)性電阻調(diào)整為適當(dāng)?shù)闹?，且使一個(gè)晶體振子12以兩個(gè)頻率同時(shí)穩(wěn)定地振蕩。而且，因利用一個(gè)晶體振子12使輸出信號(hào)振蕩，所以能夠減小安裝面積。[0071]〈第二實(shí)施方式〉[0072][使振蕩電路、阻抗調(diào)整電路及控制電路集成電路化][0073]然后，對(duì)第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。第二實(shí)施方式在將振蕩電路、阻抗調(diào)整電路及控制電路設(shè)置于集成電路的方面與第一實(shí)施方式不同，其他方面相同。[0074]圖3是第二實(shí)施方式的晶體振蕩器I的電路構(gòu)成圖。第二實(shí)施方式中，晶體振蕩器I還包括集成電路30。第二實(shí)施方式中，第一振蕩電路13、第二振蕩電路14、第一阻抗調(diào)整電路17、第二阻抗調(diào)整電路18及控制電路19設(shè)置于集成電路30內(nèi)。[0075]據(jù)此，相比于第一實(shí)施方式，晶體振蕩器I能夠?qū)崿F(xiàn)更小型化。[0076]〈第三實(shí)施方式〉[0077][具備負(fù)性電阻產(chǎn)生電路][0078]然后，對(duì)第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。第三實(shí)施方式在相對(duì)于各振蕩系統(tǒng)具備負(fù)性電阻產(chǎn)生電路方面與第一實(shí)施方式不同，其他方面相同。[0079]圖4是第三實(shí)施方式的晶體振蕩器I的電路構(gòu)成圖。第三實(shí)施方式中，晶體振蕩器I還包括第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23。另外，晶體振蕩器I也可具備第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23中的任一電路。[0080]而且，晶體振蕩器I也可與第二實(shí)施方式同樣地，將第一振蕩電路13、第二振蕩電路14、第一阻抗調(diào)整電路17、第二阻抗調(diào)整電路18及控制電路19設(shè)置于集成電路。而且，晶體振蕩器I也可將第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23設(shè)置于集成電路。據(jù)此，能夠進(jìn)一步減小安裝面積。[0081]第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22設(shè)置于晶體振子12與第一振蕩電路13之間，在第一頻率下為高阻抗，使第一振蕩系統(tǒng)產(chǎn)生負(fù)性電阻。而且，第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22在相對(duì)于第一頻率的規(guī)定范圍外的頻率下大致為短路狀態(tài)。由此，第一振蕩系統(tǒng)中，在相對(duì)于第一頻率的規(guī)定范圍外的頻率下幾乎不產(chǎn)生負(fù)性電阻。[0082]第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23設(shè)置于晶體振子12與第二振蕩電路14之間，在第二頻率下為高阻抗，使第二振蕩系統(tǒng)產(chǎn)生負(fù)性電阻。而且，第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23在相對(duì)于第二頻率的規(guī)定范圍外的頻率下大致為短路狀態(tài)。由此，第二振蕩系統(tǒng)中，在相對(duì)于第二頻率的規(guī)定范圍外的頻率下幾乎不產(chǎn)生負(fù)性電阻。[0083]圖5是表示第三實(shí)施方式的第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23的電路構(gòu)成的一例的圖。第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22具有電容器221、電容器222、電容器223、電阻224、及電感器225。電容器221、電容器222及電容器223串聯(lián)連接，且一端連接于晶體振子12的一端與第一阻抗調(diào)整電路17的一端之間，另一端連接于晶體振子12的另一端與第一阻抗調(diào)整電路17的另一端之間。