專利名稱：低通濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及低通濾波器，尤其涉及內(nèi)置有線圈的低通濾波器。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的低通濾波器，例如已知有專利文獻(xiàn)I記載的層疊型低通濾波器。專利文獻(xiàn)I記載的層疊型低通濾波器由層疊基板、第一線圈、第二線圈、及電容器所構(gòu)成。層疊基板通過將多個介質(zhì)層進(jìn)行層疊而構(gòu)成。第一線圈及第二線圈利用貫通介質(zhì)層的通孔導(dǎo)體將形成在介質(zhì)層上的多個導(dǎo)體層進(jìn)行連接而呈螺旋形。第一線圈、第二線圈、及電容器內(nèi)置于層疊基板，構(gòu)成T型低通濾波器。此外，在專利文獻(xiàn)I記載的層疊型低通濾波器中，要求通帶的低頻化。為了使通帶低頻化，能列舉出增大第一線圈及第二線圈的電感的方法。為此，只要增加第一線圈及第二 線圈的導(dǎo)體層數(shù)即可。然而，專利文獻(xiàn)I記載的層疊型低通濾波器存在以下的問題若增大第一線圈及第二線圈的電感，則Q值下降。更詳細(xì)而言，第一線圈及第二線圈通過將導(dǎo)體層引出到層疊基板的側(cè)面，從而與設(shè)置在層疊基板的側(cè)面的外部電極相連接。而且，在將層疊型低通濾波器安裝到電路基板上時，外部電極在其底面與電路基板的連接盤相接觸。因此，從電路基板輸入層疊型低通濾波器的高頻信號從外部電極的底面朝層疊方向的上方前進(jìn)，從導(dǎo)體層與外部電極相連接的部分輸入第一線圈。此外，通過了第一線圈及第二線圈的高頻信號會從導(dǎo)體層與外部電極相連接的部分沿外部電極朝向?qū)盈B方向的下方前進(jìn)，從外部電極的底面輸入電路基板。在上述的層疊型低通濾波器中，若第一線圈及第二線圈的導(dǎo)體層數(shù)增加，從外部電極的底面到導(dǎo)體層與外部電極的連接部分的距離變長，則層疊型低通濾波器的電阻值增大。其結(jié)果是，層疊型低通濾波器的Q值下降?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本專利特開2008-187418號公報

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目的在于提供能在抑制Q值下降的同時增大線圈的電感值的低通濾波器。解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的低通濾波器的特征在于，包括層疊體，該層疊體通過將多個絕緣體層進(jìn)行層疊而構(gòu)成，且在層疊方向的一側(cè)具有安裝面；第一外部電極，該第一外部電極設(shè)置于所述層疊體的表面；第一線圈，該第一線圈內(nèi)置于所述層疊體，且具有沿層疊方向延伸的中心軸，呈在層疊方向的一側(cè)具有一端、在層疊方向的另一側(cè)具有另一端的螺旋形；以及第一通孔導(dǎo)體，該第一通孔導(dǎo)體從所述第一線圈的另一端起向?qū)盈B方向的一側(cè)延伸，所述第一外部電極和所述第一線圈的另一端經(jīng)由所述第一通孔導(dǎo)體進(jìn)行電連接。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能在抑制Q值下降的同時增大線圈的電感值。


圖I是實(shí)施方式I所涉及的低通濾波器的等效電路圖。圖2是圖I的低通濾波器的外觀立體圖。圖3是圖2的低通濾波器的層疊體的分解立體圖。圖4是實(shí)施方式2所涉及的低通濾波器的等效電路圖。圖5是實(shí)施方式2所涉及的低通濾波器的分解立體圖。圖6是變形例所涉及的低通濾波器的分解立體圖。附圖標(biāo)記Cl C5電容器L1、L2 線圈部L10、L20 線圈VI v75通孔導(dǎo)體IOa IOc低通濾波器12層疊體14a 14d、44a 44c 外部電極Ife Ito絕緣體層18a 18f、20a 20f 線圈導(dǎo)體22、24、26、50、52、54、56、60、62 電容器導(dǎo)體28、58接地導(dǎo)體70連接導(dǎo)體
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的低通濾波器進(jìn)行說明。(實(shí)施方式I)(低通濾波器的結(jié)構(gòu))以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的低通濾波器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖I是實(shí)施方式I所涉及的低通濾波器IOa的等效電路圖。如圖I所示，低通濾波器IOa包括線圈部LI、L2、電容器Cl C3、及外部電極14(14a 14d)。外部電極14a是輸入端子,外部電極14b是輸出端子,外部電極14c、14d是接地端子。線圈部LI、L2串聯(lián)連接在外部電極14a和14b之間。電容器Cl連接在外部電極14a與外部電極14c、14d之間。電容器C2連接在線圈部LI和L2的節(jié)點(diǎn)與外部電極14c、14d之間。電容器C3連接在外部電極14b與外部電極14c、14d之間。具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOa將從外部電極14a輸入的高頻信號中的、具有比規(guī)定頻率要低的頻率的高頻信號進(jìn)行輸出。