本發(fā)明涉及一種驅(qū)動電源，具體是指一種炭素焙燒爐智能排料裝置用驅(qū)動電源。

背景技術(shù)：

焙燒爐是炭素生產(chǎn)的主要設(shè)備，在炭素焙燒完成炭素生產(chǎn)后，人們通常采用抓斗挖取和人工挖掘相結(jié)合的作業(yè)方法將作為爐內(nèi)填充料的冶金焦或石油焦取出，然而這種作業(yè)方法對現(xiàn)場操作人員來講身處高溫、重?fù)P塵環(huán)境，給操作人員帶來了很大的人身安全隱患。隨著科技的不斷發(fā)展，炭素焙燒爐智能排料裝置因其能有效的提高對炭素焙燒爐內(nèi)的填充料的冶金焦或石油焦取出的效率，又不需要操作人員身處高溫、重?fù)P塵環(huán)境，減輕了操作人員的工作量，而被炭素生產(chǎn)企業(yè)廣泛使用。

然而，現(xiàn)有的炭素焙燒爐智能排料裝置的驅(qū)動電源易受外界的電磁波干擾而出現(xiàn)輸出電壓不穩(wěn)定，致使炭素焙燒爐智能排料裝置的工作穩(wěn)定差，并且現(xiàn)有的炭素焙燒爐智能排料裝置的驅(qū)動電源還存在電能利用率不高的問題，因此不能滿足人們在節(jié)能方面的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的炭素焙燒爐智能排料裝置的驅(qū)動電源易受外界的電磁波干擾而出現(xiàn)輸出電壓不穩(wěn)定，電能利用率不高的缺陷，提供一種炭素焙燒爐排料裝置用多電路處理的電壓緩沖式電源。

本發(fā)明的目的用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種炭素焙燒爐排料裝置用多電路處理的電壓緩沖式電源，主要由控制芯片U2，二極管整流器U1，變壓器T，正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地的極性電容C1，一端與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、另一端與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接的電阻R1，P極經(jīng)電阻R2后與二極管整流器U1的正極輸出端相連接、N極與控制芯片U2的HV管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D1，P極經(jīng)電阻R3后與控制芯片U2的CS管腳相連接、N極與控制芯片U2的VOUT管腳相連接的二極管D2，分別與控制芯片U2的GATE管腳和VST管腳相連接的過壓保護(hù)電路，與變壓器T原邊電感線圈的非同名端相連接的微處理電路，串接在二極管整流器U1的正極輸出端與微處理電路之間的浪涌電流限制電路，分別與控制芯片U2的VOUT管腳和VFB管腳以及變壓器T原邊電感線圈的同名端相連接的脈沖調(diào)整電路，分別與變壓器T副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接的光電耦合式反饋電路，以及串接在以及控制芯片U2的VCC管腳與光電耦合式反饋電路之間的電壓緩沖電路組成；所述控制芯片U2的GND管腳接地；所述微處理電路還與脈沖調(diào)整電路相連接。

進(jìn)一步的，所述電壓緩沖電路由三極管VT8，三極管VT9，負(fù)極經(jīng)電感L6后與三極管VT8的基極相連接、正極與控制芯片U2的VCC管腳相連接的極性電容C18，正極經(jīng)電阻R28后與極性電容C18的正極相連接、負(fù)極接地的極性電容C19，P極與極性電容C19的正極相連接、N極經(jīng)電阻R30后與三極管VT9的基極相連接的二極管D15，一端與三極管VT8的基極相連接、另一端與的三極管VT9的集電極相連接的電阻R31，P極經(jīng)電阻R29后與極性電容C18的負(fù)極相連接、N極經(jīng)電感L5后與三極管VT8的發(fā)射極相連接的穩(wěn)壓二極管D16，P極與三極管VT8的集電極相連接、N極與光電耦合式反饋電路相連接的二極管D17，正極經(jīng)可調(diào)電阻R33后與穩(wěn)壓二極管D16的N極相連接、負(fù)極與二極管D17的N極相連接的極性電容C22，正極與三極管VT8的集電極相連接、負(fù)極與二極管D17的N極相連接的極性電容C20，一端與極性電容C22的負(fù)極相連接、另一端接地的電阻R35，以及正極經(jīng)電阻R32后與三極管VT9的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R34后與二極管D17的N極相連接的極性電容C21組成；所述三極管VT9的發(fā)射極還與極性電容C18的負(fù)極相連接；所述三極管VT8的集電極接地。