電阻224及電感器225并聯(lián)連接于電容器222。第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23因與第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22為相同的構(gòu)成，所以省略說(shuō)明。[0084]另外，第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23也可為與圖5所述的電路構(gòu)成不同的電路構(gòu)成。圖6是表示第三實(shí)施方式的第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23的電路構(gòu)成的另一例的圖。圖6所示的示例中，第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22具有電容器221、電容器223、電容器226、電容器227、電感器228、及電阻229。電容器227、電感器228及電阻229串聯(lián)連接。電容器226與串聯(lián)連接的電容器227、電感器228及電阻229形成并聯(lián)電路。該并聯(lián)電路的一端連接于電容器221，另一端連接于電容器223。而且，電容器221連接于晶體振子12的一端與第一阻抗調(diào)整電路17的一端之間，電容器223連接于晶體振子12的另一端與第一阻抗調(diào)整電路17的另一端之間。[0085]如圖5及圖6所示，第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22具有電感器225或電感器228，因而可進(jìn)一步提高各振蕩電路的絕緣。由此，晶體振蕩器I中，即便晶體振子12為SC切割，也能夠穩(wěn)定地輸出與C模式對(duì)應(yīng)的第一振蕩信號(hào)及與B模式對(duì)應(yīng)的第二振蕩信號(hào)。[0086]圖7是表示第三實(shí)施方式的第一振蕩系統(tǒng)及第二振蕩系統(tǒng)中的負(fù)性電阻特性、與晶體振子12的阻抗特性的圖。圖7中，實(shí)線所示的特性表示從晶體振子12觀察時(shí)的電路側(cè)的合成阻抗的特性，虛線所示的特性表示同樣地從晶體振子12觀察時(shí)的電路側(cè)的負(fù)性電阻特性。此處，設(shè)為第一振蕩系統(tǒng)中輸出的第一振蕩信號(hào)的第一頻率為30MHz附近的虛線所包圍的范圍的頻率，第二振蕩系統(tǒng)中輸出的第二振蕩信號(hào)的第二頻率為14MHz附近的虛線所包圍的范圍的頻率。[0087]如圖7所示，能夠確認(rèn)在30MHz附近，負(fù)性電阻顯示負(fù)值，進(jìn)而，晶體振子12的阻抗為高阻抗而滿足振蕩條件。而且，能夠確認(rèn)在相對(duì)于第一頻率的規(guī)定范圍以外的頻率下幾乎不產(chǎn)生負(fù)性電阻。[0088]而且，能夠確認(rèn)在14MHz附近，負(fù)性電阻也顯示負(fù)值，進(jìn)而，晶體振子12的阻抗為高阻抗而滿足振蕩條件。而且，能夠確認(rèn)在相對(duì)于第二頻率的規(guī)定范圍以外的頻率下幾乎不產(chǎn)生負(fù)性電阻。[0089][第三實(shí)施方式的效果][0090]如以上，第三實(shí)施方式的晶體振蕩器I具備第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路22及第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路23，由此能夠在各個(gè)振蕩系統(tǒng)中的振蕩頻率下產(chǎn)生負(fù)性電阻，在與該振蕩頻率對(duì)應(yīng)的規(guī)定范圍以外的頻率下不產(chǎn)生負(fù)性電阻。由此，在各個(gè)振蕩系統(tǒng)中，能夠進(jìn)一步穩(wěn)定地輸出振蕩信號(hào)。[0091]〈第四實(shí)施方式〉[0092][具備濾波器電路][0093]然后，對(duì)第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。第四實(shí)施方式的晶體振蕩器I中，各個(gè)振蕩系統(tǒng)在分別具備阻斷在其他振蕩系統(tǒng)中輸出的振蕩信號(hào)的濾波器電路的方面與第一實(shí)施方式的晶體振蕩器I不同，在其他方面相同。[0094]圖8是第四實(shí)施方式的晶體振蕩器I的內(nèi)部的電路構(gòu)成圖。