專利名稱：一種拇指型超寬帶射頻變頻通道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及射頻變頻通道技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種小型化超寬帶射頻變頻通道模塊。
背景技術(shù)：
目前變頻通道模塊的實(shí)現(xiàn)方式主要有兩種一種是采用混合集成的封裝方式 ’另一種是采用低溫共燒陶瓷(LTCC) 一體化集成的封裝方式。采用傳統(tǒng)混合集成方式封裝的變頻通道模塊通常是在一個(gè)較大的金屬基材上通過銑切等機(jī)械加工手段先制作金屬盲槽，再在這些盲槽內(nèi)安裝放大、衰減、濾波、變頻等模塊，最后通過金絲鍵合或壓接金帶的方式級(jí)聯(lián)各模塊來連通整個(gè)變頻通道。采用這種方式封裝的變頻通道，由于是采用的平面封裝形式，且內(nèi)部各功能模塊都要置于較大的金屬腔上的盲槽內(nèi)，最終封裝得到的變頻通道模塊體積及重量都會(huì)很大，很難實(shí)現(xiàn)通道小型化和一些對重量有要求的特殊應(yīng)用場合。采用LTCC 一體化集成封裝方式的變頻通道模塊雖具有體積小，重量輕，集成度高等優(yōu)點(diǎn)，但是基于這種封裝形式的變頻通道，由于各種濾波器、無源器件都被集成到LTCC內(nèi)部，整個(gè)通道成為了一個(gè)整體，很難對各個(gè)功能模塊進(jìn)行單獨(dú)測試，使得整個(gè)通道的可測性和可調(diào)性都很差，而且一旦出現(xiàn)故障也極難定位。并且，受限于LTCC材料體系，LTCC上金屬的反復(fù)鍵合與焊接性較差，最多只能返修1-2次。此外，由于LTCC內(nèi)的電磁隔離是靠金屬網(wǎng)格地及金屬化通孔實(shí)現(xiàn)的，要解決通道內(nèi)的電磁兼容必須進(jìn)行大量的三維電磁場仿真，特別當(dāng)使用頻率較高時(shí)，單純依靠金屬網(wǎng)格地和金屬化通孔難以滿足通道內(nèi)電磁隔離的要求。為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本實(shí)用新型提出了一種新的解決方案。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是針對于現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種拇指型超寬帶射頻變頻通道，該拇指型超寬帶射頻變頻通道不僅具有小型化的優(yōu)點(diǎn)，還具有良好的可測性、可調(diào)試性與返修性，同時(shí)還能很好地解決變頻通道內(nèi)的電磁兼容問題。為達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為提供一種拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于包括射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊、中頻LTCC模塊、帶通濾波器、鋁隔墻、鋁腔體、硅鋁合金蓋板、玻璃絕緣子、微波印制電路片、饋電PCB板、微矩形連接器和SMP接頭；所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊依次級(jí)聯(lián)并通過螺釘分別安裝于鋁腔體正面；所述第二次混頻模塊通過玻璃絕緣子與微波印制電路片連接；所述微波印制電路片和中頻LTCC模塊級(jí)聯(lián)安裝在鋁腔體的背面；所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊和第二次混頻模塊上的芯片的控制及電源引腳通過玻璃絕緣子與 設(shè)置于鋁腔體背面的饋電PCB板連接；所述饋電PCB板的電源及控制信號(hào)通過與設(shè)置在鋁腔體底部的微矩形連接器相連輸入；所述第一次混頻模塊和第一中頻濾波放大模塊之間設(shè)置有帶通濾波器，帶通濾波器上設(shè)有鋁隔墻；兩面所述硅鋁合金蓋板分別安裝于鋁腔體的正面和背面上；所述鋁腔體的兩側(cè)均設(shè)置有兩個(gè)SMP接頭。進(jìn)一步地，拇指型超寬帶射頻變頻通道的長為66. 4mm、寬為27mm、高為11mm。進(jìn)一步地，所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊依次通過金絲或金帶級(jí)聯(lián)安裝在鋁腔體的正面。進(jìn)一步地，所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊和第二次混頻模塊的功能芯片控制及電源引腳通過金帶與設(shè)置于鋁腔體背面的饋電PCB板連接。