專利名稱：低頻信號(hào)發(fā)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，是關(guān)于一種低頻信號(hào)發(fā)生裝置。
技術(shù)背景在對(duì)音響電路的設(shè)計(jì)、調(diào)試或維修過程中，低頻信號(hào)發(fā)生裝置在音響設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)測(cè)量方面有著極其重要的作用。普通的低頻信號(hào)發(fā)生器實(shí)際上就是ー個(gè)振蕩電路，振蕩電路種類主要有ー種是LC振蕩器；另ー種是RC振蕩器。本實(shí)用新型是以RC振蕩器制作的低頻信號(hào)發(fā)生器，用來測(cè)量音響電路相關(guān)的技術(shù)數(shù)據(jù)。市場(chǎng)上專業(yè)用的音頻信號(hào)發(fā)生器雖然性能優(yōu)良，但售價(jià)高、一般音響專業(yè)人員難于接受等缺陷。為了克服和彌補(bǔ)這些問題，研制ー種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)捷、工作性能穩(wěn)定、價(jià)格低廉、好用的低頻信號(hào)發(fā)生裝置很有必要。以下詳細(xì)說明本實(shí)用新型所述的低頻信號(hào)發(fā)生裝置在制作過程中所涉及的有關(guān)技術(shù)內(nèi)容。

實(shí)用新型內(nèi)容發(fā)明目的及有益效果市場(chǎng)上專業(yè)用途的音頻信號(hào)發(fā)生器雖然功能多、性能優(yōu)良，但存在售價(jià)高、一般音響專業(yè)人員難于接受等缺陷。為了彌補(bǔ)和克服這些問題，本實(shí)用新型實(shí)施例以RC振蕩器制作的低頻信號(hào)發(fā)生裝置，用來測(cè)量音響電路相關(guān)的技術(shù)指標(biāo)和相關(guān)數(shù)據(jù)，是ー種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)捷、工作性能穩(wěn)定、好用、且價(jià)格低廉的低頻信號(hào)發(fā)生裝置。電路工作原理本實(shí)用新型所述的低頻信號(hào)發(fā)生裝置的電路用ー個(gè)RC移相振蕩器，電路中PNP型晶體管VTl的基極與集大極之間的信號(hào)相位差為180°，再經(jīng)由電阻Rl R3和電容Cl C3構(gòu)成三級(jí)RC移相電路，電路總相位差為360°。因此，電路經(jīng)過三級(jí)移相后的反饋為同相位，即為正反饋，滿足了振蕩電路的相位條件和振蕩幅度的要求。為了增加RC移相振蕩器電路正反饋工作的穩(wěn)定性，在共發(fā)射極放大電路中接有交流負(fù)反饋電路。技術(shù)方案低頻信號(hào)發(fā)生裝置，由直流電源DC、共發(fā)射極放大電路、三級(jí)RC移相電路和交流負(fù)反饋電路組成，其特征包括共發(fā)射極放大電路中接有三級(jí)RC移相電路，PNP型晶體管VTl的發(fā)射極接有交流負(fù)反饋電路；共發(fā)射極放大電路PNP型晶體管VTl的基極接三級(jí)RC移相電路，PNP型晶體管VTl的集電極與電阻R5的一端、電解電容C5的負(fù)極相連，電阻R5的另一端接電路負(fù)極VCC，電解電容C5的正極接低頻信號(hào)輸出端子，PNP型晶體管VTl的發(fā)射極接交流負(fù)反饋電路；三級(jí)RC移相電路由電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容Cl、電容C2和電容C3組成，PNP型晶體管VTl的基極接電阻R3的一端、電阻R4的一端和電容C3的一端，電阻R4的另一端接電路負(fù)極VCC，電阻R3的一端接電路地GND，電容C3的另一端與電容C2的一端、電阻R2的一端相連，電阻R2的另一端接電路地GND，電容C2的另一端與電容Cl的一端、電阻Rl的一端相連，電阻Rl的另一端接電路地GND，電容Cl的另一端接PNP型晶體管VTl的集電極；[0010]交流負(fù)反饋電路由電阻R6、電解電容C4組成，PNP型晶體管VTl的發(fā)射極接電阻R6的一端與電解電容C4的負(fù)極，電阻R6的另一端和電解電容C4的正極接電路地GND。

附圖I是本實(shí)用新型提供一個(gè)低頻信號(hào)發(fā)生裝置的實(shí)施例電路工作原理圖，附圖I中的VCC接電路負(fù)極，電路地接直流電源DC的正極。
具體實(shí)施方式