接下來，參照附圖對低通濾波器IOa的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖2是圖I的低通濾波器IOa的外觀立體圖。圖3是圖2的低通濾波器IOa的層疊體12的分解立體圖。以下，將低通濾波器IOa的層疊方向定義為z軸方向，將從z軸方向俯視時低通濾波器IOa的長邊進(jìn)行延伸的方向定義為X軸方向，將從z軸方向俯視時低通濾波器IOa的短邊進(jìn)行延伸的方向定義為I軸方向。如圖2及圖3所示，低通濾波器IOa包括層疊體12、外部電極14 (14a 14d)、線圈L10、L20、電容器Cl C3、及通孔導(dǎo)體v7、vl4、vl6 v21。如圖3所示，層疊體12通過將絕緣體層16a 16j以從z軸方向的正方向側(cè)起向負(fù)方向側(cè)按此順序進(jìn)行排列的方式來進(jìn)行層疊而構(gòu)成，呈圖2所示的長方體形狀。層疊體12在z軸方向的負(fù)方向側(cè)具有安裝面(下表面)。絕緣體層16是長方形的介質(zhì)層。以下，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱為表面，將絕緣體層16的z軸方向的負(fù)方向 側(cè)的主面稱為背面。外部電極14 (14a 14d)設(shè)置在層疊體12的表面上。具體而言，外部電極14a如圖2所示那樣覆蓋X軸方向的負(fù)方向側(cè)的端面，并且也折返到z軸方向的上側(cè)的上表面及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的下表面。外部電極14b如圖2所不那樣覆蓋X軸方向的正方向側(cè)的端面，并且也折返到z軸方向的上側(cè)的上表面及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的下表面。外部電極14c如圖2所示那樣設(shè)置在I軸方向的負(fù)方向側(cè)的側(cè)面，并且也折返到z軸方向的上側(cè)的上表面及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的下表面。外部電極14d如圖2所不那樣設(shè)置在y軸方向的正方向側(cè)的側(cè)面，并且也折返到z軸方向的上側(cè)的上表面及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的下表面。線圈LlO內(nèi)置于層疊體12，且呈具有在z軸方向延伸的中心軸的螺旋形。更詳細(xì)而言，線圈LlO由線圈導(dǎo)體18 (18a 18f)及通孔導(dǎo)體vl v6、vl5所構(gòu)成,呈一邊繞逆時針方向旋轉(zhuǎn)一邊從z軸方向的正方向側(cè)朝負(fù)方向側(cè)前進(jìn)的螺旋形。因此，線圈LlO具有z軸方向的正方向側(cè)的端部及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。線圈導(dǎo)體18a 18f分別設(shè)置在絕緣體層16b 16g的表面上，是四邊形形狀的環(huán)狀的一部分缺失的線狀導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體18例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體18a和18b具有相同的形狀，線圈導(dǎo)體18d和18e具有相同的形狀。以下，在線圈導(dǎo)體18中，將逆時針方向的上游側(cè)的端部稱為上游端，將逆時針方向的下游側(cè)的端部稱為下游端。通孔導(dǎo)體vl在z軸方向上貫通絕緣體層16b，從而連接線圈導(dǎo)體18a的下游端和線圈導(dǎo)體18b的下游端。通孔導(dǎo)體v2在z軸方向上貫通絕緣體層16c，從而連接線圈導(dǎo)體18b的下游端和線圈導(dǎo)體18c的上游端。通孔導(dǎo)體v3在z軸方向上貫通絕緣體層16d，從而連接線圈導(dǎo)體18c的下游端和線圈導(dǎo)體18d的上游端。通孔導(dǎo)體v4在z軸方向上貫通絕緣體層16e，從而連接線圈導(dǎo)體18d的上游端和線圈導(dǎo)體18e的上游端。通孔導(dǎo)體v5在z軸方向上貫通絕緣體層16e，從而連接線圈導(dǎo)體18d的下游端和線圈導(dǎo)體18e的下游端。通孔導(dǎo)體v6在z軸方向上貫通絕緣體層16f，從而連接線圈導(dǎo)體18e的下游端和線圈導(dǎo)體18f的上游端。通孔導(dǎo)體例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v7從線圈LlO的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。即，通孔導(dǎo)體v7在z軸方向上貫通絕緣體層16g，從而與線圈導(dǎo)體18f的下游端相連接。通孔導(dǎo)體vl5 v21分別在z軸方向上貫通絕緣體層16b 16h,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體vl5連接線圈導(dǎo)體18a的上游端和線圈導(dǎo)體18b的上游端。通孔導(dǎo)體vl6的z軸方向的正方向側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體18b的上游端相連接。由此，通孔導(dǎo)體vl5 v21從線圈LlO的z軸方向的正方向側(cè)的 端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。