進(jìn)一步地，兩面所述硅鋁合金蓋板通過激光焊接安裝于鋁腔體的正面和背面上。綜上所述，本實(shí)用新型所提供的拇指型超寬帶射頻變頻通道相比于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)1、拇指型超寬帶射頻變頻通道分為射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊和中頻LTCC模塊，每個(gè)模塊通過專用測試夾具能單獨(dú)地進(jìn)行測試和調(diào)試，使得整個(gè)變頻通道具有非常良好的可測性與可調(diào)試性。2、射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊和第二次混頻模塊通過螺釘固定在鋁腔體正面，便于拆卸替換，使得整個(gè)拇指型超寬帶射頻變頻通道易于故障定位和維修。3、整個(gè)拇指型超寬帶射頻變頻通道的尺寸僅為66. 4mmX 27mmX IImm,真正地實(shí)現(xiàn)的變頻通道的小型化。4、整個(gè)拇指型超寬帶射頻變頻通道采用雙面集成的方式，并使用LTCC集成中頻部分，在保證可測試性的前提下最大程度的提高了集成度。5、射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊和第二次混頻模塊置于鋁腔體的盲槽內(nèi)，硅鋁合金蓋板與盲槽形成的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的截止頻率高于拇指型超寬帶射頻變頻通道的工作頻率，可有效地解決變頻通道內(nèi)的電磁兼容問題。6、拇指型超寬帶射頻變頻通道相對于LTCC 一體化集成方式降低了高頻部分設(shè)計(jì)難度與設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)，并能變頻通道的良品率。

圖1為本實(shí)用新型的工作原理圖；圖2為本實(shí)用新型的正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型的背面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型的頂部結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型的左側(cè)結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型的右側(cè)結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為射頻預(yù)選濾波放大模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為第一次混頻模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為第一中頻濾波放大模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖；[0029]圖10為第二次混頻模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為中頻LTCC模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1、射頻預(yù)選濾波放大模塊；2、第一次混頻模塊；3、第一中頻濾波放大模塊；4、第二次混頻模塊；5、中頻LTCC模塊；6、鋁腔體；71、第一 SMP接頭；72、第二 SMP接頭；73、第三SMP接頭；74、第四SMP接頭；8、正面硅鋁蓋板；9、帶通濾波器；10、鋁隔墻；11、微矩型連接器；12、饋電PCB板；13、背面硅鋁蓋板；101、第一 SMA插拔式座；102、第一 IOOpF芯片電容；103、第一 N4型絕緣子；104、射頻預(yù)選濾波放大模塊可伐載板；105、射頻預(yù)選濾波放大模塊測試腔體；106、射頻放大芯片；107、預(yù)選濾波芯片；108、射頻數(shù)控衰減芯片；109、射頻衰減均衡器；110、19GHz低通濾波器；201、第二 SMA插拔式座；202、第二 N4型絕緣子；203、第一固定衰減芯片；204、第一本振放大芯片；205、第一次混頻模塊測試腔體；206、第一 K型插拔式座；207、第一次混頻模塊可伐載板；208、第一次混頻芯片；209、第三N4型絕緣子；301、23GHz低通濾波器；302、第二 IOOpF芯片電容；303、接地電路片；304、第一中頻濾波放大模塊測試腔體；305、第二 K型插拔式座；306、第一中頻濾波放大模塊可伐載板；308、第一中頻放大芯片；309、可調(diào)衰減器；401、第二次混頻模塊測試腔體；402、第二微波印制電路片；403、第二次混頻模塊可伐載板；404、第二次混頻芯片；405、第二本振放大芯片；406、第三IOOpF芯片電容；407、毫米波絕緣子；408、第二固定衰減芯片；501、中頻數(shù)控衰減芯片；502、LTCC基片；503、中頻放大芯片；504、中頻LTCC模塊測試腔體；505、鋁壓塊。