專利名稱：振蕩器及通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于便攜電話機(jī)等的通信設(shè)備的振蕩器及使用了該振蕩器的通信設(shè)備，尤其涉及可變更功能的振蕩器及具備了該振蕩器的通信設(shè)備。
背景技術(shù)：
晶體振蕩器一般被按SPXO(Simple Packaged CrystalOscillator)、VCXO(yoltage Controlled Crystal Oscillator)、TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator)等功能分類。這里，SPXO是不進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器，TCXO(溫度補(bǔ)償振蕩器)是按照即使周圍溫度變化，輸出頻率也不變化的原則進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器，VCXO(電壓控制振蕩器)是按照來自外部的控制電壓使輸出頻率可變的晶體振蕩器。此外，在TCXO中追加了VCXO功能的晶體振蕩器稱為VC-TCXO。該VC-TCXO用于便攜電話機(jī)等，在實(shí)現(xiàn)便攜電話機(jī)以來自基站的信號為基準(zhǔn)，更正確地調(diào)整頻率的AFC(Approximately Frequency Control)功能時(shí)等被利用。
以往，振蕩器的制造商根據(jù)市場及顧客要求分別開發(fā)這些振蕩器，由此制造并提供滿足顧客需求的振蕩器。
然而，由于以往一般分別獨(dú)立進(jìn)行TCXO與VCXO等的開發(fā)，即使通用部分也分別開發(fā)，因而開發(fā)效率低下。此外由于分別開發(fā)，盡管通用部件很多，但仍有必要分別設(shè)置制造生產(chǎn)線，有必要分別對部件進(jìn)行倉儲管理。
另一方面，以近年來信息社會化程度日益提高為背景，從提高電子設(shè)備的處理能力及通信速度高速化的必要性出發(fā)，對這些振蕩器中更廣的動(dòng)作溫度范圍的對應(yīng)及低相位噪聲的要求在不斷增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供為提高開發(fā)效率，便于倉儲管理而可進(jìn)行必要的功能設(shè)定及功能變更的振蕩器及使用了該振蕩器的通信設(shè)備。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種振蕩器，其具備電壓控制振蕩電路，其具有振子，按照被供給的控制電壓輸出信號的頻率發(fā)生變化；第1溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的3次曲線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；第2溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的1次直線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；選擇單元，其把上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓或上述第2溫度補(bǔ)償電壓的任意一方作為上述控制電壓向上述電壓控制振蕩電路供給。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，可通過基于第2溫度補(bǔ)償電壓控制電壓控制振蕩電路的輸出信號頻率，來對輸出信號的頻率溫度特性向使振子單體的頻率溫度特性轉(zhuǎn)動(dòng)了的特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償。此外，可通過基于第1溫度補(bǔ)償電壓與第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓控制電壓控制振蕩電路的輸出信號頻率，來對輸出信號的頻率溫度特性向在更大的溫度范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)的特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償。因此，可以通過選擇單元把第1溫度補(bǔ)償電壓與第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓或第2溫度補(bǔ)償電壓的任意一方作為控制電壓向電壓控制振蕩電路供給，來結(jié)合該振蕩器的使用目的調(diào)整輸出信號的頻率溫度特性。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其上述選擇單元具有開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述第1溫度補(bǔ)償電壓；加法電路，其對通過上述開關(guān)所供給的上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；存儲器，其存儲用于控制上述開關(guān)的控制數(shù)據(jù)；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述開關(guān)。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于通過控制電路基于在存儲器中所存儲的控制數(shù)據(jù)控制開關(guān)，從加法電路輸出的控制電壓得到變更，因而可簡單地選擇是否把輸出信號的頻率溫度特性調(diào)整成在更大的溫度范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)的特性。此外由于控制電路基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)在存儲器中存儲控制數(shù)據(jù)，因而在該振蕩器制造后，可在任意時(shí)期設(shè)定該振蕩器的頻率溫度特性。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其上述選擇單元具有存儲控制數(shù)據(jù)的存儲器；加法電路，其對上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第2溫度補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于通過控制電路基于在存儲器中所存儲的控制數(shù)據(jù)控制第2溫度補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)，從加法電路輸出的控制電壓得到變更，因而可簡單地選擇是否把輸出信號的頻率溫度特性調(diào)整成在大的溫度范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)的特性。此外由于控制電路基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)在存儲器中存儲控制數(shù)據(jù)，因而在該振蕩器制造后，可在任意時(shí)期設(shè)定該振蕩器的頻率溫度特性。