第四實(shí)施方式中，晶體振蕩器I還包括第一濾波器電路24、及第二濾波器電路25。另外，晶體振蕩器I也可包括第一濾波器電路24及第二濾波器電路25中的任一濾波器電路。[0095]而且，晶體振蕩器I與第二實(shí)施方式同樣地，也可將第一振蕩電路13、第二振蕩電路14、第一阻抗調(diào)整電路17、第二阻抗調(diào)整電路18及控制電路19設(shè)置于集成電路內(nèi)。而且，晶體振蕩器I也可將第一濾波器電路24及第二濾波器電路25設(shè)置于集成電路內(nèi)。[0096]第一濾波器電路24設(shè)置于晶體振子12與第一振蕩電路13之間，阻斷第二頻率的第二振蕩信號(hào)。具體來(lái)說(shuō)，第一濾波器電路24具備電感器241、電容器242、電感器243、及電容器244。電感器241與電容器242設(shè)置于晶體振子12的一端與第一阻抗調(diào)整電路17的一端之間，所述電感器241及電容器242并聯(lián)連接。電感器243與電容器244設(shè)置于晶體振子12的另一端與第一阻抗調(diào)整電路17的另一端之間，所述電感器243及電容器244并聯(lián)連接。第一濾波器電路24是共振頻率為第二頻率且第二頻率下的阻抗高的濾波器電路。[0097]第二濾波器電路25設(shè)置于晶體振子12與第二振蕩電路14之間，阻斷第一頻率的第一振蕩信號(hào)。具體來(lái)說(shuō)，第二濾波器電路25具備電感器251、電容器252、電感器253、及電容器254。電感器251與電容器252設(shè)置于晶體振子12的一端與第二阻抗調(diào)整電路18的一端之間，所述電感器251及電容器252并聯(lián)連接。電感器253與電容器254設(shè)置于晶體振子12的另一端與第二阻抗調(diào)整電路18的另一端之間，所述電感器253及電容器254并聯(lián)連接。第二濾波器電路25是共振頻率為第一頻率且第一頻率下的阻抗高的濾波器電路。[0098]圖9是表示晶體振蕩器I中的信號(hào)路徑的圖。圖10是表示晶體振蕩器I中的電路阻抗的頻率特性的圖。另外，圖9中，省略第一阻抗調(diào)整電路17、第二阻抗調(diào)整電路18、第一絕緣調(diào)整電路20、及第二絕緣調(diào)整電路21。[0099]如圖9所示，晶體振蕩器I對(duì)于一個(gè)晶體振子12連接有第一振蕩電路13與第二振蕩電路14，因而作為從晶體振子12觀察時(shí)的信號(hào)路徑，存在第一路徑及第二路徑。[0100]例如，第一濾波器電路24因第二頻率f2下的阻抗高，所以在從第二振蕩電路14輸出第二頻率f2的第二振蕩信號(hào)的情況下，第一路徑中不流動(dòng)第二振蕩信號(hào)。由此，晶體振蕩器I的信號(hào)路徑中的第二路徑為支配性。因此，第一濾波器電路24設(shè)置于第一振蕩電路13側(cè)，由此能夠防止第一振蕩電路13以第二頻率f2振蕩，提高第一振蕩電路13的振蕩的穩(wěn)定度。[0101]而且，第二濾波器電路25因第一頻率fl下的阻抗高，所以在從第一振蕩電路13輸出第一頻率fl的第一振蕩信號(hào)的情況下，第二路徑中不流動(dòng)第一振蕩信號(hào)。由此，晶體振蕩器I的信號(hào)路徑中的第一路徑為支配性。因此，通過(guò)將第二濾波器電路25設(shè)置于第二振蕩電路14側(cè)，防止第一■振蕩電路14以第一頻率fI振蕩，能夠提尚第一■振蕩電路14的振蕩的穩(wěn)定度。[0102]另外，本實(shí)施方式中，第一濾波器電路24具備電感器241、電容器242、電感器243、及電容器244，但不限于此。第一濾波器電路24也可具備包含電感器241及電容器242的并聯(lián)電路、及包含電感器243及電容器244的并聯(lián)電路中的任一電路。[0103]而且，本實(shí)施方式中，第二濾波器電路25具備電感器251、電容器252、電感器253、及電容器254，但并不限于此。第二濾波器電路25也可具備包含電感器251及電容器252的并聯(lián)電路、及包含電感器253及電容器254的并聯(lián)電路中的任一電路。[0104]而且，也可使用控制電路來(lái)調(diào)整第一濾波器電路24及第二濾波器電路25的特性。例如，也可代替各個(gè)電容器242、電容器244、電容器252及電容器254，而分別設(shè)置包含多個(gè)電容器的電容器陣列，利用該控制電路對(duì)這些電容器陣列進(jìn)行控制，由此調(diào)整第一濾波器電路24及第二濾波器電路25中的電容值。據(jù)此，能夠調(diào)整第一濾波器電路24及第二濾波器電路25的Q值。