所述浪涌電流限制電路由場效應(yīng)管MOS2，三極管VT6，三極管VT7，P極經(jīng)電阻R20后與三極管VT6的基極相連接、N極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接的二極管D11，正極經(jīng)電阻R19后與二極管D11的P極相連接、負(fù)極接地的極性電容C14，正極經(jīng)電阻R21后與三極管VT6的集電極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接的極性電容C16，一端與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接、另一端接地的電阻R26，P極經(jīng)電阻R22后與三極管VT6的發(fā)射極相連接、N極與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接的二極管D12，一端與極性電容C16的正極相連接、另一端與二極管D12的P極相連接的可調(diào)電阻R24，P極與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接、N極與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接的二極管D13，正極與三極管VT7的基極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R25后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接的極性電容C15，正極經(jīng)電感L4后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、負(fù)極接地的極性電容C17，以及N極經(jīng)電阻R23后與三極管VT7的集電極相連接、N極經(jīng)電阻R27后與極性電容C17的正極相連接的二極管D14組成；所述三極管VT6的集電極還與二極管D11的P極相連接、其發(fā)射極還與三極管VT7的發(fā)射極相連接；所述三極管VT7的集電極接地；所述場效應(yīng)管MOS2的漏極還與二極管D14的P極相連接；所述極性電容C17的正極還與微處理電路相連接。

所述過壓保護(hù)電路由三極管VT1，三極管VT2，負(fù)極與三極管VT1的基極相連接、正極經(jīng)可調(diào)電阻R6后與控制芯片U2的GATE管腳相連接的極性電容C3，P極經(jīng)電阻R4后與三極管VT1的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R5后與極性電容C3的正極相連接的二極管D3，負(fù)極與二極管D3的P極相連接、正極經(jīng)熱敏電阻RT1后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C2，一端與三極管VT1的集電極相連接、另一端與三極管VT2的集電極相連接的電感L1，以及負(fù)極與三極管VT2的發(fā)射極相連接后接地、正極經(jīng)電阻R7后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C4組成；所述三極管VT2的集電極還與極性電容C3的正極相連接、其基極則與控制芯片U2的VST管腳相連接。

所述微處理電路由三極管VT4，三極管VT5，正極與三極管VT5的集電極相連接、負(fù)極與三極管VT5的基極相連接的極性電容C9，正極經(jīng)電阻R14后與三極管VT5的基極相連接、負(fù)極與三極管VT4的集電極相連接后接地的極性電容C8，一端與三極管VT5的基極相連接、另一端與三極管VT4的基極相連接的電感L2，N極與三極管VT5的基極相連接、P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D8，正極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R16后與變壓器T原邊電感線圈的非同名端相連接的極性電容C10，以及P極電阻R17后與三極管VT5的集電極相連接、N極與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D9組成；所述三極管VT5的集電極還與極性電容C17的正極相連接、其基極還與脈沖調(diào)整電路相連接；所述三極管VT4的發(fā)射極還與極性電容C10的負(fù)極相連接。

所述脈沖調(diào)整電路由場效應(yīng)管MOS1，三極管VT3，正極與控制芯片U2的VOUT管腳相連接、負(fù)極與三極管VT3的基極相連接的極性電容C6，P極與控制芯片U2的VFB管腳相連接、N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接后接地的二極管D4，負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、正極經(jīng)電阻R8后與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的極性電容C4，P極經(jīng)電阻R11后與三極管VT3的集電極相連接、N極與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接的二極管D7，正極經(jīng)電阻R10后與二極管D7的P極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的極性電容C5，正極與三極管VT3的集電極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R13后與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接的極性電容C7，P極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、N極經(jīng)電阻R12后與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接的二極管D6，以及一端與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接、另一端與二極管D6的N極相連接的可調(diào)電阻R9組成；所述三極管VT3的集電極還有三極管VT5的基極相連接；所述場效應(yīng)管MOS1的源極還與變壓器T原邊電感線圈的同名端相連接后接地。

所述光電耦合式反饋電路由光電耦合器IC，P極與光電耦合器IC的第二輸入端相連接、N極接地的二極管D5，P極與變壓器T副邊電感線圈的同名端相連接、N極經(jīng)熱敏電阻RT3后與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接的二極管D10，正極與變壓器T副邊電感線圈的同名端相連接、負(fù)極電阻R18后與二極管D10的N極相連接的極性電容C11，正極與二極管D10的N極相連接、負(fù)極與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接的極性電容C12，以及正極經(jīng)熱敏電阻RT2后與二極管D10的N極相連接、負(fù)極經(jīng)電感L3后與光電耦合器IC的第一輸入端相連接的極性電容C13組成；所述光電耦合器IC的第一輸出端與二極管D17的N極相連接、其第二輸出端接地。