此外為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種振蕩器，其具備電壓控制振蕩電路，其具有振子，按照被供給的控制電壓輸出信號的頻率發(fā)生變化；第1溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的3次曲線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；第2溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的1次直線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；選擇單元，其把上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓或上述第1溫度補(bǔ)償電壓、或上述第2溫度補(bǔ)償電壓的任意一方作為上述控制電壓向上述電壓控制振蕩電路供給。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于選擇單元把第1溫度補(bǔ)償電壓與第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓或第1溫度補(bǔ)償電壓，或第2溫度補(bǔ)償電壓的任意一方作為控制電壓向電壓控制振蕩電路供給，因而可結(jié)合該振蕩器的使用目的，調(diào)整輸出信號的頻率溫度特性。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其上述選擇單元具有第1開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述第1溫度補(bǔ)償電壓；第2開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述第2溫度補(bǔ)償電壓；加法電路，其對通過上述第1開關(guān)所供給的上述第1溫度補(bǔ)償電壓與通過上述第2開關(guān)所供給的上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；存儲器，其存儲用于控制上述第1及第2開關(guān)的控制數(shù)據(jù)；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第1及第2開關(guān)。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于通過控制電路基于在存儲器中所存儲的控制數(shù)據(jù)控制第1及第2開關(guān)，來變更從加法電路輸出的控制電壓，因而可簡單地選擇是否把輸出信號的頻率溫度特性調(diào)整成在大的溫度范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)的特性。此外由于控制電路基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)在存儲器中存儲控制數(shù)據(jù)，因而在該振蕩器制造后，可在任意時(shí)期設(shè)定該振蕩器的頻率溫度特性。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其上述選擇單元具有存儲控制數(shù)據(jù)的存儲器；加法電路，其對上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第1及第2溫度補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于通過控制電路基于在存儲器中所存儲的控制數(shù)據(jù)控制第1及第2溫度補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)，來變更從加法電路輸出的控制電壓，因而可簡單地選擇是否把輸出信號的頻率溫度特性調(diào)整成在大的溫度范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)的特性。此外由于控制電路基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)在存儲器中存儲控制數(shù)據(jù)，因而在該振蕩器制造后，可在任意時(shí)期設(shè)定該振蕩器的頻率溫度特性。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其在上述的各局面的任一中記載的振蕩器中，上述第1溫度補(bǔ)償電路只在被預(yù)先設(shè)定的溫度范圍輸出上述第1溫度補(bǔ)償電壓，上述溫度范圍是至少把只在上述第2溫度補(bǔ)償電壓下上述輸出信號的頻率偏差處于規(guī)定的頻率偏差內(nèi)的溫度范圍除去的溫度范圍。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于第1溫度補(bǔ)償電路只在第2溫度補(bǔ)償電壓下輸出信號的頻率偏差不處于規(guī)定的頻率偏差內(nèi)的溫度范圍內(nèi)輸出第1溫度補(bǔ)償電壓，因而可降低第1溫度補(bǔ)償電路的耗電。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其還具備頻率調(diào)整電路，其對從外部供給的控制電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換，輸出頻率調(diào)整電壓，上述選擇單元還具有第3開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述頻率調(diào)整電壓，上述控制電路還基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第3開關(guān)，上述加法電路還對通過上述第3開關(guān)所供給的上述頻率調(diào)整電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于可以在從加法電路輸出的控制電壓中包含對從外部供給的控制電壓進(jìn)行了轉(zhuǎn)換的頻率調(diào)整電壓，因而可從外部控制輸出信號的頻率。