具有上述結(jié)構(gòu)的線圈L10、通孔導(dǎo)體v7、vl6 v21構(gòu)成線圈部LI。S卩，線圈部LI具有將由線圈LlO構(gòu)成的螺旋形線圈、與具有與yz平面基本平行的環(huán)面的環(huán)狀線圈進(jìn)行組合而成的結(jié)構(gòu)。線圈L20內(nèi)置于層疊體12，且呈具有在z軸方向延伸的中心軸的螺旋形。更詳細(xì)而言，線圈L20由線圈導(dǎo)體20 (20a 20f)及通孔導(dǎo)體v8 vl3所構(gòu)成，呈一邊繞順時針方向旋轉(zhuǎn)一邊從z軸方向的正方向側(cè)朝負(fù)方向側(cè)前進(jìn)的螺旋形。因此，線圈L20具有z軸方向的正方向側(cè)的端部及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。線圈導(dǎo)體20a 20f分別設(shè)置在絕緣體層16b 16g的表面上，是四邊形形狀的環(huán)狀的一部分缺失的線狀導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體20例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體層。線圈導(dǎo)體20a和20b具有相同的形狀，線圈導(dǎo)體20d和20e具有相同的形狀。以下，在線圈導(dǎo)體20中，將順時針方向的上游側(cè)的端部稱為上游端，將順時針方向的下游側(cè)的端部稱為下游端。線圈導(dǎo)體20a的上游端與線圈導(dǎo)體18a的上游端相連接。通孔導(dǎo)體v8在z軸方向上貫通絕緣體層16b，從而連接線圈導(dǎo)體20a的下游端和線圈導(dǎo)體20b的下游端。通孔導(dǎo)體v9在z軸方向上貫通絕緣體層16c，從而連接線圈導(dǎo)體20b的下游端和線圈導(dǎo)體20c的上游端。通孔導(dǎo)體VlO在z軸方向上貫通絕緣體層16d，從而連接線圈導(dǎo)體20c的下游端和線圈導(dǎo)體20d的上游端。通孔導(dǎo)體vll在z軸方向上貫通絕緣體層16e，從而連接線圈導(dǎo)體20d的上游端和線圈導(dǎo)體20e的上游端。通孔導(dǎo)體vl2在z軸方向上貫通絕緣體層16e，從而連接線圈導(dǎo)體20d的下游端和線圈導(dǎo)體20e的下游端。通孔導(dǎo)體vl3在z軸方向上貫通絕緣體層16f，從而連接線圈導(dǎo)體20e的下游端和線圈導(dǎo)體20f的上游端。通孔導(dǎo)體vl4從線圈L20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。即，通孔導(dǎo)體vl4在z軸方向上貫通絕緣體層16g，從而與線圈導(dǎo)體20f的下游端相連接。通孔導(dǎo)體vl5連接線圈導(dǎo)體20a的上游端和線圈導(dǎo)體20b的上游端。通孔導(dǎo)體vl6的z軸方向的正方向側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體20b的上游端相連接。由此,通孔導(dǎo)體vl5 v21從線圈L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。具有上述結(jié)構(gòu)的線圈L20、通孔導(dǎo)體vl6 v21構(gòu)成線圈部L2。S卩，線圈部L2具有將由線圈L20構(gòu)成的螺旋形線圈、與具有與yz平面基本平行的環(huán)面的環(huán)狀線圈進(jìn)行組合而成的結(jié)構(gòu)。電容器Cl由電容器導(dǎo)體22及接地導(dǎo)體28所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體22設(shè)置在絕緣體層16h的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。電容器導(dǎo)體22例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v7的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體22相連接。此外，電容器導(dǎo)體22被引出到絕緣體層16h的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊，從而與外部電極14a相連接。由此，線圈部LI的一端與外部電極14a相連接。接地導(dǎo)體28設(shè)置在絕緣體層16 j的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。接地導(dǎo)體28例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。接地導(dǎo)體28隔著絕緣體層16h、16i與電容器導(dǎo)體22相對。由此,在電容器導(dǎo)體22與接地導(dǎo)體28之間形成電容。而且，接地導(dǎo)體28被引出到絕緣體層16j的y軸方向的兩側(cè)的長邊，從而與外部電極14c、14d相連接。由此，電容器Cl連接在外部電極14a與外部電極14c、14d之間。電容器C3由電容器導(dǎo)體24及接地導(dǎo)體28所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體24設(shè)置在絕緣體層16h的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。