專利名稱:彈性表面波濾波器的制作方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及一種具有低損耗性能的縱向耦合型(縱結(jié)合型)的彈性表面波濾波器。
背景技術(shù):
在移動(dòng)體通信機(jī)器中,為了獲得所要的頻率特性,廣泛使用了彈性表面波濾波器。特別是作為用于RF段的彈性表面波濾波器,可舉例出將諧振器連接成梯子型的階梯型濾波器和利用以音響結(jié)合的模式的縱模式型濾波器。由于RF段的濾波器的損耗會(huì)直接影響移動(dòng)體通信機(jī)器的靈敏度,所以期望有低損耗的性能。另外,近年來(lái)隨著以改善雜音特性為目的的IC等半導(dǎo)體元件的平衡化,也要求在用于RF段的彈性表面波濾波器中的平衡化。
以下說(shuō)明具有現(xiàn)有技術(shù)的平衡型輸入輸出端子的縱向耦合型的彈性表面波濾波器。
圖12表示現(xiàn)有技術(shù)的縱模式型彈性表面波濾波器的構(gòu)成。
在圖12中,彈性表面波濾波器,是由壓電基板1201上的第1、第2、第3叉指形換能器電極(以下稱IDT電極)1202、1203、1204及第1、第2反射器電極1205、1206所構(gòu)成。
第1IDT電極1202的上側(cè)的電極指連接于平衡型端子的一側(cè)1207,第1IDT電極1202的下側(cè)的電極指連接于平衡型端子的另一側(cè)1208。
另外,將第2、第3IDT電極1203、1204的相同側(cè)的電極指連接于不平衡端子1209,并將另一側(cè)接地。通過(guò)以上構(gòu)成而獲得具有不平衡型—平衡型端子的彈性表面波濾波器。
上述的彈性表面波濾波器利用一次模式與三次模式的諧振頻率差而確保濾波器的通過(guò)頻帶寬度,若是要獲得寬頻帶的特性,周知的有將第1IDT電極1202與第2、第3IDT電極、1203、1204的間隔從周期性結(jié)構(gòu)偏移約λ/4的技術(shù)。圖12所示的是使其偏移+λ/4的構(gòu)成。
但是在此構(gòu)成中,由于第1IDT電極1202與第2、第3IDT電極1203、1204的間隔變寬而使IDT電極間的壓電基板1201的自由表面部變大,所以會(huì)產(chǎn)生因傳播損耗所造成的濾波損耗的劣化。作為一種對(duì)策,如圖13所示,周知的有以金屬電極1301、1302等來(lái)減小壓電基板1201的自由表面部面積的構(gòu)成。
另外,在特開平5-267990號(hào)公報(bào)中,公開了將第1IDT電極1202與第2IDT電極1203所鄰接的電極指的中心間隔設(shè)成λ/4的構(gòu)成。即,偏移量為-λ/4的的構(gòu)成,如圖14所示,設(shè)置連接第1IDT電極1202與第2、第3IDT電極1203、1204所鄰接的電極指的部分1401、1402并形成接地的構(gòu)成。此構(gòu)成中,通過(guò)將第1IDT電極1202上部的電極指接地,將下部的電極指連接于不平衡端子1403,能構(gòu)成具有不平衡—不平衡端子的彈性表面波濾波器。但是因第1IDT電極1202與第2、第3IDT電極1203、1204在1401、1402的區(qū)域相連,所以無(wú)法實(shí)現(xiàn)以圖12所示的構(gòu)成來(lái)形成的平衡型端子。
無(wú)論那種情況,IDT電極間的距離與IDT電極的電極指間距之比為1.5或0.5,而存在周期性結(jié)構(gòu)的不連續(xù)部。因此,濾波器特性的性能會(huì)因彈性表面波的整體(bulk)輻射等而劣化。
發(fā)明內(nèi)容
彈性表面波濾波器具有壓電基板、配置于此壓電基極上的多個(gè)叉指形換能器電極(以下稱IDT電極)及多個(gè)的反射器電極。各IDT電極是多個(gè)電極指對(duì)向的梳狀電極,各反射器電極是配列多個(gè)的電極指而構(gòu)成,IDT電極與反射器電極是沿彈性表面波的傳播方向而接近配置。將彈性表面波的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí),各IDT電極具有電極指以λ/2的間距配列的主激振區(qū)域,至少一個(gè)IDT電極的主激振區(qū)域相對(duì)于其他IDT電極的主激振區(qū)域,以相應(yīng)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量的相位地進(jìn)行配置。至少一個(gè)IDT電極還至少具有一個(gè)其電極指是以與λ/2不同的間距所配列的副激振區(qū)域,或/及至少一個(gè)反射器電極具有不同于λ/2的間距的電極指配列。由此,能減小彈性表面波濾波器的傳播路徑的不連續(xù)性從而實(shí)現(xiàn)低損耗的濾波器特性。
圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
圖2A是將偏移量設(shè)為-λ/4時(shí)的副激振區(qū)域的電極指為等間距時(shí)的放大圖,圖2B是副激振區(qū)域的電極指為階梯性地變化間距時(shí)的放大圖。
圖3A是將偏移量設(shè)為+λ/4時(shí)的副激振區(qū)域的電極指為等間距時(shí)的放大圖,圖3B是副激振區(qū)域的電極指為階梯性地變化間距時(shí)的放大圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)施例1的構(gòu)成圖。
圖5A是n1=n2=3時(shí)的濾波器特性圖,圖5B是n1=n2=5時(shí)的濾波器特性圖,圖5C是n1=n2=7時(shí)的濾波器特性圖。
圖6是n1=n2=5時(shí)的濾波器與現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成的濾波器實(shí)測(cè)特性圖。
圖7A是本發(fā)明的實(shí)施例2的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。圖7B是本發(fā)明的實(shí)施例2的彈性表面波濾波器的其他構(gòu)成圖。
圖8是本發(fā)明的實(shí)施例3的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
圖9是本發(fā)明的實(shí)施例4的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施例5的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
圖11是本發(fā)明的實(shí)施例6的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
圖12是現(xiàn)有技術(shù)的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
圖13是現(xiàn)有技術(shù)的彈性表面波濾波器的其他構(gòu)成圖。
圖14是現(xiàn)有技術(shù)的彈性表面波濾波器的其他構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的彈性表面波濾波器的構(gòu)成圖。
在圖1中,在壓電性基板101上通過(guò)構(gòu)成由對(duì)向的電極指而構(gòu)成的梳狀電極圖案,能激起彈性表面波。在壓電基板101上形成了由第IDT電極102與第2、第3IDT電極103、104及第1、第2反射器電極105、106所構(gòu)成的縱向耦合型的彈性表面波濾波器。
在上述彈性表面波濾波器中,第1IDT電極102的上部電極連接于平衡型端子的一側(cè)114,第1IDT電極102的下部電極連接于平衡型端子的另一側(cè)115。另外,第2IDT電極103的上部電極連接于不平衡型端子116,下部電極接地。同樣地,第3ID電極104的上部電極連接于不平衡型端子116,下部電極接地。如此一來(lái),上述彈性表面波濾波器就具有不平衡型—平衡型的端子的構(gòu)成。
