一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明為一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器，涉及通信【技術(shù)領(lǐng)域】。所述具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器包括一個叉指換能柵陣和兩個反射柵陣，這兩個反射柵陣分別位于叉指換能柵陣的兩側(cè)，為了提高阻抗元型聲表面波濾波器的抗靜電燒毀能力，本發(fā)明將等效電阻并聯(lián)與叉指換能柵陣并聯(lián)，以達(dá)到給叉指換能柵陣分流的作用，從而起到保護(hù)叉指換能柵陣的作用。
【專利說明】一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種具有十分強(qiáng)的抗靜電燒毀能力的阻抗元型聲表面波濾波器。

【背景技術(shù)】
[0002]聲表面波濾波器(SAWF: Surface Acoustic Wave Filter)廣泛的應(yīng)用在射頻移動通信中，隨著第四代移動通信(4G)時代的來臨，移動基站中使用的聲表面波濾波器的頻率也提升到了 2595MHZ。高頻化是移動通信發(fā)展的趨勢要求，然而SAWF本身是靜電易損器件，且隨著頻率的升高，聲表面波濾波器越容易在生產(chǎn)和使用的過程中因靜電而導(dǎo)致其關(guān)鍵部件叉指換能柵陣(IDT)的燒毀，進(jìn)而導(dǎo)致器件聲表面波濾波器失效。因此，如何在高頻化的趨勢下，盡可能的改善和提高聲表面波濾波器的抗靜電燒毀的能力，成為了行業(yè)內(nèi)迫切需要解決的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提出一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器；該種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器采用的技術(shù)方案中，將由反射柵陣構(gòu)成的等效電阻以并聯(lián)的方式電性能連接于叉指換能柵陣，起到分流的作用，從而極大地提高了聲表面波濾波器的抗靜電能力。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明為一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器，包括一個叉指換能柵陣和兩個反射柵陣，這兩個反射柵陣分別位于叉指換能柵陣的兩側(cè)。
[0005]在將等效電阻以并聯(lián)的方式電性能連接于叉指換能柵陣時，有三種較優(yōu)的方式: 第一種較優(yōu)的方式，將上述的兩個反射柵陣各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻，由這兩個反射柵陣各自構(gòu)成的兩個等效電阻，其都與所述的叉指換能柵陣以并聯(lián)的方式電性能連接。
[0006]第二種較優(yōu)的方式，再增加額外的兩個反射柵陣，這兩個反射柵陣各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻；由這兩個反射柵陣各自構(gòu)成的兩個等效電阻，其分別位于叉指換能柵陣的兩側(cè)，且都與叉指換能柵陣以并聯(lián)的方式電性能連接。
[0007]第三種較優(yōu)的方式，也同第二種較優(yōu)的方式一樣，再增加額外的兩個反射柵陣，這兩個額外的反射柵陣分別位于上述的叉指換能柵陣的兩側(cè)；這樣，一共具有四個反射柵陣，這四個反射柵陣各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻；由這四個反射柵陣各自構(gòu)成的四個等效電阻中，位于叉指換能柵陣同側(cè)的兩個等效電阻互相以串聯(lián)的方式電性能連接后，此互相串聯(lián)的兩個等效電阻形成的電氣結(jié)構(gòu)再與叉指換能柵陣以并聯(lián)的方式電性能連接。
[0008]本發(fā)明的有益效果:
在充分考慮到原來阻抗元型聲表面波濾波器的設(shè)計下，將阻抗元型聲表面波濾波器中的反射柵陣的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻，再將此等效電阻并聯(lián)于阻抗元型聲表面波濾波器中的叉指換能柵陣，在不增加阻抗元型聲表面波濾波器尺寸的情況下，對高頻下可能產(chǎn)生的高靜電導(dǎo)致的電流，起到分流的作用，減少了高靜電導(dǎo)致的電流對叉指換能柵陣的破壞，極大地提高了聲表面波濾波器的抗靜電能力，尤其是在高頻的情況下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為阻抗元型聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為叉指換能柵陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為并聯(lián)電路中小大電阻電流分流示意圖；
圖4為等效電阻示意圖；
圖5為實施例一；
圖6為實施例二；
圖7為實施例三。

【具體實施方式】
[0010]為了更好地說明本發(fā)明，現(xiàn)結(jié)合實施例與附圖作進(jìn)一步說明。