電容器導(dǎo)體24例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體vl4的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體24相連接。此外，電容器導(dǎo)體24被引出到絕緣體層16h的X軸方向的正方向側(cè)的短邊，從而與外部電極14b相連接。 由此，線圈部L2的一端與外部電極14b相連接。此外，接地導(dǎo)體28隔著絕緣體層16h、16i與電容器導(dǎo)體24相對。由此，在電容器導(dǎo)體24與接地導(dǎo)體28之間形成電容。而且，接地導(dǎo)體28被引出到絕緣體層16j的y軸方向的兩側(cè)的長邊，從而與外部電極14c、14d相連接。由此，電容器C3連接在外部電極14b與外部電極14c、14d之間。電容器C2由電容器導(dǎo)體26及接地導(dǎo)體28所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體26設(shè)置在絕緣體層16i的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。電容器導(dǎo)體26例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v21的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體26相連接。此外，接地導(dǎo)體28隔著絕緣體層16i與電容器導(dǎo)體26相對。由此，在電容器導(dǎo)體26與接地導(dǎo)體28之間形成電容。而且，接地導(dǎo)體28被引出到絕緣體層16j的y軸方向的兩側(cè)的長邊，從而與外部電極14c、14d相連接。由此，電容器C2連接在線圈LlO和L20的節(jié)點(diǎn)與外部電極14c、14d之間。S卩，線圈L10、L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體vl5 v21及電容器C2與外部電極14c、14d進(jìn)行電連接。在具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOa中，將外部電極14a用作輸入端子，將外部電極14b用作輸出端子，將外部電極14c、14d用作接地端子。由此，若從外部電極14a輸入高頻信號，則從外部電極14b輸出具有比規(guī)定頻率要低的頻率的高頻信號。(低通濾波器的制造方法)接下來，參照圖2及圖3對低通濾波器IOa的制造方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備將成為絕緣體層16a 16j的陶瓷生片。接下來，分別在將成為絕緣體層16b 16h的陶瓷生片上形成通孔導(dǎo)體vl v21。在形成通孔導(dǎo)體vl v21時,將激光束照射到將成為絕緣體層16b 16h的陶瓷生片，從而形成通孔。接下來，利用印刷涂布等方法將Cu等導(dǎo)電性糊料填充到該通孔中。接下來，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法將以Cu等為主要成分的導(dǎo)電性糊料涂布到將成為絕緣體層16b 16j的陶瓷生片的表面上，從而形成線圈導(dǎo)體18、20、電容器導(dǎo)體22、24、26及接地導(dǎo)體28。另外，也可以在形成線圈導(dǎo)體18、20、電容器導(dǎo)體22、24、26及接地導(dǎo)體28時，對通孔填充導(dǎo)電性糊料。接下來，將各陶瓷生片進(jìn)行層疊。具體而言，將成為絕緣體層16a 16j的陶瓷生片以從z軸方向的正方向側(cè)起向負(fù)方向側(cè)按此順序進(jìn)行排列的方式來一片一片進(jìn)行層疊和壓接。通過以上的工序，形成母層疊體。利用靜水壓沖壓等來對該母層疊體實(shí)施正式壓接。接下來，利用切刀對母層疊體進(jìn)行切割，從而得到規(guī)定尺寸的層疊體12。此后，對未燒成的層疊體12實(shí)施脫粘合劑處理及燒成。通過以上的工序，得到經(jīng)過燒成的層疊體12。對層疊體12實(shí)施滾光筒加工，并進(jìn)行倒角。最后，將由Ag構(gòu)成的導(dǎo)電性糊料涂布在層疊體12的表面上，從而形成基底電極。進(jìn)一步對基底電極的表面實(shí)施鍍Ni /鍍Sn，從而形成外部電極14。經(jīng)過以上的工序，完成圖I及圖2所示的低通濾波器10a。(效果)具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOa能在抑制Q值下降的同時增大線圈部LI、L2的電感值。更詳細(xì)而言，低通濾波器IOa中，通孔導(dǎo)體vl5 v21從線圈L10、L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。而且，夕卜部電極14c、14d、與線圈L10、L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體vl5 v21進(jìn)行電連接。此處，相比外部電極14cU4d的截面積，能容易地增大通孔導(dǎo)體vl5 v21的截面積。因此，能容易地使通孔導(dǎo)體vl5 v21的電阻值低于外部電極14c、14d的電阻值。因此，在低通濾波器IOa中，能容易地降低線圈L10、L20與外部電極14c、14d之間的電阻值。因此，即使為了增加線圈部LI、L2的電感值而增加線圈導(dǎo)體18、20的數(shù)量，從而增加線圈L10、L20與外部電極14c、14d之間的距離，也能將線圈L10、L20與外部電極14c、14d之間的電阻值的增加抑制得較低。