第1IDT電極102由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成,107是第1IDT電極的第1激振區(qū)域,108是第1IDT電極的第2激振區(qū)域,109是第1IDT電極的第3激振區(qū)域。
在第1IDT電極102中,第1激振區(qū)域107的兩側(cè)配置有第2、第3激振區(qū)域108、109。另外,第2IDT電極103由二個(gè)區(qū)域構(gòu)成,110是第2IDT電極103的第1激振區(qū)域,111為第2IDT電極103的第2激振區(qū)域。
在第2IDT電極103中,第2激振區(qū)域111配置在第1IDT電極102側(cè)。另外,第3IDT電極104由二個(gè)區(qū)域構(gòu)成,112為第3IDT電極104的第1激振區(qū)域,113是第3IDT電極104的第2激振區(qū)域。在第3IDT電極104中,第2激振區(qū)域113配置在第1IDT電極102側(cè)。
將第1、第2、第3IDT電極102、103、104的第1激振區(qū)域107、110、112稱為主激振區(qū)域。在這些主激振區(qū)域中,相鄰的電極指的中心間隔(以下稱電極指間距)設(shè)定成λ/2。這里,λ是所要激振的彈性表面波濾波器的波長(zhǎng)。另外,將第1、第2、第3IDT電極102、103、104的第2、第3激振區(qū)域稱為副激振區(qū)域。
而且第1IDT電極102的第1激振區(qū)域107的激振中心與第2IDT電極103的第1激振區(qū)域110的激振中心從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移了某一定量α,第1及第3IDT電極102、104的第1激振區(qū)域107、112的激振中心也從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移了某一定量α。即,第1IDT電極102的主激振區(qū)域107的電極指周期配列與第2IDT電極103的主激振區(qū)域110的電極指周期配列具有α的相位偏差。相同地,第1IDT電極102的主激振區(qū)域107的電極指周期配列與第2IDT電極103的主激振區(qū)域112的電極指周期配列的相位從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移了α。
另外,第1IDT電極102的第2、第3激振區(qū)域108、109,及第2IDT電極103的第2激振區(qū)域111,及第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指間距構(gòu)成不同于λ/2的值。通過(guò)以上的構(gòu)成,從不平衡端子或平衡端子輸入的電信號(hào)會(huì)通過(guò)IDT電極而變換咸彈性表面波并且受到反射器電極截留,因此,在壓電基板上會(huì)發(fā)生駐波而形成多個(gè)諧振模式,通過(guò)對(duì)α的值進(jìn)行優(yōu)化使1次與3次的諧振模式結(jié)合從而實(shí)現(xiàn)濾波器特性。
其次參照附圖來(lái)說(shuō)明第1、第3IDT電極102、104的鄰接部分。圖2所示部分是偏移量α=-λ/4情形的第1、第3IDT電極102、104的鄰接部分放大圖。這里將第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109的電極指設(shè)成3根,并將第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指設(shè)成3根。
此情形下,第1IDT電極102的第1激振區(qū)域107與第3IDT電極104的第1激振區(qū)域112的最近的電極指之間的距離,以電極指的中心來(lái)測(cè)量為7λ/2-λ/4。
圖2A所示的是將第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109與第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指以等間距配置時(shí)的圖。
因相對(duì)于6根電極指而言電極指的間隙存在有7處,所以1處的電極指間距為(7λ/2-λ/4)/7。因此,第1IDT電極102的第1激振區(qū)域107與第3激振區(qū)域109的電極指間距之比,及第3IDT電極104的第1激振區(qū)域112與第2激振區(qū)域113的電極指間距之比為0.929,另外,間距差成為約7%的不連續(xù)性小的構(gòu)成。另外,第1、第3IDT電極102、104的鄰接部分也應(yīng)用同樣的構(gòu)成,由此,彈性表面波濾波器整體相對(duì)于傳播方向形成大致周期性結(jié)構(gòu)而成為不連續(xù)性少的構(gòu)成。
另外,圖2B所示的是使第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109與第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指間距以階梯性地進(jìn)行變化時(shí)的圖。
在此情形下,通過(guò)最適當(dāng)?shù)剡x擇各電極指的間距L1、L2、L3、L4能減小不連續(xù)性,例如設(shè)成λ/2>L1>L3>L4的話,則能更減小相鄰的電極指的不連續(xù)性。
另外,在圖2B中,若是設(shè)成L1=L2=L3=L4的話,則與圖2A所示的構(gòu)成相同。
另外,在圖2B中,若是設(shè)成L1=L2≠L3=L4的話,則在第3激振區(qū)域109與第2激振區(qū)域113的區(qū)域,形成包含二種電極指間距部的構(gòu)成。在此情形下也能弄得比現(xiàn)有技術(shù)的不連續(xù)性小,能降低整體輻射損耗而能實(shí)現(xiàn)低損耗化。
其次,說(shuō)明將偏移量設(shè)成α=+λ/4的情形。圖3所示的是α=+λ/4情形的第1、第3IDT電極102、104的鄰接部分的放大圖。在此說(shuō)明將第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109的電極指設(shè)為3根,而將第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指設(shè)成3根。此情形下,第1、第3IDT電極102、104的第1激振區(qū)域107、112的最近的電極指間的距離以電極指的中心計(jì)量為7λ/2+λ/4。
圖3A所示的是將第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109與第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指配置成等間距時(shí)的圖。
因相對(duì)于6根電極指而言電極指間存在7處,故1處的電極指間距為(7λ/2+λ/4)/7。因此,第1IDT電極102的第1激振區(qū)域107與第3激振區(qū)域109的電極指間距之比,及第3IDT電極104的第1激振區(qū)域112與第2激振區(qū)域113的電極指間距之比為1.071,另外,間距差約7%而形成不連續(xù)性小的構(gòu)成。
另外,第1、第3IDT電極102、104的鄰接部分也應(yīng)用同樣的構(gòu)成,由此,彈性表面波濾波器整體相對(duì)于傳播方向形成大致周期性結(jié)構(gòu)而成為不連續(xù)性少的構(gòu)成。
另外,圖3B所示的是將第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109與第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指間距以階梯性地進(jìn)行變化時(shí)的圖。
在圖3B的情形下,通過(guò)最適當(dāng)?shù)剡x擇各電極指的間距L1、L2、L3、L4能減小不連續(xù)性,例如設(shè)成λ/2<L1<L2<L3<L4的話,則能更減小相鄰的電極指的不連續(xù)性。
另外,在圖3B中,若是設(shè)成L1=L2=L3=L4的話,則與圖3A所示的構(gòu)成相同。