[0011]本發(fā)明為一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器。
[0012]如圖1所示，為阻抗元型聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)，其包括一個叉指換能柵陣I和兩個反射柵陣2、3。這兩個反射柵陣2、3位于叉指換能柵陣I的兩側(cè)，即這兩個反射柵陣
2、3將叉指換能柵陣I夾在中間。
[0013]如上所述，本發(fā)明為一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器，故其也具備如圖1所示的阻抗元型聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用阻抗元型聲表面波濾波器的原因是，相比縱向耦合模式等聲表面波濾波器，阻抗元型聲表面波濾波器具有更強(qiáng)的抗靜電能力。
[0014]另外，為了進(jìn)一步提高阻抗元型聲表面波濾波器的抗靜電能力，保護(hù)其關(guān)鍵部件叉指換能柵陣1，本發(fā)明采用了將等效電阻以并聯(lián)的方式電性能連接于叉指換能柵陣1，其原理是并聯(lián)電路中的小電阻對大電阻的強(qiáng)力分流作用，使高靜電產(chǎn)生的電流大部分被等效電阻分流，減少靜電對叉指換能柵陣I的破壞。具體地，如圖2所示為叉指換能柵陣I的結(jié)構(gòu)，其輸入端指條4和輸出端指條5并不接觸，只是在耦合場中交換能量，因此叉指換能柵陣I可以等效為一個阻值接近無限大的電阻。另一方面，給叉指換能柵陣I并聯(lián)上一個等效電阻后，如圖3所示，在進(jìn)行電路中電流流向分析時，叉指換能柵陣I因為其阻值接近無限大故相當(dāng)于一個大電阻，相應(yīng)地，與叉指換能柵陣I并聯(lián)的等效電阻就相當(dāng)于一個小電阻，從而實現(xiàn)了等效電阻這個小電阻對叉指換能柵陣I這個大電阻的強(qiáng)力分流作用，在高靜電的情況下，對叉指換能柵陣I起到了保護(hù)作用。
[0015]本發(fā)明采用的與叉指換能柵陣I并聯(lián)的等效電阻是由諸如反射柵陣1、2這樣的反射柵陣來構(gòu)成的。
[0016]具體地，如圖4所示，反射柵陣是由若干根指電極構(gòu)成。指電極之間首尾相連——即任意一根指電極與其前一根指電極的首端相連，與其后一根的指電極的尾端相連——即構(gòu)成了一個等效電阻。因指電極的長寬比值非常大，因此可以等效成電阻。此等效電阻的阻值R=KL/W，其中K為近似常數(shù)，L為反射柵陣指電極的總長度——即指電極的長度與指電極的數(shù)量的乘積，W為指電極的寬度。由公式R=KL/W可以看出，此等效電阻的大小可以根據(jù)實際需要通過增減指電極的數(shù)量和指電極的寬度來調(diào)節(jié)。
[0017]在將上述由若干指電極構(gòu)成的等效電阻與叉指換能柵陣并聯(lián)時，有三種較優(yōu)的方式。
[0018]實施例一為第一種較優(yōu)的方式。
[0019]如圖5所示，本發(fā)明包括包括第一叉指換能柵陣11、第一反射柵陣12和第二反射柵陣13，其中第一反射柵陣12和第二反射柵陣13分別位于第一叉指換能柵陣11的兩側(cè)。第一反射柵陣12和第二反射柵陣13各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻，由第一反射柵陣12和第二反射柵陣13各自構(gòu)成的這兩個等效電阻，其都與第一叉指換能柵陣11以并聯(lián)的方式電性能連接。
[0020]實施例一中的第一反射柵陣12和第二反射柵陣13不僅起到反射器的作用，還相當(dāng)于等效電阻用于分流以提高本發(fā)明的抗靜電燈燒毀能力。
[0021]實施例二為第二種較優(yōu)的方式。
[0022]如圖6所示，本發(fā)明包括第二叉指換能柵陣21、第三反射柵陣22和第四反射柵陣23，其中第三反射柵陣22和第四反射柵陣23分別別位于第二叉指換能柵陣21的兩側(cè)。
[0023]該具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器還包括第五反射柵陣24和第六反射柵陣25，第五反射柵陣24和第六反射柵陣25各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻；由第五反射柵陣24和第六反射柵陣25各自構(gòu)成的這兩個等效電阻，其分別位于第二叉指換能柵陣21的兩側(cè)，且都與第二叉指換能柵陣21以并聯(lián)的方式電性能連接。
[0024]實施例二中第三反射柵陣22和第四反射柵陣23起到反射器的作用，第五反射柵陣24和第六反射柵陣25相當(dāng)于等效電阻用于分流以提高本發(fā)明的抗靜電燈燒毀能力。
[0025]實施例三為第三種較優(yōu)的方式。
[0026]如圖7所示，本發(fā)明包括第三叉指換能柵陣31、第七反射柵陣32和第八反射柵陣33，其中第七反射柵陣32和第八反射柵陣33分別位于第三叉指換能柵陣31的兩側(cè)。
[0027]該具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器還包括第九反射柵陣34和第十反射柵陣35，第九反射柵陣34和第十反射柵陣35也分別位于第三叉指換能柵陣31的兩側(cè)。
