專利名稱：差分式低噪聲并行多頻放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種差分式低噪聲并行多頻放大器，特別涉及一種基于LC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的采用負(fù)電容補(bǔ)償技術(shù)的低聲聲并行多頻放大器。
背景技術(shù)：
差分式低噪聲并行多頻放大器位于無線接收設(shè)備的前端，是無線接收設(shè)備的主要接收模塊。其中，放大器的增益指示了放大器的放大能力，放大器的噪聲系數(shù)反映了放大器的質(zhì)量，但是這兩個參數(shù)在設(shè)計中往往不能同時達(dá)到最佳，需要設(shè)計者很好的權(quán)衡這兩個性能指標(biāo)。差分式低噪聲并行多頻放大器除了應(yīng)該具有較低的噪聲系數(shù)和足夠高的增益外，其自身的噪聲系數(shù)應(yīng)當(dāng)較小，而且多頻放大器要在多個頻段范圍內(nèi)都能保持良好的性能參數(shù)，還要保證放大器的穩(wěn)定性。此外，還應(yīng)控制多頻放大器的電路尺寸，盡量在不增加額外功耗的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)多頻放大功能。如果要接收多頻段的信號，目前的方式主要有如下兩種:第一是采用多套獨(dú)立的寬帶放大器以匹配不同的頻段，特點(diǎn)在于，此類電路設(shè)計簡單，易于實(shí)現(xiàn)，但是，由于采用了多套獨(dú)立的寬帶放大器,會造成電路尺寸的成倍增加,不利于電路的集成，同時也增加了功耗，造成不必要的浪費(fèi)，所以，此類電路只在少數(shù)場合使用。第二是寬帶放大器，即拓寬整個接收網(wǎng)絡(luò)的工作頻率，但是，此類方法必定會影響電路的增益，引入額外的噪聲，所以設(shè)計優(yōu)秀的寬帶放大器的難度較大。MOS管的柵漏寄生電容Cgd由于很小，在以往的電路設(shè)計中為了成本往往是忽略不計的。但是隨著CMOS工藝尺寸的不斷縮小，MOS管的柵漏寄生電容Cgd相對于柵源電容Cgs變得越來越大。MOS管的柵漏寄生電容Cgd對電路的性能已經(jīng)產(chǎn)生了不可忽視的影響，所以，在高性能的放大器設(shè)計中，如何消除MOS管的柵漏寄生電容Cgd的影響，越來越受到設(shè)計者的重視。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，涉及一種差分式低噪聲并行多頻放大器，可應(yīng)用于手機(jī)，導(dǎo)航，無限通信等接收機(jī)。其包含一多頻段低噪聲放大器(LNA)輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，一差動放大結(jié)構(gòu)，一電容交叉耦合結(jié)構(gòu)和一多頻段LNA輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，其主結(jié)構(gòu)是差分放大結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)電路的放大功能；多頻段LNA輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)保證電路能夠在雙中心頻段內(nèi)具有良好的電路匹配；電容交叉耦合結(jié)構(gòu)用于拓寬放大器的工作頻帶，使電路實(shí)現(xiàn)以雙頻為中心的多頻段放大功能，并能有效抑制共源管的柵漏寄生電容。本發(fā)明適用于工作在以兩頻率為中心的多頻接收設(shè)備的輸入端。優(yōu)選,本發(fā)明的一種差分式低噪聲并行多頻放大器，其包括一差分放大結(jié)構(gòu)、一多頻段低噪聲放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和一電容交叉I禹合結(jié)構(gòu)，所述多頻段低噪聲放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)分別連接所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端，所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)與所述差分放大結(jié)構(gòu)相連接；所述差分放大結(jié)構(gòu)包括兩組共源共柵放大結(jié)構(gòu),第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2組成一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第三MOS管M3和第四MOS管M4組成另一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，所述第一 MOS管Ml的漏極和第二 MOS管M2的源極連接，所述第三MOS管M3的漏極和第四MOS管M4的源極連接，所述第二 MOS管M2的柵極和第四MOS管M4的柵極分別串接第三電阻R3、第四電阻R4后都連接地，所述第一 MOS管Ml的柵極和第三MOS管M3的柵極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端，所述第二 MOS管M2的漏極和第四MOS管M4的漏極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸出端，所述第一 MOS管Ml的源極和第三MOS管M3的源極都接地；所述多頻段低噪聲放大器輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第七電感L7、第八電感L8、第九電感L9和第十電感L10，所述第七電容C7和第九電感L9并聯(lián)后與第九電容C9、第七電感L7串接在第一MOS管Ml的柵極上，所述第八電容C8和第十電感LlO并聯(lián)后與第十電容C10、第八電感L8串接在第一 MOS管Ml的柵極上。