基于變壓器的rf功率放大器的制造方法
【專利摘要】各種實(shí)施例包括具有位于裸晶中的功率放大器單元的功率放大器、覆蓋在裸晶的表面上且耦合到放大器單元的傳導(dǎo)接觸及覆蓋在傳導(dǎo)接觸之間裸晶的表面上并且耦合到功率放大器單元的傳導(dǎo)線。描述了另外的設(shè)備。
【專利說(shuō)明】基于變壓器的RF功率放大器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文中所述實(shí)施例涉及變壓器和功率放大器。一些實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置中的射頻(RF)功率放大器。

【背景技術(shù)】
[0002]諸如蜂窩電話和計(jì)算機(jī)等許多電子物品通常具有功率放大器和變壓器以便為各種應(yīng)用提升信號(hào)的功率電平。對(duì)于一些應(yīng)用，功率放大器、變壓器或兩者可需要位于某一配置中。為適應(yīng)此類配置，功率放大器、變壓器或兩者的大小可能較大。此外，在一些情況下，功率放大器生成的熱可變成一種因素；在功率放大器與變壓器之間的連接可能難以布置；并且供電功率可能難以布線到功率放大器。因此，在此類情況下，設(shè)計(jì)功率放大器以滿足一些應(yīng)用可能產(chǎn)生挑戰(zhàn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0003]圖1根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括具有功率放大器單元的功率放大器和組合器的裝置的示意圖。
[0004]圖2A根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括裸晶的圖1的裝置的結(jié)構(gòu)的頂視圖。
[0005]圖2B根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出圖2A的裝置的結(jié)構(gòu)的相同頂視圖，但沒有一些傳導(dǎo)線，并且示出了裸晶中功率放大器單元所處的區(qū)域。
[0006]圖3A示出在圖2A的裝置的X方向沿線條3A的橫截面，包括覆蓋裸晶的表面上的連接和在裸晶的部分中形成的傳導(dǎo)路徑。
[0007]圖3B示出在圖2A的裝置的X方向沿線條3B的另一橫截面，包括覆蓋裸晶的表面上的傳導(dǎo)線和在裸晶的部分中形成的傳導(dǎo)路徑。
[0008]圖3C示出在圖2A的裝置的Y方向沿線條3C的橫截面。
[0009]圖4根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括接口的裝置的框圖。
[0010]圖5根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括圖1到圖4的裝置的裸晶的集成電路
(IC)封裝。

【具體實(shí)施方式】
[0011]圖1根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括具有功率放大器單元111到126的功率放大器101和組合器130的裝置100的示意圖。裝置100可包括無(wú)線通信裝置(例如，諸如智能電話等蜂窩電話)、計(jì)算機(jī)(例如，平板計(jì)算機(jī))和其它電子裝置或系統(tǒng)，或者包括在其中。
[0012]如圖1所示，每個(gè)功率放大器單元111到126可包括輸入節(jié)點(diǎn)以接收輸入信號(hào)(例如，標(biāo)記“ + ”或的信號(hào))。輸入信號(hào)可包括差分信號(hào)(例如，輸入差分信號(hào))的分量。每個(gè)功率放大器單元111到126可包括輸出節(jié)點(diǎn)。為簡(jiǎn)明起見，僅標(biāo)記了四個(gè)功率放大器單元111、112、113和114的輸出節(jié)點(diǎn)(例如，111a、112a、113a和114a)。每個(gè)功率放大器單元Ill到126可放大在其相應(yīng)輸入節(jié)點(diǎn)的信號(hào)(信號(hào)“ + ”和并且在其輸出節(jié)點(diǎn)提供放大的信號(hào)。
[0013]兩個(gè)功率放大器單元(接收兩個(gè)不同信號(hào)“ + ”和能夠形成差分對(duì)。圖1示出包括八個(gè)差分對(duì)作為示例的功率放大器101。差分對(duì)的數(shù)量可不同。每個(gè)功率放大器單元111到126的輸出節(jié)點(diǎn)可提供輸出信號(hào)，輸出信號(hào)可包括與相應(yīng)差分對(duì)相關(guān)聯(lián)的差分信號(hào)的分量。每個(gè)功率放大器對(duì)(由功率單元111到126的兩個(gè)單元形成)可放大在其相應(yīng)輸入節(jié)點(diǎn)的信號(hào)(信號(hào)“ + ”和并且在其輸出節(jié)點(diǎn)提供放大的信號(hào)。
[0014]功率放大器101的組合器130可包括具有變壓器段140a、140b、140c和140d的變壓器電路(例如，變壓器組合電路)140。這四個(gè)變壓器段每個(gè)可包括兩個(gè)變壓器。因此，變壓器電路140可包括8個(gè)變壓器。8個(gè)變壓器可操作以組合(例如，變換)來(lái)自功率放大器單元111到126的輸出節(jié)點(diǎn)的信號(hào)，并且在輸出節(jié)點(diǎn)提供功率放大器101的輸出信號(hào)Vout+和Vout-(圖1中示為在信號(hào)Vout+和Vout旁的兩個(gè)圓)。Vout+和Vout-可形成由功率放大器101提供的差分信號(hào)(例如，輸出差分信號(hào))的分量。因此，功率放大器101可包括具有4段8向變壓器組合器配置的基于變壓器的功率放大器。
[0015]如圖1所示，組合器130可包括傳導(dǎo)線131到138和相關(guān)聯(lián)電感器L131到L138、以及傳導(dǎo)線139和相關(guān)聯(lián)電感器139a到139d。組合器130可包括連接151到158，每個(gè)連接可耦合在兩個(gè)功率放大器單元的輸出節(jié)點(diǎn)之間。在一些情況下，可從組合器130忽略一些或所有的連接151到158。
[0016]傳導(dǎo)線131到138和電感器L131到L138可形成變壓器電路140的初級(jí)(例如，初級(jí)繞組)的一部分。傳導(dǎo)線139和電感器139a到139d可形成變壓器電路140的次級(jí)(例如，第二繞組)的一部分。