此外由于控制電路可基于在存儲器中所存儲的控制數(shù)據(jù)選擇在控制電壓中是否包含頻率調(diào)整電壓，因而可在控制數(shù)據(jù)存儲時(shí)設(shè)定是否從外部控制輸出信號的頻率。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其還具備初始偏差校正電路，其輸出用于對上述輸出信號的頻率初始偏差進(jìn)行校正的初始偏差校正電壓，上述選擇單元還具有第4開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述初始偏差校正電壓，上述控制電路還基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第4開關(guān)，上述加法電路還對通過上述第4開關(guān)所供給的上述初始偏差校正電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于可以在從加法電路輸出的控制電壓中包含用于對輸出信號的頻率的初始偏差進(jìn)行校正的初始偏差校正電壓，因而可校正初始偏差。此外由于控制電路基于在存儲器中所存儲的控制數(shù)據(jù)選擇在控制電壓中是否包含初始偏差校正電壓，因而如果按照不進(jìn)行初始偏差校正的原則設(shè)定，則可在實(shí)裝狀態(tài)下進(jìn)行振子本身的評估試驗(yàn)等。
此外本發(fā)明提供一種振蕩器，其還具備第1濾波器，其被配置在上述第1溫度補(bǔ)償電路的后段，除去上述第1溫度補(bǔ)償電壓的噪聲；第2濾波器，其被配置在上述第2溫度補(bǔ)償電路的后段，除去上述第2溫度補(bǔ)償電壓的噪聲。
依據(jù)該振蕩器的構(gòu)成，由于通過第1及第2濾波器，在第1及第2溫度補(bǔ)償電壓中包含的噪聲被除去，因而可對該振蕩器的頻率溫度特性進(jìn)行高精度的溫度補(bǔ)償。
此外本發(fā)明提供一種通信設(shè)備，其內(nèi)置上述各局面的任一中記載的振蕩器，基于上述振蕩器的輸出信號動(dòng)作。
如上所述，由于可結(jié)合使用目的調(diào)整輸出信號的頻率溫度特性，因而該振蕩器可滿足對通信設(shè)備所要求的高溫度補(bǔ)償精度、頻率調(diào)整功能及低耗電化。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
圖2是表示壓電振子的頻率溫度特性fa及溫度補(bǔ)償后的頻率溫度特性fb的特性曲線圖。
圖3是用于說明對壓電振子的頻率溫度特性fa向頻率溫度特性fc進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)奶匦郧€圖。
圖4是振蕩電路的電路圖。
圖5是溫度補(bǔ)償電路的方框圖。
圖6是另一溫度補(bǔ)償電路的方框圖。
圖7是表示溫度補(bǔ)償電路的溫度與溫度補(bǔ)償電壓V2的關(guān)系的附圖。
圖8是將頻率調(diào)整電路與控制電路共同表示的電路圖。
圖9是用于說明使頻率調(diào)整電路的輸入電阻值(輸入阻抗)的變化達(dá)到穩(wěn)定的場合的附圖。
圖10是將初始偏差校正電路與控制電路共同表示的電路圖。
圖11是將存儲器與外圍構(gòu)成共同表示的附圖。
圖12是表示動(dòng)作模式與開關(guān)的控制狀態(tài)的關(guān)系的附圖。
圖13是用于說明實(shí)施方式2涉及的振蕩器的溫度補(bǔ)償電路的附圖。
圖14是實(shí)施方式3涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
圖15是將實(shí)施方式3涉及的振蕩器的初始偏差校正電路與外圍構(gòu)成共同表示的電路圖。
圖16是實(shí)施方式4涉及的振蕩器的振蕩電路的電路圖。
圖17是實(shí)施方式5涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
圖18是實(shí)施方式6涉及的振蕩器10的構(gòu)造一例的附圖。
圖19是表示變形例涉及的振蕩器的構(gòu)造一例的附圖。
圖20是變形例涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
圖21是變形例涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
實(shí)施方式以下參照附圖對本發(fā)明的最佳實(shí)施方式作以說明。本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施方式，在其技術(shù)思想的范圍內(nèi)可做各種變更。
實(shí)施方式1[1-1]實(shí)施方式1的總體構(gòu)成圖1是本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
該振蕩器10由電壓控制振蕩電路20、溫度補(bǔ)償電路30與40、頻率調(diào)整電路50、初始偏差校正電路60、加法電路70、控制電路80、存儲器90、開關(guān)SW1、SW2、SW3、SW4構(gòu)成。
電壓控制振蕩電路20由使晶體振子和陶瓷振子等的壓電振子21振蕩的振蕩電路22、在輸入電阻23與壓電振子21的中間接點(diǎn)被連接的可變電容二極管(以下稱變?nèi)荻O管)24、緩沖電路25構(gòu)成。這樣，通過變?nèi)荻O管24的電容根據(jù)通過輸入電阻23被施加的控制電壓VA而變化，從輸出端子OUT輸出的振蕩信號Sout的頻率發(fā)生變化。
溫度補(bǔ)償電路30是輸出用于根據(jù)近似于壓電振子21的頻率溫度特性的3次曲線模型，對壓電振子21的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償電壓V1的電路。通過使用該溫度補(bǔ)償電路30，可使振蕩信號Sout的頻率在大的溫度范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)。比如在壓電振子21是AT截切振子等的頻率溫度特性幾乎近似于3次曲線的壓電振子的場合下，如圖2所示，可以對壓電振子21單體的頻率溫度特性fa按在以基準(zhǔn)溫度(求出頻率偏差f/f0時(shí)頻率f0的溫度T0(比如25℃))為中心的大的溫度范圍內(nèi)頻率偏差較小的頻率溫度特性fb進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