其中優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3具有相同的溝道長度和寬度，為第一級放大結(jié)構(gòu)，第二 MOS管M2和第四MOS管M4具有相同的溝道長度和寬度，為二級放大結(jié)構(gòu)。優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml的源極與柵極之間并入第五電容C5，第三MOS管M3的源極與柵極之間并入第六電容C6。優(yōu)選，第二MOS管M2的柵極與電源之間串接第三電阻R3，第四MOS管M4的柵極與電源之間串接第四電阻R4。優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml的漏極通過第五電感L5與第二 MOS管M2的源極相連，所述第三MOS管M3的漏極通過第六電感L6與第四MOS管M4的源極相連。優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml的源極與地之間串接第十三電感L13，第三MOS管M3的源極與地之間串接第十四電感L14。優(yōu)選，所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)包括第五MOS管M5、第六MOS管M6、第十三電容Cl3、第一電流源和第二電流源，所述第五MOS管M5和第六MOS管M6具有相同的技術(shù)參數(shù)，所述第五MOS管M5的柵極與所述第六MOS管M6的漏極以及第三MOS管M3的漏極連接，所述第五MOS管M5的漏極與所述第六MOS管M6的源極以及第一 MOS管Ml的漏極連接，所述第十三電容C13兩端分別連接所述第五MOS管M5的源極和所述第六MOS管M6的源極，所述第五MOS管M5的源極串接第一電流源后接地，所述第六MOS管M6的源極串接第二電流源后接地。優(yōu)選，所述多頻段低噪聲放大器輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第i^一電感L11、第十二電感L12、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第^^一電容CU、第十二電容C12、第一電阻R1、第二電阻R2、第五電阻R5和第六電阻R6 ;所述第一電容Cl與第一電感LI并聯(lián)后,一端與第二 MOS管M2的漏極相連，另一端通過第五電阻R5接地；所述第二電容C2與第二電感L2并聯(lián)后，一端與第六MOS管M6的漏極相連，另一端通過第六電阻R6接地；所述第三電感L3和第一電阻Rl串接在第二 MOS管M2的漏極與地之間；所述第四電感L4和第二電阻R2串接在第四MOS管M4的漏極和地之間；所 述第二 MOS管M2的漏極串接第i^一電感Lll和第i^一電容Cll后連接所述輸出端；所述第六MOS管M6的漏極串接第十二電感L12和第十二電容C12后連接所述輸出端。
作為優(yōu)選，低噪聲多頻放大器包括差分放大結(jié)構(gòu)，多頻段LNA輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，所述多頻段LNA輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)分別連接所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端，還包括一電容交叉耦合結(jié)構(gòu)，所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)與所述差分放大結(jié)構(gòu)相連接。作為優(yōu)選，所述多頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括:第七電容C7、第八電容CS、第九電容C9、第十電容C10、第七電感L7、第八電感L8、第九電感L9、第十電感L10，所述第七電容C7和第九電感L9并聯(lián)后與第九電容C9、第七電感L7串接在第一 MOS管Ml的柵極上，所述第八電容C8和第十電感LlO并聯(lián)后與第十電容C10、第八電感L8串接在第一MOS管Ml的柵極上。作為優(yōu)選，所述差分放大結(jié)構(gòu)包括:兩組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第一 MOS管Ml和第二MOS管M2組成一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第三MOS管M3和第四MOS管M4組成一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，所述第一 MOS管Ml的漏極和第二 MOS管M2的源極連接，所述第三MOS管M3和漏極和第四MOS管M4的源極連接，所述第二 MOS管M2和第四MOS管M4的柵極分別串接第三電阻R3、第四電阻R4后 連接VDD (地)，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3的柵極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端，所述第二 MOS管M2和第四MOS管M4的漏極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸出端，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3的源極都接地。第一 MOS管Ml和第三MOS管M3具有相同的溝道長度和寬度，第二 MOS管M2和第四MOS管M4具有相同的溝道長度和寬度。作為優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3的源極與柵極之間分別并入第五電容C5、第六電容C6。如果所述電容具有高質(zhì)量，則它引入的噪聲很小，因而放大器的總