[0017]每個(gè)電感器L131到L138可通過傳導(dǎo)線131到138之一耦合在兩個(gè)相應(yīng)功率放大器單元的兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)之間。例如，電感器L131可通過傳導(dǎo)線131耦合在輸出節(jié)點(diǎn)功率放大器單元112和113之間。在另一示例中，電感器L133可通過傳導(dǎo)線133耦合在輸出節(jié)點(diǎn)功率放大器單元114和119之間。
[0018]耦合在兩個(gè)功率放大器單元之間的電感器(L131到L138之一)可與電感器L139a到L139c之一位置相鄰以形成在變壓器段140a、140b、140c和140d之一的變壓器的一部分。例如，電感器L131和電感器L139a可形成在變壓器段140a的變壓器的一部分。在另一示例中，電感器L132和電感器L139a可形成在變壓器段140a的另一變壓器的一部分。
[0019]每個(gè)功率放大器單元111到126可包括單個(gè)晶體管或多個(gè)晶體管。為簡(jiǎn)明起見，圖1只示出包括在四個(gè)相應(yīng)功率放大器單元119、120、121和144中的四個(gè)晶體管T119、T120、Τ121和Τ122。其它功率放大器單元每個(gè)可包括類似于晶體管Τ119、Τ120、Τ121和Τ122的單個(gè)晶體管或多個(gè)晶體管。功率放大器單元111到126的晶體管可包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管，如使用互補(bǔ)型氧化金屬半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造的晶體管。因此，功率放大器單元111到126可包括CMOS晶體管。例如，功率放大器單元111到126可包括η溝道MOS (NMOS)晶體管和/或P溝道MOS (PMOS)晶體管。
[0020]每個(gè)功率放大器單元111、112、113和114可在其相應(yīng)晶體管的柵極接收任一輸入信號(hào)(例如，“ + ”或信號(hào)例如，功率放大器單元119、120、121和122可分別在晶體管(例如，NMOS晶體管)Τ119、Τ120、Τ121和Τ122的柵極接收其輸入信號(hào)。每個(gè)功率放大器單元111、112、113和114的輸出信號(hào)能夠在其晶體管的漏極提供，如在晶體管Tl 19、T120、Τ121和Τ122的漏極。
[0021]每個(gè)功率放大器單元111到126可包括供電節(jié)點(diǎn)198和199以分別接收功率和接地信號(hào)。為簡(jiǎn)明起見，圖1中只示出兩個(gè)功率放大器單元112和113的供電節(jié)點(diǎn)198和199。功率和接地信號(hào)可通過供電節(jié)點(diǎn)198和199提供(例如，耦合)到功率放大器單元111到126的晶體管。
[0022]在操作中，功率放大器101的晶體管(例如，Τ119、Τ120、Τ121和Τ122)可在大約I伏的供電電壓(例如，在節(jié)點(diǎn)198提供)操作。功率放大器101可具有在大約26dBm到大約32dBm范圍的輸出功率和大約50%的峰值漏極效率。功率放大器101的輸出功率可在其輸出節(jié)點(diǎn)(圖1中信號(hào)Vout+和Vout-旁的節(jié)點(diǎn))通過信號(hào)(例如,Vout+和Vout-)形式提供。
[0023]裝置100可包括芯片級(jí)系統(tǒng)(SoC)或者包括在其中，使得功率放大器101可集成此類系統(tǒng)(例如，與諸如處理單元或存儲(chǔ)器等其它元件在相同裸晶中形成)。
[0024]如下參照?qǐng)D2A到圖3C所述，可實(shí)現(xiàn)功率放大器101，使得它可以是緊湊、低損耗、高無(wú)線電RF輸出功率、基于變壓器的RF功率放大器。
[0025]圖2A根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括裸晶200的圖1的裝置100的結(jié)構(gòu)的頂視圖。裸晶200可包括半導(dǎo)體裸晶(例如，硅裸晶)，其中可形成功率放大器單元113到126的至少一部分和組合器130的至少一部分。
[0026]裸晶200可包括表面210和覆蓋在表面210上的傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12。這些傳導(dǎo)接觸可包括焊料凸點(diǎn)。裸晶200可包括在倒裝芯片封裝中，使得傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12可耦合到倒裝芯片封裝的封裝襯底(圖2A中未示出)而不使用線(例如，無(wú)接合線)。例如，傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12可通過受控塌陷芯片連接(C4)或其它類型的連接耦合到倒裝芯片封裝的封裝襯底。
[0027]裸晶200可包括與傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12類似或相同的其它傳導(dǎo)接觸。其它傳導(dǎo)接觸可用于攜帶信號(hào)，如數(shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)。為簡(jiǎn)明起見，圖2A中未示出裸晶的其它傳導(dǎo)接觸。
[0028]一些或所有傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12可耦合到供電源(例如，電池或交流電(AC)電源)以接收供電信號(hào)(例如，功率和接地信號(hào))。例如，一些或所有傳導(dǎo)接觸Pl到P12可接收來(lái)自供電源的功率信號(hào)。一些或所有傳導(dǎo)接觸Gl到G8可接收來(lái)自供電源的接地信號(hào)。在一些情況下，一些傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12可配置成攜帶與供電信號(hào)不同的信號(hào)(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)和/或時(shí)鐘信號(hào))。
