開關(guān)電路的制作方法
【專利摘要】一種開關(guān)電路，其包含第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第一二極管串以及第二二極管串。第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的第一端用以接收第一電位，第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管與第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的第二端電性耦接于一公共端點(diǎn)。第一二極管串的第一端電性耦接于第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的控制端，而第一二極管串的第二端電性耦接于前述公共端點(diǎn)。第二二極管串的第一端電性耦接于第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的控制端，而第二二極管串的第二端電性耦接于前述公共端點(diǎn)。
【專利說明】開關(guān)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種電子電路，且特別是有關(guān)于一種開關(guān)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]電子產(chǎn)品已經(jīng)成為現(xiàn)代人生活中不可或缺的一部分。在各式各樣的電子裝置中， 需要可應(yīng)用在這些裝置中的半導(dǎo)體組件。半導(dǎo)體組件的特性主要是由制備該組件的制程來 決定。由于半導(dǎo)體組件通常較復(fù)雜，則其制程亦變化較多。半導(dǎo)體組件中需要多種具有不 同特性的晶體管。
[0003]于一些半導(dǎo)體制造技術(shù)中，可制造出具有可承受高壓的源極與漏極，而柵極僅能 承受較小電壓(如5伏特)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。然而以此方式設(shè)計(jì)的金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管，于實(shí)際電路應(yīng)用上存在許多限制，而有待進(jìn)一步改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一技術(shù)方面是關(guān)于一種開關(guān)電路。前述開關(guān)電路包含第一非對(duì)稱金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、第一二極管串以及第二二 極管串。前述第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含第一端、第二端以及控制端，前述第 一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的前述第一端用以接收第一電位。前述第二非對(duì)稱金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管包含第一端、第二端以及控制端，前述第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管的前述第一端用以接收前述第一電位，前述第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的 前述第二端與前述第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的前述第二端電性耦接于一第一 公共端點(diǎn)。
[0005]此外,前述第一二極管串是由多個(gè)二極管串聯(lián)而成,前述第一二極管串包含第一 端以及第二端，前述第一二極管串的前述第一端電性耦接于前述第一非對(duì)稱金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管的前述控制端，而前述第一二極管串的前述第二端電性耦接于前述第一公共端 點(diǎn)。第二二極管串是由多個(gè)二極管串聯(lián)而成，前述第二二極管串包含第一端以及第二端，前 述第二二極管串的前述第一端電性耦接于前述第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的前 述控制端，而前述第二二極管串的前述第二端電性耦接于前述第一公共端點(diǎn)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，開關(guān)電路還包含電流控制電路，其包含二輸出端點(diǎn)，分別電 性耦接于前述第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的前述控制端以及前述第二非對(duì)稱金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的前述控制端，并分別輸出第一控制電流與第二控制電流至相應(yīng)的 前述控制端。
[0007]根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，前述電流控制電路的前述輸出端點(diǎn)，在一特定時(shí)間內(nèi)分 別輸出前述第一控制電流與前述第二控制電流至相應(yīng)的前述控制端。
[0008]根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例，前述特定時(shí)間小于約20奈秒。
[0009]根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例，前述開關(guān)電路中前述電流控制電路包含電流鏡、P型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管以及峰值電流控制支路。前述電流鏡包含第一電流支路、第二電流支路以及第三電流支路，前述第一電流支路、前述第二電流支路以及前述第三電流支路的一端電性耦接于一第二公共端點(diǎn)，前述第二公共端點(diǎn)用以接收一第二電位，而前述第二電流支路以及前述第三電流支路的另一端分別電性耦接于前述輸出端點(diǎn)。前述P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含控制端以及第一端，前述控制端用以接收一參考電壓，前述第一端電性耦接于前述電流鏡的前述第一電流支路。
[0010]進(jìn)一步而言，前述峰值電流控制支路包含電容、電阻及控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。前述電容包含第一端，前述第一端用以接收開關(guān)信號(hào)。前述電阻包含第一端以及第二端，前述第一端電性耦接于前述電容的前述第二端，前述第二端用以接收一第三電位。 前述控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含控制端以及第二端，前述控制端電性耦接于前述電容的前述第二端，前述第二端電性耦接于前述P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第二端。
[0011]根據(jù)本發(fā)明另再一實(shí)施例，前述峰值電流控制支路的前述電阻會(huì)對(duì)前述電容的前述第二端進(jìn)行放電。
