專利名稱：Mems諧振器、制造這種諧振器的方法以及mems振蕩器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有溫度補償特性的MEMS諧振器。本發(fā)明還涉 及一種制造這種MEMS諧振器的方法。本發(fā)明更進一步地涉及一種包 括MEMS諧振器的MEMS振蕩器以及涉及一種包括這種MEMS諧振器的 集成電路。
背景技術：
從US2005/0162239中可以知道一種MEMS諧振器。該文件公開 了一種包括梁的MEMS諧振器，該梁包括多種具有不同熱膨脹系數的 材料(例如，硅和氧化硅)。該梁由兩個錨狀物支撐在襯底上，每一 個都位于錨的一端，該襯底具有與該梁不同的熱膨脹系數。由于這些 起固定點作用的錨，襯底和梁之間的熱膨脹系數的差異引起該梁中的 拉伸應變或壓縮應變。壓縮應變易于降低梁的諧振頻率，拉伸應變易 于增大諧振頻率。從而，采用這些手段，在已知MEMS諧振器中可以 實現諧振頻率中的熱補償效應。
已知的MEMS諧振器的缺點是其結構相對復雜。諧振頻率的熱補 償需要在梁兩端的固定點。
發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是提供在開篇中所闡述的種類的一種可替換 MEMS諧振器，其相對簡單，并提供了較好的諧振頻率的熱補償效應。 本發(fā)明由獨立權利要求所限定。從屬權利要求限定了有利的實施例。
由于本發(fā)明提供了包括可移動元件的MEMS諧振器，從而實現了 本發(fā)明的目的，所述可移動元件包括具有第一楊氏模量和第一楊氏模 量的第一溫度系數的第一部分，所述可移動元件還包括具有第二楊氏 模量和第二楊氏模量的第二溫度系數的第二部分，第二溫度系數的符
號與第一溫度系數的符號至少在該MEMS諧振器的工作條件下是相反 的，第一部分的橫截面積和第二部分的橫截面積是這樣的第一部分 的楊氏模量的絕對溫度系數與第一部分的橫截面積的乘積對第二部 分的楊氏模量的絕對溫度系數與第二部分的橫截面積的乘積的偏離
不超過20%，橫截面積是局部垂直于可移動元件測得的。
MEMS諧振器的可移動元件通常包括具有負的楊氏模量溫度系數 的材料。例如，硅的楊氏模量的溫度系數通常是-88ppm/K。由此，硅 基諧振器的諧振頻率可以漂移達到-45ppm/K，這對于(例如，參考振 蕩器中的)應用通常是太大了。本發(fā)明的目的是提供具有第二材料的 可移動元件，第二材料具有相反(這里為正)的楊氏模量的溫度系數。 以這種方式，可以減小可移動元件的楊氏模量的有效絕對溫度系數， 這使得MEMS諧振器的諧振頻率的溫度漂移更低。
換句話說，在根據本發(fā)明的MEMS諧振器中需要在可移動元件中 沒有壓縮或拉伸應變，這給了 MEMS諧振器的設計人員更多的自由來 決定在哪里和怎樣實現可移動元件的錨狀物。例如，在根據本發(fā)明的 MEMS諧振器中，可移動元件的錨狀物可以被實施在MEMS諧振器的中 央，這對于縱模諧振器是非常有吸引力的。而且術語"體模式諧振器" 可以用于這種MEMS諧振器。
本發(fā)明還基于這樣的認識對于溫度補償，采用楊氏模量比采 用熱膨脹在量上更具吸引力。例如，硅和氧化硅的楊氏模量的差大于 200ppm/K。這個差在熱膨脹中只在2ppm/K和3ppm/K之間。換句話說， 根據本發(fā)明的MEMS諧振器中的熱補償機制更加有效。
在根據本發(fā)明的MEMS諧振器中，可以實現任何有效的介于可移 動部件的第一部分的楊氏模量的溫度系數和可移動部件的第二部分 的楊氏模量的溫度系數之間的溫度系數。實際上，接近零的有效的溫 度系數是最有利的。影響將這個系數調諧為零的精度的因素是該可移 動元件的第一部分的初始橫截面面積和該可移動元件的第二部分的 橫截面面積的精度。
本發(fā)明的另一種認識是該可移動元件的第一部分和第二部分 的橫截面面積是設計參數，這些設計參數允許將可移動元件的楊氏模