溫度補(bǔ)償電路40是輸出用于根據(jù)近似于壓電振子21的頻率溫度特性的1次直線模型，對壓電振子21的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償電壓V2的電路。即，該溫度補(bǔ)償電路如圖3所示，在壓電振子21是AT截切振子等的頻率溫度特性fa幾乎近似于3次曲線的壓電振子的場合下，輸出用于對在該頻率溫度特性fa的大致彎曲點(diǎn)A、B間成為近似1次直線的頻率溫度特性Lfa進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償電壓Vc2。這樣，可通過采用該溫度補(bǔ)償電路40，如圖3所示，對壓電振子21單體的頻率溫度特性fa按以基準(zhǔn)溫度T0為中心旋轉(zhuǎn)了的頻率溫度特性fc進(jìn)行溫度補(bǔ)償。因而可按照在以基準(zhǔn)溫度T0為中心的溫度T1～溫度T2的范圍內(nèi)處于目的頻率偏差內(nèi)的原則進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
這樣，可以根據(jù)必要的頻率溫度特性，選擇從溫度補(bǔ)償電路30與40輸出的溫度補(bǔ)償電壓V1及V2的任意一個(gè)，或兩方面都選等，按用途進(jìn)行靈活的對應(yīng)。
頻率調(diào)整電路50是根據(jù)被施加于頻率調(diào)整端子VC的來自外部的控制電壓Vc輸出用于變更振蕩信號Sout的頻率的頻率調(diào)整電壓V3的電路。
此外初始偏差校正電路60是輸出初始偏差校正電壓V4的電路。該初始偏差校正電壓V4用于校正由壓電振子21的頻率偏移產(chǎn)生的從振蕩器10輸出的發(fā)送信號Sout的初始頻率偏移。
此外在該振蕩器10中，上述的溫度補(bǔ)償電路30及40、頻率調(diào)整電路50、初始偏差校正電路60分別通過開關(guān)SW1、SW2、SW3、SW4與加法電路70連接。加法電路70把對被通過開關(guān)SW1～SW4選擇的溫度補(bǔ)償電壓V1、溫度補(bǔ)償電壓V2、頻率調(diào)整電壓V3及初始偏差校正電壓V4相加后的輸出電壓作為控制電壓VA輸出到電壓控制振蕩電路20。
控制電路80基于在存儲器90中存儲的控制數(shù)據(jù)DC對振蕩器10整體進(jìn)行控制。具體地說，控制電路80進(jìn)行開關(guān)SW1～SW4的通/斷控制、構(gòu)成頻率調(diào)整電路50的后述的開關(guān)的通/斷控制、構(gòu)成初始偏差校正電路60的后述的開關(guān)的通/斷控制。此外控制電路80把從數(shù)據(jù)輸入端子D輸入的控制數(shù)據(jù)DC存儲到存儲器90，或把從數(shù)據(jù)輸入端子D輸入的溫度校正數(shù)據(jù)存儲到構(gòu)成溫度補(bǔ)償電路30及40的后述的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)存儲器。此外雖然在圖1中，為便于判斷說明，只表示出了1個(gè)數(shù)據(jù)輸入端子D，但在實(shí)際中，數(shù)據(jù)輸入端子D被設(shè)置多個(gè)。
振蕩電路的構(gòu)成圖4是振蕩電路22的電路圖。振蕩電路22具備被串聯(lián)連接在定電壓電源VREG與壓電振子21之間的第1偏壓電阻R1及第2偏壓電阻R2、其一端被連接在壓電振子21與第1偏壓電阻R1的中間連接點(diǎn)，另一端被接地的第3偏壓電阻R3、在第1偏壓電阻R1與第2偏壓電阻R2的中間連接點(diǎn)其基極端子被連接的NPN晶體管Q1、在壓電振子21與第2偏壓電阻R2的中間連接點(diǎn)其基極端子被連接，NPN晶體管Q1的發(fā)射極端子及集電極端子被連接的NPN晶體管Q2、在定電壓電源VREG其一端被連接，在NPN晶體管Q1的集電極端子其另一端被連接的集電極電阻Rc。
此外定電壓電源VREG是基于在振蕩器10被供給的高電位側(cè)電源由定電壓電路(未圖示)產(chǎn)生的電壓，是對高電位側(cè)電源的變動(dòng)及周圍的溫度變化穩(wěn)定的電壓。
此外振蕩電路22由以下部分構(gòu)成在集電極電阻Rc與NPN晶體管Q1的中間連接點(diǎn)其一端被連接，另一端與輸出端子OUT連接，用于除去振蕩頻率Sout的直流成分的DC截?cái)嘤秒娙軨dc、在NPN晶體管Q2的發(fā)射極端子其一端被連接，另一端被接地的發(fā)射極電阻Re、在NPN晶體管Q2的基極端子與壓電振子21的中間連接點(diǎn)其一端被連接，在NPN晶體管Q2的發(fā)射極端子與發(fā)射極電阻Re的中間連接點(diǎn)其另一端被連接的第1振蕩用電容Ca、在NPN晶體管Q2的發(fā)射極端子與發(fā)射極電阻Re的中間連接點(diǎn)其一端被連接，另一端被接地的第2振蕩用電容Cb。此外圖4中，由波狀線圍成的區(qū)域表示在通過單芯片IC構(gòu)成振蕩電路22等構(gòu)成部件的場合下在單芯片IC中包含的部分。此外定電壓電路有時(shí)也被內(nèi)置于IC。
溫度補(bǔ)償電路的構(gòu)成圖5是溫度補(bǔ)償電路30的方框圖。溫度補(bǔ)償電路30由溫度傳感器31、模擬/數(shù)字(A/D)轉(zhuǎn)換電路32、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路33、數(shù)字/模擬(D/A)轉(zhuǎn)換電路34構(gòu)成。在該溫度補(bǔ)償電路30中，溫度傳感器31輸出的溫度依存電壓Vt1通過A/D轉(zhuǎn)換電路32被進(jìn)行模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換。這樣，在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路33中，基于在存儲器90中被存儲的溫度補(bǔ)償電路30用數(shù)據(jù)(溫度補(bǔ)償用數(shù)據(jù))DM4a進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。此外在D/A轉(zhuǎn)換電路34中進(jìn)行數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換，作為溫度補(bǔ)償電壓V1輸出。因此在溫度補(bǔ)償電路30中，溫度補(bǔ)償電路30用數(shù)據(jù)DM4a按照根據(jù)近似于壓電振子21的頻率溫度特性的3次曲線模型，對壓電振子21的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)脑瓌t被預(yù)先生成。這樣，可對成為壓電振子21的3次曲線的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償電壓V1被輸出。