為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述控制芯片U2則優(yōu)先采用了LN9708A集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：

(1)本發(fā)明能對電源電壓的脈沖頻率、脈寬進(jìn)行調(diào)節(jié)，能使輸出電壓和電流保持恒定，有效的確保了本發(fā)明輸出電壓的穩(wěn)定性，從而確保了炭素焙燒爐智能排料裝置的工作穩(wěn)定性；并且本發(fā)明能有效的降低電壓電流的泄露和自身損耗，從而提高了本發(fā)明的利用率，且能很好的滿足人們在節(jié)能方面的要求。

(2)本發(fā)明能對電路導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)電子元件所承受的電壓和電流波形進(jìn)行調(diào)整或緩沖，減小電壓和電流對電子元件的沖擊，并能使電壓和電流的波形保持穩(wěn)定狀態(tài)，降低電路在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)對電壓和電流的損耗，從而提高了本發(fā)明的利用率，且能很好的滿足人們在節(jié)能方面的要求。

(3)本發(fā)明能對輸入電壓在加電時(shí)產(chǎn)生的高浪涌電流進(jìn)行抑制，有效地將浪涌電流減小到允許的范圍內(nèi)，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓。

(4)本發(fā)明能對電壓輸入時(shí)的瞬間高電壓進(jìn)行消除或抑制，能有效的防止本發(fā)明的后端電子元件被高電壓損壞，并能確保本發(fā)明輸出電壓的穩(wěn)定性和可靠性。

(5)本發(fā)明的控制芯片U2則優(yōu)先采用了LN9708A集成芯片來實(shí)現(xiàn)，該芯片與外圍電路相結(jié)合，能有效的確保了本發(fā)明輸出的驅(qū)動電壓的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的浪涌電流限制電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的電壓緩沖電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例

如圖1所示，本發(fā)明主要由控制芯片U2，二極管整流器U1，變壓器T，電阻R1，電阻R2，電阻R3，極性電容C1，穩(wěn)壓二極管D1，二極管D2，浪涌電流限制電路，電壓緩沖電路，過壓保護(hù)電路，微處理電路，脈沖調(diào)整電路，以及光電耦合式反饋電路組成。

連接時(shí)，極性電容C1的正極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接，負(fù)極與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接后接地。電阻R1的一端與二極管整流器U1的正極輸出端相連接，另一端與二極管整流器U1的負(fù)極輸出端相連接。穩(wěn)壓二極管D1的P極經(jīng)電阻R2后與二極管整流器U1的正極輸出端相連接，N極與控制芯片U2的HV管腳相連接。二極管D2的P極經(jīng)電阻R3后與控制芯片U2的CS管腳相連接，N極與控制芯片U2的VOUT管腳相連接。

其中，過壓保護(hù)電路分別與控制芯片U2的GATE管腳和VST管腳相連接。微處理電路與變壓器T原邊電感線圈的非同名端相連接。浪涌電流限制電路串接在二極管整流器U1的正極輸出端與微處理電路之間。脈沖調(diào)整電路分別與控制芯片U2的VOUT管腳和VFB管腳以及變壓器T原邊電感線圈的同名端相連接。光電耦合式反饋電路分別與變壓器T副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接。電壓緩沖電路串接在以及控制芯片U2的VCC管腳與光電耦合式反饋電路之間。

所述控制芯片U2的GND管腳接地；所述微處理電路還與脈沖調(diào)整電路相連接；所述二極管整流器U1的輸入端與市電相連接。為了本發(fā)明的實(shí)際使用效果，所述控制芯片U2則優(yōu)先采用了LN9708A集成芯片來實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步地，所述過壓保護(hù)電路由三極管VT1，三極管VT2，電阻R4，電阻R5，可調(diào)電阻R6，電阻R7，熱敏電阻RT1，極性電容C2，極性電容C3，極性電容C4，電感L1，以及二極管D3組成。

連接時(shí)，極性電容C3的負(fù)極與三極管VT1的基極相連接，正極經(jīng)可調(diào)電阻R6后與控制芯片U2的GATE管腳相連接。二極管D3的P極經(jīng)電阻R4后與三極管VT1的發(fā)射極相連接，N極經(jīng)電阻R5后與極性電容C3的正極相連接。極性電容C2的負(fù)極與二極管D3的P極相連接，正極經(jīng)熱敏電阻RT1后與三極管VT1的集電極相連接。