[0012]根據(jù)本發(fā)明另又一實(shí)施例，前述第二電位為一正電位，而前述第三電位小于前述
第二電位。
[0013]根據(jù)本發(fā)明再另一實(shí)施例，前述開關(guān)電路中前述電流控制電路包含電流鏡、N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及峰值電流控制支路。前述電流鏡包含第一電流支路、第二電流支路以及第三電流支路，前述第一電流支路、前述第二電流支路以及前述第三電流支路的一端電性耦接于第二公共端點(diǎn)，前述第二公共端點(diǎn)用以接收第二電位，而前述第二電流支路以及前述第三電流支路的另一端分別電性耦接于前述輸出端點(diǎn)。前述N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含控制端以及第一端，前述控制端用以接收參考電壓，前述第一端電性耦接于前述電流鏡的前述第一電流支路。
[0014]進(jìn)一步而言，前述峰值電流控制支路包含電容、電阻以及控制P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。前述電容包含第一端，前述第一端用以接收開關(guān)信號(hào)。前述電阻包含第一端以及第二端，前述第一端電性耦接于前述電容的前述第二端，前述第二端用以接收第三電位。前述控制P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包含控制端以及第二端，前述控制端電性耦接于前述電容的前述第二端，前述第二端電性耦接于前述N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的第
[0015]根據(jù)本發(fā)明再又一實(shí)施例，前述峰值電流控制支路的前述電阻會(huì)對(duì)前述電容的前述第二端進(jìn)行充電。
[0016]根據(jù)本發(fā)明又另一實(shí)施例，前述第二電位為一負(fù)電位，而前述第三電位大于前述
第二電位。
[0017]因此，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，本發(fā)明實(shí)施例提供一種開關(guān)電路，其中包含兩個(gè)非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，通過本發(fā)明設(shè)計(jì)的配置方式，以使開關(guān)電路的整體電性操作相似于對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，藉以改善柵極僅能承受較小電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，于實(shí)際電路應(yīng)用上存在許多限制的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下:
[0019]圖1是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種開關(guān)電路的示意圖。
[0020][主要元件標(biāo)號(hào)說明]
[0021]100:開關(guān)電路112:第一二極管串
[0022]114:第二二極管串120:電流控制電路
[0023]122:電流鏡124:峰值電流控制支路
[0024]126:電流鏡128:峰值電流控制支路 【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本
【發(fā)明內(nèi)容】
的敘述更加詳盡與完備，可參照所附的圖式及以下所述各種實(shí)施例，圖式中相同的號(hào)碼代表相同或相似的元件。但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，而結(jié)構(gòu)運(yùn)作的描述非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由元件重新組合的結(jié)構(gòu)， 所產(chǎn)生具有均等功效的裝置，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。
[0026]其中圖式僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。另一方面，眾所周知的元件與步驟并未描述于實(shí)施例中，以避免對(duì)本發(fā)明造成不必要的限制。
[0027]另外，關(guān)于本文中所使用的『耦接』或『連接』，均可指二或多個(gè)元件相互直接作實(shí)體或電性接觸，或是相互間接作實(shí)體或電性接觸，亦可指二或多個(gè)元件相互操作或動(dòng)作。
[0028]圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例繪示一種開關(guān)電路的示意圖。如圖1所示，開關(guān)電路 100包含第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2、第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 MN3、第一二極管串112以及第二二極管串114。第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2 包含第一端、第二端以及控制端，第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管麗2的第一端用以接收第一電位VDD。第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3包含第一端、第二端以及控制端，第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管麗3的第一端用以接收第一電位，第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3的第二端與第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2的第二端電性耦接于第一公共端點(diǎn)NI。
[0029]此外，第一二極管串112是由多個(gè)二極管串聯(lián)而成，其包含第一端以及第二端。第一二極管串112的第一端電性耦接于第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2的控制端， 而第一二極管串112的第二端電性耦接于第一公共端點(diǎn)NI。第二二極管串114是由多個(gè)二極管串聯(lián)而成，其包含第一端以及第二端。第二二極管串114的第一端電性耦接于第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3的控制端，而第二二極管串114的第二端電性耦接于第一公共端點(diǎn)NI。