此外圖6是溫度補(bǔ)償電路40的方框圖。溫度補(bǔ)償電路40由溫度傳感器41、2個(gè)數(shù)字/模擬(D/A)轉(zhuǎn)換電路42，43、可變增益放大器44構(gòu)成。
這里，D/A轉(zhuǎn)換電路42，43對在存儲器90中被存儲的溫度補(bǔ)償電路40用數(shù)據(jù)(溫度補(bǔ)償用數(shù)據(jù))DM4b中包含的偏置設(shè)定數(shù)據(jù)及增益設(shè)定數(shù)據(jù)分別進(jìn)行數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換，把偏置電壓Va及增益設(shè)定電壓Vb輸出到可變增益放大器44。
可變增益放大器44是一種根據(jù)在定電壓電源VREG中被施加的電源電壓動(dòng)作的差動(dòng)放大器的構(gòu)成，根據(jù)增益設(shè)定電壓Vb對作為溫度傳感器輸出的溫度依存電壓Vs2的斜度的增益進(jìn)行變更。這樣，可變增益放大器44按照其基準(zhǔn)溫度(比如25℃)時(shí)的電位成為規(guī)定電位的原則，根據(jù)溫度依存電壓Vs與偏置電壓Va之差進(jìn)行校正，作為溫度補(bǔ)償電壓V2輸出。圖7是表示該溫度補(bǔ)償電路40的溫度與溫度補(bǔ)償電壓V2的關(guān)系的附圖，例示出3種控制特性V2a，V2b，V2c。如上所述，由于該溫度補(bǔ)償電路40具有一次函數(shù)的控制特性即可，因而控制特性的變更只要能按斜度及切片被變更的原則變更溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)即可。
頻率調(diào)整電路的構(gòu)成圖8是將頻率調(diào)整電路50與控制電路80共同表示的電路圖。頻率調(diào)整電路50由其一端與頻率調(diào)整端子VC連接，另一端與開關(guān)SW3連接的第1電阻電路51、一端與第1電阻電路51及開關(guān)SW3的中間連接點(diǎn)連接，另一端接地的第2電阻電路52構(gòu)成，第1電阻電路51由其一端與頻率調(diào)整端子VC連接，另一端與開關(guān)SW3連接的第1基本電阻R1-1、作為為使第1電阻電路51的電阻值可變而被選擇的電阻元件起作用的(n-1)個(gè)電阻R1-k(k＝2～n)、用于使被選擇的電阻R1-1～R1-n的任意一個(gè)與第1基本電阻R1-1并聯(lián)連接的開關(guān)S1-k構(gòu)成。在該場合下，電阻R1-1～R1-n的電阻值可以都相同，也可以各不相同。
第2電阻電路52由其一端與第1電阻電路51與開關(guān)SW3的中間連接點(diǎn)連接，另一端接地的第2基本電阻R2-1、為使第2電阻電路52的電阻值可變，作為被選擇的電阻元件而起作用的(n-1)個(gè)電阻R2-k(k＝2～n)、用于使被選擇的電阻R2-1～R2-n的任意一個(gè)與第2基本電阻R2-1并聯(lián)連接的開關(guān)S2-k構(gòu)成。在該場合下，電阻R2-1～R2-n的電阻值可以都相同，也可以各不相同。此外在各不相同的場合下，如果按照成為預(yù)先設(shè)定了電阻R2-1～R2-n的電阻值的第2基本電阻R2-1的電阻值的2X倍(X＝2以上的整數(shù))的原則進(jìn)行設(shè)定，則可設(shè)定大范圍的電阻值。
在該場合下，如果假設(shè)第1電阻電路51的合成電阻值為RS1，第2電阻電路52的合成電阻值為RS2，則在頻率調(diào)整端子VC上供給了控制電壓Vc時(shí)的頻率調(diào)整電壓V3以下式表達(dá)。
V3＝RS2/(RS1+RS2)·Vc即，如圖9所示，由于通過將第1電阻電路51的合成電阻值RS1及第2電阻電路52的合成電阻值RS2組合，可使頻率調(diào)整所伴隨的頻率調(diào)整端子VC的輸入電阻值(輸入阻抗)的變化幾乎達(dá)到穩(wěn)定，因而頻率調(diào)整端子VC的前段的電路設(shè)計(jì)便變得容易。此外根據(jù)該頻率調(diào)整電路50，無需使用有源元件使可使頻率控制特性可變，得到輸出信號Sout的相位噪聲不增加的效果。
初始偏差校正電路的構(gòu)成圖10是將初始偏差校正電路60與控制電路80共同表示的電路圖。
初始偏差校正電路60由其一端與定電壓電源VREG連接，另一端通過電阻R3與開關(guān)SW4連接的基本電阻R3-1、為使初始偏差校正電路60的電阻值可變，作為被選擇的電阻元件起作用的(m-1)個(gè)電阻R3-i(i＝2～m)、用于使被選擇的電阻R3-i～R3-m的任意一個(gè)與基本電阻R3-1并聯(lián)連接的開關(guān)S3-i構(gòu)成。
此外在該初始偏差校正電路60中，與振蕩器10的初始偏移對應(yīng)，開關(guān)被控制，電阻值被設(shè)定。如果把由開關(guān)S3-2～S3-m組成的第3電阻電路61的合成電阻設(shè)為RS3，則初始偏差校正電壓V4以下式表達(dá)。
V4＝R3/RS3·VREG即，通過第3電阻電路61的開關(guān)S3-2～S3-m被控制電路80控制，初始偏差校正電路60對被施加到定電壓電源VREG的電源電壓的電壓電平進(jìn)行轉(zhuǎn)換，作為初始偏差校正電壓V4輸出。這樣，可對由壓電振子21的偏差等產(chǎn)生的輸出信號Sout的頻率偏移進(jìn)行校正。
各開關(guān)的具體構(gòu)成開關(guān)SW1～SW4、開關(guān)S1-1～S1-n、開關(guān)S2-1～S2-n、開關(guān)S3-2～S3-m在使該振蕩器10IC化的場合下，根據(jù)所使用的半導(dǎo)體制造加工法，考慮采用比如以下的構(gòu)成。
i在作為半導(dǎo)體制造加工法，采用雙極加工法的場合下，對開關(guān)采用雙極晶體管構(gòu)成。
ii在作為半導(dǎo)體制造加工法，采用CMOS加工法的場合下，對開關(guān)采用MOS晶體管構(gòu)成。