[0105][第四實(shí)施方式的效果][0106]如以上，第四實(shí)施方式的晶體振蕩器I具備第一濾波器電路24及第二濾波器電路25，由此在各個(gè)振蕩系統(tǒng)中輸出振蕩信號(hào)的情況下，能夠防止其他振蕩系統(tǒng)中流動(dòng)振蕩信號(hào)，在各個(gè)振蕩系統(tǒng)中進(jìn)一步穩(wěn)定地輸出振蕩信號(hào)。[0107]〈第五實(shí)施方式〉[0108]圖11是第五實(shí)施方式的晶體振蕩器2的內(nèi)部的電路構(gòu)成圖。晶體振蕩器2具有收容第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式中的任一實(shí)施方式的晶體振蕩器I的電路的恒溫槽U。圖11所示的晶體振蕩器2中，也可在恒溫槽11中收容第一實(shí)施方式的晶體振蕩器1、溫度控制電路31及存儲(chǔ)部32，在恒溫槽11的外部設(shè)置對(duì)恒溫槽11進(jìn)行加熱的加熱器電路33。晶體振蕩器2基于從第一振蕩電路13輸出的第一振蕩信號(hào)的第一頻率與從第二振蕩電路14輸出的第二振蕩信號(hào)的第二頻率之差，來(lái)進(jìn)行溫度控制，就該方面而言與第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的晶體振蕩器I不同。[0109]溫度控制電路31通過(guò)對(duì)加熱器電路33的加熱量進(jìn)行控制，來(lái)控制恒溫槽11的溫度。具體來(lái)說(shuō)，溫度控制電路31連接于第一振蕩電路13及第二振蕩電路14，對(duì)第一頻率及第二頻率進(jìn)行檢測(cè)，并確定第一頻率與第二頻率之差。溫度控制電路31基于經(jīng)確定的頻率之差而控制加熱器電路33的加熱量并對(duì)恒溫槽11進(jìn)行加熱，從而對(duì)恒溫槽11內(nèi)的晶體振子12的附近的溫度進(jìn)行控制。[0110]更具體來(lái)說(shuō)，溫度控制電路31將第一頻率與第二頻率之差的實(shí)測(cè)值、與第一頻率與第二頻率之差的目標(biāo)值進(jìn)行比較，該目標(biāo)值存儲(chǔ)于包含電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory，EEPR0M)等存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)部32中。溫度控制電路31以實(shí)測(cè)值與目標(biāo)值之差減小的方式，對(duì)加熱器電路33的加熱量進(jìn)行控制。圖11所示的示例中，第一振蕩信號(hào)被輸入到溫度控制電路31，并且輸出到恒溫槽11的外部，第二振蕩信號(hào)為了用于溫度控制而被輸入到溫度控制電路31。據(jù)此，晶體振蕩器2能夠提高第一振蕩信號(hào)的第一頻率的精度，從而提高第一振蕩信號(hào)的頻率溫度特性。[0111]另外，晶體振蕩器2也可將第二振蕩信號(hào)輸出到恒溫槽11的外部。而且，所述說(shuō)明中，在恒溫槽11的內(nèi)部設(shè)置著溫度控制電路31及存儲(chǔ)部32，溫度控制電路31及存儲(chǔ)部32也可設(shè)置于恒溫槽11的外部。而且，晶體振蕩器2也可不具備恒溫槽11。[0112][第五實(shí)施方式的效果][0113]如以上，第五實(shí)施方式的晶體振蕩器2的溫度控制電路31基于從第一振蕩電路13輸出的第一振蕩信號(hào)的第一頻率、與從第二振蕩電路14輸出的第二振蕩信號(hào)的第二頻率之差，來(lái)對(duì)加熱器電路33的發(fā)熱量進(jìn)行控制，由此對(duì)晶體振子12附近的溫度進(jìn)行控制，從而能夠使第一頻率及第二頻率對(duì)應(yīng)所需的頻率。因此，晶體振蕩器2能夠減小安裝面積，并且即便在周?chē)鷾囟劝l(fā)生了變動(dòng)的情況下也能夠使輸出信號(hào)穩(wěn)定地發(fā)生振蕩。[0114]以上，使用實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于所述實(shí)施方式記載的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員明白能夠在所述實(shí)施方式中添加各種變更或改良。根據(jù)權(quán)利要求的記載而明了，添加了此種變更或改良的形態(tài)也可包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。