量的絕對有效溫度系數調諧到可接受的水平，甚至是調諧到接近零的 值。
根據本發(fā)明的MEMS諧振器的有利實施例的特征在于可移動元件
的第一部分的橫截面面積被可移動元件的第二部分的橫截面面積除 的比率約等于可移動元件的第二部分的楊氏模量的負溫度系數被可 移動元件的第一部分的楊氏模量的負溫度系數除的另一比率。這種
MEMS諧振器的優(yōu)點是最佳地減少了絕對有效溫度系數。
在根據本發(fā)明的MEMS諧振器的另一個實施例中，第一部分或第 二部分包括硅，其他部分包括氧化硅。已知氧化硅的楊氏模量具有 + 175ppra/K的溫度漂移。通過結合硅和氧化硅，作為MEMS諧振器的 可移動元件中的結構材料，可以補償溫度漂移。而且，氧化硅是一種 與標準工藝非常兼容的材料，因此易于制造。
在根據本發(fā)明的MEMS諧振器的一些實施例中，第二部分在至少 一個垂直于移動元件的方向上嵌入第一部分。這種對稱性改善了可移 動元件的諧振性能。
在根據本發(fā)明的MEMS諧振器的另一實施例中，第二部分在垂直 運動元件的平面上完全環(huán)繞第一部分。在根據本發(fā)明的MEMS諧振器 的一個可替換實施例中，第一部分在垂直運動元件的平面上完全環(huán)繞 第二部分。在兩個實施例中，更進一步地改善了諧振性能，因為在垂 直于可移動元件的平面上的振動現在具有同樣有效的楊氏模量和溫 度系數(彈性)。
本發(fā)明還涉及一種制造MEMS諧振器的方法。根據本發(fā)明的方法 包括下列步驟
提供半導體主體，其包括襯底層、在襯底層上提供的犧牲層和 在犧牲層上提供的頂層，頂層包括用以形成可移動元件的第一部分的 第一材料，第一部分具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系 數；
形成頂層圖案以限定可移動元件；
選擇性地去除犧牲層，以部分地從襯底層中釋放可移動元件； 將第二材料提供到可移動元件上，以形成可移動元件的第二部
分，第二部分具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數；第 二溫度系數的符號與第一溫度系數的符號至少在該MEMS諧振器的工 作條件下是相反的，第一部分的橫截面積和第二部分的橫截面積是這 樣的第一部分的楊氏模量的絕對溫度系數與第一部分的橫截面積的 乘積對第二部分的楊氏模量的絕對溫度系數與第二部分的橫截面積 的乘積的偏離不超過20%，橫截面積是局部垂直于可移動元件測得 的。
制造根據本發(fā)明的MEMS諧振器的方法提供了一種方便的制造具
有第一部分和第二部分的可移動元件的方式，其中第一部分和第二部 分具有不同的楊氏模量的溫度系數。請注意，可以改變根據本發(fā)明的
方法的步驟順序。例如，在選擇性去除犧牲層之前，可以在可移動元
件上提供第二材料。類似蝕刻、沉積、CMP之類的傳統步驟可以用于 這個目的。
根據本發(fā)明的方法的有利實施例的特征在于，在提供半導體主 體的步驟中，在犧牲層上提供頂層，其包括硅。硅是一種與標準工藝 兼容的材料，因此，可以很容易地與其他器件和電路集成。
根據本發(fā)明的最后提及的實施例的改進方法中，提供第二材料 的步驟包括氧化步驟，其中，可移動元件的至少一個側壁的硅至少被 轉化為氧化硅。氧化(例如，熱氧化)可以精確控制產生的氧化硅厚 度。從而，通過硅的氧化形成適當厚度的氧化硅層，可以容易地將楊 氏模量的有效熱系數調諧為零。在熱氧化過程中，可移動元件的硅被 消耗掉，從而，包括硅的可移動元件的第一部分的體積減小，而可移 動元件的第二部分的體積增大。
本發(fā)明還涉及一種包括MEMS諧振器的MEMS振蕩器。根據本發(fā) 明的MEMS諧振器的優(yōu)點是它包括無源補償技術。從而，MEMS諧振器 和MEMS振蕩器不需要任何反饋或控制電路，所以非常簡單。在有源 溫度補償技術中，對溫度進行測量，并將信號反饋給控制電路，這使 MEMS諧振器和MEMS振蕩器非常復雜。