iii在采用作為與高頻對應(yīng)的IC半導(dǎo)體制造法被廣泛使用的雙極與CMOS混合加工法(Bi-CMOS加工法)的場合下，開關(guān)也可采用雙極晶體管構(gòu)成與MOS晶體管構(gòu)成的任意一種。不過，從低耗電的觀點(diǎn)出發(fā)，不必為使晶體管通路而使電流持續(xù)流通的MOS晶體管構(gòu)成較為有利。
存儲器存儲器90采用PROM(Programmable Read Only Memory)、EPROM(Erasable PROM)等可寫入及可改寫的存儲器。因此，如圖11所示，在存儲器90中，作為控制數(shù)據(jù)DC，模式設(shè)定數(shù)據(jù)DM1、頻率調(diào)整數(shù)據(jù)DM2、初始偏差校正數(shù)據(jù)DM3、溫度補(bǔ)償電路30用數(shù)據(jù)DM4a、溫度補(bǔ)償電路40用數(shù)據(jù)DM4b在規(guī)定區(qū)域內(nèi)被存儲。這里，初始偏差校正數(shù)據(jù)DM3是表示初始偏差校正電路60的第3電阻電路61內(nèi)開關(guān)的控制狀態(tài)的數(shù)據(jù)，初始偏差校正數(shù)據(jù)DM3b是表示最終校正部62內(nèi)的開關(guān)的控制狀態(tài)的數(shù)據(jù)，溫度補(bǔ)償電路30用數(shù)據(jù)DM4a及溫度補(bǔ)償電路40用數(shù)據(jù)DM4b分別是溫度補(bǔ)償電路30、40的溫度補(bǔ)償用數(shù)據(jù)。
模式設(shè)定數(shù)據(jù)DM1是用于設(shè)定該振蕩器10的動(dòng)作模式的數(shù)據(jù)，是表示開關(guān)SW1～SW4的控制狀態(tài)的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，如圖12所示，作為動(dòng)作模式，準(zhǔn)備了VC-TCXO模式、TCXO模式、VCXO模式、SPXO模式、試驗(yàn)?zāi)Ｊ竭@5種動(dòng)作模式，與任意一種動(dòng)作模式對應(yīng)的模式設(shè)定數(shù)據(jù)DM1被存儲到存儲器90。
這里，如對振蕩器10的動(dòng)作模式作以說明，VC-TCXO模式是使該振蕩器10作為VC-TCXO發(fā)揮功能的動(dòng)作模式，通過把開關(guān)SW1～SW4都設(shè)為通路狀態(tài)被設(shè)定。
即，VC-TCXO模式通過把溫度補(bǔ)償電壓V1、溫度補(bǔ)償電壓V2、頻率調(diào)整電壓V3及初始偏差校正電壓V4向加法電路70輸出，把這些相加電壓作為控制電壓VA向電壓控制振蕩電路20提供。
此外TCXO模式是使該振蕩器10作為TCXO發(fā)揮功能的動(dòng)作模式，通過使開關(guān)SW1、SW2及SW3處于通路狀態(tài)，使開關(guān)SW4處于斷路狀態(tài)被設(shè)定。即TCXO模式把溫度補(bǔ)償電壓V1、溫度補(bǔ)償電壓V2及初始偏差校正電壓V4的相加電壓作為控制電壓VA向電壓控制振蕩電路20提供。
VCXO模式是使該振蕩器10作為VCXO發(fā)揮功能的動(dòng)作模式，通過使開關(guān)SW3及SW4處于通路狀態(tài)，使開關(guān)SW1及SW2處于斷路狀態(tài)被設(shè)定。即VCXO模式把頻率調(diào)整電壓V3及初始偏差校正電壓V4的相加電壓作為控制電壓VA向電壓控制振蕩電路20提供。此外VCXO模式還可以追加使開關(guān)SW2處于通路狀態(tài)，在VCXO模式中附加了1次直線的溫度補(bǔ)償?shù)哪Ｊ?。在該場合下，由于可以進(jìn)行1次直線的溫度特性校正，因而與上述的VCXO模式相比，可進(jìn)一步改善頻率溫度特性。SPXO模式是使該振蕩器10作為SPXO發(fā)揮功能的動(dòng)作模式，通過使開關(guān)SW4處于通路狀態(tài)，使開關(guān)SW1、SW2及SW3處于斷路狀態(tài)被設(shè)定。即SPXO模式把初始偏差校正電壓V4作為控制電壓VA向電壓控制振蕩電路20提供。
試驗(yàn)?zāi)Ｊ绞窃谥圃鞓I(yè)者側(cè)進(jìn)行壓電振子21的溫度特性評估等時(shí)設(shè)定的動(dòng)作模式，通過把開關(guān)SW1～SW4全部設(shè)為斷路狀態(tài)被設(shè)定。這樣，可以使由壓電振子21與振蕩電路22組成的晶體振蕩器單獨(dú)的輸出信號從輸出端子OUT輸出，可以在壓電振子21被實(shí)裝的狀態(tài)下進(jìn)行電壓控制振蕩電路20的評估試驗(yàn)。
通過上述過程，本實(shí)施方式涉及的振蕩器10具備溫度補(bǔ)償電路30及40、頻率調(diào)整電路50、初始偏差校正電路60，基于模式設(shè)定數(shù)據(jù)DM1，對從這些電路輸出的溫度補(bǔ)償電壓V1、溫度補(bǔ)償電壓V2、頻率調(diào)整電壓V3及初始偏差校正電壓V4有選擇地進(jìn)行相加，作為控制電壓VA向電壓控制振蕩電路20提供。因此，振蕩器10可作為VC-TCXO、TCXO、VCXO、SPXO的任意一個(gè)振蕩器使用。這樣，由于可同時(shí)進(jìn)行VC-TCXO、TCXO、VCXO、SPXO的開發(fā)，因而與以往相比，可提高開發(fā)效率。
此外由于該振蕩器10可通過數(shù)據(jù)輸入端子D從外部輸入控制數(shù)據(jù)DC，并存儲到存儲器90，因而在該振蕩器10制造后，可在任意時(shí)期對基于該振蕩器10的動(dòng)作模式及控制電壓Vc的頻率控制特性和初始偏差量進(jìn)行調(diào)整。這樣，由于不必按各種類對振蕩器進(jìn)行倉儲管理，而且也不必分別設(shè)置制造生產(chǎn)線，因而可提高產(chǎn)量效果。
實(shí)施方式2實(shí)施方式2涉及的振蕩器10與實(shí)施方式1涉及的振蕩器10的不同點(diǎn)在于，溫度補(bǔ)償電路30只在僅在溫度補(bǔ)償電路40的溫度補(bǔ)償電壓V2下振蕩信號Sout不處于預(yù)定的頻率偏差內(nèi)的溫度范圍內(nèi)輸出溫度補(bǔ)償電壓V1。具體地說，如圖13所示，只在基于溫度補(bǔ)償電路40的溫度補(bǔ)償后的振蕩信號Sout的頻率溫度特性fc不處于目的頻率偏差內(nèi)的溫度Ta～Tb的范圍及溫度Tc～Td的范圍內(nèi)，溫度補(bǔ)償電路30的溫度補(bǔ)償電壓V1通過加法電路70被提供給電壓控制振蕩電路20。其結(jié)果是，還可得到溫度Ta～Tb及溫度Tc～Td下的振蕩信號Sout的頻率偏差處于目的頻率偏差內(nèi)的頻率溫度特性fcc，此外由于在溫度Tb至Tc的范圍內(nèi)，來自溫度補(bǔ)償電路30的溫度補(bǔ)償電壓V1中包含的噪音成分不被施加到控制電壓VA，因而可進(jìn)一步降低噪聲。