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)地描述如圖2到圖6所示，該拇指型超寬帶射頻變頻通道，包括射頻預(yù)選濾波放大模塊1、第一次混頻模塊2、第一中頻濾波放大模塊3、第二次混頻模塊4、中頻LTCC模塊5、帶通濾波器9、鋁隔墻10、鋁腔體6、硅鋁合金蓋板、玻璃絕緣子、微波印制電路片、饋電PCB板12、微矩形連接器11和SMP接頭；所述射頻預(yù)選濾波放大模塊1、第一次混頻模塊2、第一中頻濾波放大模塊3、第二次混頻模塊4依次級(jí)聯(lián)并通過螺釘分別安裝于鋁腔體6正面；所述第二次混頻模塊4通過玻璃絕緣子與微波印制電路片連接；所述微波印制電路片和中頻LTCC模塊5級(jí)聯(lián)安裝在鋁腔體6的背面；所述射頻預(yù)選濾波放大模塊1、第一次混頻模塊2、第一中頻濾波放大模塊3和第二次混頻模塊4上的芯片的控制及電源引腳通過玻璃絕緣子與設(shè)置于鋁腔體6背面的饋電PCB板12連接；所述饋電PCB板12的電源及控制信號(hào)通過與設(shè)置在鋁腔體6底部的微矩形連接器11相連輸入；所述第一次混頻模塊2和第一中頻濾波放大模塊3之間設(shè)置有帶通濾波器9，帶通濾波器9上設(shè)有鋁隔墻10 ;兩面所述硅鋁合金蓋板分別安裝于鋁腔體6的正面和背面上；所述鋁腔體6的兩側(cè)均設(shè)置有兩個(gè)SMP接頭。優(yōu)選地，拇指型超寬帶射頻變頻通道的長為66. 4mm、寬為27mm、高為Ilmm ;所述射頻預(yù)選濾波放大模塊1、第一次混頻模塊2、第一中頻濾波放大模塊3、第二次混頻模塊4依次通過金絲或金帶級(jí)聯(lián)安裝在鋁腔體6的正面；所述射頻預(yù)選濾波放大模塊1、第一次混頻模塊2、第一中頻濾波放大模塊3和第二次混頻模塊4的功能芯片控制及電源引腳通過金帶與設(shè)置于鋁腔體6背面的饋電PCB板12連接；兩面所述硅鋁合金蓋板通過激光焊接安裝于鋁腔體6的正面和背面上。[0036]射頻信號(hào)從位于鋁腔體6左側(cè)上方的第三SMP接頭73輸入，通過微波印制電路片級(jí)聯(lián)輸入到射頻預(yù)選濾波放大模塊I中，射頻預(yù)選濾波放大模塊I饋電通過與饋電PCB板12相連來實(shí)現(xiàn)。射頻信號(hào)經(jīng)過射頻預(yù)選濾波放大模塊I后通過金絲或金帶級(jí)聯(lián)到第一次混頻模塊2中，第一次混頻模塊2的本振信號(hào)從位于鋁腔體6右側(cè)上方的第一 SMP接頭71輸入。第一次混頻模塊2輸出的第一中頻信號(hào)通過金帶與帶通濾波器9相連。濾波后的第一中頻信號(hào)通過金絲或金帶進(jìn)入第一中頻濾波放大模塊3。第一次混頻模塊2與第一中頻濾波放大模塊3饋電均通過玻璃絕緣子垂直下穿到鋁腔體6背面與饋電PCB板12相連來實(shí)現(xiàn)。經(jīng)過濾波和放大的第一中頻信號(hào)通過金絲或金帶級(jí)聯(lián)被輸入到第二次混頻模塊4中，第二次混頻模塊4的本振信號(hào)從位于鋁腔體6左側(cè)下方的第四SMP接頭74輸入。第二次混頻模塊4產(chǎn)生的第二中頻信號(hào)下穿到鋁腔體6背面并輸入到中頻LTCC模塊5中。經(jīng)中頻LTCC模塊5放大濾波的第二中頻信號(hào)從位于鋁腔體6右側(cè)下方的第二 SMP接頭72輸出。本實(shí)用新型的工作原理如圖1所示，輸入的2GHf 18GHz的超寬帶射頻信號(hào)經(jīng)過放大后通過射頻頻濾波放大模塊的預(yù)選濾波芯片被劃分成5個(gè)頻段，再經(jīng)過放大、衰減、濾波后與第一本振信號(hào)(24GHf40GHz)混頻后得到中心頻率為22GHz帶寬IGHz的第一中頻信號(hào)，第一中頻信號(hào)經(jīng)放大濾波后與第二本振信號(hào)(20. 2GHz)混頻得到中心頻率為1. 5GHz帶寬IGHz的第二中頻信號(hào)，所得第二中頻信號(hào)再經(jīng)放大以及濾波，最后輸出供后端使用。拇指型超寬帶射頻變頻通道分為射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊和中頻LTCC模塊，每個(gè)模塊通過專用測試夾具能單獨(dú)地進(jìn)行測試和調(diào)試，使得整個(gè)變頻通道具有非常良好的可測性與可調(diào)試性如圖7所示，圖7是射頻預(yù)選濾波放大模塊I的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一IOOpF芯片電容102、第一射頻放大芯片106、預(yù)選濾波芯片107、射頻數(shù)控衰減芯片108、射頻衰減均衡器109和19GHz低通濾波器110等用導(dǎo)電膠粘接在射頻預(yù)選濾波放大模塊可伐載板104上，芯片之間通過金絲或高頻微波印制電路片實(shí)現(xiàn)互連。