[0029]如圖2A所示，傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12可布置在相對(duì)于X方向和Y方向的行和列中。傳導(dǎo)接觸Gl到G8可與傳導(dǎo)接觸Pl到P12電分離。然而，一些傳導(dǎo)接觸Gl到G8可耦合到一起，并且一些傳導(dǎo)接觸Pl到P12可耦合在一起。例如，圖2A示出傳導(dǎo)接觸Pl到P12的一些傳導(dǎo)接觸可通過相應(yīng)連接211到215相互耦合。傳導(dǎo)接觸G3和G5可通過連接216相互耦合。圖2A也示出耦合到傳導(dǎo)接觸Gl的連接217和耦合到傳導(dǎo)接觸G7的連接218。
[0030]傳導(dǎo)接觸Gl到G8可接收相同或類似的信號(hào)(例如，接地信號(hào))。傳導(dǎo)接觸Pl到P12可接收相同或類似的信號(hào)(例如，功率信號(hào))，但可不同于傳導(dǎo)接觸Gl到G8收到的信號(hào)。因此，如圖2A所示，傳導(dǎo)接觸Gl到G8可形成群組，并且可位于裸晶200的表面210的一側(cè)(例如，左側(cè))上。傳導(dǎo)接觸Pl到P12可形成另一群組，并且可位于裸晶200的表面210的另一側(cè)(例如，右側(cè))上。
[0031]如圖2A所示，傳導(dǎo)線131到139可位于在傳導(dǎo)接觸Gl到G8與Pl到P12之間表面210的不同區(qū)域中。圖1所示電感器L131和L139可以是傳送線類型電感器，使得每個(gè)電感器可包括在傳導(dǎo)線131到139中的相應(yīng)傳導(dǎo)線中(換而言之，可以是其一部分)。因此，除傳導(dǎo)線131到139夕卜，組合器130可不包括單獨(dú)(例如，無(wú)另外的)電感器。因此，傳導(dǎo)線131到139可具有相應(yīng)電感器L131到L139 (圖1)的功能。
[0032]每個(gè)傳導(dǎo)線131到139可包括覆蓋在裸晶200的表面210上的傳導(dǎo)材料。傳導(dǎo)材料可包括銅、金或其它金屬或合金。連接211到218(耦合到一些傳導(dǎo)接觸Gl到G8和一些傳導(dǎo)接觸Pl到P8)可包括與傳導(dǎo)線131到139類似或相同的傳導(dǎo)材料。
[0033]圖2A中的傳導(dǎo)線131到138可對(duì)應(yīng)于變壓器電路140 (圖1)的初級(jí)。圖2A中的傳導(dǎo)線139可對(duì)應(yīng)于變壓器電路140的次級(jí)。因此，每個(gè)變壓器段140a、140b、140c和140d(圖1)中的每個(gè)變壓器可包括單匝(例如，單個(gè)初級(jí)和單個(gè)次級(jí)繞組)傳送線變壓器。因此，變壓器電路140可包括單匝傳送線類型變壓器電路。
[0034]如圖2A所示，傳導(dǎo)線139可形成環(huán)路的至少一部分。環(huán)路可包括圍繞傳導(dǎo)接觸G3到G6及P4到P9所處地表面210的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。環(huán)路可包括對(duì)應(yīng)于傳導(dǎo)接觸Gl、G2、G7、G8、PU P2、P3、P10、Pll及P12所處地表面210的區(qū)域的外側(cè)。傳導(dǎo)線139可耦合到裝置100的其它元件149。
[0035]傳導(dǎo)線131到138可位于由傳導(dǎo)線139形成的環(huán)路內(nèi)或環(huán)路外。例如，傳導(dǎo)線132、134、136和138可位于環(huán)路內(nèi)。傳導(dǎo)線131、133、135和137可位于環(huán)路外。
[0036]傳導(dǎo)線131到139的多個(gè)傳導(dǎo)段可位于兩個(gè)傳導(dǎo)接觸Gl到G8與Pl到P12之間。例如，沿X方向的3個(gè)相應(yīng)傳導(dǎo)線131、132和139的3個(gè)傳導(dǎo)段可位于傳導(dǎo)接觸G2與G4、Pl與P4或P2與P5之間。在另一示例中，沿X方向的3個(gè)相應(yīng)傳導(dǎo)線135、136和139的3個(gè)傳導(dǎo)段可位于傳導(dǎo)接觸G6與G8、P7與PlO或P8與Pll之間。
[0037]如圖2A和圖2B所示，功率放大器單元111到126可在裸晶200中的部分201到208中和表面210下方形成。為清楚起見，圖2B示出圖2A的裝置100的結(jié)構(gòu)的相同頂視圖，但無(wú)傳導(dǎo)線131到139。圖2B也示出裸晶200中功率放大器單元111到126所處的裸晶面積(例如，正方形或矩形)280。如圖2B所示，功率放大器單元111到126可(例如，以相等數(shù)量的放大器單元)分布在與裸晶200的裸晶面積280內(nèi)部分201到208相關(guān)聯(lián)的8個(gè)位置中。8個(gè)位置的每個(gè)位置可包括功率放大器單元111到126的兩個(gè)單元。
[0038]如從圖2A中裸晶200的頂視圖能夠看到的一樣，功率放大器單元的一群組(例如，115到118和123到126)可位于變壓器電路140內(nèi)(例如，位于由傳導(dǎo)線139形成的環(huán)路中)。功率放大器單元的另一群組(例如，111到114和119到122)可位于變壓器電路140夕卜(例如，位于由傳導(dǎo)線139形成的環(huán)路外)。
[0039]傳導(dǎo)接觸Gl到G8和Pl到P12可通過多個(gè)布線耦合到部分201到208 (功率放大器單元111到126的位置)。布線可包括覆蓋在表面210上的連接(例如，211到218)和在表面210下方耦合到連接的傳導(dǎo)路徑(圖3A和圖3B)的組合。傳導(dǎo)路徑可在表面210與裸晶200中的部分201到208之間延伸。
[0040]例如，功率放大器單元111和112 (在部分201)及113和114 (在部分202)可通過連接217耦合到接觸G1，并且通過連接211耦合到傳導(dǎo)接觸Pl和P2。功率放大器單元115和116 (在部分203)及117和118 (在部分204)可通過連接216耦合到接觸G3和G5，并且通過連接212耦合到傳導(dǎo)接觸P4和P5。功率放大器單元119和120 (在部分205)及121和122 (在部分206)可通過連接217耦合到接觸G7，并且通過連接214耦合到傳導(dǎo)接觸PlO和P11。功率放大器單元123和124 (在部分207)及125和126 (在部分208)可通過連接216耦合到接觸G3和G5，并且通過連接213耦合到傳導(dǎo)接觸P7和P8。
