專利名稱：一種防止mos管誤導通電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種MOS管電路，特別涉及一種防止MOS管誤導通電路。
背景技術：
現(xiàn)有技術中的MOS管Q3內部的寄生的分布電容主要包括柵源極間電容Cgs，柵漏極間電容Cgd，漏源極間電容Cds。如圖I所示。由于功率MOS管內部寄生分布電容的耦合作用，在MOS管關斷狀態(tài)下，瞬間加在MOS管漏源極的電壓極容易通過電容CgcUCgs在MOS管的柵源極GS間的耦合一個電壓使得Vgs大于MOS管最低的柵源導通壓降Vth，引起功率MOS管的誤導通，損壞MOS管。上述問題目前的解決方法為在MOS管的外部柵源極GS之間并聯(lián)一個電容Cl如圖2所示，以降低柵源極之間的耦合電壓Vgs，使Vgs小于MOS管最低的柵源導通壓降Vth，起到防止誤導通的作用。但是這種方法存在一個嚴重問題隨著現(xiàn)在 生產MOS管的Vth越做越低，在MOS管GS之間并聯(lián)的電容就要求越來越大，而在GS之間并聯(lián)電容會極大降低MOS管的導通及關斷的速度，在高頻電路里，這會大大增加MOS管的開關損耗，降低效率。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題，在于提供一種可以有效的防止MOS管誤導通又不會影響MOS管的開關速度的防止MOS管誤導通電路。本實用新型是這樣實現(xiàn)的一種防止MOS管誤導通電路，包括MOS管Q3及其內部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，其特征在于還包括電阻Rl和R2、三極管Ql和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs ;三極管Ql的基極串聯(lián)電阻Rl后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Ql的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。所述三極管Q2在MOS管的柵源極GS之間的耦合電壓建立之前導通，從而將MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs鉗位在三極管Q2的導通壓降O. 4-0. 7V。本實用新型的優(yōu)點在于可以在不降低MOS管的開關速度，不增加MOS管的開關損耗的情況下，以低成本的方式解決MOS管誤導通的問題。無需在GS間并電容Cl，只需要增加2個普通的三極管及2個電阻，可以有效的防止MOS管誤導通又不會影響MOS管的開關速度。

下面參照附圖結合實施例對本實用新型作進一步的說明。圖I是MOS管及其內部寄生的分布電容的電路圖。圖2是現(xiàn)有技術的一種防止MOS管誤導通電路的連接圖。[0010] 圖3是本實用新型所述的防止MOS管誤導通電路的連接圖。
具體實施方式請參閱圖3，是本實用新型一種防止MOS管誤導通電路的連接圖，包括MOS管Q3及其內部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，其特征在于還包括電阻Rl和R2、三極管Ql和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs ;三極管Ql的基極串聯(lián)電阻Rl后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Ql的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。其工作原理如下I、在MOS管關處于關斷狀態(tài)下，即來自外部的驅動信號DRIVE上施加的驅動電壓Vdrive=O,此時Ql截止，當有瞬間電壓加在MOS管漏極D時，由于三極管導通速度極快，所以三極管Q2會在MOS管的柵源極GS之間的耦合電壓建立之前導通，從而將MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs鉗位在三極管Q2的導通壓降O. 4—0. 7V左右，這個電壓是遠遠小于MOS管最低的柵源導通壓降Vth，所以MOS管肯定是不會誤導通的。2、當MOS管要從關斷變?yōu)閷〞r，來自外部的驅動信號DRIVE會施加一個驅動電壓Vdrive并保證Vdrive>Vth，此時Ql會導通，Q2會截止,Vgs的鉗位被釋放,MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs=VdriveXVth,以保證MOS管能正常導通。本實用新型在不降低MOS管的開關速度，不增加MOS管的開關損耗的情況下，以低成本的方式解決MOS管誤導通的問題。無需在GS間并電容Cl，只需要增加2個普通的三極管及2個電阻，即可實現(xiàn)發(fā)明目的。
權利要求1.一種防止MOS管誤導通電路，包括MOS管Q3及其內部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，其特征在于還包括電阻Rl和R2、三極管Ql和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs ;三極管Ql的基極串聯(lián)電阻Rl后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Ql的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。
2.根據權利要求I所述的防止MOS管誤導通電路，其特征在于所述三極管Q2在MOS管的柵源極GS之間的耦合電壓建立之前導通，從而將MOS管的柵源極GS間的電壓Vgs鉗位在三極管Q2的導通壓降O. 4—0. 7V。
專利摘要本實用新型涉及一種防止MOS管誤導通電路，包括MOS管Q3及其內部寄生的柵源極間電容Cgs、柵漏極間電容Cgd和漏源極間電容Cds，還包括電阻R1和R2、三極管Q1和Q2，所述三極管Q2的基極串聯(lián)電阻R2后連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的集電極也連接到柵漏極間電容Cgd，三極管Q2的發(fā)射極連接到柵源極間電容Cgs；三極管Q1的基極串聯(lián)電阻R1后連接到三極管Q2的集電極以及柵漏極間電容Cgd與柵源極間電容Cgs之間，三極管Q1的發(fā)射極連接三極管Q2的發(fā)射極后再連接到柵源極間電容Cgs。采用本實用新型可以有效的防止MOS管誤導通又不會影響MOS管的開關速度。
文檔編號H03K17/56GK202737833SQ20122036369
公開日2013年2月13日 申請日期2012年7月26日 優(yōu)先權日2012年7月26日
發(fā)明者肖艷義 申請人:廈門藍溪科技有限公司