射頻預(yù)選濾波放大模塊I先用螺釘安裝在射頻預(yù)選濾波放大模塊測試腔體105上，通過腔體兩端的第一 SMA插拔式座101與矢量網(wǎng)量測試儀等測試設(shè)備進(jìn)行連接以供測試。測試夾具通過焊接在腔體上的第一 N4型絕緣子103對該模塊饋電。待射頻預(yù)選濾波放大模塊I調(diào)試完畢后，再從射頻預(yù)選濾波放大模塊測試腔體105中取出并用螺釘固定到鋁腔體6的正面。如圖8所示，圖8是第一次混頻模塊2的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一次混頻芯片208、第一固定衰減芯片203、第一本振放大芯片204等用導(dǎo)電膠粘接在第一次混頻模塊可伐載板207上，芯片之間通過金絲或高頻微波印制電路片實(shí)現(xiàn)互連。第一次混頻模塊2先用螺釘安裝在第一次混頻模塊測試腔體205上，通過腔體左端的第二 SMA插拔式座201及右端的第一 K型插拔式座206與矢量網(wǎng)量測試儀等測試設(shè)備進(jìn)行連接供測試。焊接在第一次混頻模塊測試腔體205上的第三N4型絕緣子209先與粘接在腔體背面的電路片連接，電路片再通過一個(gè)焊接在腔體上的第二 N4型絕緣子202與正面的第一次混頻模塊2饋電電路相連，實(shí)現(xiàn)對該模塊饋電。待第一次混頻模塊2調(diào)試完畢后，再從第一次混頻模塊測試腔體205中取出并用螺釘固定到鋁腔體6的正面。如圖9所示，圖9是第一中頻濾波放大模塊3的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖，包括23GHz低通濾波器301、第二 IOOpF芯片電容302、第二接地電路片303、可調(diào)衰減器309、第一中頻放大芯片308等用導(dǎo)電膠粘接在第一中頻濾波放大模塊可伐載板306上，芯片電路片之間靠金絲或金帶級(jí)聯(lián)。第一中頻濾波放大模塊3先用螺釘安裝在第一中頻濾波放大模塊測試腔體304上，通過腔體兩端的第二 K型插拔式座305與矢量網(wǎng)量測試儀等測試設(shè)備進(jìn)行連接供測試。第一中頻濾波放大模塊測試夾具的饋電方式與前述第一次混頻模塊測試夾具相同。待第一中頻濾波放大模塊3調(diào)試完畢后，再從第一中頻濾波放大模塊測試腔體304中取出并用螺釘固定到鋁腔體6的正面。如圖10所示，圖10是第二次混頻模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖，包括第二微波印制電路片402、圓形微波印制電路片(圖中未標(biāo)出)、第二本振放大芯片405、第二次混頻芯片404、第三IOOpF芯片電容406、第二固定衰減芯片408等用導(dǎo)電膠粘接在第二次混頻模塊可伐載板403上，芯片電路片之間靠金絲或金帶級(jí)聯(lián)。SAN335型毫米波絕緣子407焊接在第二次混頻模塊可伐載板403上的絕緣子孔內(nèi)，SAN335型毫米波絕緣子407兩端分別通過焊接與第二微波印制電路片402、圓形微波印制電路片上的傳輸線相連，以實(shí)現(xiàn)第二中頻信號(hào)從第二次混頻模塊正面到模塊背面的垂直傳輸。第二次混頻模塊4先用螺釘安裝在第二次混頻模塊測試腔體401上，通過腔體兩端的K型插拔式座與矢量網(wǎng)量測試儀等測試設(shè)備進(jìn)行連接供測試。待第二次混頻模塊4調(diào)試完畢后，再從腔體中取出并用螺釘固定到鋁腔體6的正面。如圖11所示，圖11是中頻LTCC模塊的測試夾具結(jié)構(gòu)示意圖，將中頻LTCC模塊5中的中頻放大芯片503、中頻數(shù)控衰減芯片501等用導(dǎo)電膠粘接在LTCC基片502表面，芯片焊盤與LTCC基片表面焊盤依靠金絲鍵合進(jìn)行互連。LTCC基片502內(nèi)部集成了1. 3GHz高通濾波器、2. 3GHz低通濾波器、均衡器、固定衰減器及可調(diào)衰減器。粘接完芯片的中頻LTCC模塊5先被置于中頻LTCC模塊測試腔體504內(nèi)，再用兩個(gè)鋁壓塊505緊壓住LTCC基片502以便LTCC基片底部能良好接地。待中頻LTCC模塊5調(diào)試完畢后，再從腔體中取出并用導(dǎo)電膠粘接到鋁腔體6的背面。