一種逆變器的制造方法
【專利摘要】一種逆變器，通過(guò)在所述逆變器內(nèi)設(shè)置為兩個(gè)獨(dú)立且規(guī)格相同的第一電磁器件和第二電磁器件，通過(guò)控制所述第一IGBT逆變模塊和第二IGBT逆變模塊分別向所述第一電磁器件和第二電磁器件輸出相位相反的激勵(lì)信號(hào)，即可使得所述第一電磁器件和第二電磁器件產(chǎn)生的電磁噪音的頻率和振幅相同，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)電磁器件的位置可進(jìn)一步使得所述第一電磁器件和第二電磁器件產(chǎn)生的電磁噪音相互抵消，且由所述第一電磁器件和第二電磁器件漏磁引起的電磁輻射也會(huì)有一定程度的相互抵消，因此無(wú)需采用吸音材料，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言成本較低。
【專利說(shuō)明】
一種逆變器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及逆變器技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種逆變器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有大功率逆變器存在工頻及開關(guān)高頻的電磁噪音及電磁振動(dòng)，目前，通常采用在逆變器的結(jié)構(gòu)上添加吸音隔音材料以解決大功率逆變器的工頻及開關(guān)高頻的電磁噪音及電磁振動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)被動(dòng)降噪。但是，由于增加吸音材料的成本較高，導(dǎo)致采用該方法生產(chǎn)的大功率逆變器的成本較高、整體體積大，且使用該方法對(duì)于低頻部分降噪效果差。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種逆變器，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中降低逆變器噪音和振動(dòng)時(shí)，成本較高的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0005]—種逆變器，包括逆變模塊，所述逆變器還包括至少一個(gè)降壓隔離模塊，所述降壓隔離模塊的輸出端與所述逆變模塊相連，所述降壓隔離模塊包括:
[0006]第一IGBT逆變模塊，及與所述第一 IGBT逆變模塊的輸出端相連的第一電磁器件；
[0007]第二IGBT逆變模塊，及與所述第二 IGBT逆變模塊的輸出端相連的第二電磁器件；
[0008]所述第一IGBT逆變模塊與所述第二 IGBT逆變模塊的輸入端串聯(lián)或并聯(lián)，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件的輸出端并聯(lián)后作為所述降壓隔離模塊的輸出端；
[0009]所述第一IGBT逆變模塊與所述第二 IGBT逆變模塊的電路相同且輸出電壓的相位相反;所述第一電磁器件和所述第二電磁器件的規(guī)格相同。
[0010]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一IGBT逆變模塊與所述第二IGBT逆變模塊均包括開關(guān)管，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件之間的距離為所述開關(guān)管開關(guān)頻率電磁噪音波長(zhǎng)的整數(shù)倍。
[0011]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件設(shè)置在同一支架上。
[0012]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述電磁器件為電抗器或變壓器。
[0013]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件均為變壓器時(shí)，所述降壓隔離模塊還包括:
[0014]與所述第一電磁器件輸出端相連的第一整流電路，所述第一整流電路的輸出端與所述逆變模塊相連；
[0015]與所述第二電磁器件輸出端相連的第二整流電路，所述第一整流電路的輸出端與所述逆變模塊相連。
[0016]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一整流電路和第二整流電路為橋式整流電路。
[0017]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一IGBT逆變模塊和第二IGBT逆變模塊均為H橋逆變電路；
[0018]所述H橋逆變電路包括:
[0019]并聯(lián)的第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路，所述第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路的兩個(gè)公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸入端和負(fù)輸入端；
[0020]所述第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路均包括:
[0021]串聯(lián)的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管;所述第一開關(guān)管的第二端與第二開關(guān)管的第一端相連，且所述第一開關(guān)管的第一端和第二開關(guān)管的第二端作為所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的公共端；