[0041]如圖2A和圖2B所示，功率放大器101的結(jié)構(gòu)可允許有效地使用裸晶200，功率放大器101的大小緊湊，并且改進(jìn)散熱。例如，一些常規(guī)變壓器可占用裝置的較大面積，這是因?yàn)樽儔浩鹘M件(例如，電感器)通常要求遠(yuǎn)離裝置的其它無(wú)源和有源組件的專用區(qū)域。在一些類型的IC封裝(例如，倒裝芯片封裝)中的常規(guī)變壓器可要求甚至更大的面積，這是因?yàn)樵诖祟愵愋偷腎C封裝中傳導(dǎo)接觸(例如，焊料凸點(diǎn))的位置可限制變壓器組件的匝布線。在圖2A的功率放大器101中，裝置區(qū)域(例如，表面210上的區(qū)域)可得到更有效的使用，這是因?yàn)樽儔浩麟娐?40的變壓器的導(dǎo)體匝(例如，傳導(dǎo)線131到139)可在傳導(dǎo)接觸Gl到G8與Pl到P12之間的表面區(qū)域中布線。此外，通過正確布置供電功率連接(圖2A和2B中的211到218)和變壓器電路140的變壓器的導(dǎo)體匝(例如，傳導(dǎo)線131到139)，本文中所述拓?fù)湟部裳b入倒裝芯片封裝，并且還可允許倒裝芯片封裝的常規(guī)焊料凸點(diǎn)圖案(例如，包括傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12的圖案)保持符合封裝設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0042]與一些常規(guī)功率放大器的大小相比,功率放大器101的大小可較小。例如，由于功率單元111到126可位于變壓器電路140內(nèi)和外(圖2A)，因此，單元111到126可出現(xiàn)在較緊湊的區(qū)域，該區(qū)域可小于一些常規(guī)功率放大器的區(qū)域。在一些結(jié)構(gòu)中，裸晶面積280 (圖2B)可大約為0.8平方毫米。
[0043]由于功率放大器101的功率單元111到126可均勻分布在裸晶面積280內(nèi)裸晶200的各種部分中，因此，來(lái)自功率放大器101的熱可均勻散布，如通過裸晶200的主體(例如，阱)耗散。這可減少裸晶200中(或包含裸晶200的IC封裝中)的熱點(diǎn)。
[0044]此外，功率放大器101的結(jié)構(gòu)可允許它使用數(shù)字裝置實(shí)現(xiàn)，數(shù)字裝置如NMOS和PMOS晶體管的組合。例如，在一些多段變壓器中，每個(gè)多段變壓器可能需要具有類似或相同的電感和耦合因子以獲得最大性能。一些常規(guī)功率放大器可具有晶體管柵極相互之間旋轉(zhuǎn)90度保持對(duì)稱性的放大器單元。因此，CMOS工藝可能不適用于制造一些常規(guī)功率放大器中的晶體管，這是因?yàn)樘峒暗?0度定向?qū)⑦`反CMOS工藝規(guī)則。在功率放大器101中，如圖2A所示功率放大器單元111到126的布置可滿足用于多段變壓器的電感和耦合因子。功率放大器單元111到126的布置也可避免一些常規(guī)功率放大器可要求的90度柵極旋轉(zhuǎn)。例如，如上所述，功率放大器單元111到126中晶體管的柵極可在相同方向上延伸(例如，圖2A中的X方向或Y方向)。這可允許功率放大器101符合CMOS工藝設(shè)計(jì)規(guī)則。因此，可使用CMOS構(gòu)建功率放大器101的晶體管。另外，通過選擇變壓器饋入點(diǎn)的位置，可將功率放大器的變壓器(例如，在段140a到140d)相互靠近定位，由此可進(jìn)一步降低功率放大器101的大小。
[0045]圖3A示出沿圖2A的裝置100的X方向的橫截面，包括覆蓋在裸晶200的表面210的連接211和217和在裸晶200的部分341中形成的傳導(dǎo)路徑311a、311b、318a和318b。部分341可包括具有布線(金屬化布線)的一個(gè)或更多個(gè)層，以內(nèi)部攜帶在裸晶200的組件中的信號(hào)或者攜帶在裸晶200的組件與其它外部裝置之間的信號(hào)。
[0046]如圖3A所示，傳導(dǎo)路徑311a、311b、318a和318b可在裸晶200中表面210與部分201到208之間延伸。每個(gè)傳導(dǎo)路徑31 la、31 lb、318a和318b可在部分341中的一個(gè)或更多個(gè)通孔(例如,包含傳導(dǎo)材料的孔洞)中形成。圖3A示出每個(gè)傳導(dǎo)路徑311a、311b、318a和318b可完全沿實(shí)質(zhì)上與X方向垂直的Z方向垂直延伸的示例。然而，每個(gè)傳導(dǎo)路徑311a、311b、318a和318b可包括在與Z方向不同的不同方向延伸的一個(gè)或更多個(gè)線段(例如，沿X方向或Y方向水平延伸)?？稍诓糠?41中形成連接151到158 (圖1)。如上所述，可忽略一些或所有連接151到158。
[0047]如圖3A所示，傳導(dǎo)接觸Pl和P2可通過連接211和傳導(dǎo)路徑31 Ia耦合到與功率放大器單元112相關(guān)聯(lián)的供電節(jié)點(diǎn)198。傳導(dǎo)接觸Pl和P2可通過連接211和傳導(dǎo)路徑311b耦合到與功率放大器單元113相關(guān)聯(lián)的供電節(jié)點(diǎn)198。功率放大器單元111和112可共享在部分201在供電節(jié)點(diǎn)198的相同連接。功率放大器單元113和114可共享在部分201在供電節(jié)點(diǎn)198的相同連接。
[0048]傳導(dǎo)接觸Gl可通過連接217和傳導(dǎo)路徑318a耦合到與功率放大器單元112相關(guān)聯(lián)的供電節(jié)點(diǎn)199。傳導(dǎo)接觸Gl也可通過連接217和傳導(dǎo)路徑318b耦合到與功率放大器單元113相關(guān)聯(lián)的供電節(jié)點(diǎn)199。功率放大器單元111和112可共享在部分201在供電節(jié)點(diǎn)199的相同連接。功率放大器單元113和114可共享在部分202在供電節(jié)點(diǎn)199的相同連接。