[0030]如上述揭露內(nèi)容，本發(fā)明實(shí)施例通過提供一種開關(guān)電路100，其中包含兩個(gè)非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)MN2、MN3，通過本發(fā)明設(shè)計(jì)的配置方式，以使開關(guān)電路100的整體電性操作相似于對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，藉以改善柵極僅能承受較小電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，于實(shí)際電路應(yīng)用上存在許多限制的問題。
[0031]在一實(shí)施例，開關(guān)電路100還包含電流控制電路120，其包含二輸出端點(diǎn)0UT1、 0UT2，分別電性耦接于第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2的控制端以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3的控制端，并分別輸出第一控制電流與第二控制電流至相應(yīng)的控制端。[0032]舉例而言，電流控制電路120的輸出端點(diǎn)OUTl、0UT2，在一特定時(shí)間內(nèi)分別輸出第 一控制電流與第二控制電流至相應(yīng)的控制端。詳細(xì)而言，特定時(shí)間小于約20奈秒。然而， 本實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可選擇性地采用適當(dāng)?shù)膮?shù)，而其概念 與本發(fā)明相同者，即落入本發(fā)明的范圍中。
[0033]在又一實(shí)施例中，開關(guān)電路100中電流控制電路120包含電流鏡122、P型金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管MP2以及峰值電流控制支路124。電流鏡122包含第一電流支路、第二電 流支路以及第三電流支路，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MPl、MP3以及MP4分別位于前述 支路上。第一電流支路、第二電流支路以及第三電流支路的一端電性耦接于公共端點(diǎn)N2，其 用以接收第二電位VGH，而第二電流支路以及第三電流支路的另一端分別電性耦接于輸出 端點(diǎn)0UT1、0UT2。P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP2包含控制端以及第一端，控制端用以接 收參考電壓VM,第一端電性稱接于電流鏡122的第一電流支路。
[0034]于一實(shí)施例中，當(dāng)電流控制電路120中電流鏡122的第一支路產(chǎn)生一電流時(shí)，第二 電流支路以及第三電流支路會(huì)相應(yīng)地產(chǎn)生第一控制電流與第二控制電流，并分別經(jīng)由輸出 端點(diǎn)輸出至第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管MN3的控制端，此時(shí)，第一二極管串112與第二二極管串114會(huì)相應(yīng)地產(chǎn)生控制電壓， 藉使第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 MN3的控制端與第二端間的電壓Vgs維持在一固定電壓范圍區(qū)間,從而使第一非對(duì)稱金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3維持在導(dǎo)通狀態(tài)。 舉例而言，前述固定電壓范圍區(qū)間可為約閥值電壓(Vth)至約5伏特之間。然而，本實(shí)施例 并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可選擇性地采用適當(dāng)?shù)膮?shù)，而其概念與本發(fā)明 相同者，即落入本發(fā)明的范圍中。
[0035]進(jìn)一步而言，前述峰值電流控制支路124包含電容Cl、電阻Rl及控制N型金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管MN1。前述電容Cl包含第一端，其用以接收開關(guān)信號(hào)VIN。電阻Rl包含 第一端以及第二端，其第一端電性耦接于電容Cl的第二端，而其第二端用以接收第三電位 VSS0控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MNl包含控制端以及第二端，控制端電性耦接于電 容Cl的第二端，而其第二端電性耦接于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MPl的第二端。
[0036]于一實(shí)施例中，當(dāng)開關(guān)信號(hào)為高態(tài)時(shí)，電容Cl的第一端接收到開關(guān)信號(hào)后，會(huì)耦 合一電壓至控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MNl的控制端，藉使控制N型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管麗I導(dǎo)通，此時(shí)，電流控制電路120中電流鏡122的第一支路產(chǎn)生一電流時(shí)，第 二電流支路以及第三電流支路會(huì)相應(yīng)地產(chǎn)生第一控制電流與第二控制電流，并分別經(jīng)由輸 出端點(diǎn)輸出至第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管麗3的控制端。
[0037]此時(shí)，第一二極管串112與第二二極管串114會(huì)相應(yīng)地產(chǎn)生控制電壓，藉使第一非 對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3的控制端 與第二端間的電壓Vgs維持在一固定電壓范圍區(qū)間，從而使第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3維持在導(dǎo)通狀態(tài)。舉例而言，前 述固定電壓范圍區(qū)間可為大于約閥值電壓(Vth)至約5伏特之間。然而，本實(shí)施例并非用 以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可選擇性地采用適當(dāng)?shù)膮?shù)，而其概念與本發(fā)明相同者， 即落入本發(fā)明的范圍中。[0038]再者，當(dāng)上述電流衍生出迅速建立電壓Vgs的效果后，電流控制電路120中峰值電 流控制支路124的電阻Rl會(huì)對(duì)電容Cl的第二端進(jìn)行放電，從而關(guān)閉控制N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管MN1，此時(shí)，上述電流也將一并消失，是以于迅速建立電壓Vgs之后，由于控制 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MNl被關(guān)閉，電流控制電路120上將不會(huì)有無謂的電能耗損。
[0039]在又一實(shí)施例中，第二電位VGH可為正電位，而第三電位VSS小于第二電位VGH。 在一實(shí)施例中，第三電位VSS可為接地電位。