[0022]與所述第一開關(guān)管反向并聯(lián)的第一二極管，第一二極管的陽(yáng)極與所述第一開關(guān)管的第二端相連；
[0023]與所述第二開關(guān)管反向并聯(lián)的第二二極管，所述第二二極管的陽(yáng)極與所述第二開關(guān)管的第二端相連；
[0024]所述第一開關(guān)管支路中所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端，所述第二開關(guān)管支路中所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端；
[0025]所述第一電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第一IGBT逆變模塊正輸出端和負(fù)輸出端相連，次級(jí)線圈與所述第一整流電路的輸入端相連;所述第二電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第二 IGBT逆變模塊正輸出端和負(fù)輸出端相連，次級(jí)線圈與所述第二整流電路的輸入端相連。
[0026]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一IGBT逆變模塊和第二IGBT逆變模塊均為半橋逆變電路，
[0027]所述半橋逆變電路包括:串聯(lián)的第三開關(guān)管和第四開關(guān)管;所述第三開關(guān)管的第二端與第四開關(guān)管的第一端相連，且所述第三開關(guān)管的第一端與第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸入端和負(fù)輸入端；
[0028]第三開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第三二極管，所述第三二極管的陽(yáng)極與所述第三開關(guān)管的第二端相連；
[0029]第四開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第四二極管，所述第四二極管的陽(yáng)極與所述第四開關(guān)管的第二端相連；
[0030]所述第四開關(guān)管的第一端分別作為所述第一IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端;所述第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端；
[0031]所述第一電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第一IGBT逆變模塊的正輸出端和負(fù)輸出端對(duì)應(yīng)相連，所述第一電磁器件變壓器的次級(jí)線圈與所述第一整流電路的輸入端相連;所述第二電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端和負(fù)輸出端一一對(duì)應(yīng)相連，所述第二電磁器件變壓器的次級(jí)線圈與所述第二整流電路的輸入端相連。
[0032]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述第一電磁器件和第二電磁器件均為電抗器，所述第一IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊均為半橋逆變電路，
[0033]所述半橋逆變電路包括:
[0034]所述半橋逆變電路包括:串聯(lián)的第三開關(guān)管和第四開關(guān)管;所述第三開關(guān)管的第二端與第四開關(guān)管的第一端相連，且所述第三開關(guān)管的第一端與第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸入端和負(fù)輸入端；
[0035]第三開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第三二極管，所述第三二極管的陽(yáng)極與所述第三開關(guān)管的第二端相連；
[0036]第四開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第四二極管，所述第四二極管的陽(yáng)極與所述第四開關(guān)管的第二端相連；
[0037]所述第四開關(guān)管的第一端分別作為所述第一IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端;所述第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端；
[0038]所述第一電磁器件電抗器的第一端與所述第一IGBT逆變模塊的正輸出端相連、第二端與所述逆變模塊相連，所述第二電磁器件電抗器的第一端與所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端相連、第二端與所述逆變模塊相連。
[0039]優(yōu)選的，上述逆變器中，所述降壓隔離模塊還包括:
[0040]設(shè)置于所述第一 IGBT逆變模塊和第一電磁器件變壓器之間的隔直電容；
[0041 ] 設(shè)置于所述第二 IGBT逆變模塊和第二電磁器件變壓器之間的隔直電容。