[0049]某些類型的IC封裝(例如，倒裝芯片)可具有在裝置的表面的一側(cè)中編組的功率接觸和在裝置的表面的另一側(cè)中編組的接地接觸。這可將功率和接地信號(hào)限制成輸送到裝置的一些其它區(qū)域。在功率放大器101中，使用傳導(dǎo)線211到218 (圖2A)和傳導(dǎo)路徑311a、311b,318a和381b (圖3A)將傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12直接耦合到功率放大器單元的供電節(jié)點(diǎn)(例如，圖3A中的198和199)可提供從傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12到功率放大器單元的穩(wěn)固不間斷和專用連接。這可提供從傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12到功率放大器單元的穩(wěn)固和不間斷的供電網(wǎng)絡(luò)(例如，功率和接地信號(hào))。
[0050]圖3B示出沿圖2A的裝置100的X方向的另一橫截面，包括覆蓋在裸晶200的表面210上的傳導(dǎo)線131、133和137和在裸晶200的部分341中形成的傳導(dǎo)路徑331a、331b、333和337。如圖3B所示，傳導(dǎo)路徑331a、331b、333和337可在裸晶200中表面210與部分201到208之間延伸。每個(gè)傳導(dǎo)路徑331a、331b、333和337可在部分341中的一個(gè)或更多個(gè)通孔(例如,包含傳導(dǎo)材料的孔洞)中形成。圖3A示出每個(gè)傳導(dǎo)路徑331a、331b、333和337可完全沿Z方向垂直延伸的示例。然而，每個(gè)傳導(dǎo)路徑33la、33lb、333和337可包括在與Z方向不同的不同方向延伸的一個(gè)或更多個(gè)線段(例如，沿X方向或Y方向水平延伸)。
[0051]如圖3B所示，傳導(dǎo)線131可通過傳導(dǎo)路徑331a和331b分別耦合到功率放大器單元112和113的輸出節(jié)點(diǎn)112a和113a。傳導(dǎo)線131可通過傳導(dǎo)路徑333耦合到功率放大器單元114的輸出節(jié)點(diǎn)114a。傳導(dǎo)線137可通過傳導(dǎo)路徑337耦合到功率放大器單元111的輸出節(jié)點(diǎn)111a。
[0052]如上參照?qǐng)D1所述，每個(gè)功率放大器單元111到126可包括單個(gè)晶體管或多個(gè)晶體管。例如，在圖3A中，每個(gè)功率放大器單元111到124可包括能夠在部分201和202中形成的一個(gè)或更多個(gè)晶體管。晶體管能夠使用CMOS工藝形成。因此，晶體管的柵極可在相同方向(例如，X方向或Y方向)上延伸。
[0053]圖3C示出沿圖2A的裝置100的Y方向的橫截面。如圖3C所示，3個(gè)相應(yīng)傳導(dǎo)線131、132和139的3個(gè)傳導(dǎo)段可位于傳導(dǎo)接觸P2與P5之間。3個(gè)相應(yīng)傳導(dǎo)線135、136和139的3個(gè)傳導(dǎo)段可位于傳導(dǎo)接觸P8與Pll之間。
[0054]因此，如參照?qǐng)D1到圖3C所述，功率放大器101可包括在裸晶200中形成的功率放大器單元111到126 (圖2A)、覆蓋裸晶200的表面210的傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12的至少一部分及覆蓋表面210的傳導(dǎo)線131到139。功率放大器101可包括覆蓋表面210，并且耦合到一些傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12的連接(例如，圖2A中的211到219)。功率放大器101可包括在表面210與功率放大器單元111到126之間延伸的傳導(dǎo)路徑(例如，圖 3A 和圖 3B 中的 311a、311b、318a、318b、331a、331b、333 及 337)。功率放大器單元 111 到126可包括通過連接和傳導(dǎo)路徑耦合到一些傳導(dǎo)接觸Gl到G8及Pl到P12的供電節(jié)點(diǎn)(例如，圖3A和圖3B中的198和199)。
[0055]圖4根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，示出包括接口 410的用戶設(shè)備400的框圖。用戶設(shè)備可包括上面參照?qǐng)D1到圖3C所述的裝置100。如圖4所示，用戶設(shè)備也可包括天線413和414、處理單元431及存儲(chǔ)器441。為簡(jiǎn)明起見，圖4忽略了裝置100的其它元件以便不混淆本文中所述實(shí)施例。例如，裝置100可包括鍵盤、顯示器(例如，包括觸摸屏的LCD屏幕)、非易失性存儲(chǔ)器端口(例如，通用串行總線(USB)端口)、圖形處理器、應(yīng)用處理器、揚(yáng)聲器及其它元件中的一項(xiàng)或更多項(xiàng)。
[0056]用戶設(shè)備400可包括諸如具有無(wú)線通信能力的個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、膝上型或便攜式計(jì)算機(jī)等便攜式無(wú)線通信裝置、web平板計(jì)算機(jī)、無(wú)線電話、無(wú)線頭戴機(jī)、尋呼機(jī)、即時(shí)通訊裝置、數(shù)碼相機(jī)、接入點(diǎn)、電視、醫(yī)療裝置(例如，心率監(jiān)護(hù)儀、血壓監(jiān)護(hù)儀等)或可以無(wú)線方式接收和/或傳送信息的其它裝置。
[0057]用戶設(shè)備400的處理單元431和接口 410可配置成與單個(gè)類型的通信網(wǎng)絡(luò)或多個(gè)類型的通信網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信。例如，處理單元431和接口 410可配置成與WiF1、WiMax、LTE及其它通信網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)或更多個(gè)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信。
[0058]處理單元431可包括單個(gè)處理器或多個(gè)處理器。單個(gè)或多個(gè)處理器可包括一個(gè)或更多個(gè)通用處理器、一個(gè)或更多個(gè)專用集成電路(ASIC)或其它類型的處理器。處理單元431可配置消息以便通過接口 410傳送到其它裝置。處理單元431可配置成與接口 410進(jìn)行通信以便與其它裝置無(wú)線交換消息。