[0115][符號(hào)的說(shuō)明][0116]1:晶體振湯器[0117]2:晶體振湯器[0118]11:恒溫槽[0119]]2:晶體振子[0120]13:第一振蕩電路[0121]14:第二振蕩電路[0122]17:第一阻抗調(diào)整電路[0123]18:第二阻抗調(diào)整電路[0124]19:控制電路[0125]20:第一絕緣電路[0126]201:電容器[0127]202:電阻[0128]203:電容器[0129]204:電阻[0130]21:第二絕緣電路[0131]211:電容器[0132]212:電阻[0133]213:電容器[0134]214:電阻[0135]22:第一負(fù)性電阻產(chǎn)生電路[0136]221:電容器[0137]222:電容器[0138]223:電容器[0139]224:電阻[0140]225:電感器[0141]226:電容器[0142]227:電容器[0143]228:電感器[0144]229:電阻[0145]23:第二負(fù)性電阻產(chǎn)生電路[0146]231:電容器[0147]232:電容器[0148]233:電容器[0149]234:電阻[0150]235:電感器[0151]236:電容器[0152]237:電容器[0153]238:電感器[0154]239:電阻[0155]24:第一濾波器電路[0156]241:電感器[0157]242:電容器[0158]243:電感器[0159]244:電容器[0160]25:第二濾波器電路[0161]251:電感器[0162]252:電容器[0163]253:電感器[0164]254:電容器[0165]30:集成電路[0166]31:溫度控制電路[0167]32:存儲(chǔ)部[0168]33:加熱器電路[0169]100:現(xiàn)有的晶體振蕩器[0170]101:晶體振子[0171]102:第一振蕩電路[0172]103:晶體振子[0173]104:第二振蕩電路[0174]110:晶體振湯器[0175]111:晶體振子[0176]112:第一振蕩電路[0177]113:第二振蕩電路【主權(quán)項(xiàng)】1.一種晶體振蕩器，包括:晶體振子；第一振蕩電路，使所述晶體振子以第一頻率振蕩；第一阻抗調(diào)整電路，對(duì)具有所述晶體振子與所述第一振蕩電路的第一振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整；第二振蕩電路，使所述晶體振子以與所述第一頻率不同的第二頻率振蕩；第二阻抗調(diào)整電路，對(duì)具有所述晶體振子與所述第二振蕩電路的第二振蕩系統(tǒng)的阻抗進(jìn)行調(diào)整；以及控制電路，對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路進(jìn)行控制。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，還包括負(fù)性電阻產(chǎn)生電路，所述負(fù)性電阻產(chǎn)生電路在所述晶體振子與所述第一振蕩電路及所述第二振蕩電路中的至少任一電路之間，在所述第一頻率及所述第二頻率中的任一頻率下，相對(duì)于所述第一振蕩系統(tǒng)或所述第二振蕩系統(tǒng)產(chǎn)生負(fù)性電阻。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體振蕩器，其中所述負(fù)性電阻產(chǎn)生電路在所述第一頻率及所述第二頻率中的任一頻率下為高阻抗。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶體振蕩器，其中所述負(fù)性電阻產(chǎn)生電路在相對(duì)于所述第一頻率的規(guī)定范圍外的頻率及相對(duì)于所述第二頻率的規(guī)定范圍外的頻率下大致短路，且不產(chǎn)生負(fù)性電阻。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，還包括絕緣調(diào)整電路，所述絕緣調(diào)整電路在所述晶體振子與所述第一振蕩電路及所述第二振蕩電路中的至少任一電路之間，用以確保振蕩電路間的絕緣。