其結(jié)果是，在低通濾波器IOa中，能在抑制Q值下降的同時增大線圈部LI、L2的電感值。此外，在線圈LlO及線圈L20中，在z軸方向上產(chǎn)生磁場。另一方面，由于線圈部LI及線圈部L2具有與yz平面平行的環(huán)面，因此，在線圈部LI及線圈部L2中，在x軸方向上產(chǎn)生磁場。這樣，由線圈L10、L20和線圈部L1、L2所產(chǎn)生的磁場方向相互正交，因此不會相互干擾。此外，低通濾波器IOa中，線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體v7、vl4及電容器導(dǎo)體22、24與外部電極14a、14b相連接。因此，與將線圈L10、L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部與外部電極14a、14b相連接的情況相比，將線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向的端部與外部電極14a、14b相連接的情況下,從線圈L10、L20與外部電極14a、14b的連接部分起到外部電極14a、14b的底面的距離更短。因此，低通濾波器IOa的電阻值降低。而且，即使增加線圈導(dǎo)體18、20的數(shù)量，從線圈L10、L20與外部電極14a、14b的連接部分起到外部電極14a、14b的底面的距離也不會發(fā)生變化。其結(jié)果是，在低通濾波器IOa中，能在抑制Q值下降的同時增大線圈部LI、L2的電感值。此外，低通濾波器IOa中，通孔導(dǎo)體v7、vl4從線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。而且，外部電極14a、14b與線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體v7、vl4進(jìn)行電連接。因此，在低通濾波器IOa中，能降低線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極14a、14b之間的電阻值。(實(shí)施方式2)接下來，參照附圖對實(shí)施方式2所涉及的低通濾波器IOb進(jìn)行說明。圖4是實(shí)施方式2所涉及的低通濾波器IOb的等效電路圖。
低通濾波器IOb具有對低通濾波器IOa添加了電容器C4、C5的結(jié)構(gòu)。電容器C4與線圈部LI并聯(lián)連接。電容器C5與線圈L2并聯(lián)連接。接下來，參照附圖對低通濾波器IOb的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖5是實(shí)施方式2所涉及的低通濾波器IOb的分解立體圖。以下，將低通濾波器IOb的層疊方向定義為Z軸方向，將從z軸方向俯視時低通濾波器IOb的長邊進(jìn)行延伸的方向定義為X軸方向，將從z軸方向俯視時低通濾波器IOb的短邊進(jìn)行延伸的方向定義為y軸方向。另外，在圖5中，對與圖3相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的參照標(biāo)號。如圖5所示,低通濾波器IOb包括層疊體12、外部端子44(44a 44c)、線圈L10、L20、電容器Cl C5及通孔導(dǎo)體v7、vl4、vl6 v43。低通濾波器IOb的相比絕緣體層16g更靠近z軸方向的正方向側(cè)的結(jié)構(gòu)、與低通濾波器IOa的相比絕緣體層16g更靠近z軸方向的正方向側(cè)的結(jié)構(gòu)相同，因此省略說明。
外部電極44 (44a 44c)設(shè)置在層疊體12的表面上。具體而言，如圖5所示，夕卜部電極44a、44c、44b在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的下表面，從x軸方向的負(fù)方向側(cè)朝向正方向側(cè)按此順序排列地進(jìn)行設(shè)置。電容器Cl由電容器導(dǎo)體52、60及接地導(dǎo)體58所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體52、60分別設(shè)置在絕緣體層16i、161的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。電容器導(dǎo)體52、60例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v22 v25在z軸方向上貫通絕緣體層16h 16k,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v22將通孔導(dǎo)體v7的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體52相連接。通孔導(dǎo)體v25的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體60相連接。此外，通孔導(dǎo)體v31、v42在z軸方向上貫通絕緣體層161、16m，并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v31的z軸方向的正方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體60相連接。通孔導(dǎo)體v42的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44a相連接。