一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及電路技術(shù)，尤其涉及一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路。
【背景技術(shù)】
[0002]小功率電子產(chǎn)品經(jīng)常采用反激式開(kāi)關(guān)電源，從交流電網(wǎng)獲取電能并轉(zhuǎn)換成直流電源。
[0003]如圖1所示為現(xiàn)有反激式開(kāi)關(guān)電源的電路圖，包括橋型整流器B1、變壓器Tl、初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2、次級(jí)儲(chǔ)能電容CE1、第一二極管Dl和電源開(kāi)關(guān)晶體管V2。工作原理如下:市電與橋型整流器的端部2和端部3相連，橋型整流器的端部4接地，輸出端部I輸出全波整流電流，橋型整流器給初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2充電，初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2電容值的大小取決于負(fù)載RL功率的大小，具體的當(dāng)負(fù)載功率大時(shí)初級(jí)儲(chǔ)能電容的電容值大；當(dāng)負(fù)載功率小時(shí)初級(jí)儲(chǔ)能電容的電容值小。由于橋型整流器輸入端的頻率為50Hz，而開(kāi)關(guān)信號(hào)輸入端的頻率可達(dá)到幾十到一百kHz，因此初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2上的電壓基本恒定為270V-310V。
[0004]具體的工作過(guò)程如下:當(dāng)開(kāi)關(guān)信號(hào)輸入為高電平時(shí)，電源開(kāi)關(guān)晶體管V2的柵極和源極之間電壓大于開(kāi)啟電壓，電源開(kāi)關(guān)晶體管V2導(dǎo)通，此時(shí)初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2放電，變壓器Tl的初級(jí)線圈中的電流線性增大，此時(shí)初級(jí)線圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)方向上正下負(fù)，由此次級(jí)線圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)上負(fù)下正，此時(shí)第一二極管Dl不導(dǎo)通；當(dāng)開(kāi)關(guān)信號(hào)輸入為低電平時(shí)，電源開(kāi)關(guān)晶體管V2的柵極和源極之間電壓小于開(kāi)啟電壓，電源開(kāi)關(guān)晶體管V2不導(dǎo)通，此時(shí)變壓器Tl的初級(jí)線圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為上負(fù)下正，次級(jí)線圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為上正下負(fù)，此時(shí)第一二極管Dl導(dǎo)通，并給次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl充電，如此開(kāi)關(guān)信號(hào)周期性的變化，變壓器周期性的轉(zhuǎn)化能量，同時(shí)給負(fù)載RL提供一個(gè)接近直流的正輸出電壓。
[0005]對(duì)于待機(jī)功率比較低(比如0.5W的指示燈)的負(fù)載RL，經(jīng)常面臨一個(gè)問(wèn)題:開(kāi)關(guān)電源停止工作后，作為載RL的電源指示燈熄滅較慢(比如10秒)。造成這個(gè)問(wèn)題的一種典型原因是，切斷交流電源后，開(kāi)關(guān)電源的初級(jí)線圈中的電路會(huì)被迅速切斷，停止供給電流，但開(kāi)關(guān)電源的次級(jí)線圈整流后的次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl仍儲(chǔ)存了較多的電能，在待機(jī)功率比較低的情況下電能消耗較慢，因此電源指示燈熄滅速度慢，用戶體驗(yàn)差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路，以實(shí)現(xiàn)電源關(guān)閉后的電路迅速放電。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路，包括:橋型整流器、變壓器、初級(jí)儲(chǔ)能電容、次級(jí)儲(chǔ)能電容、第一二極管和電源開(kāi)關(guān)晶體管，還包括放電電路，所述放電電路包括:串聯(lián)的第二二極管和放電電容，與所述變壓器的次級(jí)線圈相連，且與所述第一二極管和次級(jí)儲(chǔ)能電容并聯(lián)，所述放電電容的電容值小于所述次級(jí)儲(chǔ)能電容的電容值；放電開(kāi)關(guān)，分別與所述放電電容和所述次級(jí)儲(chǔ)能電容并聯(lián)，用于在所述放電電容和所述次級(jí)儲(chǔ)能電容放電過(guò)程中形成電壓差時(shí)導(dǎo)通，將所述次級(jí)儲(chǔ)能電容接地放電。
[0008]本發(fā)明通過(guò)在反激式開(kāi)關(guān)電源電路的次級(jí)線圈上設(shè)置放電電路，
[0009]當(dāng)開(kāi)關(guān)電源停止工作后，能夠迅速將次級(jí)儲(chǔ)能電容中的電能釋放掉，從而使負(fù)載的電源指示燈快速熄滅，提升用戶體驗(yàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖；
[0011]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖；
[0012]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的另一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖；
[0013]圖4是本發(fā)明實(shí)施例三提供的另一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖；
[0014]圖5是本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0016]實(shí)施例一