本發(fā)明還涉及一種包括這種MEMS振蕩器的集成電路。在硅諧振 器上形成氧化硅層與集成電路的工藝流程兼容。從而，根據本發(fā)明的
MEMS諧振器使得可以進行單片集成MEMS振蕩器的相對直接集成。
其他的特性可彼此結合，并可與任何方面結合。其他優(yōu)點對本 領域技術人員是清楚的。在不脫離本發(fā)明的權利要求的情況下，可以 進行很多變化和變型。從而，應當可以清楚理解的是，本發(fā)明只是說 明性的，不是為了限制本發(fā)明的范圍。
參照附圖，通過示例的方式，描述本發(fā)明是如何生效的，其中 圖la到圖le圖示了一種制造根據本發(fā)明的方法的一個實施例 的MEMS諧振器的方法；
圖2圖示了根據本發(fā)明的一個實施例的MEMS諧振器的可移動元
件；以及
圖3示出了描述本發(fā)明有效性的圖。
具體實施例方式
將關于特定的實施例和參照某些附圖，對本發(fā)明進行描述，但 是這不能被解釋為一種限制情形，因為本發(fā)明只被所附的權利要求所 限制。在權力要求中的任何參考標號不應當被視為對權利要求的范圍 的限制。描述的附圖只是示意性和非限制性的。在附圖中，為了說明 目的，某些元件的尺寸被放大，沒有按照比例繪制。這里，在本說明 書和權利要求中采用了術語"包括"，它并不排除其他元件或步驟。 當提到單數名詞時所采用的定冠詞或不定冠詞，例如"一個"、"一 種"、"該"，如果沒有特別陳述的話，這包括多個那種名詞。
而且，在說明書和權利要求中的術語"第一"、"第二"、"第 三"和類似術語用于進行類似元件之間的區(qū)分，并不必然用于描述連 續(xù)的或按時間順序的情形。應當理解的是，在適當的環(huán)境下，這樣使 用的術語是可以互換的，而且，這里描述的本發(fā)明的實施例可以工作 在不是這里描述或說明的其他序列中。
楊氏模量是一種材料特性，其描述了它的硬度，并因此是MEMS 諧振器的可移動元件的一種最重要的材料特性。楊氏模量和質量密度 是確定諧振器的諧振頻率的兩種材料特性。用下式給出材料的楊氏模
其中，E。是在MEMS諧振器的工作條件下的楊氏模量，(i是溫度 系數，AT是溫度變化。
圖la到圖le圖示了根據本發(fā)明的方法的實施例的制造工藝的 各個階段中的MEMS諧振器。
圖la涉及的是制造工藝的一個階段，其中提供了半導體主體 10。半導體主體10包括襯底層20、在襯底層20上提供的犧牲層30， 和在犧牲層30上提供的頂層40。在本發(fā)明的一個實施例中，頂層40 可以包括硅，但是其他材料也是可以的，例如，類似于鍺(Ge)、類 似砷化鎵(GaAs)的III-V族半導體化合物、類似磷化銦的II-VI 族半導體化合物以及其他材料。對于犧牲層30，可以采用類似氧化 硅(Si02)的材料，但其他材料也是可以的。在硅被用作頂層40的 材料，氧化硅(或其他絕緣材料)被用作犧牲層30的材料的情況下， 還可以使用術語絕緣體上硅(SOI)。絕緣體上硅襯底/晶片在市場上 是可以廣泛地得到的，并可以以簡單容易的方式生產。在圖la到圖 le所示的示例中，采用了 SOI襯底10,其中頂層40包括硅，以及其 中絕緣(犧牲)層30包括二氧化硅。
圖lb和圖lc圖示了制造工藝的其他階段。在圖lb中，提供了 在其中具有開口 55的有圖案的掩模層50。例如，通過采用傳統的光 學平板印刷技術可以形成掩模層50圖案，但還可以采用類似電子束 平板印刷、離子束平板印刷和X射線平板印刷的其他技術。在這些技 術中，圖案被直接寫在掩模層50上。在這個特定的示例中，釆用了 光刻技術。那么，掩模層50可以包括光致抗蝕劑層，但可以替換地 (例如由氧化硅或氮化硅制成的)硬掩模。在圖lc中，通過在掩模 層50中的開口 55，形成頂層40圖案。從而，在頂層40中形成開口 45，其對應于掩模層中的開口 55。例如，通過采用干法蝕刻(例如 DRIE蝕刻)可以實現這個步驟。蝕刻技術為本領域技術人員所知。 形成開口45，以便他們使位于頂層40下的犧牲層30暴露。還形成