另外,在圖3B中,若是設(shè)成L1=L2≠L3=L4的話,則于第3激振區(qū)域109與第2激振區(qū)域113的區(qū)域形成包含二種類電極指間距部的構(gòu)成。在此情形下也能弄得比現(xiàn)有技術(shù)的不連續(xù)性小,能降低整體輻射損耗而能實(shí)現(xiàn)低損耗化。
其次,說(shuō)明將第1IDT電極102的第2、第3激振區(qū)域108、109的電極指分別設(shè)為n1根,將第2、第3IDT電極103、104的第2激振區(qū)域111、113的電極指設(shè)成n2根的情形。在此說(shuō)明第1IDT電極102的電極指根數(shù)為N1根,第2、第3IDT電極103、104的電極指根數(shù)分別為N2根。
此時(shí),如圖4所示第1、第2IDT電極102、103的第1激振區(qū)域107、110的最近的電極指中心的間距離及穆1、第3IDT電極102、104的第1激振區(qū)域107、112的最近的電極指中心之間的距離為(n1+n2+1)λ/2±λ/4。在此說(shuō)明有關(guān)于λ/4之前的標(biāo)號(hào),“+”時(shí)的偏移量表示α=+λ/4的情形,“-”時(shí)的偏移量表示α=-λ/4的情形。
將第1IDT電極102的第2激振區(qū)域108與第2IDT電極103的第2激振區(qū)域111的電極指配置成等間距時(shí),另外,將第1IDT電極102的第3激振區(qū)域109與第3IDT電極104的第2激振區(qū)域113的電極指配置成等間距時(shí),在其區(qū)域的電極指之間的部分存在(n1+n2+1)處,故1處的電極指間距為{(n1+n2+1)λ/2+λ/4}/(n1+n2+1)。因此,第1、第3IDT電極102、104的第1激振區(qū)域107、110、112的電極指間距之比成為1±1/{2(n1+n2+1)}。
在本構(gòu)成中,通過(guò)n1、n2的選擇方法雖然能將不連續(xù)性設(shè)成最小限,但它還要與濾波器特性進(jìn)行折中選擇。即,當(dāng)n1、n2大的話雖然不連續(xù)性變小,但決定主要的濾波器特性的各IDT電極的第1激振區(qū)域的電極指根數(shù)會(huì)變少,而無(wú)法獲得具有所需的通頻帶頻率特性的良好的濾波器。另外,n1、n2小的話,則不連續(xù)性會(huì)變大,整體輻射等因素所造成的損耗會(huì)變大。
圖5A、圖5B、圖5C表示改變n1、n2時(shí)的濾波器特性。在這些圖中通過(guò)改變縱軸的比例而表示二種通過(guò)特性(衰減量特性)。
圖5A是n1=n2=3時(shí)的通過(guò)特性圖、圖5B是b1=n2=5時(shí)的通過(guò)特性圖、圖5C是n1=n2=7時(shí)的通過(guò)特性圖??梢钥闯鲭S著將n1、n2弄大使衰減量產(chǎn)生劣化。這是因?yàn)楦鱅DT電極的第1激振區(qū)域107、110、112的電極指根數(shù)比其他激振區(qū)域過(guò)于少的緣故。這里將第1IDT電極的根數(shù)設(shè)為31根,而將第3IDT電極的電極指根數(shù)設(shè)為19根。
在圖5A~圖5C中,相對(duì)于第2、第3IDT電極的電極指根數(shù),第2激振區(qū)域的電極指根數(shù)所占有的比例,在圖5A為(n2)/N2=3/19=0.158,在圖5B為(n2)/N2=5/19=0.263,在圖5C為(n2)/N2=7/19=0.368。另外,相對(duì)于第1IDT電極整體的電極指根數(shù),第2及第3激振區(qū)域的電極指根數(shù)所占有的比例,在圖5A為(n1+n1)/N1=(3+3)/31=0.194,在圖5B為(n1+n1)/N1=(5+5)/31=0.323,在圖5C為(n1+n1)/N1=(7+7)/31=0.452。
在圖5A~圖5C中,衰減量以n1=n2=7大幅度地劣化,因此相對(duì)于IDT電極的電極指根數(shù),副激振區(qū)域的電極指根數(shù)所占有的比例為1/3以下,即最好是設(shè)成(n1+n1)/N1<1/3、(n2)/N2<1/3。
圖6表示設(shè)成n1=n2=5時(shí)的濾波器的實(shí)測(cè)特性(a)與現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)成的濾波器特性(b)。由圖6可得知能獲得0.5dB以上的損耗改善。
如以上所述、通過(guò)將第1、第2、第3IDT電極的第1激振區(qū)域偏移一定量而能獲得利用了第1次模式與第3次模式的縱模式型彈性表面波濾波器的特性,而且通過(guò)將第1、第2、第3IDT電極的第1激振區(qū)域以外的區(qū)域(副激振區(qū)域)的電極指間距設(shè)成最適當(dāng)化而會(huì)減小不連續(xù)性,且將全部的電極指設(shè)成有約連續(xù)性的周期性結(jié)構(gòu)而能降低音響阻抗的不連續(xù)性所產(chǎn)生的整體輻射所造成的損耗。
另外,在上述的說(shuō)明中,第1、第3IDT電極的IDT電極所包含的電極指根數(shù)相同,然而也可因應(yīng)各個(gè)IDT電極的根數(shù)而選擇最適當(dāng)?shù)母鶖?shù)。即,使n1與n2不同而能獲得最適當(dāng)?shù)募ふ裉匦浴?br>
另外,前述固然將第1IDT電極的第1激振區(qū)域與第2、第3IDT電極的第1激振區(qū)域的偏移量設(shè)為-λ/4或+λ/4,然而并非僅限于此值。此偏移量是決定濾波器的通過(guò)頻帶的參數(shù)之一者,是因應(yīng)所需的濾波器特性而最適當(dāng)化者。
另外,在本實(shí)施例1已說(shuō)明了不平衡一平衡型的彈性表面波濾波器,惟于此構(gòu)成中平衡型端子的平衡特性為重要的參數(shù)。例如于圖2中是設(shè)成λ/2>L1=L2=L3<L4,而將連接平衡型端子的第1IDT電極102與連接于不平衡型端子的IDT電極103、104的距離L4放寬若干而改善平衡特性。此情形下,通過(guò)將L4弄寬而使L1、L2、L3的電極指間距變窄若干,然而于構(gòu)成IDT電極的電極指間距,若是相鄰的電極指間距之比為0.8至1.2的范圍的話,能抑制因不連續(xù)性所造成的低損耗化且能提升平衡特性。在此說(shuō)明所謂平衡特性是從不平衡端子116朝向平衡端子的一側(cè)的信號(hào)與從不平衡端子116朝向平衡端子的另一側(cè)115的信號(hào)為同振幅、反相位,此情形下能實(shí)現(xiàn)平衡特性。實(shí)際上因IDT電極間的寄生成分而會(huì)使平衡從理想值偏移,然而通過(guò)調(diào)整電極指間距而改變IDT間的寄生成分能改善平衡特性。
另外,在本實(shí)施例1已記述了電極指的間距,然而也可對(duì)此再加上變化電極指的金屬化比(電極指的寬度與電極指之間的空間之比)。例如在圖2A中,由于激振區(qū)域109、113的電極指間距比激振區(qū)域107、112的電極指間距小,所以通過(guò)使激振區(qū)域109、113的金屬化比設(shè)成比激振區(qū)域107、112的金屬化比大,從而能使電極指的寬度接近。如此一來(lái),不僅電極指間距,且包含金屬化比而設(shè)成不連續(xù)部小的構(gòu)成的話可以進(jìn)一步降低損耗。
另外,即使反轉(zhuǎn)輸入出的方向而構(gòu)成彈性表面波濾波器的電極指間距,只要是本發(fā)明的周期性結(jié)構(gòu)的話,也可獲得同樣的效果。
另外,在實(shí)施例1說(shuō)明了以平衡—不平衡型來(lái)構(gòu)成端子構(gòu)成,然而也可為不平衡—不平衡端子構(gòu)成、或是平衡—平衡型端子構(gòu)成。另外,即使是輸入與輸出反轉(zhuǎn)而構(gòu)成彈性表面波濾波器的電極指間距,只要是本發(fā)明的周期性結(jié)構(gòu)的話,也可獲得同樣的效果。
另外,本發(fā)明若是應(yīng)用于漏泄彈性表面波的濾波器的話,可獲得更進(jìn)一層改善整體輻射損耗的效果。一般而言,漏泄彈性表面波在通過(guò)不連續(xù)部而進(jìn)行波的模式變換之際,整體輻射損耗的比例變大而易形成大的損耗,然而通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明而能改善整體輻射損耗。
