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Mos管的延時(shí)啟動(dòng)電路的制作方法

文檔序號(hào):7523607閱讀:9638來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:Mos管的延時(shí)啟動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電器領(lǐng)域,更具體地涉及一種MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路。
背景技術(shù)
在當(dāng)今的大多電器產(chǎn)品中,特別是大功率電子設(shè)備中都要使用到MOS管,在MOS管柵極施加一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)控制負(fù)載電路開(kāi)與關(guān)的工作狀態(tài)。一般情況下,從控制芯片輸出的控制信號(hào),通過(guò)一個(gè)電阻連接至MOS管的柵極,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)控制。然而,在這種情況下,控制芯片給MOS管提供的驅(qū)動(dòng)電壓躍變很快,容易引起很高的開(kāi)通浪涌和噪聲, 從而導(dǎo)致MOS管瞬間導(dǎo)通電流過(guò)大而造成的損壞,并影響整個(gè)開(kāi)關(guān)電路的EMC特性。通常, 可以通過(guò)在輸出控制信號(hào)和MOS管的柵極直接增加專用驅(qū)動(dòng)芯片的方法來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題, 但使用這種方法勢(shì)必造成成本的增加,顯然不適合大批量推廣使用。因此,亟待一種既能防止開(kāi)啟瞬間電流過(guò)大而損壞MOS管,又能節(jié)省成本的MOS管延時(shí)啟動(dòng)電路,來(lái)克服上述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種改進(jìn)型的能夠保護(hù)MOS管的MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其能夠避免開(kāi)啟瞬間電流過(guò)大而損壞MOS管,又能節(jié)省其制造成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其包括電阻、 電容以及MOS管,所述電阻的一端連接控制信號(hào)輸入端,所述電阻的另一端連接MOS管的柵極和所述電容的一端,所述電容的另一端連接MOS管的源極和信號(hào)輸入端,所述MOS管的漏極連接信號(hào)輸出端。較佳地,在所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路中,所述電容的值大于IK皮法。較佳地,在所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路中,所述電阻的值大于IOK歐姆。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,在所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路中,所述電容的值為100K皮法,所述電阻的值為100K歐姆。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路由于在MOS管的柵極與源極之間并聯(lián)了一個(gè)電容,同時(shí)在MOS管的柵極與控制信號(hào)輸入端之間串聯(lián)入一個(gè)電阻,所述電容與電阻的排布構(gòu)成了 RC延時(shí)網(wǎng)絡(luò)。由于RC延時(shí)網(wǎng)絡(luò)的存在,當(dāng)控制信號(hào)的電流輸入而驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí),MOS管的柵極電壓在電容的作用下緩慢到達(dá)其門(mén)限值,使MOS管的導(dǎo)通電流逐漸變大,從而避免了激增的電流對(duì)MOS管的損害,進(jìn)而保護(hù)了 MOS管且延長(zhǎng)了其使用壽命。并且,由于本實(shí)用新型突破了傳統(tǒng)的利用昂貴的驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)完成延時(shí)保護(hù)MOS管的做法,僅利用較為簡(jiǎn)單的電阻電容組成的RC延時(shí)網(wǎng)絡(luò)即可實(shí)現(xiàn)延時(shí)保護(hù)的功能,從而節(jié)省了 MOS管的制造成本。通過(guò)以下的描述并結(jié)合附圖,本實(shí)用新型將變得更加清晰,這些附圖用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施例。
為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本實(shí)用新型MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?,F(xiàn)在參考附圖描述本實(shí)用新型的實(shí)施例,附圖中類(lèi)似的元件標(biāo)號(hào)代表類(lèi)似的元件。本實(shí)用新型提供了一種改進(jìn)型的能夠保護(hù)MOS管的MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其能夠避免開(kāi)啟瞬間電流過(guò)大而損壞MOS管,又能節(jié)省其制造成本。圖1所示為本實(shí)用新型MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路的電路原理圖。參考圖1,本實(shí)用新型MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路10包括MOS管Ql、電阻Rl、電容Cl、控制信號(hào)輸入端11、信號(hào)輸入端12以及信號(hào)輸出端13。具體地,所述電阻Rl的一端連接控制信號(hào)輸入端11,所述電阻Rl的另一端連接MOS管Ql的柵極和所述電容Cl的一端,所述電容C 1的另一端連接MOS管Q 1的源極和輸入信號(hào)輸入端12,所述MOS管Ql的漏極連接信號(hào)輸出端13。電阻Rl和電容Cl組成了 RC延時(shí)網(wǎng)絡(luò)。參考圖1,MOS管通常應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源中,在本實(shí)施例中,當(dāng)控制信號(hào)從控制信號(hào)輸入端11輸入從而驅(qū)動(dòng)MOS管Ql的開(kāi)啟,由于電容Cl并聯(lián)于MOS管Ql的柵極和源極之間,該驅(qū)動(dòng)電流輸入電容Cl從而給電容Cl緩慢地充電,MOS管Ql的柵極與源極的電壓差緩慢增大。在RC延時(shí)網(wǎng)絡(luò)的作用下,延時(shí)若干時(shí)間后,MOS管的柵極電壓逐步上升到其門(mén)限值,使MOS管導(dǎo)通,從而起到了延時(shí)逐漸啟動(dòng)MOS管的作用,從而避免了激增的控制電流對(duì)MOS管的損害,進(jìn)而保護(hù)了 MOS管且延長(zhǎng)了其使用壽命。較佳地,在所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路中,所述電容的值大于IK皮法。較佳地,在所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路中,所述電阻的值大于IOK歐姆。在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中,所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,在所述MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路中,所述電容的值為100K皮法,所述電阻的值為100K歐姆。以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了描述,但本實(shí)用新型并不局限于以上揭示的實(shí)施例,而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本實(shí)用新型的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
權(quán)利要求1.一種MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其特征在于,包括電阻、電容以及MOS管,所述電阻的一端連接控制信號(hào)輸入端,所述電阻的另一端連接MOS管的柵極和所述電容的一端,所述電容的另一端連接MOS管的源極和信號(hào)輸入端,所述MOS管的漏極連接信號(hào)輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其特征在于,所述電容的值大于IK皮法。
3.如權(quán)利要求1所述的MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其特征在于,所述電阻的值大于IOK歐姆。
4.如權(quán)利要求1所述的MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其特征在于,所述電容的值為100K皮法,所述電阻的值為100K歐姆。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,包括電阻、電容以及MOS管,所述電阻的一端連接控制信號(hào)輸入端,所述電阻的另一端連接MOS管的柵極和所述電容的一端,所述電容的另一端連接MOS管的源極和受控信號(hào)輸入端,所述MOS管的漏極連接受控信號(hào)輸出端。本實(shí)用新型能夠保護(hù)MOS管的MOS管的延時(shí)啟動(dòng)電路,其能夠避免MOS管開(kāi)啟瞬間電流過(guò)大而造成MOS管的永久性損壞,又能節(jié)省其制造成本。
文檔編號(hào)H03K5/13GK202050391SQ201120046608
公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
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