上述5個(gè)模塊全部安裝到鋁腔體6上后，將饋電PCB板12用螺釘固定到鋁腔體6背面，再用金帶將饋電PCB板12正面焊盤與微矩形連接器11對應(yīng)針腳連接，再用金絲鍵合連接各模塊對外饋電焊盤與對應(yīng)位置的饋電PCB板背面焊盤及玻璃饋電絕緣子，最后用金帶或金絲級(jí)聯(lián)各模塊以聯(lián)通整個(gè)變頻通道鏈路。上述步驟完成后，變頻通道模塊即全部安裝到位后，可對整個(gè)通道進(jìn)行聯(lián)調(diào)。待整個(gè)變頻通道調(diào)試完畢后，最后將正面硅鋁蓋板8和背面硅鋁蓋板13通過激光焊接封焊到鋁腔體正反兩面上以實(shí)現(xiàn)氣密封裝。綜上所述，本實(shí)用新型所提供的拇指型超寬帶射頻變頻通道，能將2-18GHZ的射頻信號(hào)變換成1.8GHz的中頻信號(hào)以供信號(hào)處理，不僅具有小型化的優(yōu)點(diǎn)，還具有良好的可測性、可調(diào)試性與返修性，同時(shí)還能很好地解決變頻通道內(nèi)的電磁兼容問題。雖然結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行了詳細(xì)地描述，但不應(yīng)理解為對本專利的保護(hù)范圍的限定。在權(quán)利要求書所描述的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員不經(jīng)創(chuàng)造性勞動(dòng)即可做出的各種修改和變形仍屬本專利的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于包括射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊、中頻LTCC模塊、帶通濾波器、鋁隔墻、鋁腔體、硅鋁合金蓋板、玻璃絕緣子、微波印制電路片、饋電PCB板、微矩形連接器和SMP接頭; 所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊依次級(jí)聯(lián)并通過螺釘分別安裝于鋁腔體正面；所述第二次混頻模塊通過玻璃絕緣子與微波印制電路片連接；所述微波印制電路片和中頻LTCC模塊級(jí)聯(lián)安裝在鋁腔體的背面；所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊和第二次混頻模塊上的芯片的控制及電源引腳通過玻璃絕緣子與設(shè)置于鋁腔體背面的饋電PCB板連接；所述饋電PCB板的電源及控制信號(hào)通過與設(shè)置在鋁腔體底部的微矩形連接器相連輸入；所述第一次混頻模塊和第一中頻濾波放大模塊之間設(shè)置有帶通濾波器，帶通濾波器上設(shè)有鋁隔墻；兩面所述硅鋁合金蓋板分別安裝于鋁腔體的正面和背面上；所述鋁腔體的兩側(cè)均設(shè)置有兩個(gè)SMP接頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于拇指型超寬帶射頻變頻通道的長為66. 4mm、寬為27mm、高為11mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊依次通過金絲或金帶級(jí)聯(lián)安裝在鋁腔體的正面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊和第二次混頻模塊的功能芯片控制及電源引腳通過金帶與設(shè)置于鋁腔體背面的饋電PCB板連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于兩面所述硅鋁合金蓋板通過激光焊接安裝于鋁腔體的正面和背面上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種拇指型超寬帶射頻變頻通道，其特征在于包括射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊、中頻LTCC模塊、帶通濾波器、鋁隔墻、鋁腔體、硅鋁合金蓋板、玻璃絕緣子、微波印制電路片、饋電PCB板、微矩形連接器和SMP接頭。所述射頻預(yù)選濾波放大模塊、第一次混頻模塊、第一中頻濾波放大模塊、第二次混頻模塊和中頻LTCC模塊通過級(jí)聯(lián)依次連接設(shè)置在鋁腔體的正反兩面。該拇指型超寬帶射頻變頻通道不僅具有小型化的優(yōu)點(diǎn)，還具有良好的可測性、可調(diào)試性與返修性，同時(shí)還能很好地解決變頻通道內(nèi)的電磁兼容問題。
文檔編號(hào)H03D7/16GK202841057SQ20122049995
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者陳依軍, 王棟, 童偉, 黃智 , 董金生, 金珠, 白宗旭, 邊麗菲, 姜文兵, 李晨, 周文瑾 申請人:成都嘉納海威科技有限責(zé)任公司