(實(shí)施例2)圖7A表示本發(fā)明的實(shí)施例2的彈性表面波濾波器的概略圖。
在第7圖中,在壓電基板701上以構(gòu)成通過(guò)對(duì)向的電極指而構(gòu)成的梳狀電極圖案,而激起彈性表面波濾波器。
在壓電基板701上1形成通過(guò)第1IDT電極702及第2、第3IDT電極703、704與第1、第2、第3、第4反射器電極707、708、705、706而構(gòu)成的縱向耦合型的彈性表面波濾波器。
本發(fā)明的實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同點(diǎn),是于第1IDT電極702與第2IDT電極703之間配置第1反射器電極707,而于第1IDT電極702與第3IDT電極704之間配置第2反射器電極708的不同點(diǎn)。由此能降低電極指間距的周期性結(jié)構(gòu)的不連續(xù)性,因此能減小彈性表面波濾波器的損耗。另外,實(shí)施例2的第3、第4反射器電極705、706乃分別構(gòu)成與實(shí)施例1的反射器電極105、106相同。
在上述彈性表面波濾波器中,第1IDT電極702的上部電極是連接于平衡型端子的一側(cè)709,第1IDT電極702的下部電極是連接于平衡型端子的另一側(cè)710。另外,第2IDT電極703的上部電極連接于不平衡型端子,下部電極接地。同樣地第3IDT電極的上部電極連接于不平衡型端子711,下部電極接地。如此一來(lái),上述彈性表面波濾波器形成不平衡型—平衡型端子的構(gòu)成。
第1、第2、第3IDT電極702、703、704的電極指間距設(shè)定為λ/2。而且第1與第2IDT電極702、703的激振中心是從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α,第1與第3IDT電極702、704的激振中心也從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α。
在此說(shuō)明將偏移量設(shè)成-λ/4。將第1、第2IDT電極的根數(shù)設(shè)成Nr。此時(shí)第1IDT電極702與第2IDT電極703的最內(nèi)側(cè)的電極指的中心間隔、及第1IDT電極702與第3IDT電極704的最內(nèi)側(cè)的電極指的中心間隔成為{(Nr+1)λ/2-λ/4}。
此時(shí)將第1、第2IDT電極702、703的電極指等間距地配置時(shí),在其區(qū)域的電極指之間的間隙存在(Nr+1)處,故電極指間距為{(Nr+1)λ/2+λ/4}/(Nr+1)。因此,第1、第2、第3IDT電極702、703、704的第1、第2反射器電極707、708的電極指間距的比成為1-1/{2(Nr+1)}。因此若是將第1、第2反射器電極707、708的反射器根數(shù)各設(shè)成4根以上,則電極指間距為0.9λ/2以上,能將不連續(xù)性抑制在10%以內(nèi)。
另外,偏移量為+λ/4的情形下,第1、第2、第3IDT電極702、703、704與第1、第2反射器電極707、708的電極指的間距比為1+1/{2(Nr+1)}。因此若是將第1、第2反射器電極707、708的反射器根數(shù)設(shè)各設(shè)成4根以上,則電極指間距為1.2λ/2以下,能將不連續(xù)性抑制在10%以內(nèi)。
另外,在實(shí)施例2中,將第1、第2IDT電極702、703的電極指設(shè)成等間距、然而也可如實(shí)施例1所示設(shè)成階梯性的間距。另外,也可將反射器的間距設(shè)成包含二種以上的構(gòu)成。
另外,第1、第2反射器電極707、708的電極指間距設(shè)成與第1、第2、第3IDT電極702、703、704的電極指間距不同,然而也可將第1、第2、第3IDT電極702、703、704由多個(gè)的區(qū)域來(lái)構(gòu)成、而改變連接于第1、第2反射器電極707、708的區(qū)域的電極指間距。即,如圖7B所示第1IDT電極702由三個(gè)區(qū)域所構(gòu)成,721為第1IDT電極的第1激振區(qū)域,722為第1IDT電極的第2激振區(qū)域,723為第1IDT電極的第3激振區(qū)域。于第1IDT電極702,第1激振區(qū)域721的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域722、723。第2IDT電極703由二個(gè)區(qū)域所構(gòu)成,724是第2IDT電極的第1激振區(qū)域,725為第2IDT電極的第2激振區(qū)域。于第2IDT電極703,第2激振區(qū)域725配置于第1IDT電極702側(cè)。于第2IDT電極703,第2激振區(qū)域725配置于第1IDT電極702側(cè)。第3IDT電極704由二個(gè)區(qū)域所構(gòu)成,726是第3IDT電極的第1激振區(qū)域,727為第3IDT電極的第2激振區(qū)域。于第3IDT電極704,第2激振區(qū)域727配置于第1IDT電極702側(cè)。
第1、第2、第3IDT電極702、703、704的相鄰第1激振區(qū)域721、724、726的電極指中心間距(以下稱電極指間距)設(shè)定為λ/2。在此,λ為是要激振的彈性表面波的波長(zhǎng)。
而且,第1與第2IDT電極702、703的第1激振區(qū)域721、724的激振中心是從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移某一定量,第1與第3IDT電極702、704的第1激振區(qū)域721、726的激振中心是從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移某一定量。即,若是進(jìn)行以第1、第2反射器電極707、708配合各IDT電極所鄰接的區(qū)域722、723、725、727的形態(tài)的電極指間距的最適當(dāng)化的話,可獲得同樣的效果。
另外,反射器的根數(shù)或IDT電極的根數(shù)并非限定于此,而是為了要獲得所需的濾波器特性而最適當(dāng)?shù)卣{(diào)整者。另外,于圖7A、圖7B中反射器也可接地。
另外,在實(shí)施例2是平衡—不平衡型的彈性表面波濾波器的構(gòu)成,與實(shí)施例1同樣地考量平衡特性的改善效果而將相鄰的電極指間距的比設(shè)成0.8至1.2范圍的話,可抑制不連續(xù)性所造成的低損耗化且能提升平衡特性。
另外,第1IDT電極與第2、第3IDT電極的偏移量設(shè)為-λ/4或λ/2,但并不限于此值。此偏移量是決定濾波器的通過(guò)頻帶的參數(shù)之一,是因應(yīng)所需的濾波器特性而最適當(dāng)化者。
另外,于實(shí)施例2雖已說(shuō)明了電極指的間距,然而加上此而能變化電極指的金屬化比者也與實(shí)施例1相同。
另外,于實(shí)施例2雖已說(shuō)朋了將端子構(gòu)成設(shè)成平衡—不平衡型,惟此也可設(shè)成不平衡—不平衡型的端子構(gòu)成,或是設(shè)成平衡—平衡型的端子構(gòu)成。
另外,即使反轉(zhuǎn)輸入出的方向而構(gòu)成彈性表面波濾波器的電極指間距,只要是本發(fā)明的周期性結(jié)構(gòu)的話,也可獲得同樣的效果。
另外,有關(guān)本發(fā)明若是應(yīng)用于漏泄彈性表面波的濾波器的話,可獲得更進(jìn)一層改善整體輻射損耗的效果。
(實(shí)施例3)圖8是本發(fā)明的實(shí)施例3的彈性表面波濾波器的概略構(gòu)成。
在圖8中,于壓電性基板801上構(gòu)成通過(guò)對(duì)向的電極指而構(gòu)成的梳狀電極圖案,由此能激起彈性表面波。于壓電基板801上形成由第1IDT電極802與第2IDT電極803及第1、第2反射器電極804、805來(lái)構(gòu)成的縱模式型的彈性表面波濾波器。