[0042]通過(guò)以上方案可知，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的逆變器，通過(guò)在所述逆變器內(nèi)設(shè)置兩個(gè)獨(dú)立且規(guī)格相同的第一電磁器件和第二電磁器件，通過(guò)控制所述第一 IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊分別向所述第一電磁器件和第二電磁器件輸出相位相反的激勵(lì)信號(hào)，由于波的疊加原理，即可使得所述第一電磁器件和第二電磁器件產(chǎn)生的電磁噪音的頻率和振幅相同，且兩者相互抵消，因此無(wú)需采用吸音材料，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言成本較低。除此之夕卜，第一 IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊向所述第一電磁器件和第二電磁器件發(fā)送相位相反的激勵(lì)信號(hào)，即可使得所述第一電磁器件和第二電磁器件的漏磁磁場(chǎng)相差180°相角，從而使得兩個(gè)電磁器件產(chǎn)生的工頻電磁輻射和開關(guān)頻率電磁輻射相互抵消，有助于逆變器的進(jìn)一步優(yōu)化。
【附圖說(shuō)明】
[0043]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0044]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例公開的一種逆變器的結(jié)構(gòu)圖；
[0045]圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例公開的一種逆變器的結(jié)構(gòu)圖；
[0046]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的一種IGBT逆變模塊與所述電磁器件的結(jié)構(gòu)及連接關(guān)系示意圖；
[0047]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的另一種IGBT逆變模塊與所述電磁器件的結(jié)構(gòu)及連接關(guān)系不意圖；
[0048]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的再一種IGBT逆變模塊與所述電磁器件的結(jié)構(gòu)及連接關(guān)系示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0050]針對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中逆變器采用結(jié)構(gòu)上添加吸音隔音材料解決電磁噪音及電磁振動(dòng)而導(dǎo)致逆變器的成本較高的問(wèn)題，本申請(qǐng)公開了一種新式的逆變器。
[0051]圖1為本申請(qǐng)公開的逆變器的結(jié)構(gòu)圖，本申請(qǐng)實(shí)施例公開的逆變器包括:
[0052]一種逆變器，包括逆變模塊200，所述逆變器還包括至少一個(gè)降壓隔離模塊100，每個(gè)所述降壓隔離模塊100包括:
[0053]第一IGBT逆變模塊110，及與所述第一 IGBT逆變模塊110的輸出端相連的第一電磁器件120;
[0054]第二IGBT逆變模塊130，及與所述第二 IGBT逆變模塊130的輸出端相連的第二電磁器件140;
[0055]所述第一IGBT逆變模塊110與所述第二 IGBT逆變模塊130的輸入端連接關(guān)系為串聯(lián)或并聯(lián)，所述第一電磁器件120和所述第二電磁器140件的輸出端并聯(lián)，即所述第一電磁器件120和第二電磁器件140的輸出端之間相連；
[0056]所述第一IGBT逆變模塊110與所述第二 IGBT逆變模塊130的電路相同且輸出電壓的相位相反;所述第一電磁器件120和所述第二電磁器件140的規(guī)格相同。
[0057]其中，為了使得所述第一電磁器件120和第二電磁器件140產(chǎn)生的電磁噪音相互抵消，需要保證兩者產(chǎn)生的電磁噪音的頻率以及振幅相同，因此，所述第一電磁器件120和第二電磁器件140的規(guī)格需要相同(即兩者結(jié)構(gòu)、大小完全相同)。
[0058]在本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的技術(shù)方案中的逆變器時(shí)，通過(guò)在所述逆變器內(nèi)設(shè)置兩個(gè)獨(dú)立且規(guī)格相同的第一電磁器件120和第二電磁器件140，通過(guò)控制所述第一 IGBT模塊110和第二 IGBT逆變模塊130分別向所述第一電磁器件120和第二電磁器件140輸出相位相反的激勵(lì)信號(hào)，由于波的疊加原理，即可使得所述第一電磁器件120和第二電磁器件140產(chǎn)生的頻率和振幅相同、方向相反的電磁噪音相互抵消，因此無(wú)需采用吸音材料，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言成本較低。除此之外，第一IGBT逆變模塊和第二IGBT逆變模塊向所述第一電磁器件和第二電磁器件發(fā)送相位相反的激勵(lì)信號(hào)，即可使得所述第一電磁器件和第二電磁器件的漏磁磁場(chǎng)相差180°相角，從而使得兩個(gè)電磁器件產(chǎn)生的工頻電磁輻射和開關(guān)頻率電磁輻射相互抵消，有助于逆變器的進(jìn)一步優(yōu)化。
[0059]其中，需要說(shuō)明的是，所述降壓隔離模塊的數(shù)量可以根據(jù)用戶需求自行設(shè)定，并且，每個(gè)所述降壓隔離模塊均采用上述實(shí)施例公開的方式設(shè)置。