其中，電感L1的一端與三極管VT1的集電極相連接，另一端與三極管VT2的集電極相連接的。極性電容C4的負(fù)極與三極管VT2的發(fā)射極相連接后接地，正極經(jīng)電阻R7后與三極管VT1的集電極相連接。所述三極管VT2的集電極還與極性電容C3的正極相連接，其基極則與控制芯片U2的VST管腳相連接。

同時(shí)，所述微處理電路由三極管VT4，三極管VT5，電阻R14，電阻R15，電阻R16，電阻R17，極性電容C8，極性電容C9，極性電容C10，電感L2，二極管D8，以及二極管D9組成。

連接時(shí)，極性電容C9的正極與三極管VT5的集電極相連接，負(fù)極與三極管VT5的基極相連接。極性電容C8的正極經(jīng)電阻R14后與三極管VT5的基極相連接，負(fù)極與三極管VT4的集電極相連接后接地。電感L2的一端與三極管VT5的基極相連接，另一端與三極管VT4的基極相連接。

其中，二極管D8的N極與三極管VT5的基極相連接，P極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的發(fā)射極相連接。極性電容C10的正極與三極管VT5的發(fā)射極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R16后與變壓器T原邊電感線圈的非同名端相連接。二極管D9的P極電阻R17后與三極管VT5的集電極相連接，N極與三極管VT4的發(fā)射極相連接。

所述三極管VT5的集電極還與極性電容C17的正極相連接，其基極還與脈沖調(diào)整電路相連接；所述三極管VT4的發(fā)射極還與極性電容C10的負(fù)極相連接。

更進(jìn)一步地，所述脈沖調(diào)整電路由場效應(yīng)管MOS1，三極管VT3，電阻R8，可調(diào)電阻R9，電阻R10，電阻R11，電阻R12，電阻R13，極性電容C4，極性電容C5，極性電容C6，極性電容C7，二極管D4，二極管D6，以及二極管D7組成。

連接時(shí)，極性電容C6的正極與控制芯片U2的VOUT管腳相連接，負(fù)極與三極管VT3的基極相連接。二極管D4的P極與控制芯片U2的VFB管腳相連接，N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接后接地。極性電容C4的負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接，正極經(jīng)電阻R8后與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接。二極管D7的P極經(jīng)電阻R11后與三極管VT3的集電極相連接，N極與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接。

其中，極性電容C5的正極經(jīng)電阻R10后與二極管D7的P極相連接，負(fù)極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接。極性電容C7的正極與三極管VT3的集電極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R13后與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接。二極管D6的P極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接，N極經(jīng)電阻R12后與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接?？烧{(diào)電阻R9的一端與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接，另一端與二極管D6的N極相連接。所述三極管VT3的集電極還有三極管VT5的基極相連接；所述場效應(yīng)管MOS1的源極還與變壓器T原邊電感線圈的同名端相連接后接地。

再進(jìn)一步地，所述光電耦合式反饋電路由光電耦合器IC，電阻R18，熱敏電阻RT2，熱敏電阻RT3，極性電容C11，極性電容C12，極性電容C13，二極管D5，以及二極管D10組成。

連接時(shí)，二極管D5的P極與光電耦合器IC的第二輸入端相連接，N極接地。二極管D10的P極與變壓器T副邊電感線圈的同名端相連接，N極經(jīng)熱敏電阻RT3后與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接。極性電容C11的正極與變壓器T副邊電感線圈的同名端相連接，負(fù)極電阻R18后與二極管D10的N極相連接。

其中，極性電容C12的正極與二極管D10的N極相連接，負(fù)極與變壓器T副邊電感線圈的非同名端相連接。極性電容C13的正極經(jīng)熱敏電阻RT2后與二極管D10的N極相連接，負(fù)極經(jīng)電感L3后與光電耦合器IC的第一輸入端相連接。所述光電耦合器IC的第一輸出端與二極管D17的N極相連接，其第二輸出端接地。

如圖2所示，所述浪涌電流限制電路由場效應(yīng)管MOS2，三極管VT6，三極管VT7，電阻R19，電阻R20，電阻R21，電阻R22，電阻R23，可調(diào)電阻R24，電阻R25，電阻R26，電阻R27，電感L4，極性電容C14，極性電容C15，極性電容C16，極性電容C17，二極管D11，二極管D12，二極管D13，以及二極管D14組成。

連接時(shí)，二極管D11的P極經(jīng)電阻R20后與三極管VT6的基極相連接，N極與二極管整流器U1的正極輸出端相連接。極性電容C14的正極經(jīng)電阻R19后與二極管D11的P極相連接，負(fù)極接地。極性電容C16的正極經(jīng)電阻R21后與三極管VT6的集電極相連接，負(fù)極與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接。電阻R26的一端與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接，另一端接地。