本發(fā)明的實(shí)施例3與實(shí)施例1的不同點(diǎn),是設(shè)置二個(gè)構(gòu)成彈性表面波濾波器的IDT電極的不同點(diǎn)。由此能降低電極指間距的周期性結(jié)構(gòu)的不連續(xù)性,因此能減小彈性表面波濾波器的損耗。
在上述彈性表面波濾波器中,第1IDT電極802的上部電極是連接于不平衡型端子810,第1IDT電極802的下部電極是接地。另外,第2IDT電極803的上部電極連接于不平衡型端子811,下部電極接地。同樣地第3IDT電極(圖式未顯示)的上部電極連接于不平衡型端子811,下部電極接地。如此一來(lái),上述彈性表面波濾波器形成不平衡型—不平衡型端子的構(gòu)成。
而且,第1IDT電極802是由第1激振區(qū)域806及第2激振區(qū)域807等二個(gè)區(qū)域來(lái)構(gòu)成。于第1IDT電極802,第2激振區(qū)域807是配置于第2IDT電極803側(cè)。
另外,第2IDT電極803是由第1激振區(qū)域808及第2激振區(qū)域809等二個(gè)區(qū)域來(lái)構(gòu)成。于第21DT電極803,第2激振區(qū)域809是配置于第1IDT電極802側(cè)。
第1、第2IDT電極802、803的第1激振區(qū)域908、808介電極指間距設(shè)定為λ/2。而且第1與第2IDT電極802、803的第1、第2激振區(qū)域806、808的激振中心是從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α。另外,于第1IDT電極802,第1激振區(qū)域806的電極指間距與第2激振區(qū)域807的電極指間距的比以0.9至1.2的范圍為不同的構(gòu)成。
另外,于第2IDT電極803,第1激振區(qū)域808的電極指間距與第2激振區(qū)域809的電極指間距的比以0.9至1.2的范圍為不同的構(gòu)成。即,構(gòu)成彈性表面波濾波器的全部電極指間距是從0.9λ/2至1.2的范圍約呈周期性結(jié)構(gòu)。
第1、第2IDT電極802、803的第2激振區(qū)域807、808的根數(shù)分別設(shè)為n1、n2。另外,說(shuō)明將偏移量設(shè)成-λ/4。此時(shí)第1IDT電極802與第2 IDT電極803的最內(nèi)側(cè)的電極指的中心距離設(shè)成{(N1+N2+1)λ/2-λ/4}。此時(shí)將第1、第2IDT電極802、803的第2激振區(qū)域807、809的電極指配置成等間距時(shí),在其區(qū)域的電極指之間存在著(n1+n2+1)處,故電極指間距為{(n1+n2+1)λ/2+λ/4}/(n1+n2+1)。爰此,第1IDT電極802的第1激振區(qū)域806與第2激振區(qū)域807的間距比,第2IDT電極803的第1激振區(qū)域808與第2激振區(qū)域809的間距比成為1-1/{2(n1+n2+1)}。
因此,將第1、第2IDT電極802、803的第2激振區(qū)域807、809的根數(shù)的總合(n1+n2)設(shè)為4根以上的話,電極指間距為0.9λ/2以上,可抑制不連續(xù)性在10%以內(nèi)。
另外,偏移量為+λ/2的情形下,第1、第2、第3IDT電極802、803、804與第3、第4反射器電極807、808的電極指的間距比為1+1/{2(n1+n2+1)}。
爰此,將第1、第2IDT電極802、803的第2激振區(qū)域807、809的根數(shù)的總合(n1+n2)設(shè)為4根以上的話,電極指間距為1.2λ/2以上,可抑制不連續(xù)性在10%以內(nèi)。
另外,于實(shí)施例3中,將第1、第2IDT電極802、803的第2激振區(qū)域807、809的電極指設(shè)成等間距,然而也可如實(shí)施例1所示設(shè)成階梯性的間距。另外,也可將反射器的間距設(shè)成包含由λ/2不同電極指的二種以上的構(gòu)成。
另外,前述固然將第1IDT電極與第2、第3IDT電極的偏移量設(shè)為-λ/4或+λ/4,然而并非僅限于此值。此偏移量是決定濾波器的通過(guò)頻帶的參數(shù)的一者,是因應(yīng)所需的濾波器特性而最適當(dāng)化者。
另外,于實(shí)施例3雖已說(shuō)明了電極指的間距,然而加上此而能變化電極指的金屬化比者也與實(shí)施例1相同。
另外,于實(shí)施例3雖已說(shuō)明了將端子構(gòu)成設(shè)成不平衡—不平衡型,惟端子構(gòu)成并不僅限于此。
另外,即使反轉(zhuǎn)輸入出的方向而構(gòu)成彈性表面波濾波器的電極指間距,只要是本發(fā)明的周期性結(jié)構(gòu)的話,也可獲得同樣的效果。
另外,有關(guān)本發(fā)明若是應(yīng)用于漏泄彈性表面波的濾波器的話,可獲得更進(jìn)一層改善整體輻射損耗的效果。
(實(shí)施例4)圖9是本發(fā)明的實(shí)施例4的彈性表面波濾波器的概略構(gòu)成。
在圖9中,于壓電性基板901上構(gòu)成通過(guò)對(duì)向的電極指而構(gòu)成的梳狀電極圖素,由此能激起彈性表面波。于壓電基板901上形成由第1IDT電極902與第2IDT電極903及第1、第2、第3反射器電極904、905,906來(lái)構(gòu)成的縱模式型的彈性表面波濾波器。
本發(fā)明的實(shí)施例4與實(shí)施例3的不同點(diǎn),是第1IDT電極902與第2IDT電極903之間設(shè)置第3反射器電極906的不同點(diǎn)。由此能降低電極指間距的周期性結(jié)構(gòu)的不連續(xù)性,因此能減小彈性表面波濾波器的損耗。
在上述彈性表面波濾波器中,第1IDT電極902的上部電極是連接于不平衡型端子907,第1IDT電極902的下部電極是接地。另外,第2IDT電極903的上部電極連接于不平衡型端子908,下部電極接地。如此一來(lái),上述彈性表面波濾波器形成不平衡型—不平衡型端子的構(gòu)成。
第1、第2IDT電極902、903的電極指間距設(shè)定為λ/2。而且第1與第2IDT電極902、903的激振中心是從周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量。在此說(shuō)明將偏移量設(shè)成-λ/4。將第3反射器電極的根數(shù)設(shè)成Nr附。此時(shí)第1IDT電極902與第2IDT電極903的最內(nèi)側(cè)的電極指的中心間隔設(shè)為{(Nr+1)λ/2-λ/4}。此時(shí)將第3反射器電極906的電極指等間距地配置時(shí),在其區(qū)域的電極指之間存在著(Nr+1)處,故電極指間距為{(Nr+1)λ/2+λ/4}/(Nr+1)。
因此,第1、第2IDT電極902、903與第3反射器電極906的電極指間距的比成為1-1/{2(Nr+1)}。因此若是將第3反射器電極906的反射器根數(shù)設(shè)成4根以上,則電極指間距為0.9λ/2以上面能將不連續(xù)性抑制在10%以內(nèi)。
另外,偏移量為+λ/4的情形下,第1、第2IDT電極902、903與第3反射器電極906的電極指的間距比為1+1/{2(Nr+1)}。因此若是將第3反射器電極906的反射器根數(shù)設(shè)各設(shè)成4根以上,則電極指間距為1.2λ/2以下面能將不連續(xù)性抑制在10%以內(nèi)。
另外,于實(shí)施例4,將第3反射器電極的電極指設(shè)成等間距,然而也可如實(shí)施例1所示設(shè)成階梯性的間距。
另外,第3反射器電極906的電極指間距設(shè)成與第1、第2IDT電極902、903的電極指間距不同,然而也可將第1、第2IDT電極902、903由多個(gè)的區(qū)域來(lái)構(gòu)成,而改變鄰接于第3反射器電極906的區(qū)域的電極指間距。即,若是進(jìn)行以反射器電極配合其鄰接的區(qū)域的形態(tài)的電極指間距的最適當(dāng)化的話,可獲得同樣的效果。