[0040]于再一實(shí)施例中，開關(guān)電路100中電流控制電路120包含電流鏡126、N型金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管麗4以及峰值電流控制支路128。電流鏡126包含第一電流支路、第二電 流支路以及第三電流支路，N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN5、MN6以及MN7分別位于前述 支路上。第一電流支路、第二電流支路以及第三電流支路的一端電性耦接于公共端點(diǎn)N3，其 用以接收第二電位VEE，而第二電流支路以及第三電流支路的另一端分別電性耦接于輸出 端點(diǎn)0UT3、0UT4。N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN4包含控制端以及第一端，控制端用以接 收參考電壓VM,第一端電性稱接于電流鏡126的第一電流支路。
[0041]于一實(shí)施例中，當(dāng)電流控制電路120中電流鏡126的第一支路產(chǎn)生一電流時(shí)，第二 電流支路以及第三電流支路會(huì)相應(yīng)地產(chǎn)生第三控制電流與第四控制電流，以汲取第一非對(duì) 稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管麗2與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管麗3的控制端的 電壓，將第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 麗3的控制端的電壓降低，此時(shí)，第一二極管串112與第二二極管串114的控制電壓降低，藉 使第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3 的控制端與第二端間的電壓Vgs降低，從而使第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以 及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3關(guān)閉。
[0042]進(jìn)一步而言，前述峰值電流控制支路128包含電容Cl、電阻Rl以及控制P型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管MP5。電容Cl包含第一端，其用以接收開關(guān)信號(hào)VIN。電阻Rl包含 第一端以及第二端，其第一端電性耦接于電容Cl的第二端，而其第二端用以接收第三電位 VSS0控制P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP5包含控制端以及第二端，控制端電性耦接于電 容Cl的第二端，而其第二端電性耦接于N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN4的第二端。
[0043]于一實(shí)施例中，當(dāng)開關(guān)信號(hào)為低態(tài)時(shí)，電容Cl的第一端接收到開關(guān)信號(hào)后，會(huì)耦 合一電壓至控制P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP5的控制端，藉使控制P型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管MP5導(dǎo)通，此時(shí)，電流控制電路120中電流鏡126的第一支路產(chǎn)生一電流時(shí)，第 二電流支路以及第三電流支路會(huì)相應(yīng)地產(chǎn)生第三控制電流與第四控制電流，以汲取第一非 對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3的控制端的 電壓，將第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2與第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 麗3的控制端的電壓降低。
[0044]此時(shí)，第一二極管串112與第二二極管串114的控制電壓降低，藉使第一非對(duì)稱金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3的控制端與第二 端間的電壓Vgs降低，從而使第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN2以及第二非對(duì)稱金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MN3關(guān)閉。
[0045]再者，當(dāng)上述電流衍生出迅速降低電壓Vgs的效果后，電流控制電路120中峰值電 流控制支路124的電阻Rl會(huì)對(duì)電容Cl的第二端進(jìn)行充電，從而關(guān)閉控制P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP5，此時(shí)，上述電流也將一并消失，是以于迅速降低電壓Vgs之后，由于控制 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MP5被關(guān)閉，電流控制電路120上將不會(huì)有無謂的電能耗損。
[0046]在又一實(shí)施例中，第二電位VEE為一負(fù)電位,而第三電位VSS大于第二電位VEE。 在一實(shí)施例中，第三電位VSS可為接地電位。
[0047]由上述本發(fā)明實(shí)施方式可知，應(yīng)用本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例通過提供 一種開關(guān)電路，其中包含兩個(gè)非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，通過本發(fā)明設(shè)計(jì)的配 置方式，以使開關(guān)電路的整體電性操作相似于對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，藉以改 善柵極僅能承受較小電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，于實(shí)際電路應(yīng)用上存在許多限制的 問題。
[0048]此外，通過本發(fā)明實(shí)施例的電流控制電路中不同的峰值電流控制支路，可于一種 電性操作方式下，迅速建立第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及第二非對(duì)稱金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管的控制端與第二端間的電壓Vgs，以使第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管導(dǎo)通，并可于另一種電性操作方式下，迅速降 低第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的控制 端與第二端間的電壓Vgs，以關(guān)閉第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及第二非對(duì)稱金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