其中，二極管D12的P極經(jīng)電阻R22后與三極管VT6的發(fā)射極相連接，N極與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接。可調(diào)電阻R24的一端與極性電容C16的正極相連接，另一端與二極管D12的P極相連接。二極管D13的P極與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接，N極與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接。

同時(shí)，極性電容C15的正極與三極管VT7的基極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R25后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接。極性電容C17的正極經(jīng)電感L4后與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接，負(fù)極接地。二極管D14的N極經(jīng)電阻R23后與三極管VT7的集電極相連接，N極經(jīng)電阻R27后與極性電容C17的正極相連接。

所述三極管VT6的集電極還與二極管D11的P極相連接，其發(fā)射極還與三極管VT7的發(fā)射極相連接；所述三極管VT7的集電極接地；所述場效應(yīng)管MOS2的漏極還與二極管D14的P極相連接；所述極性電容C17的正極還與微處理電路相連接。

如圖3所示，所述電壓緩沖電路由三極管VT8，三極管VT9，電阻R28，電阻R29，電阻R30，電阻R31，電阻R32，可調(diào)電阻R33，電阻R34，電阻R35，極性電容C18，極性電容C19，極性電容C20，極性電容C21，極性電容C22，電感L5，電感L6，二極管D15，二極管D16，以及二極管D17組成。

連接時(shí)，極性電容C18的負(fù)極經(jīng)電感L6后與三極管VT8的基極相連接，正極與控制芯片U2的VCC管腳相連接。極性電容C19的正極經(jīng)電阻R28后與極性電容C18的正極相連接，負(fù)極接地。二極管D15的P極與極性電容C19的正極相連接，N極經(jīng)電阻R30后與三極管VT9的基極相連接。電阻R31的一端與三極管VT8的基極相連接，另一端與的三極管VT9的集電極相連接。

其中，穩(wěn)壓二極管D16的P極經(jīng)電阻R29后與極性電容C18的負(fù)極相連接，N極經(jīng)電感L5后與三極管VT8的發(fā)射極相連接。二極管D17的P極與三極管VT8的集電極相連接，N極與光電耦合式反饋電路相連接。極性電容C22的正極經(jīng)可調(diào)電阻R33后與穩(wěn)壓二極管D16的N極相連接，負(fù)極與二極管D17的N極相連接。極性電容C20的正極與三極管VT8的集電極相連接，負(fù)極與二極管D17的N極相連接。

同時(shí)，電阻R35的一端與極性電容C22的負(fù)極相連接，另一端接地。極性電容C21的正極經(jīng)電阻R32后與三極管VT9的發(fā)射極相連接，負(fù)極經(jīng)電阻R34后與二極管D17的N極相連接。所述三極管VT9的發(fā)射極還與極性電容C18的負(fù)極相連接；所述三極管VT8的集電極接地。

運(yùn)行時(shí)，本發(fā)明的脈沖調(diào)整電路能對電源電壓的脈沖頻率、脈寬進(jìn)行調(diào)節(jié)，能使輸出電壓和電流保持恒定，有效的確保了本發(fā)明輸出電壓的穩(wěn)定性，從而確保了炭素焙燒爐智能排料裝置的工作穩(wěn)定性；并且本發(fā)明的微處理電路能有效的降低電壓電流的泄露和自身損耗，同時(shí)，本發(fā)明的電壓緩沖電路能對電路導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)電子元件所承受的電壓和電流波形進(jìn)行調(diào)整或緩沖，減小電壓和電流對電子元件的沖擊，并能使電壓和電流的波形保持穩(wěn)定狀態(tài)，降低電路在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)對電壓和電流的損耗，從而提高了本發(fā)明的利用率，且能很好的滿足人們在節(jié)能方面的要求。

同時(shí)，本發(fā)明的浪涌電流限制電路能對輸入電壓在加電時(shí)產(chǎn)生的高浪涌電流進(jìn)行抑制，有效地將浪涌電流減小到允許的范圍內(nèi)，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓。本發(fā)明的過壓保護(hù)電路能對電壓輸入時(shí)的瞬間高電壓進(jìn)行消除或抑制，能有效的防止本發(fā)明的后端電子元件被高電壓損壞，并能確保本發(fā)明輸出電壓的穩(wěn)定性和可靠性。本發(fā)明的控制芯片U2則優(yōu)先采用了LN9708A集成芯片來實(shí)現(xiàn)，該芯片與外圍電路相結(jié)合，能有效的確保了本發(fā)明輸出的驅(qū)動電壓的穩(wěn)定性。

如上所述，便可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。