另外,前述固然將第1IDT電極與第2、第3IDT電極的偏移量設(shè)為-λ/4或+λ/4,然而并非僅限于此值。此偏移量是決定濾波器的通過(guò)頻帶的參數(shù)的一者,是因應(yīng)所需的濾波器特性而最適當(dāng)化者。
另外,于實(shí)施例4雖已說(shuō)明了電極指的間距,然而加上此而能變化電極指的金屬化比者也與實(shí)施例1相同。
另外,有關(guān)本發(fā)明若是應(yīng)用于漏泄彈性表面波的濾波器的話,可獲得更進(jìn)一層改善整體輻射損耗的效果。
另外,即使反轉(zhuǎn)輸入出的方向而構(gòu)成彈性表面波濾波器的電極指間距,只要是本發(fā)明的周期性結(jié)構(gòu)的話,也可獲得同樣的效果。
(實(shí)施例5)圖10是本發(fā)明的實(shí)施例5的彈性表面波濾波器的概略構(gòu)成。
在圖10中,于壓電性基板1001上構(gòu)成通過(guò)對(duì)向的電極指而構(gòu)成的梳狀電極圖案,由此能激起彈性表面波。于壓電基板1001上形成由第1至第5IDT電極1002、1003、1004、1005、1006及第1、第2反射器電極1007、1008來(lái)構(gòu)成的縱向耦合型的彈性表面波濾波器。
在上述彈性表面波濾波器中,第1、第4、第5IDT電極1002、1005、1006的上部電極連接于不平衡型端子1009,第1、第4、第5IDT電極1002、1005、1006的下部電極接地。另外,第2、第3IDT電極1003、1004的下部電極連接于不平衡型端子1010,上部電極接地。如此一來(lái),上述彈性表面波濾波器乃具有5電極型的不平衡型—平衡型的端子的構(gòu)成。
而且,第1IDT電極1002由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1011,第2激振區(qū)域1012,第3激振區(qū)域1013所構(gòu)成。于第1IDT電極1002,在第1激振區(qū)域1011的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域1012、1013。
而且,第2IDT電極1003由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成、是由第1激振區(qū)域1014,第2激振區(qū)域1015,第3激振區(qū)域1016所構(gòu)成。于第2IDT電極1003,在第1激振區(qū)域1014的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域1015、1016。
而且,第3IDT電極1004由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1017,第2激振區(qū)域1018,第3激振區(qū)域1019所構(gòu)成。于第3IDT電極1004,在第1激振區(qū)域1017的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域1018、1019。
另外,第4IDT電極1005由二個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1020,第2激振區(qū)域1021所構(gòu)成。于第2IDT電極1005,第2激振區(qū)域1021是配置于第2IDT電極1003側(cè)。
另外,第5IDT電極1006由二個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1022,第2激振區(qū)域1023所構(gòu)成。于第3IDT電極1006,第2激振區(qū)域1023是配置于第3IDT電極1004側(cè)。
在第1、第2、第3、第4、第5IDT電極1002、1003、1004、1005、1006的第1激振區(qū)域1011、1014、1017、1020、1022,相鄰的電極指的中心間隔(以下稱電極指間距)設(shè)定在λ/2。在此說(shuō)明λ是要激振的彈性表面波濾波器的波長(zhǎng)。
而且,第1及第2IDT電極1002、1003的第1激振區(qū)域1011、1014的激振中心乃從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α,第1及第3IDT電極1002、1004的第1激振區(qū)域1011、1017的激振中心也從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α。
另外,第2及第4IDT電極1003、1005的第1激振區(qū)域1014、1020的激振中心乃從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量β,第3及第5IDT電極1004、1006的第1激振區(qū)域1017、1022的激振中心也從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量β。
通過(guò)以上的構(gòu)成,使第1、第2、第3、第4、第5IDT電極的第1激振區(qū)域偏移一定量而可獲得利用多個(gè)模式的縱模式型彈性表面波濾波器的特性,而且,以使第1、第2、第3、第4、第5IDT電極的第1激振區(qū)域以外的區(qū)域(副激振區(qū)域)的電極指間距最適當(dāng)化而可減小不連續(xù)性,且將全部的電極指設(shè)成有約連續(xù)性的周期性結(jié)構(gòu)而能降低音響阻抗的不連續(xù)性所產(chǎn)生的整體輻射所造成的損耗。
另外,前述固然將第1IDT電極的偏移量設(shè)為α或β然而此偏移量是決定濾波器的通過(guò)頻帶的參數(shù)的一者,是因應(yīng)所需的濾波器特性而最適當(dāng)化者。
另外,于本實(shí)施例,于不同λ/2的電極指間距區(qū)域,如實(shí)施例1、2所示,也可應(yīng)用于反射器電極或反射器電極與IDT電極的組合構(gòu)成。
另外,本實(shí)施例雖已說(shuō)明了具有不平衡—不平衡型端子的構(gòu)成,惟此乃也可至少任何一側(cè)為平衡型。
(實(shí)施例6)圖11是本發(fā)明的實(shí)施例6的彈性表面波濾波器的概略構(gòu)成。
在圖11中,于壓電性基板1011上構(gòu)成通過(guò)對(duì)向的電極指而構(gòu)成的梳狀電極圖案,由此能激起彈性表面波。于壓電基板1011上形成由第1至第3IDT電極1102、1103、1104及第1、第2反射器電極1105、1106來(lái)構(gòu)成的縱向耦合型的彈性表面波濾波器。
于上述彈性表面波濾波器,第1IDT電極1102的上部電極連接于平衡型端子的一側(cè)1116,第1IDT電極1102的下部電極連接于平衡型端子的另一側(cè)1117。另外,第2IDT電極1103的上部電極連接于不平衡型端子1118,下部電極接地。同樣地,第3IDT電極1104的上合電極連接于不平衡型端子1118,下部電極接地,如此一來(lái),上述彈性表面波濾波器乃具有不平衡型一平衡型的端子的構(gòu)成。
而且,第1IDT電極1003由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1107,第2激振區(qū)域1108,第3激振區(qū)域1109所構(gòu)成。于第1IDT電極1102,在第1激振區(qū)域1107的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域1108、1109。
而且,第2IDT電極1103由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1110,第2激振區(qū)域1111,第3激振區(qū)域1112所構(gòu)成。于第2IDT電極1103,在第1激振區(qū)域1110的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域1111、1112。在此說(shuō)明第2IDT電極1111配置在第1反射器電極1105側(cè)。