[0049]再者，于迅速建立第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以及第二非對(duì)稱金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管的控制端與第二端間的電壓Vgs，或迅速降低第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管以及第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的控制端與第二端間的電壓Vgs之后， 由于電流控制電路中峰值電流控制支路的控制金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管會(huì)被關(guān)閉，因此， 電流控制電路上將不會(huì)有無謂的電能耗損。
[0050]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種開關(guān)電路，包含:一第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含一第一端、一第二端以及一控制端，其中該第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該第一端用以接收一第一電位；一第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含一第一端、一第二端以及一控制端，其中該第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該第一端用以接收該第一電位，該第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該第二端與該第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該第二端電性耦接于一第一公共端點(diǎn)；一第一二極管串，是由多個(gè)二極管串聯(lián)而成，其中該第一二極管串包含一第一端以及一第二端，該第一二極管串的該第一端電性耦接于該第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該控制端，而該第一二極管串的該第二端電性耦接于該第一公共端點(diǎn)；以及一第二二極管串，是由多個(gè)二極管串聯(lián)而成，其中該第二二極管串包含一第一端以及一第二端，該第二二極管串的該第一端電性耦接于該第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該控制端，而該第二二極管串的該第二端電性耦接于該第一公共端點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電路，還包含一電流控制電路，其中該電流控制電路包含二輸出端點(diǎn)，分別電性耦接于該第一非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該控制端以及該第二非對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該控制端，并分別輸出一第一控制電流與一第二控制電流至相應(yīng)的該控制端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)電路，其中該電流控制電路的該些輸出端點(diǎn)，在一特定時(shí)間內(nèi)分別輸出該第一控制電流與該第二控制電流至相應(yīng)的該控制端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開關(guān)電路，其中該特定時(shí)間小于約20奈秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)電路，其中該電流控制電路包含:一電流鏡，包含一第一電流支路、一第二電流支路以及一第三電流支路，其中該第一電流支路、該第二電流支路以及該第三電流支路的一端電性耦接于一第二公共端點(diǎn)，該第二公共端點(diǎn)用以接收一第二電位，而該第二電流支路以及該第三電流支路的另一端分別電性耦接于該些輸出端點(diǎn)；一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收一參考電壓，該第一端電性稱接于該電流鏡的該第一電流支路；一峰值電流控制支路，包含:一電容，包含一第一端，其中該第一端用以接收一開關(guān)信號(hào)；一電阻，包含一第一端以及一第二端，其中該第一端電性稱接于該電容的該第二端，該第二端用以接收一第三電位；以及一控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含一控制端以及一第二端，其中該控制端電性耦接于該電容的該第二端，該第二端電性耦接于該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第二端 o
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開關(guān)電路，其中該峰值電流控制支路的該電阻會(huì)對(duì)該電容的該第二端進(jìn)行放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開關(guān)電路，其中該第二電位為一正電位，而該第三電位小于該第二電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)電路，其中該電流控制電路包含:一電流鏡，包含一第一電流支路、一第二電流支路以及一第三電流支路，其中該第一電流支路、該第二電流支路以及該第三電流支路的一端電性耦接于一第二公共端點(diǎn)，該第二公共端點(diǎn)用以接收一第二電位，而該第二電流支路以及該第三電流支路的另一端分別電性耦接于該些輸出端點(diǎn)；一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含一控制端以及一第一端，其中該控制端用以接收一參考電壓，該第一端電性稱接于該電流鏡的該第一電流支路；一峰值電流控制支路，包含:一電容，包含一第一端，其中該第一端用以接收一開關(guān)信號(hào)；一電阻，包含一第一端以及一第二端，其中該第一端電性稱接于該電容的該第二端，該第二端用以接收一第三電位；以及一控制P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含一控制端以及一第二端，其中該控制端電性耦接于該電容的該第二端，該第二端電性耦接于該N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第二端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的開關(guān)電路，其中該峰值電流控制支路的該電阻會(huì)對(duì)該電容的該第二端進(jìn)行充電。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的開關(guān)電路，其中該第二電位為一負(fù)電位，而該第三電位大于該第二電位。
【文檔編號(hào)】H03K17/687GK103595383SQ201210290398
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月15日
【發(fā)明者】李秋平 申請(qǐng)人:原景科技股份有限公司