由此，線圈部LI的一端與外部電極44a進(jìn)行電連接。接地導(dǎo)體58設(shè)置在絕緣體層16k的表面上，是十字形狀的導(dǎo)體。接地導(dǎo)體58例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。接地導(dǎo)體58隔著絕緣體層16i、16j與電容器導(dǎo)體52相對，并隔著絕緣體層16k與電容器導(dǎo)體60相對。由此，在電容器導(dǎo)體52、60與接地導(dǎo)體58之間形成電容。而且，通孔導(dǎo)體v33 v35在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161、16m，并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v33的z軸方向的正方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體58相連接，通孔導(dǎo)體v35的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44c相連接。通孔導(dǎo)體v36 v38在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161、16m,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v36的z軸方向的正方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體58相連接，通孔導(dǎo)體v38的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44c相連接。通孔導(dǎo)體v39 v41在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161、16m，并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v39的z軸方向的正方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體58相連接，通孔導(dǎo)體v41的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44c相連接。由此，電容器Cl連接在外部電極44a與外部電極44c之間。電容器C3由電容器導(dǎo)體54、62及接地導(dǎo)體58所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體54、62分別設(shè)置在絕緣體層16i、161的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。電容器導(dǎo)體54、62例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v26 v29在z軸方向上貫通絕緣體層16h 16k,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v26將通孔導(dǎo)體vl4的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體54相連接。通孔導(dǎo)體v29的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體62相連接。此外，通孔導(dǎo)體v32、v43在z軸方向上貫通絕緣體層161、16m,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v32的z軸方向的正方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體62相連接。通孔導(dǎo)體v43的z軸 方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44b相連接。由此，線圈部L2的一端與外部電極44b進(jìn)行電連接。接地導(dǎo)體58隔著絕緣體層16i、16j與電容器導(dǎo)體54相對，并隔著絕緣體層16k與電容器導(dǎo)體62相對。由此，在電容器導(dǎo)體54、62與接地導(dǎo)體58之間形成電容。而且，通孔導(dǎo)體v33 v35在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161、16m,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v33的z軸方向的正方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體58相連接，通孔導(dǎo)體v35的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44c相連接。通孔導(dǎo)體v36 v38在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161、16m，并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v36的z軸方向的正方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體58相連接，通孔導(dǎo)體v38的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44c相連接。