[0060]優(yōu)選地，通過(guò)合理的設(shè)置所述第一電磁器件120和第二電磁器件140之間的位置，可以使得兩者產(chǎn)生的電磁噪音相互抵消，并且，當(dāng)兩者之間的距離為所述第一IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊中開關(guān)管的開關(guān)頻率所引起電磁噪音波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)，抵消效果可以達(dá)到最優(yōu)，因此，本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的技術(shù)方案中，所述第一電磁器件120和第二電磁器件140之間的距離優(yōu)選為所述開關(guān)管開關(guān)頻率電磁噪音波長(zhǎng)的整數(shù)倍。例如，開關(guān)管工作開關(guān)頻率為15KHz時(shí)，其對(duì)應(yīng)的電磁噪音的聲音波長(zhǎng)為22.6mm，所以該電路中所述第一電磁器件120和第二電磁器件140之間的距離可設(shè)計(jì)為22.6_的整數(shù)倍。
[0061]可以理解的是，所述第一電磁器件120和第二電磁器件140除了產(chǎn)生電磁噪音之夕卜，還會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)噪音。為了消除所述第一電磁器件120和第二電磁器件140產(chǎn)生的振動(dòng)噪音，本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的所述第一電磁器件120和第二電磁器件140設(shè)置在同一支架上，最好為剛性支架且其剛性較好，此時(shí)所述第一電磁器件120和第二電磁器件140所產(chǎn)生的振動(dòng)均會(huì)作用在所述支架上。由于通過(guò)所述第一 IGBT模塊110和第二 IGBT逆變模塊130輸出的相位相反的激勵(lì)信號(hào)，使得所述第一電磁器件120和第二電磁器件140產(chǎn)生的振動(dòng)的方向相反，因此，當(dāng)方向相反的振動(dòng)作用在同一個(gè)支架上時(shí)，兩者會(huì)相互抵消。
[0062]下面對(duì)本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的逆變器的降噪原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0063]在所述逆變器工作時(shí)，其產(chǎn)生的振動(dòng)和噪音包括:由工頻引起的電磁振動(dòng)、工頻電磁輻射、工頻噪音；由逆變器中的第一IGBT逆變模塊和第二IGBT逆變模塊中的開關(guān)管高速開關(guān)引起的電磁器件產(chǎn)生的電磁振動(dòng)、電磁噪音、開關(guān)頻率電磁輻射。
[0064]工頻(50Hz/60Hz)降噪及消除電磁工頻振動(dòng):通過(guò)控制所述第一 IGBT模塊110和第二IGBT逆變模塊130輸出的電壓激勵(lì)信號(hào)的相位相反，即相差180°，使得兩個(gè)電磁器件產(chǎn)生的噪音的相位相差180°相角，使得所述第一電磁器件120和第二電磁器件140的振動(dòng)方向及噪音相反，由此即可使得工頻噪音相互抵消；其次，將所述第一電磁器件120和第二電磁器件140安裝在所述同一支架上，由于該頻率下所述第一電磁器件120和第二電磁器件140產(chǎn)生的噪音的波長(zhǎng)為6.8m/5.6m，第一電磁器件120和第二電磁器件140的距離一般遠(yuǎn)小于所述噪音的波長(zhǎng)，通過(guò)所述支架，即可使得所述第一電磁器件120和第二電磁器件140所產(chǎn)生由所述工頻引起的工頻振動(dòng)相互抵消。
[0065]高頻降噪及消除開關(guān)電磁振動(dòng):由于所述IGBT模塊中的開關(guān)管的開關(guān)頻率遠(yuǎn)大于工頻，因此由所述IGBT模塊中的開關(guān)管引起的、由電磁器件產(chǎn)生的的振動(dòng)及開關(guān)電磁噪音頻率遠(yuǎn)大于工頻引起的振動(dòng)和噪音頻率，所述電磁噪音的頻率越高，則該噪音所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)越短，當(dāng)所述IGBT逆變模塊的開關(guān)管的開關(guān)頻率提高到一定值時(shí)，所述電磁器件因此產(chǎn)生的電磁噪音所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)也會(huì)縮短到一定值，通過(guò)調(diào)節(jié)所述第一電磁器件和第二電磁器件之間的距離，使得兩者之間的距離為所述電磁噪音的波長(zhǎng)的整數(shù)倍，此時(shí)由于波的固有屬性，可使得兩者發(fā)出的電磁噪音相互抵消，且由于所述第一電磁器件和第二電磁器件的激勵(lì)信號(hào)相位相反，因此導(dǎo)致所述第一電磁器件和第二電磁器件因所述開關(guān)引起的電磁振動(dòng)也會(huì)相互抵消。
