一種復(fù)位電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種復(fù)位電路。本實(shí)用新型包括VCHG高電平端，電阻R212，電阻R213，電阻R215，電容C223，晶體管Q204，MOS管Q205，二極管D1，開關(guān)機(jī)鍵K1和復(fù)位接口；本實(shí)用新型所述的復(fù)位電路，采用簡單廉價(jià)的晶體管設(shè)計(jì)復(fù)位電路，利用充電電源作為復(fù)位的觸發(fā)電源，利用電子產(chǎn)品的開關(guān)機(jī)鍵作為復(fù)位的開關(guān)，復(fù)位電路可靠有效、成本低廉。
【專利說明】一種復(fù)位電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種復(fù)位電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)突飛猛進(jìn)的發(fā)展，隨處可見智能機(jī)、MP3、PAD、藍(lán)牙音箱等電子產(chǎn)品，其中很大一部分電子產(chǎn)品的電子系統(tǒng)與電池之間無法斷電，這導(dǎo)致電子產(chǎn)品在死機(jī)時(shí)無法通過斷電手段進(jìn)行復(fù)位。為了使電子產(chǎn)品在死機(jī)時(shí)可以復(fù)位重啟，必須添加專門的復(fù)位電路，通常添加復(fù)位電路有以下幾種方案:1、獨(dú)立物理按鍵開關(guān)復(fù)位；2、借助復(fù)位芯片，使用開機(jī)鍵復(fù)用進(jìn)行復(fù)位；3、軟件復(fù)位。
[0003]對(duì)于第一種方案，需要產(chǎn)品結(jié)構(gòu)額外開復(fù)位孔，這在一方面影響了電子產(chǎn)品的整體外觀，且需額外的開關(guān)按鍵增加成本，尤其對(duì)于一些事先固定了結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，這種方案更是不可行。對(duì)于第二種方案，是目前大多數(shù)電子產(chǎn)品所使用的方案，由于方案成熟可靠，被大多數(shù)電子產(chǎn)品使用，但是需要增加額外的復(fù)位芯片，大大增加了電子產(chǎn)品的硬件成本。第三種方案一般是在軟件代碼里使用WATCHDOG的形式，當(dāng)電子產(chǎn)品死機(jī)時(shí)，放置一定時(shí)間，系統(tǒng)便會(huì)重啟，這種方案雖然廉價(jià)卻讓用戶面對(duì)死機(jī)無計(jì)可施，大大影響用戶體驗(yàn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]鑒于此，本實(shí)用新型提供一種既不需要額外開設(shè)復(fù)位孔又不需要額外復(fù)位芯片的復(fù)位電路，該復(fù)位電路可靠有效、成本低廉。
[0005]本實(shí)用新型技術(shù)方案:
[0006]一種復(fù)位電路，包括充電電源VCHG高電平端，電阻R212，電阻R213，電阻R215，電容C223，三極管Q204，MOS管Q205，二極管Dl，開關(guān)機(jī)鍵Kl和復(fù)位接口 ；所述VCHG高電平端與電阻R212的一端、電阻R213的一端連接，電阻R213的另一端與電容C223的一端、三極管Q204的基極連接，電容C223的另一端和三極管Q204的發(fā)射極接地，電阻R212的另一端與三極管Q204的集電極、MOS管Q205的柵極、電阻R215的一端連接，電阻R215的另一端接地，MOS管Q205的漏極與所述復(fù)位接口連接，MOS管Q205的源極與所述二極管Dl的正極端連接，所述二極管Dl的負(fù)極端與所述開關(guān)機(jī)鍵Kl的一端連接，所述開關(guān)機(jī)鍵Kl的另一端接地。
[0007]進(jìn)一步地，所述三極管Q204為MMBT3904型號(hào)。
[0008]進(jìn)一步地，所述MOS管Q205為DMN601K型號(hào)。
[0009]進(jìn)一步地，所述二極管Dl為RB521S-30型號(hào)。
[0010]進(jìn)一步地，所述電容C223為10uF。
[0011]進(jìn)一步地，所述電阻R212為100K，所述電阻R213為330K，所述電阻R215為100K。
[0012]本實(shí)用新型有益效果:
[0013]本實(shí)用新型所述的復(fù)位電路，采用簡單廉價(jià)的晶體管設(shè)計(jì)復(fù)位電路，利用充電電源作為復(fù)位的觸發(fā)電源，利用電子產(chǎn)品的開關(guān)機(jī)鍵作為復(fù)位的開關(guān)，復(fù)位電路可靠有效、成本低廉。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本實(shí)用新型的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了更詳細(xì)地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0016]參見圖1，圖1是本實(shí)用新型的復(fù)位電路圖。本實(shí)用新型采用簡單廉價(jià)的MOS管設(shè)計(jì)復(fù)位電路，利用充電電源作為復(fù)位的觸發(fā)電源，利用電子產(chǎn)品的開關(guān)機(jī)鍵作為復(fù)位的開關(guān)，具體電路參見圖1:
[0017]一種復(fù)位電路，包括充電電源VCHG高電平端，電阻R212、R213、R215，電容C223，三極管Q204，MOS管Q205，二極管Dl，開關(guān)機(jī)鍵Kl和復(fù)位接口 ；所述VCHG高電平端與電阻R212的一端、電阻R213的一端連接，電阻R213的另一端與電容C223的一端、三極管Q204的基極連接，電容C223的另一端和三極管Q204的發(fā)射極接地，電阻R212的另一端與三極管Q204的集電極、MOS管Q205的柵極、電阻R215的一端連接，電阻R215的另一端接地，MOS管Q205的漏極與所述復(fù)位接口連接，MOS管Q205的源極與所述二極管Dl的正極端連接，所述二極管Dl的負(fù)極端與所述開關(guān)機(jī)鍵Kl的一端連接，所述開關(guān)機(jī)鍵Kl的另一端接地。
[0018]本實(shí)用新型復(fù)位電路的原理為:當(dāng)電子產(chǎn)品死機(jī)時(shí)，用戶長按開關(guān)機(jī)鍵K1，接通開關(guān)機(jī)鍵Kl ;然后插入充電器充電，充電電源VCHG高電平端能夠給電路供電；在VCHG高電平端給電路供電的瞬間，由于電容C223充電，致使三極管Q204的基極處于低電平，三極管Q204截止；在VCHG高電平端給電路供電的瞬間，MOS管Q205的柵極被拉高為高電平，MOS管Q205導(dǎo)通，使得復(fù)位接口通過開關(guān)機(jī)鍵Kl拉低到地，從而系統(tǒng)復(fù)位重啟；電容C223充滿電后，三極管Q204的基極被拉高，三極管Q204導(dǎo)通，此時(shí)MOS管Q205的柵極被拉低，MOS管Q205截止，此時(shí)復(fù)位PIN腳恢復(fù)默認(rèn)的上拉狀態(tài)而使系統(tǒng)正常運(yùn)行，且不再受開關(guān)機(jī)鍵Kl影響，這樣做是為了避免正常充電時(shí)開關(guān)機(jī)可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)位問題。加上二極管D1，可以防止開機(jī)PIN腳的上拉電平高過復(fù)位PIN腳的上拉電平時(shí)產(chǎn)生的電流倒灌問題。
[0019]本實(shí)用新型所述的復(fù)位電路中，三極管Q204為MMBT3904型號(hào)，MOS管Q205為DMN601K型號(hào)，二極管Dl為RB521S-30型號(hào)，電容C223為10uF，電阻R212為100K，電阻R213 為 330K,電阻 R215 為 IOOK0
[0020]本實(shí)用新型采用簡單廉價(jià)的晶體管及阻容器件設(shè)計(jì)了可靠有效的復(fù)位電路，不需要在電子產(chǎn)品上額外開設(shè)復(fù)位孔，也不需要額外的復(fù)位芯片，成本低廉，可靠有效。
[0021]以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理，這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它【具體實(shí)施方式】，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)位電路，其特征在于，包括充電電源VCHG高電平端，電阻R212，電阻R213，電阻R215，電容C223，三極管Q204，MOS管Q205，二極管Dl，開關(guān)機(jī)鍵Kl和復(fù)位接口 ；所述VCHG高電平端與電阻R212的一端、電阻R213的一端連接，電阻R213的另一端與電容C223的一端、三極管Q204的基極連接，電容C223的另一端和三極管Q204的發(fā)射極接地，電阻R212的另一端與三極管Q204的集電極、MOS管Q205的柵極、電阻R215的一端連接，電阻R215的另一端接地，MOS管Q205的漏極與所述復(fù)位接口連接，MOS管Q205的源極與所述二極管Dl的正極端連接，所述二極管Dl的負(fù)極端與所述開關(guān)機(jī)鍵Kl的一端連接，所述開關(guān)機(jī)鍵Kl的另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)位電路，其特征在于，所述三極管Q204為MMBT3904型號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)位電路，其特征在于，所述MOS管Q205為DMN601K型號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)位電路，其特征在于，所述二極管Dl為RB521S-30型號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)位電路，其特征在于，所述電容C223為10uF。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)位電路，其特征在于，所述電阻R212為100K，所述電阻R213為330K，所述電阻R215為100K。
【文檔編號(hào)】H03K17/22GK203522679SQ201320685354
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
【發(fā)明者】袁傳奇, 梅俊明, 余海兵, 吳衛(wèi)波, 陳智俊, 李彩萌 申請(qǐng)人:上海天奕達(dá)電子科技有限公司