反時限型過電壓保護(hù)裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種過電壓保護(hù)裝置，尤其是涉及反時限型過電壓保護(hù)裝置，包括整流部分、電源部分、電壓采樣部分、MCU控制部分和可控硅開關(guān)部分，MCU控制部分，對電壓采樣部分輸入的直流電壓進(jìn)行采樣，并判斷是否過壓，如果過壓，再根據(jù)過壓值的過壓范圍，確定延時時間，電壓越高，延時越短，然后輸出高電平；本實用新型提供的反時限型過電壓保護(hù)裝置，利用MCU控制部分進(jìn)行AD采樣，通過AD值判斷電路是否過壓，對于過壓的情況算出電源電壓，通過判斷過電壓的值，來確定延時時間的長短軟件控制，實現(xiàn)了不同過電壓情況下的開關(guān)動作延時的不同，電壓越高，開關(guān)動作時間越短。
【專利說明】反時限型過電壓保護(hù)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種過電壓保護(hù)裝置，尤其是涉及反時限型過電壓保護(hù)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上過電壓保護(hù)裝置功能比較單一，設(shè)定在一個電壓情況下進(jìn)行過壓保護(hù)，開關(guān)動作延時相同，現(xiàn)有少部分反時限型過壓保護(hù)裝置，為了實現(xiàn)多種延時，對每一個過壓值設(shè)置一路延時電路，電路復(fù)雜成本高。
實用新型內(nèi)容
[0003]針對上述的問題，本實用新型提供一種電路簡單并具有反時限功能的過電壓保護(hù)裝置，具體的技術(shù)方案為:
[0004]反時限型過電壓保護(hù)裝置，包括整流部分、電源部分、電壓采樣部分、MCU控制部分和可控硅開關(guān)部分，其中:
[0005]整流部分，將被保護(hù)電路的交流電變成直流電壓；
[0006]電源部分，將整流部分輸入的直流電壓減壓成5V直流電平，為MCU控制部分提供工作電壓；
[0007]電壓采樣部分，將整流部分輸入的直流電壓進(jìn)行分壓產(chǎn)生穩(wěn)定的直流電壓供MCU控制部分采樣；
[0008]MCU控制部分，對電壓采樣部分輸入的直流電壓進(jìn)行采樣，并判斷是否過壓，如果過壓，再根據(jù)過壓值的過壓范圍，確定延時時間，電壓越高，延時越短，然后輸出高電平；
[0009]可控硅開關(guān)部分，MCU控制部分輸出高電平，使可控硅導(dǎo)通，觸發(fā)開關(guān)斷電。
[0010]優(yōu)化設(shè)計為，所述的MCU控制部分，對電壓采樣部分輸入的直流電壓進(jìn)行采樣，并通過AD轉(zhuǎn)換，將直流電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)AD值，根據(jù)AD值判斷是否過壓，如果過壓，通過AD值計算出被保護(hù)電路的電源電壓，再根據(jù)過壓值的過壓范圍，確定延時時間，電壓越高，延時越短，然后輸出高電平。
[0011]所述的電壓采樣部分依次包括降壓電阻、調(diào)整電阻及其穩(wěn)壓電容。
[0012]本實用新型提供的反時限型過電壓保護(hù)裝置，利用MCU控制部分進(jìn)行AD采樣，通過AD值判斷電路是否過壓，對于過壓的情況算出電源電壓，通過判斷過電壓的值，來確定延時時間的長短軟件控制，實現(xiàn)了不同過電壓情況下的開關(guān)動作延時的不同，電壓越高，開關(guān)動作時間越短。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的電路原理圖；
[0014]圖2為本實用新型MCU控制部分判斷流程圖。
【具體實施方式】[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0016]如圖1所示，包括整流部分100、電源部分200、電壓采樣部分300、MCU控制部分400和可控娃開關(guān)部分500 ；
[0017]整流部分100接入被保護(hù)電路電源的輸入端L和N端，交流電壓經(jīng)整流橋DBl整流后，得到直流電壓；
[0018]電源部分200，將整流部分100輸入的直流電壓依次經(jīng)過町、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6降壓電阻、5.1V穩(wěn)壓管ZDl及與ZDl并聯(lián)的濾波電容Cl，得到穩(wěn)定的5V直流電平VCC，該電壓VCC給MCU控制部分400提供工作電壓；
[0019]電壓采樣部分300，將整流部分100輸入的直流電壓經(jīng)過降壓電阻R7、R8進(jìn)行分壓產(chǎn)生0-1.1V之間的電壓，經(jīng)過整電阻R9后，由穩(wěn)壓電容C2對電壓濾波產(chǎn)生穩(wěn)定的0-1.1V的直流電壓供MCU控制部分400采樣；
[0020]MCU控制部分400，MCU控制部分400使用了 ATTINY13A單片機，內(nèi)部集成了 10位AD轉(zhuǎn)換單元，及1.1V參考電壓，如圖2所示，ATTINY13A單片機對電壓采樣部分300輸入的0-1.1V的直流電壓進(jìn)行采樣，并通過AD轉(zhuǎn)換，將直流電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)AD值，根據(jù)AD值判斷是否過壓，如果過壓，通過AD值計算出被保護(hù)電路的電源電壓，再根據(jù)過壓值的過壓范圍，確定延時時間，電壓越高，延時越短；具體的，MCU控制部分400根據(jù)AD值查表得到延時值，具體見下表1，然后輸出高電平；
[0021]表1
[0022]
【權(quán)利要求】
1.反時限型過電壓保護(hù)裝置，其特征在于:包括整流部分、電源部分、電壓采樣部分、MCU控制部分和可控硅開關(guān)部分，其中， 整流部分，將被保護(hù)電路的交流電變成直流電壓； 電源部分，將整流部分輸入的直流電壓減壓成5V直流電平，為MCU控制部分提供工作電壓； 電壓采樣部分，將整流部分輸入的直流電壓進(jìn)行分壓產(chǎn)生穩(wěn)定的直流電壓供MCU控制部分米樣； MCU控制部分，對電壓采樣部分輸入的直流電壓進(jìn)行采樣，并判斷是否過壓，如果過壓，再根據(jù)過壓值的過壓范圍，確定延時時間，電壓越高，延時越短，然后輸出高電平； 可控硅開關(guān)部分，MCU控制部分輸出高電平，使可控硅導(dǎo)通，觸發(fā)開關(guān)斷電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反時限型過電壓保護(hù)裝置，其特征在于:所述的MCU控制部分，對電壓采樣部分輸入的直流電壓進(jìn)行采樣，并通過AD轉(zhuǎn)換，將直流電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)AD值，根據(jù)AD值判斷是否過壓，如果過壓，通過AD值計算出被保護(hù)電路的電源電壓，再根據(jù)過壓值的過壓范圍，確定延時時間，電壓越高，延時越短，然后輸出高電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反時限型過電壓保護(hù)裝置，其特征在于:所述的電壓采樣部分依次包括降壓電阻、調(diào)整電阻及其穩(wěn)壓電容。
【文檔編號】H02H3/20GK203504140SQ201320649392
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月22日
【發(fā)明者】朱榮惠, 徐榮燦, 張松建 申請人:無錫華陽科技有限公司