[0066]消磁電磁波輻射:當(dāng)然，本申請(qǐng)上述實(shí)施例中的逆變器在降噪、消除振動(dòng)的同時(shí)，還可達(dá)到消磁電磁輻射的目的:當(dāng)本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的逆變器在工作時(shí)，通過(guò)控制所述第一 IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊向所述第一電磁器件和第二電磁器件發(fā)送相位相反的激勵(lì)信號(hào)，即可使得所述第一電磁器件和第二電磁器件的漏磁磁場(chǎng)相差180°相角，從而使得兩個(gè)電磁器件產(chǎn)生的工頻電磁輻射和開關(guān)頻率電磁輻射相互抵消。
[0067]本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的所述第一電磁器件120和第二電磁器件140均可以為變壓器或電抗器。
[0068]可以理解的是，當(dāng)所述第一電磁器件120和所述第二電磁器件140均為變壓器時(shí)，所述變壓器輸出的信號(hào)為交流信號(hào)，因此需要對(duì)該交流信號(hào)進(jìn)行整流處理，因此參見(jiàn)圖2，所述降壓隔離模塊100還可以包括:第一整流電路150和第二整流電路160，其中，所述第一整流電路150與所述第一電磁器件120相連，用于對(duì)所述第一電磁器件120輸出的電信號(hào)進(jìn)行整流，所述第二整流電路160與所述第二電磁器件140相連，用于對(duì)所述第二電磁器件140輸出的電信號(hào)進(jìn)行整流。其中，所述第一整流電路150和第二整流電路160可以為橋式整流電路。
[0069]其中，參見(jiàn)圖3、圖4和圖5，本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二 IGBT逆變模塊130可以均為H橋逆變電路或半橋逆變電路。
[0070]參見(jiàn)圖3，當(dāng)所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二IGBT逆變模塊130均為H橋逆變電路時(shí)，所述第一電磁器件120和所述第二電磁器件140均為變壓器。每個(gè)所述H橋逆變電路的結(jié)構(gòu)包括:
[0071]并聯(lián)的第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路，所述第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路的兩個(gè)公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊110和所述第二 IGBT逆變模塊130的正輸入端和負(fù)輸入端可與電網(wǎng)相連；
[0072]所述第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路均包括:
[0073]第一開關(guān)管Kl;
[0074]第一端與所述第一開關(guān)管Kl的第二端相連的第二開關(guān)管K2;
[0075]與所述第一開關(guān)管Kl反向并聯(lián)的第一二極管Dl，所述第一二極管Dl的陽(yáng)極與所述第一開關(guān)管Kl的第二端相連；
[0076]與所述第二開關(guān)管K2反向并聯(lián)的第二二極管D2，所述第二二極管D2的陽(yáng)極與所述第二開關(guān)管K2的第二端相連；
[0077]所述第一開關(guān)管支路中所述第一開關(guān)管Kl和第二開關(guān)管K2的公共端作為所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二IGBT逆變模塊130的正輸出端，所述第二開關(guān)管支路中所述第一開關(guān)管Kl和第二開關(guān)管K2的公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊110和所述第二IGBT逆變模塊130的負(fù)輸出端。具體的，所述第一開關(guān)管Kl和第二開關(guān)管K2的類型可以根據(jù)用戶需求自行選擇，例如其可以為三極管、IGBT和MOS管，參見(jiàn)圖3，圖3中的所述第一開關(guān)管Kl和第二開關(guān)管K2均為IGBT和PMOS管時(shí)，其中所述第一開關(guān)管Kl和第二開關(guān)管K2的第一端指的是所述PMOS管的漏極和IGBT的集電極，第二端指的是所述PMOS管的源極和IGBT的源極的發(fā)射極。
[0078]作為所述第一電磁器件120的變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第一IGBT逆變模塊110的正輸出端和負(fù)輸出端對(duì)應(yīng)相連，作為所述第一電磁器件120的變壓器的次級(jí)線圈與所述第一整流電路150的輸入端相連;作為所述第二電磁器件140的變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第二 IGBT逆變模塊130的正輸出端和負(fù)輸出端對(duì)應(yīng)相連，作為所述第二電磁器件140的變壓器的次級(jí)線圈與所述第二整流電路160的輸入端相連。
[0079]在連接所述第一IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊相對(duì)應(yīng)的變壓器時(shí)，用戶可以依據(jù)需要自行連接，例如，參見(jiàn)圖3，所述變壓器的初級(jí)線圈的同名端與其對(duì)應(yīng)的IGBT逆變模塊的正輸出端相連、異名端與其對(duì)應(yīng)的IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端相連，所述變壓器的次級(jí)線圈與其對(duì)應(yīng)的整流電路的輸入端相連，當(dāng)其對(duì)應(yīng)的整流電路為橋式整流電路時(shí)，所述變壓器的次級(jí)線圈的同名端與該橋式整流電路的正輸入端相連，所述次級(jí)線圈的異名端與該橋式整流電路的負(fù)輸入端相連。