[0028]第七反射柵陣32、第八反射柵陣33、第九反射柵陣34和第十反射柵陣35各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻；由第七反射柵陣32、第八反射柵陣33、第九反射柵陣34和第十反射柵陣35各自構(gòu)成的四個等效電阻中，位于第三叉指換能柵陣31同側(cè)的兩個等效電阻互相以串聯(lián)的方式電性能連接后，此互相串聯(lián)的兩個等效電阻形成的電氣結(jié)構(gòu)再與第三叉指換能柵陣31以并聯(lián)的方式電性能連接。
[0029]實施例三中第七反射柵陣32、第八反射柵陣33、第九反射柵陣34和第十反射柵陣35相當(dāng)于等效電阻用于分流以提高本發(fā)明的抗靜電燈燒毀能力，其中第七反射柵陣32和第八反射柵陣33還起到反射器的作用。
[0030]上述三種較優(yōu)的方式中，如圖5所示的第一種方式，是以反射柵陣變形的形式嵌入等效電阻，其優(yōu)點是可以節(jié)省芯片面積——反射柵陣有其自身作為反射柵陣的作用，同時又能起到等效電阻的作用，缺點是反射柵陣的指電極數(shù)目是特定的，所以由反射柵陣構(gòu)成的等效電阻的阻值大小有限；如圖6所示的第二種方式，是在原來阻抗元型聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)上再獨立地嵌入由若干指電極構(gòu)成的等效電阻，其缺點是需要額外的區(qū)域，增加了芯片的面積，優(yōu)點是靈活，即可以隨意調(diào)節(jié)等效電阻阻值的大??；第三種方式是參考了前二種方式，能有效的在芯片尺寸和電阻可調(diào)范圍內(nèi)變化取舍，達(dá)到抗靜電能力、成本和芯片封閉尺寸的最佳結(jié)合。
[0031]本發(fā)明中等效電阻與叉指換能柵陣并聯(lián)時，都是以對稱的方式并聯(lián)，實際上還可以以非對稱的方式并聯(lián)，即等效電阻數(shù)量可以為奇數(shù)個。
[0032]綜上所述，本發(fā)明在傳統(tǒng)的阻抗元型聲表面波濾波器的芯片設(shè)計層面上加以改進(jìn)，在芯片結(jié)構(gòu)單元的信號傳輸部分與地之間等效電阻，以分流高靜電產(chǎn)生的電流，減少靜電對聲表面波濾波器中的叉指換能柵陣的破壞。同時在生產(chǎn)工藝過程中在鍍膜工序摻雜重金屬，比如在鍍層材料中摻入金屬銅通過蒸發(fā)或者濺射的方法進(jìn)行鍍膜，進(jìn)一步提高了聲表面波濾波器的抗靜電燒毀的能力。
【權(quán)利要求】
1.一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器，包括第一叉指換能柵陣(11)、第一反射柵陣(12)和第二反射柵陣(13)，所述第一反射柵陣(12)和第二反射柵陣(13)分別位于第一叉指換能柵陣(11)的兩側(cè)，其特征在于: 所述第一反射柵陣(12)和第二反射柵陣(13)各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻，由第一反射柵陣(12)和第二反射柵陣(13)各自構(gòu)成的兩個等效電阻，其都與第一叉指換能柵陣(11)以并聯(lián)的方式電性能連接。
2.一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器，包括第二叉指換能柵陣(21)、第三反射柵陣(22)和第四反射柵陣(23)，所述第三反射柵陣(22)和第四反射柵陣(23))分別位于第二叉指換能柵陣(21)的兩側(cè)，其特征在于: 該具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器還包括第五反射柵陣(24)和第六反射柵陣(25)，第五反射柵陣(24)和第六反射柵陣(25)各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻；由第五反射柵陣(24)和第六反射柵陣(25)各自構(gòu)成的兩個等效電阻，其分別位于第二叉指換能柵陣(21)的兩側(cè)，且都與第二叉指換能柵陣(21)以并聯(lián)的方式電性能連接。
3.一種具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器，包括第三叉指換能柵陣(31)、第七反射柵陣(32)和第八反射柵陣(33)，第七反射柵陣(32)和第八反射柵陣(33)分別位于第三叉指換能柵陣(31)的兩側(cè)，其特征在于: 該具有強(qiáng)抗靜電能力的阻抗元型聲表面波濾波器還包括第九反射柵陣(34)和第十反射柵陣(35)，第九反射柵陣(34)和第十反射柵陣(35)也分別位于第三叉指換能柵陣(31)的兩側(cè)； 所述的第七反射柵陣(32)、第八反射柵陣(33)、第九反射柵陣(34)和第十反射柵陣(35)各自的指電極之間首尾相連以構(gòu)成等效電阻；由第七反射柵陣(32)、第八反射柵陣(33)、第九反射柵陣(34)和第十反射柵陣(35)各自構(gòu)成的四個等效電阻中，位于第三叉指換能柵陣(31)同側(cè)的兩個等效電阻互相以串聯(lián)的方式電性能連接后，此互相串聯(lián)的兩個等效電阻形成的電氣結(jié)構(gòu)再與第三叉指換能柵陣(31)以并聯(lián)的方式電性能連接。
【文檔編號】H03H9/64GK104467735SQ201410621940
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月7日
【發(fā)明者】姚艷龍, 劉紹侃, 李善斌 申請人:深圳華遠(yuǎn)微電科技有限公司