間隙46、 47，其限定了要被制造的MEMS諧振器的可移動元件48。
在圖ld中，示出了制造工藝的另一個階段，局部地(至少在可 移動元件的下面)去除犧牲層30，以部分地釋放可移動元件48。例 如，可以通過選擇性的濕法蝕刻步驟來完成這個目的。選擇性蝕刻技 術也為本領域技術人員所知。可移動元件被提供了固支區(qū)域(圖中未 示出)。在這個特定的示例中，可移動元件(48)(至少)在垂直于 間隙46、 47的側壁的方向上是可移動的。然而，還存在其他類型的 MEMS諧振器,例如縱模諧振器。
MEMS諧振器的可移動元件通常包括的材料的楊氏模量的溫度系 數是負的。例如，硅的楊氏模量的溫度系數通常是-88ppm/K。由此， 硅基諧振器的諧振頻率可以最大漂移-45ppra/K，這對于(例如)參考 振蕩器中的應用通常太大了。
圖le圖示了根據本發(fā)明的方法的一個實施例的MEMS諧振器的 制造工藝的另一個階段。在這個實施例中，可移動元件48被提供了 氧化硅層60。在完成這個的同時，形成了具有負的楊氏模量的溫度 系數的可移動元件48的第一部分A (包括硅)以及形成了具有正的 楊氏模量的溫度系數的可移動元件48的第二部分B (包括氧化硅)。 第一部分A和第二部分B的橫截面積是技術人員可以用來將可移動元 件的絕對有效溫度系數調諧為較低的值甚至為零的參數。在圖le所 示的示例中，形成一定厚度的氧化硅層60以實現適當的溫度補償(楊 氏模量的溫度系數很低或為零)是一個問題。
可以通過各種方法來完成氧化硅的形成，其中一個方法是熱氧 化。熱氧化是本領域技術人員所公知的一種工藝。在熱氧化硅的情況 下，與所示示例中的情況一樣，氧化通常是在包括02或H20的環(huán)境中 在大約IOO(TC溫度下完成的。氧化(例如，熱氧化)能非常精確地 控制產生的氧化硅的厚度。從而，通過形成適當厚度的氧化硅層60 的硅的氧化，可以很容易地將可移動元件48的楊氏模量的有效熱系 數調諧到零。在熱氧化過程中，消耗了可移動元件48的硅，從而， 可移動元件的包括硅的第一部分A的體積減小，而可移動元件48的 第二部分B的體積增大。在S.Wolf的"57"，尸潔essW， Vol. 1，pp. 198-241中可以發(fā)現關于熱氧化的更多信息。
在圖le中，在所有沒有被硅覆蓋的位置上，特別是可移動元件 48上生長二氧化硅Si02 (電介質)。然而，通過局部提供覆蓋層或 通過提供保護性層，可以防止在特定位置上的氧化硅的生長?？商鎿Q 地，除了硅以外，可以在頂層40中采用不同的材料，以便只有硅被 氧化。 一種公知的采用這種原理的隔離技術叫做硅局部氧化(Local Oxidation Of Silicon, LOCOS)。在LOCOS中，采用氮化硅(Si3N4) 層來避免氧化。從而，這種技術使得可以只在可移動元件的特定部分 上提供電介質。
可替換地，代替氧化，可以將電介質(例如氧化硅)沉積在可 移動元件48上。存在幾種用于沉積的技術，比如原子層沉積(ALD) 和低壓氣相沉積(LPCVD)。可以采用傾斜/陰影沉積技術來保證在可 移動元件48的側壁上沉積電介質。在S. Wolf的"57h'co" 尸rocesw'/^" ， Vol.l， pp.374中可以發(fā)現關于陰影沉積技術的更多 伶自
Ib尼、o
當前，硅和氧化硅看起來是與標準工藝最兼容的。然而，技術 人員可以選擇具有相反符號的溫度系數的其他材料。這種變化不脫離
本發(fā)明的范圍。而且，在沉積的情況下，關于可移動元件48的第一 部分A和第二部分B的材料選擇有更少的限制。
在圖le所示的階段之前或之后，可以執(zhí)行各種其他步驟來完成 該產品，諸如
部分去除生長/沉積的氧化物；
形成電極；
形成鍵合焊盤；
形成其他電路；等等。
上述步驟對本領域技術人員是公知的。