而且,第3IDT電極1104由三個(gè)區(qū)域構(gòu)成,是由第1激振區(qū)域1113,第2激振區(qū)域1114,第3激振區(qū)域1115所構(gòu)成。于第3IDT電極1104,在第1激振區(qū)域1113的兩側(cè)配置第2、第3激振區(qū)域1114、1115。在此說(shuō)明第3IDT電極1115配置在第2反射器電極1106側(cè)。
另外,于第1、第2、第3IDT電極1102、1103、1104的第1激振區(qū)域1107、1110、1113相鄰的電極指的中心間隔(以下稱電極指間距)設(shè)定在λ/2。在此說(shuō)明入是要激振的彈性表面波濾波器的波長(zhǎng)。
而且,第1及第2IDT電極1102、1103的第1激振區(qū)域1107、1110的激振中心乃從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α,第1及第3IDT電極1102、1104的第1激振區(qū)域1110、1113的激振中心也從λ/2周期性結(jié)構(gòu)偏移一定量α。
另外,反射器電極的電極指間距是構(gòu)成不同于第1、第2、第3IDT電極1102、1103、1104的第1激振區(qū)域1107、1110、1113的電極指間距,第2IDT電極的第1激振區(qū)域1110的激振中心與第1反射器電極1105的反射中心是偏移一定量,第3IDT電極的第1激振區(qū)域1113的激振中心與第2反射器電極1106的反射中心是偏移一定量,這些偏移量值可因應(yīng)通頻帶頻率特性而最適當(dāng)?shù)剡x擇。
在此說(shuō)明使第2IDT電極1103的第2激振區(qū)域1111、及第3IDT電極1104的第3激振區(qū)域1115的電極指間距不同于λ/2,并且使第2IDT電極的第1激振區(qū)域1110的激振中心與第1反射器電極1105的反射中心的距離,以及使第3IDT電極的第1激振區(qū)域1113的激振中心與第2反射器電極1106的反射中心的距離最適當(dāng)而能將不連續(xù)性減小。另外,也能將反射器電極的電極指間距與第1、第2、第3IDT電極1102、1103、1104的第1激振區(qū)域1107、1110、1113的電極指間距弄成不同而能減小不連續(xù)性。
通過(guò)以上的構(gòu)成,使第1、第2、第3IDT電極的第1激振區(qū)域偏移一定量而可獲得利用第1與第3模式的縱模式型彈性表面波濾波器的特性,而且,以使第1、第2、第3IDT電極的第1激振區(qū)域的其他區(qū)域的電極指間距最適當(dāng)化而可減小不連續(xù)性,且將全部的電極指設(shè)成有約連續(xù)性的周期性結(jié)構(gòu)而能降低音響阻抗的不連續(xù)性所產(chǎn)生的整體輻射所造成的損耗。
另外,上述雖已說(shuō)明了本構(gòu)成為不平衡—平衡型,然而也可為不平衡—不平衡型。
另外,本實(shí)施例于IDT電極與反射器電極的全部相鄰區(qū)域應(yīng)用不同電極指間距的區(qū)域,然而也可僅應(yīng)用IDT電極及最外側(cè)的反射器電極1105、1106與其相鄰的IDT電極部分。
另外,于本實(shí)施例所示的三個(gè)IDT電極的構(gòu)成之外,也可應(yīng)用于實(shí)施例3、4、5所示的具有二個(gè)、五個(gè)或這些以外的IDT電極的彈性表面波濾波器。且通過(guò)將電極指間距予以最適當(dāng)化而設(shè)成傳播路徑的不連續(xù)性少的構(gòu)成的話,可獲得同樣的效果。
另外,于上述全部的實(shí)施例中說(shuō)明了使IDT電極的電極指或反射器電極的電極指間距與λ/2不同而減小不連續(xù)性的構(gòu)成,然而也可以反射器電極與IDT電極的雙方減小不連續(xù)性。
將構(gòu)成彈性表面波濾波器的全部的電極指間距為λ/2的區(qū)域的相位差因應(yīng)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量,由此,能將IDT電極間的不連續(xù)性設(shè)成最小限度的構(gòu)成,如此一來(lái)能獲得低損耗的彈性表面波濾波器,其結(jié)果則能實(shí)現(xiàn)移動(dòng)體通信機(jī)器等的高頻機(jī)器的靈敏度的提升。
權(quán)利要求
1.一種彈性表面波濾波器,是縱向耦合型彈性表面波濾波器,其特征在于,具有壓電基板、及配置于所述壓電基板上的多個(gè)IDT電極及多個(gè)的反射器電極,所述各IDT電極是多個(gè)電極指對(duì)向的梳狀電極,所述IDT電極與所述反射器電極是沿彈性表面波的傳播方向而接近配置,將彈性表面波的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí),所述各IDT電極具有電極指以λ/2的間距配列的主激振區(qū)域,所述IDT電極中的至少一個(gè),根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而配置成其主激振區(qū)域相對(duì)于其他IDT電極的主激振區(qū)域,偏移一定量的相位,在所述IDT電極鄰接的一側(cè)的主激振區(qū)域,在所述IDT電極與其他IDT電極或所述反射器電極之間具有由所述電極指的間距與λ/2不同的所述IDT電極和所述反射器電極中的至少一方所構(gòu)成的副激振區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,構(gòu)成所述彈性表面波濾波器的所有的電極指間距是在0.8λ/2至1.2λ/2的范圍。
3.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述彈性表面波是漏泄彈性表面波。
4.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,與配置在所述反射器電極中的最外側(cè)的反射器電極鄰接的IDT電極,在它的與該反射器電極連接的一側(cè),具有所述電極指間距不同的副激振區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極中的至少一個(gè),具有電極指間距不同于λ/2的副激振區(qū)域,所述多個(gè)反射器電極中的至少一個(gè),是電極指間距是不同于λ/2的構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極包括第1IDT電極、及鄰接于所述第1IDT電極的第2IDT電極,所述反射器電極包括鄰接于所述第1IDT電極的第1反射器電極、及鄰接于所述第2IDT電極的第2反射器電極,所述第1及第2IDT電極配置成其主激振區(qū)域根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而使相位相互偏移一定量,同時(shí)所述第1與第2IDT電極在相互鄰接的一側(cè),具有所述電極指間距不同于λ/2的副激振區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),包含有二種以上的不同電極指間距。
8.如權(quán)利要求6所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),配置成使電極指間距階梯性地變化。
9.如權(quán)利要求6所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距全部不同,且電極指間距是階梯性地增加或減少。
10.如權(quán)利要求6所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,在所述副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距全部相等。
11.如權(quán)利要求6所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,在至少一個(gè)IDT電極中,所述副激振區(qū)域的電極指根數(shù),小于構(gòu)成該IDT電極的所有電極指根數(shù)的1/3。