按照附圖I所示低頻信號(hào)發(fā)生裝置的電路工作原理圖和附圖說明及以下所述的 元器件技術(shù)要求進(jìn)行實(shí)施，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。元器件的選擇及其技術(shù)參數(shù)VTl為PNP型硅晶體管，型號(hào)為2SC9015，β值彡80，也可選用穿透電流小、工作穩(wěn)定的國產(chǎn)型號(hào)3AG1C、3AG1D等PNP型高頻晶體管；電阻選用1/8金屬膜電阻，電阻R1、R2的阻值均為2ΚΩ，電阻R3的阻值是8. 2ΚΩ，電阻R4的阻值是24K Ω，電阻R5的阻值是I. IK Ω，電阻R6的阻值是470 Ω ；Cl C3為振蕩電容，選用容量為O. 047 μ F的滌綸容量；C4為交流負(fù)反饋電容，容量是30 μ F/16V ；C5為音頻輸出耦合電容，容量是50 μ F/16V ；DC為直流電源，電直流壓為6V，使用4節(jié)5號(hào)普通堿性電池。電路制作及調(diào)試低頻信號(hào)發(fā)生裝置的電路只要是選用的電子元器件性能完好，按照說明書附圖中元器件的連接關(guān)系進(jìn)行焊接，物理連接線及焊接質(zhì)量經(jīng)過仔細(xì)檢查無誤后，電路基本不需要調(diào)試即可正常工作。在PNP型晶體管VTl的集電極回路中串接萬用表的直流電流擋，測(cè)得正常電流值約為17mA。如果測(cè)得工作電流偏差較大，可適當(dāng)調(diào)整PNP型晶體管VTl的偏置電阻R4的阻值，使工作電流達(dá)到正常值。技術(shù)指標(biāo)在低頻信號(hào)輸出端子上接一只阻抗> 2000 Ω的耳塞機(jī)，接低頻信號(hào)發(fā)生裝置的直流電源DC的開關(guān)SW，電路即可產(chǎn)生自激振蕩，在音頻信號(hào)輸出端子可獲得IkHz的音頻信號(hào)。在負(fù)載阻抗彡2000Ω高阻的條件下,低頻信號(hào)的輸出電壓大于1000mV。
權(quán)利要求1.一種低頻信號(hào)發(fā)生裝置，包括直流電源DC、共發(fā)射極放大電路、三級(jí)RC移相電路和交流負(fù)反饋電路，其特征包括 共發(fā)射極放大電路中的PNP型晶體管VTI的基極接三級(jí)RC移相電路，PNP型晶體管VTI的集電極與電阻R5的一端、電解電容C5的負(fù)極相連，電阻R5的另一端接電路負(fù)極VCC，電解電容C5的正極接低頻信號(hào)輸出端子，PNP型晶體管VTl的發(fā)射極接交流負(fù)反饋電路； 三級(jí)RC移相電路中的PNP型晶體管VTl的基極接電阻R3的一端、電阻R4的一端和電容C3的一端，電阻R4的另一端接電路負(fù)極VCC，電阻R3的一端接電路地GND，電容C3的另一端與電容C2的一端、電阻R2的一端相連，電阻R2的另一端接電路地GND，電容C2的另一端與電容Cl的一端、電阻Rl的一端相連，電阻Rl的另一端接電路地GND，電容Cl的另一端接PNP型晶體管VTl的集電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低頻信號(hào)發(fā)生裝置，其特征是交流負(fù)反饋電路中的PNP型晶體管VTl的發(fā)射極接電阻R6的一端與電解電容C4的負(fù)極，電阻R6的另一端和電解電容C4的正極接電路地GND。
專利摘要本實(shí)用新型是關(guān)于一種低頻信號(hào)發(fā)生裝置。該低頻信號(hào)發(fā)生裝置包括直流電源DC、共發(fā)射極放大電路、三級(jí)RC移相電路和交流負(fù)反饋電路，其特征是共發(fā)射極放大電路中接有三級(jí)RC移相電路，PNP型晶體管VT1的發(fā)射極接有交流負(fù)反饋電路。市場(chǎng)上專業(yè)用途的音頻信號(hào)發(fā)生器雖然功能多、性能優(yōu)良，但存在售價(jià)高、一般音響專業(yè)人員難于接受等缺陷，為了彌補(bǔ)和克服這些問題，本實(shí)用新型實(shí)施例是以RC振蕩器制作的音頻信號(hào)發(fā)生器，用來測(cè)量音響電路相關(guān)的技術(shù)數(shù)據(jù)，是一種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔、工作性能穩(wěn)定、好用、且價(jià)格低廉的低頻信號(hào)發(fā)生裝置。
文檔編號(hào)H03K3/02GK202385067SQ20112049747
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月4日
發(fā)明者李寧杭 申請(qǐng)人:李寧杭