一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本申請涉及電路領(lǐng)域，特別涉及一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)的發(fā)展，人們對功率電路中保護(hù)電路的要求越來越高。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中通常會在電子電路的電源端口連接開機(jī)防浪涌電路，以保護(hù)電子設(shè)備，現(xiàn)有的保護(hù)電路中的電阻值一般在500歐姆至1000歐姆之間，這樣，即使負(fù)載端所需要的電流僅僅為10mA，保護(hù)電路上也會有5V以上的壓降，而且保護(hù)電路上一直存在能量損耗。
[0004]因此，如何有效的降低保護(hù)電路上的壓降和能量損耗，使得保護(hù)電路上幾乎不存在壓降和能量損耗是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請所要解決的技術(shù)問題是提供一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中保護(hù)電路上也會有5V以上的壓降，而且保護(hù)電路上一直存在能量損耗的問題。
[0006]其具體方案如下:
[0007]一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:
[0008]儲能元件、功率電路和保護(hù)電路；
[0009]所述儲能元件與所述保護(hù)電路的輸入端相連接，所述保護(hù)電路的輸出端與功率電路中的電容相連接，保護(hù)電路的控制端與功率電路中的控制端相連接；
[0010]其中，所述保護(hù)電路包括MOS管和電阻；所述MOS管和所述電阻并聯(lián)連接，所述MOS管的源極和漏極分別與所述電阻的兩端點(diǎn)相連接。
[0011]上述的保護(hù)系統(tǒng)，可選的，所述保護(hù)電路還包括:
[0012]穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管與所述MOS管并聯(lián)連接，所述穩(wěn)壓二極管的正極連接所述MOS管的源極，所述穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接所述MOS管的漏極。
[0013]上述的保護(hù)系統(tǒng)，可選的，所述保護(hù)電路的個數(shù)為一個或者多個。
[0014]上述的保護(hù)系統(tǒng)，可選的，當(dāng)所述保護(hù)電路的個數(shù)為多個時，多個所述保護(hù)電路并聯(lián)連接，每個所述保護(hù)電路的輸入端均與所述儲能元件相連接，每個所述保護(hù)電路的輸出端分別與功率電路中與所述保護(hù)電路相匹配的電容相連接。
[0015]上述的保護(hù)系統(tǒng)，可選的，所述儲能元件包括:電池。
[0016]上述的保護(hù)系統(tǒng)，可選的，所述儲能元件包括:電池組。
[0017]上述的保護(hù)系統(tǒng)，可選的，所述儲能元件包括:超級電容。
[0018]本申請?zhí)峁┑囊环N功率電路保護(hù)系統(tǒng)中，包括:儲能元件、功率電路和保護(hù)電路；所述儲能元件與所述保護(hù)電路的輸入端相連接，所述保護(hù)電路的輸出端與功率電路中的電容相連接，保護(hù)電路的控制端與功率電路中的控制端相連接；其中，所述保護(hù)電路包括MOS管和電阻；所述MOS管和所述電阻并聯(lián)連接，所述MOS管的源極和漏極分別與所述電阻的兩端點(diǎn)相連接。當(dāng)所述的保護(hù)電路應(yīng)用到電子電路中時，由于MOS管和電阻并聯(lián)，使得接通時電阻所在的支路導(dǎo)通，而MOS管所在的支路處于截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)電子電路達(dá)到預(yù)設(shè)的條件時，控制所述MOS管導(dǎo)通，然而MOS管的電阻值非常小，使得電流不再經(jīng)過電阻所在的支路，這樣，MOS管所在的支路的壓降和能量損耗非常小，幾乎相當(dāng)于不存在壓降和能量損耗，解決了現(xiàn)有技術(shù)中保護(hù)電路消耗壓降的能量損耗的問題。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本申請的一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本申請的一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)另一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖，對本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。
[0023]參考圖1，示出了本申請一種功率電路保護(hù)系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，可以包括:
[0024]儲能元件、功率電路和保護(hù)電路。
[0025]所述儲能元件與所述保護(hù)電路的輸入端相連接，所述保護(hù)電路的輸出端與功率電路中的電容相連接，保護(hù)電路的控制端與功率電路中的控制端相連接，其中所述保護(hù)電路包括MOS管和電阻；所述MOS管和所述電阻并聯(lián)連接，所述MOS管的源極和漏極分別與所述電阻的兩端點(diǎn)相連接。
[0026]本申請中，當(dāng)所述的保護(hù)電路應(yīng)用到電子電路中時，由于MOS管和電阻并聯(lián)，使得接通時電阻所在的支路導(dǎo)通，而MOS管所在的支路處于截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)電子電路達(dá)到預(yù)設(shè)的條件時，控制所述MOS管導(dǎo)通，然而MOS管的電阻值非常小，使得電流不再經(jīng)過電阻所在的支路，這樣，MOS管所在的支路的壓降和能量損耗非常小，幾乎相當(dāng)于不存在壓降和能量損耗，解決了現(xiàn)有技術(shù)中保護(hù)電路消耗壓降的能量損耗的問題。
[0027]本申請中的保護(hù)電路，可選的，還包括:
[0028]穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管與所述MOS管并聯(lián)連接，所述穩(wěn)壓二極管的正極連接所述MOS管的源極，所述穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接所述MOS管的漏極。
[0029]本申請中保護(hù)電路中的電阻值通?？梢圆捎?0歐姆至1000歐姆。
[0030]圖中Ql和Rl為防浪涌保護(hù)電路，Cl為功率電路內(nèi)部的大電容，CONl為MOS管的控制信號，POffl為功率線。在VINl上電瞬間，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，此時通過電阻Rl以小電流給電容Cl充電，POffl的電壓緩慢上升，此時功率電路中的檢測