浪涌電流抑制裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種浪涌電流抑制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有的支持熱插拔的電子裝置中，如個人電腦的USB接口、音頻接口或其它類 型的接口在使用過程中容易產(chǎn)生浪涌電流。浪涌電流是指電腦周邊設(shè)備在與電腦接口相連 接的過程中，若電腦周邊設(shè)備和電腦接口之間的電壓差過大時會產(chǎn)生過大的電流。浪涌電 流會對電腦周邊設(shè)備造成損壞，甚至對人體造成傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種可避免產(chǎn)生浪涌電流的浪涌電流抑制裝置。
[0004] -種浪涌電流抑制裝置，包括一電壓比較電路、一電阻控制電路、一電容控制電路 及一開關(guān)電路，所述電壓比較電路電性連接一電壓輸入端和一電壓輸出端以分別接收一輸 入電壓和一輸出電壓，并將所述輸入電壓和所述輸出電壓進行比較后以輸出一第一控制信 號，所述電阻控制電路用以接收一直流驅(qū)動電壓，所述電阻控制電路和所述電容控制電路 分別用以接收所述第一控制信號，所述電阻控制電路根據(jù)接收到的第一控制信號通過所述 直流驅(qū)動電壓給所述電容控制電路充電，所述電容控制電路在充滿電后輸出一第二控制信 號，所述開關(guān)電路接收所述第二控制信號，并根據(jù)所述第二控制信號將所述電壓輸入端和 所述電壓輸出端電性連通。
[0005] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，在上述浪涌電流抑制裝置中，所述電阻控制電路根據(jù)接收到的 第一控制信號通過所述直流驅(qū)動電壓給所述電容控制電路充電，所述電容控制電路在充滿 電后輸出一第二控制信號，所述開關(guān)電路接收所述第二控制信號，并根據(jù)所述第二控制信 號將所述電壓輸入端和所述電壓輸出端電性連通，避免了所述電壓輸入端和所述電壓輸出 端相接觸的過程中產(chǎn)生浪涌電流。
【附圖說明】
[0006] 圖1是本發(fā)明浪涌電流抑制裝置的一較佳實施方式的一框圖。
[0007] 圖2是圖1中的浪涌電流抑制裝置的電路圖。
[0008] 主要元件符號說明
如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0009] 請參閱圖1，在本發(fā)明的一較佳實施方式中，一浪涌電流抑制裝置包括一電壓比較 電路100、一電阻控制電路200、一電容控制電路300及一開關(guān)電路400。所述電壓比較電 路100電性連接一電壓輸入端Vin和一電壓輸出端Vout以分別接收一輸入電壓和一輸出 電壓，并將所述輸入電壓和所述輸出電壓進行比較后以輸出一第一控制信號。所述電阻控 制電路200用以接收一直流驅(qū)動電壓Vcc，所述電阻控制電路200和所述電容控制電路300 分別用以接收所述第一控制信號。所述電阻控制電路200根據(jù)接收到的第一控制信號通過 所述直流驅(qū)動電壓Vcc給所述電容控制電路300充電。所述電容控制電路300在充滿電后 輸出一第二控制信號。所述開關(guān)電路400接收所述第二控制信號，并根據(jù)所述第二控制信 號將所述電壓輸入端Vin和所述電壓輸出端Vout電性連通。
[0010] 請參閱圖2，所述電壓比較電路100包括一第一電阻R1、一第二電阻R2及一比較 器U。所述比較器U包括一同相輸入端、一反相輸入端及一輸出端。所述第一電阻R1的一 端電性連接所述電壓輸入端Vin，所述第一電阻R1的另一端經(jīng)由所述第二電阻R2接地。所 述比較器U的同相輸入端電性連接所述第一電阻R1和所述第二電阻R2之間的連接節(jié)點。 所述比較器U的反相輸入端電性連接所述電壓輸出端Vout。所述比較器U的輸出端用以輸 出所述第一控制信號。
[0011] 所述電阻控制電路200包括一第一場效應(yīng)晶體管Q1、一第三電阻R3及一第四電阻 R4。所述第一場效應(yīng)晶體管Q1包括一柵極、一源極及一漏極。所述第一場效應(yīng)晶體管Q1 的柵極電性連接所述比較器U的輸出端用以接收所述第一控制信號。所述第一場效應(yīng)晶體 管Q1的源極經(jīng)由所述第三電阻R3電性連接所述第一場效應(yīng)晶體管Q1的漏極。所述第一 場效應(yīng)晶體管Q1的漏極經(jīng)由所述第四電阻R4接收所述直流驅(qū)動電壓Vcc。
[0012] 所述電容控制電路300包括一第二場效應(yīng)晶體管Q2和一電容C。所述第二場效應(yīng) 晶體管Q2包括一柵極、一源極及一漏極。所述第二場效應(yīng)晶體管Q2的柵極電性連接所述 比較器U的輸出端用以接收所述第一控制信號。所述第二場效應(yīng)晶體管Q2的源極經(jīng)由所 述電容C接地。所述第二場效應(yīng)晶體管Q2的漏極電性連接所述第一場效應(yīng)晶體管Q1的源 極。所述第二場效應(yīng)晶體管Q2的漏極用以輸出所述第二控制信號。
[0013] 所述開關(guān)電路400包括一第三場效應(yīng)晶體管Q3。所述第三場效應(yīng)晶體管Q3包括 一柵極、一源極及一漏極。所述第三場效應(yīng)晶體管Q3的柵極電性連接所述第二場效應(yīng)晶體 管Q2的漏極以接收所述第二控制信號。所述第三場效應(yīng)晶體管Q3的源極電性連接所述電 壓輸出端Vout。所述第三場效應(yīng)晶體管Q3的漏極電性連接所述電壓輸入端Vin。其中，所 述第一場效應(yīng)晶體管Q1為P溝道場效應(yīng)晶體管，所述第二場效應(yīng)晶體管Q2和所述第三場 效應(yīng)晶體管Q3為N溝道場效應(yīng)晶體管。
[0014] 工作時，所述第一電阻R1和所述第二電阻R2將所述輸入電壓分壓為一較低的輸 入電壓。當所述較低的輸入電壓和所述輸出電壓之間的電壓差大于一參考電壓時，所述比 較器U的輸出端輸出一較高電位的第一控制信號。所述第一場效應(yīng)晶體管Q1截止。所述 第二場效應(yīng)晶體管Q2導(dǎo)通。所述直流驅(qū)動電壓Vcc順次經(jīng)由所述第四電阻R4、所述第三電 阻R3及所述第二場效應(yīng)晶體管Q2給所述電容C充電。當所述電容C充滿電后，所述第二 場效應(yīng)晶體管Q2的漏極輸出一高電位的第二控制信號。所述第三場效應(yīng)晶體管Q3導(dǎo)通。 所述電壓輸入端Vin的輸入電壓被輸出給所述電壓輸出端Vout。
[0015] 由于所述電容C的充電時間與所述第三電阻R3和所述第四電阻R4的阻值之和成 正比，所述電容C在經(jīng)過較