[0059]存儲(chǔ)器441可包括易失性存儲(chǔ)器、非易失性存儲(chǔ)器或兩者的組合。存儲(chǔ)器441可包含指令(例如，固件程序、軟件程序或兩者的組合)，指令在由處理單元431執(zhí)行時(shí)，促使用戶設(shè)備執(zhí)行操作。此類操作可包括通過天線413和414向或從用戶設(shè)備無(wú)線傳送，接收信號(hào)或兩者。
[0060]如圖4所示，接口 410可包括收發(fā)器411和412，每個(gè)收發(fā)器可配置成與不同網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信。例如，收發(fā)器411可配置成與LTE網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信，并且收發(fā)器412可配置成與WiMax網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信。圖4示出用戶設(shè)備包括兩個(gè)收發(fā)器(例如,421和422)和兩個(gè)天線(例如，413和414)的示例。收發(fā)器和天線的數(shù)量可不同。
[0061]收發(fā)器411可包括傳送器421和接收器422以便在上述網(wǎng)絡(luò)至少之一中通過天線413和414至少之一與其它裝置(圖4中未示出)無(wú)線交換(例如，發(fā)送和接收)消息。收發(fā)器412也可包括傳送器和接收器(圖4中未示出)以便通過天線413和414至少之一與其它裝置無(wú)線交換消息。
[0062]裝置100可包括用戶設(shè)備(例如，蜂窩電話、平板計(jì)算機(jī)或其它設(shè)備)或者包括在用戶設(shè)備中。因此，傳送器421可以是配置成在LTE網(wǎng)絡(luò)中或者在上述網(wǎng)絡(luò)中(例如，WiF1、WiMax和其它網(wǎng)絡(luò))中的另一單個(gè)網(wǎng)絡(luò)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)中操作的用戶設(shè)備的一部分。
[0063]收發(fā)器411和412至少之一可包括功率放大器。例如，收發(fā)器411的傳送器412可包括功率放大器401。功率放大器401可包括上面參照?qǐng)D1到圖3C所述的功率放大器101。
[0064]如圖4所示，傳送器412可包括電路402以生成要傳送的信號(hào)。功率放大器401可接收電路402生成的信號(hào)(例如，輸入信號(hào))，并且提供信號(hào)(例如，輸出信號(hào))到天線413和414至少之一以便傳送。功率放大器401收到的信號(hào)(例如,輸入信號(hào))可包括與上面參照?qǐng)D1到圖3C所述功率放大器101收到的信號(hào)“ + ”和類似或相同的信號(hào)。因此，功率放大器401提供到天線413和414的信號(hào)(例如，輸出信號(hào))可包括與功率放大器101提供的?目號(hào)Vout+和Vout-(或備選地基于/[目號(hào)Vout+和Vout-的/[目號(hào))類似或相同的彳目號(hào)。
[0065]圖4中收發(fā)器411的傳送器421可包括OFDM傳送器，使得電路402生成的信號(hào)的至少之一可包括正交頻分復(fù)用(OFDM)信號(hào)。用戶設(shè)備400可配置成在多輸入多輸出(MMO)配置中操作。因此，功率放大器401可耦合到用戶設(shè)備400的多個(gè)天線(例如，至少天線413和414)以便進(jìn)行MMO傳送。電路402生成的信號(hào)可包括預(yù)編碼的OFDM信號(hào)以便進(jìn)行MMO傳送。
[0066]此外，傳送器421也可包括布置成使用多個(gè)天線端口(例如，與天線413和414相關(guān)聯(lián)的天線端口)，通過上行鏈路信道傳送OFDM信號(hào)的MIMO傳送器。MIMO傳送器可包括與每個(gè)天線端口相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)RF功率放大器(例如，功率放大器401)。
[0067]在圖4中，天線413和天線414可包括一個(gè)或多個(gè)定向或全向天線，例如包括偶極天線、單極天線、貼片天線、環(huán)形天線、微帶天線或適合RF信號(hào)的傳送的其它類型的天線。在一些實(shí)施例中，可使用具有多個(gè)孔徑的單根天線，而不是兩根或更多根天線。在此類實(shí)施例中，每個(gè)孔徑可視為一根單獨(dú)的天線。在一些MINO實(shí)施例中，天線可有效地分隔以利用空間分集和可在每根天線與傳送站的天線之間產(chǎn)生的不同信道特征。在一些MMO實(shí)施例中，天線可相隔高達(dá)1/10或更大的波長(zhǎng)。
[0068]雖然用戶設(shè)備示為具有幾個(gè)單獨(dú)的功能元件，但一個(gè)或多個(gè)功能元件可組合，并且可通過軟件配置的元件的組合實(shí)現(xiàn)，如包括數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)和/或其它硬件元件的處理元件。例如，一些元件可包括一個(gè)或多個(gè)微處理器、DSP、專用集成電路(ASIC)、射頻集成電路(RFIC)及用于執(zhí)行至少本文中所述功能的各種硬件和邏輯電路的組合。在一些實(shí)施例中，功能元件可指在一個(gè)或多個(gè)處理元件上操作的一個(gè)或多個(gè)過程。
[0069]本文中所述實(shí)施例可在硬件、固件和軟件之一或其組合中實(shí)現(xiàn)。本文中所述實(shí)施例也可實(shí)現(xiàn)為在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)的指令，指令可由至少一個(gè)處理器讀取和執(zhí)行以執(zhí)行本文中所述的操作。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可包括用于以機(jī)器(例如，計(jì)算機(jī))可讀形式存儲(chǔ)信息的任何非暫時(shí)性機(jī)制。例如，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、磁盤存儲(chǔ)介質(zhì)、光存儲(chǔ)介質(zhì)、閃存裝置及其它存儲(chǔ)裝置和介質(zhì)。在這些實(shí)施例中，用戶設(shè)備的一個(gè)或更多個(gè)處理器可配置有執(zhí)行本文中所述操作的指令。
