專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)?dòng)電路及具有啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶隙電壓基準(zhǔn)電路。更具體地講，涉及一種低功耗的啟動(dòng)電路及 具有該啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路。
背景技術(shù)：
帶隙電壓基準(zhǔn)電路廣泛應(yīng)用在存儲(chǔ)電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路和電源管理電路中，其作 用是用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)不隨溫度、工藝和電壓變化的恒定電壓值。帶隙電壓基準(zhǔn)電路通常利用 具有正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)特性的器件，調(diào)整器件的參數(shù)，使得整個(gè)帶隙電壓基準(zhǔn)電路 的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的絕對(duì)值相同，從而使整個(gè)帶隙電壓基準(zhǔn)電路的溫度系數(shù)為零。在帶隙電壓基準(zhǔn)電路中，通常利用由運(yùn)算放大器和兩個(gè)PMOS管構(gòu)成的負(fù)反饋電 路對(duì)包括兩個(gè)具有正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)特性的器件(例如，二極管等)構(gòu)成的兩個(gè)支 路的電壓進(jìn)行負(fù)反饋。以其中的一個(gè)支路的某個(gè)節(jié)點(diǎn)作為帶隙電壓基準(zhǔn)電路的輸出端，從 而設(shè)計(jì)所述兩個(gè)支路的參數(shù)，以使得整個(gè)帶隙電壓基準(zhǔn)電路的溫度系數(shù)為零。

圖1示出一種現(xiàn)有技術(shù)的具有負(fù)反饋電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路的電路圖。圖1所 示的帶隙電壓基準(zhǔn)電路包括包括具有正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的二極管Dl和D2的兩條 支路以及由運(yùn)算放大器OPAMP以及兩個(gè)PMOS管Ml和M2構(gòu)成的負(fù)反饋電路。具有二極管 Dl的支路包括與二極管Dl串聯(lián)的電阻器Rl和R2。具有二極管D2的支路包括與二極管D2 串聯(lián)的電阻器R3。二極管Dl的輸入端連接到運(yùn)算放大器OPAMP的輸入端A，二極管D2的 輸入端經(jīng)電阻器R3連接到運(yùn)算放大器OPAMP的輸入端B，運(yùn)算放大器OPAMP的輸出端C接 到PMOS管Ml和M2的柵極從而通過(guò)運(yùn)算放大器OPAMP的輸出電壓Vc來(lái)控制兩條支路的電 流Il和12，以對(duì)所述兩條支路的電壓進(jìn)行負(fù)反饋。在圖1所示的帶隙電壓基準(zhǔn)電路中，兩條支路流過(guò)的電流I1A2 = N。二極管D2的 面積是二極管Dl的M倍，或者說(shuō)D2相當(dāng)于M個(gè)二極管Dl并聯(lián)。根據(jù)流過(guò)二極管的電流公
式
權(quán)利要求
一種具有啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路包括由運(yùn)算放大器以及第一PMOS管和第二PMOS管構(gòu)成的負(fù)反饋電路，所述負(fù)反饋電路對(duì)包括具有正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)特性的器件的兩個(gè)支路的電壓進(jìn)行負(fù)反饋，其特征在于所述啟動(dòng)電路包括施密特觸發(fā)器、反相器和NMOS管，其中，所述施密特觸發(fā)器的輸入端連接到所述第一PMOS管和第二PMOS管的柵極，所述施密特觸發(fā)器的輸出端連接到反相器的輸入端，所述反相器的輸出端連接到所述NMOS管的柵極，所述NMOS管的源極接地，所述NMOS管的漏極連接到所述施密特觸發(fā)器的輸入端，其中，所述施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓大于所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路正常工作后所述第一PMOS管和第二PMOS管的柵極電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其中，所述兩個(gè)支路中的第一支路包括 第一二極管，所述兩個(gè)支路中的第二支路包括第二二極管和第一電阻器，其中，運(yùn)算放大器的輸出端連接到第一 PMOS管和第二 PMOS管的柵極，第一 PMOS管和 第二 PMOS管的源極連接到電源，第一 PMOS管的漏極連接到運(yùn)算放大器的第一輸入端，第二 PMOS管的漏極連接到運(yùn)算放大器的第二輸入端，第一 PMOS管的漏極連接到第一二極管的 輸入端，第二 PMOS管的漏極連接到第二二極管的輸入端，第一二極管和第二二極管的輸出 端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，還包括第二電阻器，第一PMOS管的漏極 經(jīng)第二電阻器連接到運(yùn)算放大器的第一輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，還包括第三電阻器，第二PMOS管的 漏極經(jīng)第三電阻器連接到運(yùn)算放大器的第二輸入端。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其中，第一二極管的輸入端經(jīng)第一電阻 器連接到運(yùn)算放大器的第一輸入端。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，其中，帶隙電壓基準(zhǔn)電路的輸出端為所 述第一 PMOS管的漏極。
7.一種用于帶隙電壓基準(zhǔn)電路的啟動(dòng)電路，所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路包括由運(yùn)算放大器 以及兩個(gè)PMOS管構(gòu)成的負(fù)反饋電路，其特征在于包括施密特觸發(fā)器、反相器和NMOS管，其中，所述施密特觸發(fā)器的輸入端連接到所述兩個(gè)PMOS管的柵極，所述施密特觸發(fā) 器的輸出端連接到反相器的輸入端，所述反相器的輸出端連接到所述NMOS管的柵極，所述 NMOS管的源極接地，漏極連接到所述施密特觸發(fā)器的輸入端，其中，所述施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓大于所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路正常工作后所述 兩個(gè)PMOS管的柵極電壓。
全文摘要
一種啟動(dòng)電路及具有啟動(dòng)電路的帶隙電壓基準(zhǔn)電路，所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路包括由運(yùn)算放大器以及PMOS管構(gòu)成的負(fù)反饋電路，所述負(fù)反饋電路對(duì)包括具有正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)特性的器件的兩個(gè)支路的電壓進(jìn)行負(fù)反饋，其特征在于所述啟動(dòng)電路包括施密特觸發(fā)器、反相器和NMOS管，其中，所述施密特觸發(fā)器的輸入端連接到PMOS管的柵極，所述施密特觸發(fā)器的輸出端連接到反相器的輸入端，所述反相器的輸出端連接到所述NMOS管的柵極，所述NMOS管的源極接地，漏極連接到所述施密特觸發(fā)器的輸入端，其中，所述施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓大于所述帶隙電壓基準(zhǔn)電路正常工作后所述PMOS管的柵極電壓。
文檔編號(hào)H03K17/687GK101963821SQ20091015114
公開(kāi)日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2009年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月23日
發(fā)明者高彬 申請(qǐng)人:三星半導(dǎo)體(中國(guó))研究開(kāi)發(fā)有限公司;三星電子株式會(huì)社