參照圖2和圖3，進行仿真來證實本發(fā)明。圖2示出了用于這些 仿真的模型，圖3示出了結果。圖2示出了縱模MEMS諧振器的可移 動元件48，其在其表面具有氧化硅層60(形成可移動元件48的部分 B)。在該示例中，可移動元件48的第一部分(內部部分)A包括硅?？v模MEMS諧振器是其中的可移動元件48在縱向上移動(從電極移動 到電極，圖中未示出)的諧振器。從而，可移動元件48的長度隨時 間變化。用圖2中的兩個箭頭D1、 D2來指示這些運動?？蛇\動元件 48被位于中間的兩個錨狀物70、 80所固定。
氧化硅層60的厚度被用作仿真的參數。作為示例，在三個不同 的仿真中，對縱模MEMS諧振器的諧振頻率的溫度漂移進行了仿真。
1) 無氧化硅(圖3中的曲線Pl)
2) 300nm的氧化硅(圖3中的曲線P2);
3) 500nm的氧化硅(圖3中的曲線P3)。
在圖3中，對三種不同的情況，繪制了 MEMS諧振器的標準化諧 振頻率。從圖3中可以推出，當提供了 300nm的氧化硅時，溫度漂移 從-44ppm/K (曲線P1)減小到-13ppm/K (曲線P2)。通過更進一步 地將氧化硅的厚度增大到500nm，甚至可以得到+3. 5ppm/K的正溫度 漂移。從而，這意味著己經實現了楊氏模量的正的有效溫度系數。從 圖3中，可以得出如下結論對于這個特定的實施例，在300nm到 500nm范圍內的氧化硅厚度使得可以得到合適的溫度補償(溫度系數 等于零)。這些結果證明了本發(fā)明的有效性。
顯然，出現這種溫度補償的位置上的厚度取決于各種設計參數 (長度、厚度、寬度、材料等等)。然而，對于技術人員而言，只有 幾個實驗就足以發(fā)現合適的氧化物厚度。
如下可以實現溫度系數的最小化?？梢杂孟率浇o出第一部分A 和第二部分B的楊氏模量
五n=Lb
在可移動元件包括兩個部分A、 B的情況下，由下式給出可移動
元件的有效溫度系數<formula>complex formula see original document page 12</formula>
其中，Aa是第一部分A的橫截面面積，Ab第二部分B的橫截面面
積，以及其中，(XA是可移動元件的第一部分的楊氏模量的溫度系數，
aB是可移動元件的第二部分的楊氏模量的溫度系數。在根據本發(fā)明的MEMS諧振器中，可以實現任意有效的溫度系
數，該溫度系數介于可移動元件的第一部分的楊氏模量的溫度系數和 可移動元件的第二部分的楊氏模量的溫度系數之間。實際上，接近零 的有效溫度系數最有利。影響將這個系數調諧為零的精度的因素是可 移動元件的第一部分的初始橫截面面積和可移動元件的第一部分的 橫截面面積。
滿足下列條件時，有效溫度系數等于零(并因此被最小化)
橫截面積的比率應當滿足以下要求 =. afl
一旦已知所需的橫截面面積的比率，可以很容易地計算出所需 氧化層的厚度。
在本發(fā)明的一個變化中，MEMS諧振器被提供了具有第三部分 的可移動元件，該第三部分有具有第三楊氏模量，第三楊氏模量具有 第三溫度系數。在這種MEMS諧振器中，至少第一、第二或第三部 分中的一個部分的楊氏模量的溫度系數必須具有與其他部分的溫度 系數相反的符號。那么，有效溫度系數的等式可以表示為
<formula>complex formula see original document page 13</formula>
其中，Ac是第三部分的橫截面面積，ac是可移動元件的第三部 分的楊氏模量的溫度系數。
如果滿足下列條件，有效溫度系數等于零-
從而，本發(fā)明提供了一種有吸引力的MEMS諧振器，其具有更 好的諧振頻率的溫度補償，其比現有技術己知的MEMS諧振器簡單。 本發(fā)明還提供了制造這種諧振器的方法。
權利要求