[0070]圖5示出根據(jù)本文中所述一些實(shí)施例，包括裝置505的IC封裝500。IC封裝500可對(duì)應(yīng)于倒裝芯片封裝。裝置505可包括圖1的裝置100或圖4的用戶設(shè)備。如圖5所示，裝置505可包括具有部分341的裸晶200 (也在圖3B中示出)。上面參照?qǐng)D1到圖3C描述了包括諸如功率放大器101的功率放大器的裸晶200。在圖5中，IC封裝500可包括封裝襯底(例如，有機(jī)襯底)512。
[0071]裸晶200可通過連接514耦合到封裝襯底512而不使用接合金屬線。連接514可包括受控塌陷芯片連接。封裝襯底512可通過連接(例如，焊球或引腳)516耦合到電路板(例如，印刷電路板)518。封裝襯底512可包括耦合到連接514和516的傳導(dǎo)元件(例如，傳導(dǎo)通路，未示出)以攜帶在裸晶與電路板518上其它組件(未示出)之間的信號(hào)(數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、功率和其它信號(hào))。
[0072]本文中所述設(shè)備(例如，裝置100和400和IC封裝500)的圖示旨在提供各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的一般理解，并且無(wú)意于提供可能利用本文中所述結(jié)構(gòu)的設(shè)備的所有元件和特征的完整描述。
[0073]上面參照?qǐng)D1A到圖4所述的實(shí)施例包括具有位于裸晶中的功率放大器單元的功率放大器、覆蓋在裸晶的表面上且耦合到放大器單元的傳導(dǎo)接觸及覆蓋在傳導(dǎo)接觸之間裸晶的表面上并且耦合到功率放大器單元的傳導(dǎo)線。描述了包括另外設(shè)備和方法的其它實(shí)施例。
[0074]上面的描述和圖形示出一些實(shí)施例以允許本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。其它實(shí)施例可包含結(jié)構(gòu)、邏輯、電氣過程和其它更改。示例只代表可能的變化。一些實(shí)施例的部分和特征可包括在其它實(shí)施例的部分和特征中或?yàn)槠渌娲?。在閱讀和理解上述描述后，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白許多其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明的各種實(shí)施例的范圍由隨附權(quán)利要求書及此類權(quán)利要求書被授權(quán)的等效物的完全范圍確定。
[0075]本文提供了摘要以遵從要求提供摘要以允許讀者快速確定本技術(shù)公開內(nèi)容的本質(zhì)和要點(diǎn)的37 C.F.R.§ 1.72(b)。摘要是在它將不用于解釋或限制權(quán)利要求書的范圍或含意的條件下提交。
【權(quán)利要求】
1.一種功率放大器，包括: 位于裸晶中的功率放大器單元； 覆蓋在所述裸晶的表面上并且耦合到所述放大器單元的傳導(dǎo)接觸；以及 覆蓋在所述傳導(dǎo)接觸之間所述裸晶的表面上并且耦合到所述功率放大器單元的傳導(dǎo)線，其中所述傳導(dǎo)線形成所述功率放大器的變壓器電路的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其中所述變壓器電路包括單匝傳送線路類型變換器電路，并且所述傳導(dǎo)線形成所述變壓器電路的初級(jí)和次級(jí)的至少一部分。
3.如權(quán)利要求2所述的功率放大器，其中所述傳導(dǎo)接觸包括焊料凸點(diǎn)，并且所述傳導(dǎo)線在所述傳導(dǎo)接觸之間的區(qū)域中布線。
4.如權(quán)利要求3所述的功率放大器，其中功率放大器單元包括位于所述變壓器電路內(nèi)的功率放大器單元的第一群組和位于所述變壓器電路外的功率放大器單元的第二群組。
5.如權(quán)利要求4所述的功率放大器，其中所述功率放大器單元分布在所述裸晶的多個(gè)位置中，使得所述位置包括所述功率放大器的相等部分。
6.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其中每個(gè)所述功率放大器單元包括供電節(jié)點(diǎn)，并且所述傳導(dǎo)接觸的至少一部分直接耦合到所述供電以將不間斷功率和接地信號(hào)從所述傳導(dǎo)接觸的所述部分提供到每個(gè)所述功率放大器單元的所述供電節(jié)點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求6所述的功率放大器，其中所述傳導(dǎo)接觸的所述部分中的每個(gè)傳導(dǎo)接觸配置成接收所述功率和接地信號(hào)之一，并且所述傳導(dǎo)中的三個(gè)傳導(dǎo)線路包括位于在所述傳導(dǎo)接觸中兩個(gè)傳導(dǎo)接觸之間的三個(gè)相應(yīng)傳導(dǎo)部分。
8.一種功率放大器,包括: 位于裸晶中的功率放大器單元； 覆蓋在所述裸晶的表面上以接收功率信號(hào)的傳導(dǎo)接觸的第一群組； 覆蓋在所述裸晶的所述表面上以接收接地信號(hào)的傳導(dǎo)接觸的第二群組； 覆蓋所述表面的傳導(dǎo)線；以及 在所述表面與所述功率放大器單元之間延伸的傳導(dǎo)路徑，其中傳導(dǎo)接觸的所述第一群組的一部分通過所述傳導(dǎo)路徑的第一部分耦合到所述功率放大器單元的至少之一，傳導(dǎo)接觸的所述第二群組的一部分通過所述傳導(dǎo)路徑的第二部分耦合到所述功率放大器單元至少之一，以及所述傳導(dǎo)線的一部分通過所述傳導(dǎo)路徑的第三部分耦合到所述功率放大器單元，其中所述傳導(dǎo)線和所述傳導(dǎo)路徑的所述第三部分形成變壓器電路的一部分以組合由所述功率放大器單元提供的信號(hào)。
9.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中功率放大器單元包括在大約I伏的供電電壓操作的互補(bǔ)型氧化金屬半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。