[0080]參見(jiàn)圖4和圖5，當(dāng)所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二IGBT逆變模塊130均為半橋逆變電路時(shí)，所述第一電磁器件120和所述第二電磁器件140可以為變壓器或電抗器。每個(gè)所述半橋電路包括:
[0081]串聯(lián)的第三開關(guān)管K3和第四開關(guān)管K4;所述第三開關(guān)管K3的第二端與第四開關(guān)管K4的第一端相連，且所述第三開關(guān)管K3的第一端與第四開關(guān)管K4的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊110和所述第二 IGBT逆變模塊130的正輸入端和負(fù)輸入端；
[0082]第三開關(guān)管K3兩端反向并聯(lián)第三二極管D3，所述第三二極管D3的陽(yáng)極與所述第三開關(guān)管K3的第二端相連；
[0083]第四開關(guān)管K4兩端反向并聯(lián)第四二極管D4，所述第四二極管D4的陽(yáng)極與所述第四開關(guān)管K4的第二端相連；
[0084]所述第四開關(guān)管K4的第一端分別作為所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二 IGBT逆變模塊130的正輸出端;所述第四開關(guān)管K4的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊110和所述第二 IGBT逆變模塊130的負(fù)輸出端；
[0085]作為所述第一電磁器件120的變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第一IGBT逆變模塊110的正輸出端和負(fù)輸出端對(duì)應(yīng)相連，該變壓器的次級(jí)線圈與所述第一整流電路150的輸入端相連；作為所述第二電磁器件的變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第二IGBT逆變模塊130的正輸出端和負(fù)輸出端一一對(duì)應(yīng)相連，所述該變壓器的次級(jí)線圈與所述第二整流電路160的輸入端相連。
[0086]其中，所述第三開關(guān)管K3和第四開關(guān)管K4的類型可以根據(jù)用戶需求自行選取，例如，其可以為三極管、IGBT和MOS管，參見(jiàn)圖4和5時(shí)，當(dāng)所述第三開關(guān)管K3和第四開關(guān)管K4為IGBT或MOS管時(shí)，第一端指的是所述MOS管的漏極和IGBT的集電極，第二端指的是所述MOS管的源極和IGBT的發(fā)射極，S卩，所述第三開關(guān)管K3的源極或發(fā)射極與所述第三二極管D3的陽(yáng)極相連、漏極或集電極與所述第三二極管D3的陰極相連;所述第四開關(guān)管K4的源極或發(fā)射極與所述第四二極管D4的陽(yáng)極相連、漏極或集電極與所述第四二極管D4的陰極相連。
[0087]參見(jiàn)圖4，當(dāng)所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二IGBT逆變模塊130均為半橋逆變電路時(shí)，所述第一電磁器件120和所述第二電磁器件140均為變壓器時(shí)，所述變壓器的初級(jí)線圈的一端與其對(duì)應(yīng)的IGBT逆變模塊的正輸出端相連、另一端與其對(duì)應(yīng)的IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端相連，所述變壓器的次級(jí)線圈與其對(duì)應(yīng)的整流電路的輸入端相連。具體的，參見(jiàn)圖4，所述變壓器的初級(jí)線圈的同名端與其對(duì)應(yīng)的IGBT逆變模塊的正輸出端相連、異名端與其對(duì)應(yīng)的IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端相連，所述變壓器的次級(jí)線圈與其對(duì)應(yīng)的整流電路的輸入端相連，當(dāng)所述第一整流電路150和第二整流電路160為橋式整流電路時(shí)，所述變壓器的次級(jí)線圈的同名端與其對(duì)應(yīng)的橋式整流電路的正輸入端相連，所述次級(jí)線圈的異名端與其對(duì)應(yīng)的橋式整流電路的負(fù)輸入端相連。
[0088]參見(jiàn)圖5，當(dāng)所述第一IGBT逆變模塊110和所述第二IGBT逆變模塊130均為半橋逆變電路時(shí)，所述第一電磁器件120和所述第二電磁器件140均為電抗器時(shí)，作為所述第一電磁器件120的電抗器的第一端與所述第一IGBT逆變模塊110的正輸出端相連、第二端與所述逆變模塊200的輸入端相連，作為所述第二電磁器件120的電抗器的第一端與所述第二 IGBT逆變模塊130的正輸出端相連、第二端與所述逆變模塊200的輸入端相連，其中，所述逆變模塊200可以包括正輸入端和負(fù)輸入端，此時(shí)，作為所述第一電磁器件120和第二電磁器件140的電抗器的第二端與所述逆變模塊200的正輸入端相連，所述逆變模塊200的負(fù)輸入端與第一 IGBT逆變模塊110和第二 IGBT逆變模塊130的負(fù)輸出端相連。