通孔導(dǎo)體v39 v41在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161、16m,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v39的z軸方向的正方向側(cè)的端部與接地導(dǎo)體58相連接,通孔導(dǎo)體v41的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44c相連接。由此，電容器C3連接在外部電極44b與外部電極44c之間。電容器C2由電容器導(dǎo)體56及接地導(dǎo)體58所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體56設(shè)置在絕緣體層16 j的表面上，是長方形狀的導(dǎo)體。電容器導(dǎo)體56例如是由Cu等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v30在z軸方向上貫通絕緣體層16i，從而連接通孔導(dǎo)體v21和電容器導(dǎo)體56。此外，接地導(dǎo)體58隔著絕緣體層16j與電容器導(dǎo)體56相對。由此，在電容器導(dǎo)體56與接地導(dǎo)體58之間形成電容。此外，接地導(dǎo)體58利用通孔導(dǎo)體v33 v41與外部電極44c相連接。由此，電容器C2連接在線圈LlO和L20的節(jié)點(diǎn)與外部電極44c之間。S卩，線圈L10、L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體vl6 v21、v30、v33 v41及電容器C2與外部電極44c進(jìn)行電連接。電容器C4由電容器導(dǎo)體50、52所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體50設(shè)置在絕緣體層16h的表面上，呈兩個長方形狀的導(dǎo)體與線狀的導(dǎo)體相連接的形狀。電容器導(dǎo)體52隔著絕緣體層16h與電容器導(dǎo)體50相對。而且，通孔導(dǎo)體v20、v21與電容器導(dǎo)體50相連接。由此，電容器C4與線圈部LI并聯(lián)連接。電容器C5由電容器導(dǎo)體50、54所構(gòu)成。電容器導(dǎo)體54隔著絕緣體層16h與電容器導(dǎo)體50相對。由此，電容器C5與線圈L2并聯(lián)連接。在具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOb中，將外部電極44a用作輸入端子，將外部電極44b用作輸出端子，將外部電極44c用作接地端子。由此，若從外部電極44a輸入高頻信號，則從外部電極44b輸出具有比規(guī)定頻率要低的頻率的高頻信號。 具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOb中，與低通濾波器IOa相同，能在抑制Q值下降的同時增大線圈部LI、L2的電感值。此外，在低通濾波器IOb中，與低通濾波器IOa相同，能降低線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44a、44b之間的電阻值。而且，在實(shí)施方式2所涉及的低通濾波器IOb中，由于在層疊體12的側(cè)面未設(shè)置外部電極，因此，在線圈L10、L20及線圈部LI、L2產(chǎn)生的磁場不會被外部電極屏蔽。因此，能抑制低通濾波器IOb的Q值的下降。(變形例)接下來，參照附圖對變形例所涉及的低通濾波器IOc進(jìn)行說明。圖6是變形例所涉及的低通濾波器IOc的分解立體圖。低通濾波器IOc具有對低通濾波器IOb添加了絕緣體層16η、連接導(dǎo)體70及通孔導(dǎo)體ν65 v75的結(jié)構(gòu)。另外，圖4中示出了低通濾波器IOc的等效電路圖。接下來，參照附圖對低通濾波器IOc的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，在圖6中，對與圖5相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的參照標(biāo)號。絕緣體層16η層疊在絕緣體層16h和16i之間。接地導(dǎo)體70設(shè)置在絕緣體層16η的表面上，呈長方形狀。通孔導(dǎo)體v21的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與連接導(dǎo)體70相連接。 通孔導(dǎo)體v65 v71從線圈L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部起向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。更詳細(xì)而言，通孔導(dǎo)體v65 v71在z軸方向上貫通絕緣體層16b 16h,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v65的z軸方向的正方向側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體20a的上游端相連接。通孔導(dǎo)體v71的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與連接導(dǎo)體70相連接。