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，其中所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路具有包含多個(gè)電阻的電阻陣列，所述控制電路通過(guò)對(duì)所述電阻陣列進(jìn)行控制，而進(jìn)行所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路中的至少任一電路的電阻值的調(diào)整。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，其中所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路具有包含多個(gè)電容器的電容器陣列，所述控制電路通過(guò)對(duì)所述電容器陣列進(jìn)行控制，而進(jìn)行所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路中的至少任一電路的電容值的調(diào)整。8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，其中所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路具有可變電容二極管，所述控制電路通過(guò)對(duì)所述可變電容二極管進(jìn)行控制，而進(jìn)行所述第一阻抗調(diào)整電路及所述第二阻抗調(diào)整電路中的至少任一電路的頻率特性的調(diào)整。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，其中所述第一振蕩電路、所述第二振蕩電路、所述第一阻抗調(diào)整電路、所述第二阻抗調(diào)整電路及所述控制電路設(shè)置于集成電路內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，還包括如下兩個(gè)電路中的至少任一個(gè)電路:第一濾波器電路，設(shè)置于所述晶體振子與所述第一振蕩電路之間，阻斷所述第二頻率的振蕩信號(hào)；以及第二濾波器電路，設(shè)置于所述晶體振子與所述第二振蕩電路之間，阻斷所述第一頻率的振蕩信號(hào)。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器，還包括溫度控制電路，所述溫度控制電路對(duì)所述第一頻率及所述第二頻率進(jìn)行檢測(cè)，基于所述第一頻率與所述第二頻率之差，控制所述晶體振子的附近的溫度。12.—種晶體振蕩器的制造方法，是根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的晶體振蕩器的制造方法，包括:第一步驟，對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路進(jìn)行調(diào)整而調(diào)整所述第一振蕩系統(tǒng)的阻抗；以及第二步驟，對(duì)所述第二阻抗調(diào)整電路進(jìn)行調(diào)整而調(diào)整所述第二振蕩系統(tǒng)的阻抗。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶體振蕩器的制造方法，其中所述第一步驟包括下述步驟:通過(guò)對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路的電阻陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整流經(jīng)所述第一阻抗調(diào)整電路的電流值；以及通過(guò)對(duì)所述第一阻抗調(diào)整電路的電容器陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整所述第一阻抗調(diào)整電路的頻率特性，所述第二步驟包括下述步驟:通過(guò)對(duì)所述第二阻抗調(diào)整電路的電阻陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整流經(jīng)所述第二阻抗調(diào)整電路的電流值；以及通過(guò)對(duì)所述第二阻抗調(diào)整電路的電容器陣列進(jìn)行控制，而調(diào)整所述第二阻抗調(diào)整電路的頻率特性。【文檔編號(hào)】H03B5/32GK105850035SQ201580003430【公開(kāi)日】2016年8月10日【申請(qǐng)日】2015年3月3日【發(fā)明人】中岡高司,赤池和男,星上浩,小林薫【申請(qǐng)人】日本電波工業(yè)株式會(huì)社