噪聲被顯著減小。作為優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml的漏極通過一級間電感第五電感L5與第二 MOS管M2的源極相連，所述第三MOS管M3的漏極通過一級間電感第六電感L6與第四MOS管M4的源極相連，以實(shí)現(xiàn)級間匹配。作為優(yōu)選，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3的源極都接地并各自串接一源極電感，以提供良好的阻抗匹配。作為優(yōu)選，所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)包括，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第十三電容C13、第一電流源和第二電流源，第五MOS管M5和第六MOS管M6具有相同的技術(shù)參數(shù)，所述第五MOS管M5的柵極與所述第六MOS管M6的漏極以及第三MOS管M3的漏極連接，所述第五MOS管M5的漏極與所述第六MOS管M6的源極以及第一 MOS管Ml的漏極連接，所述第十三電容C13兩端分別連接所述第十五MOS管M5和所述第六MOS管M6的源極，所述第五MOS管M5的源極串接第一電流源后接地，所述第六MOS管M6的源極串接第二電流源后接地。作為優(yōu)選，所述多頻段LNA輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第i^一電感L11、第十二電感L12、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第^^一電容C11、第十二電容C12、第一電阻R1、第二電阻R2、第五電阻R5、第六電阻R6 ;所述第一電容Cl與第一電感LI并聯(lián)后,一端與第二 MOS管M2的漏極相連，另一端通過一第五電阻R5接地；所述第二電容C2與第二電感L2并聯(lián)后，一端與第六MOS管M6的漏極相連，另一端通過一第六電阻R6接地；所述第三電感L3和第一電阻Rl串接在第二 MOS管M2的漏極于VDD (地)之間；所述第四電感L4和第二電阻R2串接在第四MOS管M4的漏極和VDD (地)之間；所述第二 MOS管M2的漏極串接第i^一電感L11、第i^一電容Cll后連接輸出端；所述第六MOS管M6的漏極串接第十二電感L12、第十二電容C12后連接輸出端。


圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)的并行雙頻低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的差分式低噪聲并行多頻放大器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，線面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。以三頻手機(jī)的信號接收頻率要求為例，三頻手機(jī)的三個工作頻率分別為GSM900Mhz、DCS1800Mhz以及PCS1900Mhz，所以三頻手機(jī)可以同時接收GSM900M、DCS1800Mhz以及PCS1900Mhz這三個頻率段的信號，從中做出選擇，哪一頻段的信號強(qiáng)，就選擇那一基站的信號，如果一方接不通，可以自由轉(zhuǎn)到別一個頻段的信號上。它實(shí)際上就是擴(kuò)大了手機(jī)的接通率。作為三頻手機(jī)的信號輸入端，多頻低噪聲放大器起了至關(guān)重要的作用。本發(fā)明可以很好地滿足三頻手機(jī)的信號接收要求。選擇兩個中心頻率分別為900Mhz跟1850Mhz，其中，1850Mhz為DCS1800Mhz和PCS1900Mhz的中心頻率，通過電路對工作頻率進(jìn)行適當(dāng)拓寬后可包含DCS1800Mhz以及PCS1900Mhz。具體實(shí)施電路請參閱 圖2，圖2是本發(fā)明的差分式低噪聲并行多頻放大器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。所述差分式低噪聲并行多頻放大器包含一雙頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，一差動放大結(jié)構(gòu)，一電容交叉耦合結(jié)構(gòu)和一雙頻段LNA輸出匹配網(wǎng)絡(luò)。所述雙頻段LNA輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)分別連接所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端，還包括一電容交叉耦合結(jié)構(gòu)，所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)與所述差分放大結(jié)構(gòu)相連接。