12.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述多個(gè)IDT電極包含有第1IDT電極、及分別鄰接在所述第1IDT電極的兩側(cè)的第2及第3IDT電極,所述多個(gè)的反射器電極包含有分別配置在所述三個(gè)IDT電極的外側(cè)的第1及第2反射器電極,所述第1IDT電極,相對(duì)于所述第2及第3IDT電極,其主激振區(qū)域的相位根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量,所述各IDT電極,在鄰接于其他IDT電極的部分,具有所述電極指間距不同于λ/2的副激振區(qū)域。
13.如權(quán)利要求12所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),包含有二種以上的不同的電極指間距。
14.如權(quán)利要求12所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距是配置成階梯性地變化。
15.如權(quán)利要求12所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距全部不同,且電極指間距是階梯性地增加或減少。
16.如權(quán)利要求12所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,在所述各副激振區(qū)域中的至少一個(gè)中,其電極指間距全部相等。
17.如權(quán)利要求12所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,在至少一個(gè)IDT電極中,所述副激振區(qū)域的電極指根數(shù),是構(gòu)成該IDT電極的所有電極指根數(shù)的1/3以下。
18.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極包括接近配置的五個(gè)IDT電極,各IDT電極,其主激振區(qū)域的相位根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量,在IDT電極鄰接的位置,各IDT電極在鄰接側(cè)具有電極指間距不同于λ/2的副激振區(qū)域。
19.如權(quán)利要求18所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),包含有二種以上的不同的電極指間距。
20.如權(quán)利要求18所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距是配置成階梯性地變化。
21.如權(quán)利要求18所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述IDT電極的副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距全部不同,且電極指間距是階梯性地增加或減少。
22.如權(quán)利要求18所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,在所述各副激振區(qū)域中的至少一個(gè),其電極指間距全部相等。
23.如權(quán)利要求18所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,在至少一個(gè)IDT電極中,所述副激振區(qū)域的電極指根數(shù)是構(gòu)成該IDT電極的所有電極指根數(shù)的1/3以下。
24.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述多個(gè)的IDT電極包含有第1IDT電極、及第2IDT電極,在所述第1IDT電極與所述第2IDT電極之間至少配置一個(gè)反射器電極,所述第1及第2IDT電極,其主激振區(qū)域的相位根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量,同時(shí)所述反射器電極的電極指間距不同于λ/2。
25.如權(quán)利要求24所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述反射器電極包含有二種以上的不同的電極指間距。
26.如權(quán)利要求24所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述反射器電極的電極指間距全部不同,且電極指間距是階梯性地增加或減少。
27.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述多個(gè)的IDT電極包含有第1IDT電極、第2IDT電極及第3IDT電極,所述多個(gè)的反射器電極包含有第1反射器電極、及第2反射器電極,在所述第1IDT電極的一側(cè),經(jīng)第1反射器電極而配置第2IDT電極,在第1IDT電極的另一側(cè)經(jīng)第2反射器電極而配置第3IDT電極,所述第1IDT電極相對(duì)于所述第2及第3IDT電極,其主激振區(qū)域的相位根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量,所述第1及第2反射器電極的電極指間距不同于λ/2。
28.如權(quán)利要求27所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述第1和第2反射器電極中的至少一個(gè)包含有二種以上的不同的電極指間距。
29.如權(quán)利要求27所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述第1和第2反射器電極中的至少一個(gè)的電極指間距全部不同,且電極指間距是階梯性地增加或減少。
30.如權(quán)利要求1所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述多個(gè)的IDT電極至少包含有五個(gè)IDT電極,所述多個(gè)的反射器電極包含分別配置在所述五個(gè)IDT電極之間的至少四個(gè)反射器電極,所述IDT電極中的至少一個(gè)相對(duì)于其他IDT電極,其主激振區(qū)域的相位根據(jù)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量,所述反射器電極中的至少一個(gè)的電極指間距不同于λ/2。
31.如權(quán)利要求30所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述反射器電極中的至少一個(gè)包含有二種以上的不同電的極指間距。
32.如權(quán)利要求30所述的彈性表面波濾波器,其特征在于,所述反射器電極中的至少一個(gè)的電極指間距全部不同,且電極指間距是階梯性地增加或減少。
全文摘要
一種彈性表面波濾波器,是在壓電性基板上具有由第1 IDT電極及第2、第3 IDT電極與第1、第2反射器電極而構(gòu)成,并于將彈性表面波的波長(zhǎng)設(shè)成入時(shí),各IDT電極的電極指間距為λ/2的主激振區(qū)域,將各主激振區(qū)域間的相位因應(yīng)所需的通頻帶頻率特性而偏移一定量的構(gòu)成的縱向耦合型彈性表面波濾波器,于第1、第2、第3 IDT電極設(shè)置電極指間距不同于λ/2的多個(gè)的副激振區(qū)域,由此,可將構(gòu)成彈性表面波濾波器的全部的電極指間距收限在0.8λ/2至1.2λ/2的范圍,而能防止IDT電極間的不連續(xù)性所造成的損耗的劣化。
文檔編號(hào)H03H9/00GK1465133SQ02802272
公開日2003年12月31日 申請(qǐng)日期2002年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月29日
發(fā)明者常川昭雄, 關(guān)俊一, 中谷忍, 中村弘幸, 山田徹 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社