實(shí)施方式3圖14是實(shí)施方式3涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。
實(shí)施方式3涉及的振蕩器10與上述的各實(shí)施方式涉及的振蕩器10的主要不同點(diǎn)在于，初始偏差校正電路60A通過開關(guān)SW4與電壓控制振蕩電路20的變?nèi)荻O管24的陽極端子連接。這樣，變?nèi)荻O管24的陽極端子與開關(guān)SW4的中間連接點(diǎn)通過偏壓電阻Rx被接地。
圖15是將初始偏差校正電路60A與外圍構(gòu)成共同表示的電路圖。
初始偏差校正電路60A由其一端與開關(guān)SW4連接，另一端接地，作為固定連接電容元件發(fā)揮功能的基本電容C0、為使初始偏差校正電路60A的電容值可變，作為被選擇的電容元件發(fā)揮功能的L個(gè)電容Cj(j＝1～L)、用于把被選擇的電容C1～CL的任意一個(gè)與基本電容C0并聯(lián)連接的開關(guān)S4-j構(gòu)成。在該場合下，電容C1～CL的電容值可以都相同，也可以各不相同。此外在各不相同的場合下，如果按照成為預(yù)先設(shè)定了電容C1～CL的電容值的基本電容值的2X倍(X＝2以上的整數(shù))的原則進(jìn)行設(shè)定，則可設(shè)定大范圍的電容值。
其結(jié)果是，通過初始偏差校正電路60A的開關(guān)S4-1～S4-L被由控制電路80控制，由于輸出信號Sout的頻率變化，因而可對由壓電振子21的偏差等產(chǎn)生的頻率變動(dòng)進(jìn)行校正。
實(shí)施方式4實(shí)施方式4涉及的振蕩器10與上述的各實(shí)施方式涉及的振蕩器10的不同點(diǎn)是，如圖16所示，在振蕩電路22中采用了利用了CMOS構(gòu)成的變換器IV1及IV2的CMOS振蕩電路。此外在圖16中，由波形線圍成的區(qū)域表示在由單芯片IC構(gòu)成振蕩電路22等構(gòu)成部件的場合下被包含在單芯片IC內(nèi)的部分。
實(shí)施方式5圖17是實(shí)施方式5涉及的振蕩器的原理構(gòu)成圖。實(shí)施方式5涉及的振蕩器10與上述第1及實(shí)施方式2涉及的振蕩器10的不同點(diǎn)在于，在溫度補(bǔ)償電路30及40的后段設(shè)置濾波器100及101，除去在溫度補(bǔ)償電壓V1及V2中包含的噪聲，向電壓控制振蕩電路20(或加法電路70)輸出。其結(jié)果是，在溫度補(bǔ)償電路30及40中(參照圖5及圖6)，雖然由于D/A轉(zhuǎn)換電路34，42，43的分解能力的影響等，有時(shí)在溫度補(bǔ)償電壓V1、V2中疊加階梯狀噪聲，但由于可通過濾波器101及100除去該噪聲，因而可提高溫度補(bǔ)償精度。此外也可以只在溫度補(bǔ)償電路30或40中噪聲較大的一方的后段設(shè)置濾波器。此外這種濾波器也可設(shè)在第3及實(shí)施方式4涉及的振蕩器10的溫度補(bǔ)償電路30及40的后段。
實(shí)施方式6圖18是表示實(shí)施方式6涉及的振蕩器10的構(gòu)成一例的附圖。
在上述各實(shí)施方式中，未談及構(gòu)成振蕩器10的構(gòu)成部件的實(shí)裝狀態(tài)。不過在本實(shí)施方式涉及的振蕩器10中，把除去壓電振子21及DC截?cái)嘤秒娙軨dc24的構(gòu)成部件作為單芯片IC110構(gòu)成，另外將單芯片IC110、壓電振子21及DC截?cái)嘤秒娙軨dc24模鑄密封而構(gòu)成。這樣，在可使振蕩器10小型化的同時(shí)，可減少部件數(shù)量，進(jìn)一步簡化裝配工序，降低制造成本。
變形例雖然在上述的實(shí)施方式6中，對模鑄密封振蕩器10而構(gòu)成的場合作了陳述，但如圖19表示的變形例所示，也可以通過用蓋片120將單芯片IC110、壓電振子21及DC截?cái)嘤秒娙軨dc24密封的陶瓷封裝構(gòu)成振蕩器10。此外在圖19中，雖然通過引線接合把單芯片IC110連接到基片上，但也可采用倒裝接合(FCB)法。
雖然在上述各實(shí)施方式中，陳述了可把振蕩器10以5種動(dòng)作模式切換的構(gòu)成場合，但也可按至少以2種動(dòng)作模式切換而構(gòu)成。比如在按可只以TCXO模式與VCXO模式切換構(gòu)成的場合下，如圖20所示，也可按在任何一種動(dòng)作模式下所使用的溫度補(bǔ)償電路40都與加法電路70常接而構(gòu)成。此外在該圖中，初始偏差校正電路60也與加法電路70常接而構(gòu)成。
雖然在上述各實(shí)施方式中，對通過控制電路80控制開關(guān)SW1～SW4，設(shè)定振蕩器10的動(dòng)作模式的場合作了陳述，但如圖21中的一例所示，控制電路80也可直接控制是否驅(qū)動(dòng)溫度補(bǔ)償電路30及40。
在上述各實(shí)施方式中，雖未專門談及使用振蕩器10的設(shè)備，不過可在便攜電話、PHS、傳呼機(jī)等進(jìn)行無線通信及有線通信的通信設(shè)備；個(gè)人計(jì)算機(jī)；PDA(Personal Digital Assistant)；電子表；打印機(jī)等各種電子設(shè)備中使用。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器，其特征在于具備電壓控制振蕩電路，其具有振子，按照被供給的控制電壓輸出信號的頻率發(fā)生變化；第1溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的3次曲線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；第2溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的1次直線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；選擇單元，其把上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓或上述第2溫度補(bǔ)償電壓的任意一方作為上述控制電壓向上述電壓控制振蕩電路供給。