1.一種MEMS諧振器，其包括可移動元件(48)，所述可移動元件(48)包括具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數的第一部分(A)，所述可移動元件(48)還包括具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數的第二部分(B)，第二溫度系數的符號與第一溫度系數的符號至少在該MEMS諧振器的工作條件下是相反的，第一部分(A)的橫截面積和第二部分(B)的橫截面積是這樣的第一部分(A)的楊氏模量的絕對溫度系數與第一部分(A)的橫截面積的乘積對第二部分(B)的楊氏模量的絕對溫度系數與第二部分(B)的橫截面積的乘積的偏離不超過20％，橫截面積是局部垂直于可移動元件(48)測得的。
2. 根據權利要求1所述的MEMS諧振器，其特征在于可移動元 件(48)的第一部分(A)的橫截面面積被可移動元件(48)的第二 部分(B)的橫截面面積除的比率大約等于可移動元件(48)的第二 部分(B)的楊氏模量的負的溫度系數被可移動元件(48)的第一部 分(A)的楊氏模量的溫度系數除的另一比率。
3. 根據之前任何一項權利要求所述的MEMS諧振器，其特征在 于第一部分(A)或第二部分(B)包括硅，而另一部分包括氧化硅。
4. 一種制造MEMS諧振器的方法，其包括下列步驟 提供半導體主體(10)，該半導體主體(10)包括襯底層(20)、在襯底層(20)上提供的犧牲層(30)和在犧牲層(30)上提供的頂 層(40)，頂層(40)包括用以形成可移動元件的第一部分(A)的 第一材料，第一部分(A)具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一 溫度系數；形成頂層(40)圖案以限定可移動元件(48); 選擇性地去除犧牲層(30)，以部分地從襯底層(20)釋放可移動元件(48);將第二材料提供到可移動元件(48)上，以形成可移動元件(48) 的第二部分(B)，第二部分(B)具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數，第二溫度系數的符號與第一溫度系數的符號至少在該MEMS諧振器的工作條件下是相反的，第一部分(A)的橫截面積和第二部分(B)的橫截面積是這樣的第一部分(A)的楊氏模量的絕對溫度系數與第一部分(A)的橫截面積的乘積對第二部分(B)的楊氏模量的絕對溫度系數與第二部分(B)的橫截面積的乘積的偏離不超過20%，橫截面積是局部垂直于可移動元件(48)測得的。
5. 根據權利要求4所述的方法，其特征在于在提供半導體主體(10)的步驟中，在犧牲層(30)上提供包括硅的頂層(40)。
6. 根據權利要求5所述的方法，其特征在于提供第二材料的步驟包括氧化步驟，其中可移動元件(48)的至少一個側壁上的硅至少被轉化為氧化硅。
7. —種MEMS振蕩器，其包括根據權利要求1到3中的任何一項權利所述的MEMS諧振器。
8. —種集成電路，其包括根據權利要求7所述的MEMS振蕩器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種MEMS諧振器，其包括可移動元件(48)，所述可移動元件(48)包括具有第一楊氏模量和第一楊氏模量的第一溫度系數的第一部分(A)，所述可移動元件(48)還包括具有第二楊氏模量和第二楊氏模量的第二溫度系數的第二部分(B)，第二溫度系數的符號與第一溫度系數的符號至少在該MEMS諧振器的工作條件下是相反的，第一部分(A)的橫截面積和第二部分(B)的橫截面積是這樣的第一部分(A)的楊氏模量的絕對溫度系數與第一部分(A)的橫截面積的乘積對第二部分(B)的楊氏模量的絕對溫度系數與第二部分(B)的橫截面積的乘積的偏離不超過20％，橫截面積是局部垂直于可移動元件(48)測得的。
文檔編號H03H3/007GK101346879SQ200680048616
公開日2009年1月14日 申請日期2006年12月18日 優(yōu)先權日2005年12月23日
發(fā)明者弗里德里克·W·M·范赫爾門特, 漢斯-彼得·勒布爾, 約瑟夫·T·M·范貝克 申請人:Nxp股份有限公司