[0089]當(dāng)然，為了隔離所述IGBT模塊向與其對(duì)應(yīng)的變壓器輸出的直流信號(hào)，參見(jiàn)圖3和4，上述降壓隔離模塊中還可以包括:
[0090]設(shè)置于所述第一 IGBT逆變模塊110和作為所述第一電磁器件120的變壓器之間的隔直電容CO;
[0091]設(shè)置于所述第二IGBT逆變模塊130和作為所述第二電磁器件140的變壓器之間的隔直電容CO;
[0092]具體的，所述隔直電容CO設(shè)置于IGBT逆變模塊的正輸出端與與其對(duì)應(yīng)的變壓器的初級(jí)線圈的同名端之間。
[0093 ]可以理解的是，為了保證所述第一 IGBT模塊和第二 IGBT逆變模塊的輸入電流的穩(wěn)定性，參見(jiàn)圖3、4和5，本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的技術(shù)方案中，所述降壓隔離模塊100還可以包括:與所述IGBT逆變模塊并聯(lián)的濾波電路，所述濾波電路可以為濾波電容Cl，優(yōu)選地，濾波電容Cl兩端還可以并聯(lián)濾波電阻Rl。
[0094]其中，當(dāng)所述第一電磁器件和第二電磁器件為電抗器時(shí)，為了保證所述電抗器的輸出信號(hào)的穩(wěn)定性，參見(jiàn)圖5，本申請(qǐng)上述實(shí)施例公開的技術(shù)方案中，所述電抗器與逆變模塊200之間還設(shè)置有一單向二極管DO和濾波電容C2，所述單向二極管DO與所述電抗器串聯(lián)且其陽(yáng)極與所述電抗器的第二端相連，陰極與所述逆變模塊200相連，所述濾波電容C2的一端與所述單向二極管DO的陰極相連，另一端接地。
[0095]本說(shuō)明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。
[0096]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種逆變器，包括逆變模塊，其特征在于，所述逆變器還包括至少一個(gè)降壓隔離模塊，所述降壓隔離模塊的輸出端與所述逆變模塊相連，所述降壓隔離模塊包括: 第一 IGBT逆變模塊，及與所述第一 IGBT逆變模塊的輸出端相連的第一電磁器件； 第二 IGBT逆變模塊，及與所述第二 IGBT逆變模塊的輸出端相連的第二電磁器件； 所述第一 IGBT逆變模塊與所述第二 IGBT逆變模塊的輸入端串聯(lián)或并聯(lián)，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件的輸出端并聯(lián)后作為所述降壓隔離模塊的輸出端； 所述第一 IGBT逆變模塊與所述第二 IGBT逆變模塊的電路相同且輸出電壓的相位相反；所述第一電磁器件和所述第二電磁器件的規(guī)格相同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逆變器，其特征在于，所述第一IGBT逆變模塊與所述第二 IGBT逆變模塊均包括開關(guān)管，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件之間的距離為所述開關(guān)管開關(guān)頻率電磁噪音波長(zhǎng)的整數(shù)倍。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的逆變器，其特征在于，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件設(shè)置在同一支架上。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的逆變器，其特征在于，所述電磁器件為電抗器或變壓器。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的逆變器，其特征在于，所述第一電磁器件和所述第二電磁器件均為變壓器時(shí)，所述降壓隔離模塊還包括: 與所述第一電磁器件輸出端相連的第一整流電路，所述第一整流電路的輸出端與所述逆變模塊相連； 與所述第二電磁器件輸出端相連的第二整流電路，所述第一整流電路的輸出端與所述逆變模塊相連。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的逆變器，其特征在于，所述第一整流電路和第二整流電路為橋式整流電路。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的逆變器，其特征在于，所述第一IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊均為H橋逆變電路； 所述H橋逆變電路包括: 并聯(lián)的第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路，所述第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路的兩個(gè)公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸入端和負(fù)輸入端； 所述第一開關(guān)管支路和第二開關(guān)管支路均包括: 串聯(lián)的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管;所述第一開關(guān)管的第二端與第二開關(guān)管的第一端相連，且所述第一開關(guān)管的第一端和第二開關(guān)管的第二端作為所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的公共端； 