2.權(quán)利要求1中記載的振蕩器，其特征在于上述選擇單元具有開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述第1溫度補(bǔ)償電壓；加法電路，其對通過上述開關(guān)所供給的上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；存儲器，其存儲用于控制上述開關(guān)的控制數(shù)據(jù)；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述開關(guān)。
3.權(quán)利要求1中記載的振蕩器，其特征在于上述選擇單元具有存儲控制數(shù)據(jù)的存儲器；加法電路，其對上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲上述控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第2溫度補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)。
4.一種振蕩器，其特征在于具備電壓控制振蕩電路，其具有振子，按照被供給的控制電壓輸出信號的頻率發(fā)生變化；第1溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的3次曲線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；第2溫度補(bǔ)償電路，其根據(jù)近似于上述振子的頻率溫度特性的1次直線模型，輸出用于對上述振子的頻率溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)牡?溫度補(bǔ)償電壓；選擇單元，其把上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓的相加電壓或上述第1溫度補(bǔ)償電壓、或上述第2溫度補(bǔ)償電壓的任意一方作為上述控制電壓向上述電壓控制振蕩電路供給。
5.權(quán)利要求4中記載的振蕩器，其特征在于上述選擇單元具有第1開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述第1溫度補(bǔ)償電壓；第2開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述第2溫度補(bǔ)償電壓；加法電路，其對通過上述第1開關(guān)所供給的上述第1溫度補(bǔ)償電壓與通過上述第2開關(guān)所供給的上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；存儲器，其存儲用于控制上述第1及第2開關(guān)的控制數(shù)據(jù)；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第1及第2開關(guān)。
6.權(quán)利要求4中記載的振蕩器，其特征在于上述選擇單元具有存儲控制數(shù)據(jù)的存儲器；加法電路，其對上述第1溫度補(bǔ)償電壓與上述第2溫度補(bǔ)償電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出；控制電路，其在基于來自外部的調(diào)整用控制數(shù)據(jù)使上述存儲器存儲控制數(shù)據(jù)的同時(shí)，基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第1及第2溫度補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)。
7.權(quán)利要求1至6之一中記載的振蕩器，其特征在于上述第1溫度補(bǔ)償電路只在被預(yù)先設(shè)定的溫度范圍輸出上述第1溫度補(bǔ)償電壓，上述溫度范圍是至少把只在上述第2溫度補(bǔ)償電壓下上述輸出信號的頻率偏差處于規(guī)定的頻率偏差內(nèi)的溫度范圍除去的溫度范圍。
8.權(quán)利要求2、3、5、6或7中記載的振蕩器，其特征在于還具備頻率調(diào)整電路，其對從外部供給的控制電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換，輸出頻率調(diào)整電壓，上述選擇單元還具有第3開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述頻率調(diào)整電壓，上述控制電路還基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第3開關(guān)，上述加法電路還對通過上述第3開關(guān)所供給的上述頻率調(diào)整電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出。
9.權(quán)利要求2、3、5、6、7或8中記載的振蕩器，其特征在于還具備初始偏差校正電路，其輸出用于對上述輸出信號的頻率初始偏差進(jìn)行校正的初始偏差校正電壓，上述選擇單元還具有第4開關(guān)，其用于選擇是否輸出上述初始偏差校正電壓，上述控制電路還基于在上述存儲器所存儲的控制數(shù)據(jù)控制上述第4開關(guān)，上述加法電路還對通過上述第4開關(guān)所供給的上述初始偏差校正電壓進(jìn)行相加，作為上述控制電壓輸出。
10.權(quán)利要求1至9之一中記載的振蕩器，其特征在于還具備第1濾波器，其被配置在上述第1溫度補(bǔ)償電路的后段，除去上述第1溫度補(bǔ)償電壓的噪聲；第2濾波器，其被配置在上述第2溫度補(bǔ)償電路的后段，除去上述第2溫度補(bǔ)償電壓的噪聲。
11.一種通信設(shè)備，其特征在于內(nèi)置權(quán)利要求1至10任一中記載的振蕩器，基于上述振蕩器的輸出信號動(dòng)作。
全文摘要
振蕩器10具備溫度補(bǔ)償電路30及40、頻率調(diào)整電路50、初始偏差校正電路60，通過基于在存儲器90中存儲的控制數(shù)據(jù)DC控制開關(guān)SW1～4，來對從這些電路輸出的溫度補(bǔ)償電壓V1、溫度補(bǔ)償電壓V2、頻率調(diào)整電壓V3及初始偏差校正電壓V4有選擇地進(jìn)行相加，作為控制電壓VA向電壓控制振蕩電路20提供。
文檔編號H03B1/00GK1543703SQ0280279
公開日2004年11月3日 申請日期2002年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月29日
發(fā)明者岡學(xué), 市瀨和成, 成 申請人:精工愛普生株式會社