所述多頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括第七電容C7、第八電容CS、第九電容C9、第十電容C10、第七電感L7、第八電感L8、第九電感L9、第十電感L10，所述第七電容C7和第九電感L9并聯(lián)后與第九電容C9、第七電感L7串接在第一 MOS管Ml的柵極上，所述第八電容C8和第十電感LlO并聯(lián)后與第十電容C10、第八電感L8串接在第一 MOS管Ml的柵極上。所述多頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)能夠?qū)?00Mhz跟1850Mhz附近范圍信號進(jìn)行選擇。與傳統(tǒng)的單頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)相比，所述多頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)必須同時在900Mhz跟1850Mhz附近頻率范圍下匹配到50 Ω。所述差分放大結(jié)構(gòu)包括:兩組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2組成一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第三MOS管M3和第四MOS管M4組成一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第一 MOS管Ml和第三MOS管M3對稱，第二 MOS管M2和第四MOS管M4對稱。所述第一 MOS管Ml的漏極通過一級間電感第五電感L5與第二 MOS管M2的源極相連，所述第三MOS管M3的漏極通過一級間電感第六電感L6與第四MOS管M4的源極相連。所述第二 MOS管M2和第四MOS管M4的柵極分別串接第三電阻R3、第四電阻R4后連接VDD(地)，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3的柵極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端，所述第二 MOS管M2和第四MOS管M4的漏極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸出端，所述第一 MOS管Ml和第三MOS管M3的源極與柵極之間分別并入第五電容C5、第六電容C6，源極與地之間各自串接一源極電感。所述差分放大結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)對輸入信號的線性放大。所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)包括，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第十三電容C13、第一電流源和第二電流源，第五MOS管M5和第六MOS管M6具有相同的技術(shù)參數(shù)，所述第五MOS管M5的柵極與所述第六MOS管M6的漏極以及第三MOS管M3的漏極連接，所述第五MOS管M5的漏極與所述第六MOS管M6的源極以及MOS管Ml的漏極連接，所述電容C13兩端分別連接所述MOS管M5和所述MOS管M6的源極，所述MOS管M5的源極串接第一電流源后接地，所述MOS管M6的源極串接第二電流源后接地。所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)對共源管的柵漏寄生電容進(jìn)行補(bǔ)償。所述多頻段LNA輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括電感L1、電感L2、電感L3、電感L4、電感LU、電感L12、電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電容CU、電容C12、電阻R1、電阻R2、電阻R5、電阻R6 ;所述電容Cl與電感LI并聯(lián)后，一端與MOS管M2的漏極相連，另一端通過一電阻R5接地；所述電容C2與電感L2并聯(lián)后，一端與MOS管M6的漏極相連，另一端通過一電阻R6接地；所述電感L3和電阻Rl串接在MOS管M2的漏極于VDD之間；所述電感L4和電阻R2串接在MOS管M4的漏極和VDD之間；所述MOS管M2的漏極串接電感L11、電容Cll后連接輸出端；所述MOS管M6的漏極串接第十二電感L12、第十二電容C12后連接輸出端。所述多頻段LNA輸出匹配網(wǎng)絡(luò)也必須同時在900Mhz跟1850Mhz附近頻率范圍下匹配到50 Ω，并且需要使其具有足夠的寬帶覆蓋1800Mhz 1900Mhz。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用雙端輸入的差分式放大電路結(jié)構(gòu)，能夠有效地放大共模信號，即欲接收信號，抑制差模信號，即噪聲信號，提高放大器的性能指標(biāo)。并且，本發(fā)明在現(xiàn)有基礎(chǔ)之上，通過引入負(fù)電容補(bǔ)償技術(shù)，有效地抑制了MOS管的柵漏寄生電容Cgd的負(fù)面作用，并且在原雙頻段基礎(chǔ)上拓寬了頻帶范圍，使本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)，具有更寬的頻帶適應(yīng)能力，更高的增益，以及更小的噪聲系數(shù)。如以上所述，其僅為較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明做任何形式上的限定，其保護(hù)范圍以權(quán)利要求的內(nèi)容為準(zhǔn)。