與所述第一開關(guān)管反向并聯(lián)的第一二極管，第一二極管的陽(yáng)極與所述第一開關(guān)管的第二端相連； 與所述第二開關(guān)管反向并聯(lián)的第二二極管，所述第二二極管的陽(yáng)極與所述第二開關(guān)管的第二端相連； 所述第一開關(guān)管支路中所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的公共端分別作為所述第一IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端，所述第二開關(guān)管支路中所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的公共端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端； 所述第一電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第一 IGBT逆變模塊正輸出端和負(fù)輸出端相連，次級(jí)線圈與所述第一整流電路的輸入端相連;所述第二電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第二 IGBT逆變模塊正輸出端和負(fù)輸出端相連，次級(jí)線圈與所述第二整流電路的輸入端相連。8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的逆變器，其特征在于，所述第一IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊均為半橋逆變電路， 所述半橋逆變電路包括:串聯(lián)的第三開關(guān)管和第四開關(guān)管;所述第三開關(guān)管的第二端與第四開關(guān)管的第一端相連，且所述第三開關(guān)管的第一端與第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸入端和負(fù)輸入端； 第三開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第三二極管，所述第三二極管的陽(yáng)極與所述第三開關(guān)管的第二端相連； 第四開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第四二極管，所述第四二極管的陽(yáng)極與所述第四開關(guān)管的第二端相連； 所述第四開關(guān)管的第一端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端;所述第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端； 所述第一電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第一 IGBT逆變模塊的正輸出端和負(fù)輸出端一一對(duì)應(yīng)相連，所述第一電磁器件變壓器的次級(jí)線圈與所述第一整流電路的輸入端相連;所述第二電磁器件變壓器的初級(jí)線圈的兩端分別與所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端和負(fù)輸出端一一對(duì)應(yīng)相連，所述第二電磁器件變壓器的次級(jí)線圈與所述第二整流電路的輸入端相連。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的逆變器，其特征在于，所述第一電磁器件和第二電磁器件均為電抗器，所述第一 IGBT逆變模塊和第二 IGBT逆變模塊均為半橋逆變電路， 所述半橋逆變電路包括: 所述半橋逆變電路包括:串聯(lián)的第三開關(guān)管和第四開關(guān)管;所述第三開關(guān)管的第二端與第四開關(guān)管的第一端相連，且所述第三開關(guān)管的第一端與第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸入端和負(fù)輸入端； 第三開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第三二極管，所述第三二極管的陽(yáng)極與所述第三開關(guān)管的第二端相連； 第四開關(guān)管兩端反向并聯(lián)第四二極管，所述第四二極管的陽(yáng)極與所述第四開關(guān)管的第二端相連； 所述第四開關(guān)管的第一端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端;所述第四開關(guān)管的第二端分別作為所述第一 IGBT逆變模塊和所述第二 IGBT逆變模塊的負(fù)輸出端； 所述第一電磁器件電抗器的第一端與所述第一 IGBT逆變模塊的正輸出端相連，第二端及所述負(fù)輸出端與所述逆變模塊相連;所述第二電磁器件電抗器的第一端與所述第二 IGBT逆變模塊的正輸出端相連，第二端及所述負(fù)輸出端與所述逆變模塊相連。10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的逆變器，其特征在于，所述降壓隔離模塊還包括:設(shè)置于所述第一 IGBT逆變模塊和第一電磁器件變壓器之間的隔直電容；設(shè)置于所述第二 IGBT逆變模塊和第二電磁器件變壓器之間的隔直電容。
【文檔編號(hào)】H02M3/335GK205490133SQ201521140617
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日
【發(fā)明人】唐傳明, 楊北輝
【申請(qǐng)人】深圳市英威騰交通技術(shù)有限公司