通孔導(dǎo)體v72、v73在z軸方向上貫通絕緣體層16n、16i,并通過相互連接而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體v72的z軸方向的正方向側(cè)的端部與連接導(dǎo)體70相連接。通孔導(dǎo)體v73的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體56相連接。由此，線圈LlO的z軸方向的正方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體vl5 v21、v72、v73、連接導(dǎo)體70及電容器C2與外部電極44c進(jìn)行電連接。此外，線圈L20的z軸方向的正方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體v65 v73、連接導(dǎo)體70及電容器C2與外部電極44c進(jìn)行電連接。通孔導(dǎo)體v74在z軸方向上貫通絕緣體層16η，從而連接通孔導(dǎo)體v22和通孔導(dǎo)體v23。通孔導(dǎo)體v75在z軸方向上貫通絕緣體層16η,從而連接通孔導(dǎo)體v26和通孔導(dǎo)體v27。在具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOc中，將外部電極44a用作輸入端子，將外部電極44b用作輸出端子，將外部電極44c用作接地端子。由此，若從外部電極44a輸入高頻信號，則從外部電極44b輸出具有比規(guī)定頻率要低的頻率的高頻信號。在具有上述結(jié)構(gòu)的低通濾波器IOc中，與低通濾波器IOa相同，能在抑制Q值下降的同時增大線圈部LI、L2的電感值。此外，在低通濾波器IOc中，與低通濾波器IOa相同，能降低線圈L10、L20的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部與外部電極44a、44b之間的電阻值。此外,低通濾波器IOc中，通過調(diào)節(jié)通孔導(dǎo)體vl6 v21及通孔導(dǎo)體v65 v71的長度、即電容器導(dǎo)體50在層疊方向上的位置，從而能調(diào)節(jié)線圈部LI與線圈部L2的耦合度。工業(yè)中的應(yīng)用如上所述，本發(fā)明對低通濾波器是有用的，尤其在抑制Q值下降的同時能增大線圈的電感值方面具有優(yōu)勢。
權(quán)利要求
1.一種低通濾波器，其特征在于，包括 層疊體，該層疊體通過將多個絕緣體層進(jìn)行層疊而構(gòu)成，且在層疊方向的一側(cè)具有安裝面； 第一外部電極，該第一外部電極設(shè)置在所述層疊體的表面上； 第一線圈，該第一線圈內(nèi)置于所述層疊體，且具有沿層疊方向延伸的中心軸，呈在層疊方向的一側(cè)具有一端、在層疊方向的另一側(cè)具有另一端的螺旋形；以及 第一通孔導(dǎo)體，該第一通孔導(dǎo)體從所述第一線圈的另一端向?qū)盈B方向的一側(cè)延伸， 所述第一外部電極和所述第一線圈的另一端經(jīng)由所述第一通孔導(dǎo)體進(jìn)行電連接。
2.如權(quán)利要求I所述的低通濾波器，其特征在于，還包括從所述第一線圈的一端向?qū)盈B方向的一側(cè)延伸的第二通孔導(dǎo)體， 所述第一通孔導(dǎo)體、所述第二通孔導(dǎo)體、及所述第一線圈構(gòu)成第一線圈部。
3.如權(quán)利要求I或2所述的低通濾波器，其特征在于，還包括第二線圈，該第二線圈內(nèi)置于所述層疊體，且具有沿層疊方向延伸的中心軸，呈在層疊方向的一側(cè)具有一端、在層置方向的另一側(cè)具有另一端的螺旋形；以及 第三通孔導(dǎo)體，該第三通孔導(dǎo)體從所述第二線圈的另一端向?qū)盈B方向的一側(cè)延伸， 所述第一外部電極和所述第二線圈的另一端經(jīng)由所述第三通孔導(dǎo)體進(jìn)行電連接。
4.如權(quán)利要求I或2所述的低通濾波器，其特征在于，還包括第二線圈，該第二線圈內(nèi)置于所述層疊體，且是具有沿層疊方向延伸的中心軸的螺旋形線圈， 所述第一外部電極和所述第二線圈的另一端經(jīng)由所述第一通孔導(dǎo)體進(jìn)行電連接。
5.如權(quán)利要求I至4的任一項(xiàng)所述的低通濾波器，其特征在于，還包括電容器，該電容器內(nèi)置于所述層疊體，且連接在所述第一通孔導(dǎo)體和所述第一外部電極之間， 所述第一外部電極接地。
全文摘要
本發(fā)明提供能在抑制Q值下降的同時增大線圈的電感值的低通濾波器。層疊體(12)通過將多個絕緣體層(16)進(jìn)行層疊而構(gòu)成，且在z軸方向的負(fù)方向側(cè)具有安裝面。外部電極設(shè)置在層疊體(12)的下表面，并且接地。線圈(L10)內(nèi)置于層疊體(12)，且是具有在z軸方向延伸的中心軸的螺旋形的線圈。通孔導(dǎo)體(v15～v21)從線圈(L10)的z軸方向的正方向側(cè)的端部向z軸方向的負(fù)方向側(cè)延伸。外部電極與線圈(L10)的z軸方向的正方向側(cè)的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體(v15～v21)進(jìn)行電連接。
文檔編號H03H7/09GK102868379SQ20121023025
公開日2013年1月9日 申請日期2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者佐佐木宏幸 申請人:株式會社村田制作所