10.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中每個(gè)所述功率放大器單元包括通過所述傳導(dǎo)路徑之一耦合到所述傳導(dǎo)線之一的輸出節(jié)點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求10所述的功率放大器，其中每個(gè)所述功率放大器單元包括接收差分信號(hào)的分量的輸入節(jié)點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中所述功率放大器單元的第一功率放大器單元包括第一輸出節(jié)點(diǎn)，并且所述功率放大器單元的第二功率放大器單元包括第二輸出節(jié)點(diǎn)，以及所述第一和第二輸出節(jié)點(diǎn)區(qū)域耦合到所述傳導(dǎo)線中的相同傳導(dǎo)線。
13.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中所述傳導(dǎo)線形成傳送線變壓器的一部分。
14.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中傳導(dǎo)接觸的所述第一群組位于所述表面的第一側(cè)上，傳導(dǎo)接觸的第二群組位于所述表面的第二側(cè)上。
15.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中所述傳導(dǎo)線之一形成環(huán)路的至少一部分，其中傳導(dǎo)接觸的所述第一和第二群組之一的第一傳導(dǎo)接觸位于所述環(huán)路內(nèi)，并且傳導(dǎo)接觸的所述第一和第二群組之一的第二傳導(dǎo)接觸位于所述環(huán)路外。
16.如權(quán)利要求15所述的功率放大器，其中所述第一傳導(dǎo)接觸耦合到所述功率放大器單元的第一功率放大器單元，所述第二傳導(dǎo)接觸耦合到所述功率放大器單元的第二功率放大器單元，所述第一功率放大器單元位于所述環(huán)路內(nèi)，并且所述第二功率放大器單元位于所述環(huán)路外。
17.如權(quán)利要求15所述的功率放大器，其中所述傳導(dǎo)線的第一傳導(dǎo)線位于所述環(huán)路內(nèi)，并且所述傳導(dǎo)線的第二傳導(dǎo)線位于所述環(huán)路外。
18.如權(quán)利要求17所述的功率放大器，其中所述第一傳導(dǎo)線耦合到所述功率放大器單元的第一功率放大器單元的輸入節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)之一，所述第二傳導(dǎo)接觸耦合到所述功率放大器單元的第二功率放大器單元的輸入節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)之一，所述第一功率放大器單元位于所述環(huán)路內(nèi)，并且所述第二功率放大器單元位于所述環(huán)路外。
19.如權(quán)利要求8所述的功率放大器，其中所述功率放大器單元位于大約0.8平方毫米的裸晶面積內(nèi)。
20.如權(quán)利要求19所述的功率放大器，其中所述功率放大器具有在大約26dBm到大約32dBm范圍中的輸出功率。
21.如權(quán)利要求20所述的功率放大器，其中所述功率放大器具有大約50%的峰值漏極效率。
22.一種正交頻分復(fù)用(OFDM)傳送器，包括: 生成至少一個(gè)OFDM信號(hào)以便傳送的電路；以及 將所述至少一個(gè)OFDM信號(hào)放大的功率放大器，所述功率放大器包括: 位于裸晶中的功率放大器單元； 覆蓋在所述裸晶的表面上并且耦合到所述放大器單元的傳導(dǎo)接觸；以及 覆蓋在所述傳導(dǎo)接觸之間所述裸晶的表面上并且耦合到所述功率放大器單元的傳導(dǎo)線。
23.如權(quán)利要求22所述的OFDM傳送器，其中功率放大器單元包括在大約I伏的供電電壓操作的晶體管，并且所述功率放大器具有在大約26dBm到大約32dBm范圍中的輸出功率。
24.如權(quán)利要求23所述的OFDM傳送器，其中所述傳導(dǎo)線形成耦合到16個(gè)功率放大器單元的輸出節(jié)點(diǎn)的多個(gè)變壓器的一部分，并且所述傳導(dǎo)接觸耦合到所述功率放大器單元的供電節(jié)點(diǎn)以將所述供電電壓提供到功率放大器單元。
25.如權(quán)利要求22所述的OFDM傳送器，其中所述功率放大器耦合到多個(gè)天線以便實(shí)現(xiàn)多輸入多輸出(MMO)傳送，并且所述至少一個(gè)OFDM信號(hào)包括為MMO傳送預(yù)編碼的OFDM信號(hào)。
26.如權(quán)利要求22所述的OFDM傳送器，其中所述OFDM傳送器是配置成在長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)網(wǎng)絡(luò)中操作的用戶設(shè)備的一部分。
27.用戶設(shè)備，包括: 射頻(RF)功率放大器，包括位于裸晶中的功率放大器單元、包括覆蓋在所述裸晶的表面上并且耦合到所述功率放大器單元的傳導(dǎo)線的基于變壓器的組合器； 覆蓋在裸晶的表面上的受控塌陷芯片連接，所述受控塌陷芯片連接的一部分耦合到所述功率放大器單元，并且所述傳導(dǎo)線的至少一部分位于所述受控塌陷芯片連接的所述部分之間；以及 耦合到所述RF功率放大器的至少一個(gè)天線。
28.如權(quán)利要求27所述的用戶設(shè)備，其中所述傳導(dǎo)線包括位于所述受控塌陷芯片連接的兩個(gè)之間的三個(gè)傳導(dǎo)線。
29.如權(quán)利要求28所述的用戶設(shè)備，其中所述傳導(dǎo)線中的兩個(gè)形成所述基于變壓器的組合器的變壓器電路的初級(jí)的至少一部分，并且所述三個(gè)傳導(dǎo)線之一形成所述變壓器電路的次級(jí)的至少一部分。
30.如權(quán)利要求29所述的用戶設(shè)備，還包括通過所述受控塌陷芯片連接耦合到所述裸晶的封裝襯底。
31.如權(quán)利要求27所述的用戶設(shè)備，其中所述RF功率放大器是布置成使用多個(gè)天線端口，通過上行鏈路信道傳送正交頻分復(fù)用(OFDM)信號(hào)的多輸入多輸出(MMO)傳送器的一部分，并且所述MMO傳送器包括與每個(gè)所述天線端口相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)RF功率放大器。
【文檔編號(hào)】H03F1/02GK104254973SQ201280072787
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月1日
【發(fā)明者】徐鴻濤, G.帕拉斯卡斯 申請(qǐng)人:英特爾公司