[0017]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖，本實(shí)施例適用于負(fù)載需要輸出正電壓。本實(shí)施例提供的一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路，包括:橋型整流器B1、變壓器Tl、初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2、次級(jí)儲(chǔ)能電容CE1、第一二極管Dl和電源開(kāi)關(guān)晶體管V2，還包括放電電路10。所述放電電路10包括:串聯(lián)的第二二極管D2和放電電容Cl，與所述變壓器Tl的次級(jí)線圈相連，且與所述第一二極管Dl和次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl并聯(lián)，所述放電電容Cl的電容值為0.01 μ F-1 μ F，所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl的電容值為100 μ F-10000 μ F，所述放電電容Cl的電容值小于所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl的電容值；放電開(kāi)關(guān)11，分別與所述放電電容Cl和所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl并聯(lián)，用于在所述放電電容Cl和所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl放電過(guò)程中形成電壓差時(shí)導(dǎo)通，將所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl接地放電。其中，初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2的電容值為100 μ F左右，RL為負(fù)載，R4為限流電阻。
[0018]所述變壓器的初級(jí)線圈的同名端與電源開(kāi)關(guān)晶體管V2連接，異名端與初級(jí)儲(chǔ)能電容CE2連接；所述變壓器的次級(jí)線圈的同名端與第一二極管Dl和第二二極管D2連接，異名端接地。
[0019]本實(shí)施例的技術(shù)方案，為電源電路增設(shè)了放電電路，可以迅速放電，避免在斷開(kāi)后負(fù)載仍然工作。本實(shí)施例具體是利用了放電電容Cl和次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl的電容關(guān)系，使得放電電容Cl能夠先于次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl進(jìn)行快速放電，從而導(dǎo)通放電開(kāi)關(guān)，讓次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl能夠迅速放電。
[0020]實(shí)施例二
[0021]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖，實(shí)施例二在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，優(yōu)選，放電開(kāi)關(guān)11為晶體管VI，所述放電開(kāi)關(guān)晶體管Vl的集電極與所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl相連，基極與所述放電電容Cl相連，發(fā)射極接地。在輸出電壓為正時(shí)，優(yōu)選的，放電開(kāi)關(guān)為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET，MOS管)，優(yōu)選的，P溝道MOS管的源極S與所述次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl相連，柵極G與所述放電電容Cl相連，漏極D接地。
[0022]本實(shí)施例的技術(shù)方案中，放電電路中的放電開(kāi)關(guān)選用P溝道MOS管，本實(shí)施例具體利用了 P溝道MOS管的柵極G和源極S之間形成的電壓差，從而使P溝道MOS管的源極S和漏極D導(dǎo)通，讓次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl通過(guò)P溝道MOS管的源極S和漏極D能夠迅速放電。
[0023]實(shí)施例三
[0024]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種反激式開(kāi)關(guān)電源電路圖，優(yōu)選，在實(shí)施例二的基礎(chǔ)上，還包括充電電阻Rl，串聯(lián)在第二二極管D2和放電電容Cl之間，其中充電電阻Rl的阻值為100 Ω以內(nèi)。
[0025]優(yōu)選的，在實(shí)施例二的基礎(chǔ)上，還包括:第一放電電阻R2，與所述放電電容Cl并聯(lián)，所述第一放電電阻R2的電阻值為10k Ω-1M Ω。
[0026]優(yōu)選的，在實(shí)施例二的基礎(chǔ)上，還包括第二放電電阻R3，連接在所述放電開(kāi)關(guān)晶體管Vl的發(fā)射極與地之間，其中第二放電電阻R3的電阻值為10 Ω-1000 Ω。
[0027]該電路具體工作原理如下:當(dāng)開(kāi)關(guān)電源正常工作時(shí)，由于充電電阻Rl電阻值很小，因此次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl和放電電容Cl上電壓基本相等，此時(shí)P溝道MOS管Vl不導(dǎo)通；當(dāng)開(kāi)關(guān)電源停止工作后，放電電容Cl和次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl分別通過(guò)第一放電電阻R2和負(fù)載RL放電，由于放電電容Cl的電容值遠(yuǎn)小于次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl的電容值，因此放電電容Cl的放電速度遠(yuǎn)大于次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl的放電速度，此時(shí)P溝道MOS管Vl柵極G和源極S之間電壓大于其開(kāi)啟電壓，因此源極S和漏極D之間導(dǎo)通，次級(jí)儲(chǔ)能電容CEl上