凡本領(lǐng)域的技術(shù)人員利用本發(fā)明的技術(shù)方案對上述實(shí)施方式做出的任何等同的變形、修飾或演變等，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種差分式低噪聲并行多頻放大器，其包括一差分放大結(jié)構(gòu)、一多頻段低噪聲放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和一電容交叉耦合結(jié)構(gòu)，所述多頻段低噪聲放大器輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)分別連接所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端，所述電容交叉耦合結(jié)構(gòu)與所述差分放大結(jié)構(gòu)相連接；其特征在于:所述差分放大結(jié)構(gòu)包括兩組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2組成一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，第三MOS管M3和第四MOS管M4組成另一組共源共柵放大結(jié)構(gòu)，所述第一 MOS管Ml的漏極和第二 MOS管M2的源極連接，所述第三MOS管M3的漏極和第四MOS管M4的源極連接，所述第二 MOS管M2的柵極和第四MOS管M4的柵極分別串接第三電阻R3、第四電阻R4后都連接地，所述第一 MOS管Ml的柵極和第三MOS管M3的柵極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸入端，所述第二 MOS管M2的漏極和第四MOS管M4的漏極為所述差分放大結(jié)構(gòu)的輸出端，所述第一 MOS管Ml的源極和第三MOS管M3的源極都接地；所述多頻段低噪聲放大器輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第七電感L7、第八電感L8、第九電感L9和第十電感L10，所述第七電容C7和第九電感L9并聯(lián)后與第九電容C9、第七電感L7串接在第一MOS管Ml的柵極上，所述第八電容C8和第十電感LlO并聯(lián)后與第十電容C10、第八電感L8串接在第一 MOS管Ml的柵極上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的差分式低噪聲并行多頻放大器，其中，所述第一MOS管Ml和第三MOS管M3具有相同的溝道長度和寬度，為第一級放大結(jié)構(gòu)，第二 MOS管M2和第四MOS管M4具有相同的溝道長度和寬度，為第二級放大結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的差分式低噪聲并行多頻放大器，其中，第二MOS管M2的柵極與電源之間串接第三電阻R3，第四MOS管M4的柵極與電源之間串接第四電阻R4。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的差分式低噪聲并行多頻放大器，其中，所述多頻段低噪聲放大器輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第i^一電感L11、第十二電感L12、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第^^一電容C11、第十二電容C12、第一電阻R1、第二電阻R2、第五電阻R5和第六電阻R6 ;所述第一電容Cl與第一電感LI并聯(lián)后,一端與第二 MOS管M2的漏極相連,另一端通過第五電阻R5接地；所述第二電容C2與第二電感L2并聯(lián)后，一端與第六MOS管M6的漏極相連，另一端通過第六電阻R6接地；所述第三電感L3和第一電阻Rl串接在第二 MOS管M2的漏極與地之間；所述第四電感L4和第二電阻R2串接在第四MOS管M4的漏極和地之間；所述第二 MOS管M2的漏極串接第i^一電 感LI I和第i^一電容Cl I后連接所述輸出端；所述第六MOS管M6的漏極串接第十二電感L12和第十二電容C12后連接所述輸出端。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種差分式低噪聲并行多頻放大器，其包含一多頻段LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，一差分放大結(jié)構(gòu)，一電容交叉耦合結(jié)構(gòu)和一多頻段LNA輸出匹配網(wǎng)絡(luò)。電路的主結(jié)構(gòu)是差分放大結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)電路的放大功能；多頻段LNA輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)保證電路能夠在雙中心頻段內(nèi)具有良好的電路匹配；電容交叉耦合結(jié)構(gòu)用于拓寬放大器的工作頻帶，使電路實(shí)現(xiàn)以雙頻為中心的多頻段放大功能，并能有效抑制共源管的柵漏寄生電容。本發(fā)明適用于工作在以兩頻率為中心的多頻接收設(shè)備的輸入端。
文檔編號H03F1/26GK103117710SQ201210577130
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者劉海, 牛曉聰, 程雪, 崔海娜 申請人:中國礦業(yè)大學(xué)