一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，用于提高后級(jí)開關(guān)電源器件的可靠性，減少設(shè)備DC端口防護(hù)部分的器件占用PCB的面積。本發(fā)明實(shí)施例包括：控制開關(guān)模塊、比較模塊以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容；其中，與所述控制開關(guān)模塊連接的所述比較模塊，用于當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓大于參考電壓時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓；當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓不大于所述參考電壓，控制所述控制開關(guān)模塊導(dǎo)通；所述控制開關(guān)模塊，用于根據(jù)其導(dǎo)通或關(guān)斷控制所述直流防護(hù)電路的導(dǎo)通或關(guān)斷。
【專利說明】一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，由于場(chǎng)景使用的不同，電子設(shè)備的直流輸入端口會(huì)要求具備不同等級(jí)的防護(hù)要求；業(yè)界常見的方案都是采用傳統(tǒng)的防護(hù)器件實(shí)現(xiàn)的，防護(hù)等級(jí)要求的越高，使用的防護(hù)器件就越多。涉及到設(shè)備防護(hù)的這一部分器件占用的印制電路板(PCB, Printed CircuitBoard)，面積就越大，這將制約產(chǎn)品小型化的發(fā)展。
[0003]傳統(tǒng)的直流(DC，Direct Current)防護(hù)方式有兩種，可一并參考圖1a和圖lb，圖1a和圖1b均為現(xiàn)有技術(shù)中直流防護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，
[0004]方式一:采用兩級(jí)防護(hù)，兩級(jí)防護(hù)之間中間采用電阻退偶，如圖1a所示；
[0005]方式二:采用兩級(jí)防護(hù)，兩級(jí)防護(hù)之間中間采用電感退偶，如圖1b所示；
[0006]兩種防護(hù)方式下，正常工作的時(shí)候，壓敏電阻Zl和Z2不動(dòng)作，相當(dāng)于開路狀態(tài)；電阻Rl (電感LI)串聯(lián)在主路中；當(dāng)輸入端口 RTN發(fā)生浪涌的時(shí)候，Z1、Z2動(dòng)作；由于Rl (LI)起到退偶作用，浪涌大部分的能量經(jīng)由Zl泄放；經(jīng)過退偶器件Rl (LI)后，在Z2泄放的能量會(huì)大大變??；這樣經(jīng)過端口防護(hù)以后，后級(jí)器件的可靠性壓力也會(huì)變小。
[0007]但是在方式一中，Rl是串聯(lián)在輸入回路中的，在大功率設(shè)備的場(chǎng)景下，由于流經(jīng)該退偶電阻Rl的電流很大，所以電阻Rl的損耗較大；方式二中采用電感退偶，要達(dá)到退偶的目的電感的感量不宜太小，要流經(jīng)較大的電流，電感線徑也較大，所以電感LI的尺寸一般都較大；并且，若采用上述兩種方式作為設(shè)備的DC電源端口的防護(hù)措施，由于壓敏等防護(hù)器件有一定的響應(yīng)時(shí)間，導(dǎo)致后級(jí)開關(guān)電源的輸入電壓Vin瞬間電壓比較高，對(duì)后級(jí)開關(guān)電源器件的可靠性造成一定的風(fēng)險(xiǎn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，用于提高后級(jí)開關(guān)電源器件的可靠性，減少設(shè)備DC端口防護(hù)部分的器件占用PCB的面積。
[0009]有鑒于此，本發(fā)明提供一種直流防護(hù)電路，其中，可包括:
[0010]控制開關(guān)模塊、比較模塊以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容；
[0011]其中，與所述控制開關(guān)模塊連接的所述比較模塊，用于當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓大于參考電壓時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓；當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓不大于所述參考電壓，控制所述控制開關(guān)模塊導(dǎo)通；
[0012]所述控制開關(guān)模塊，用于根據(jù)其導(dǎo)通或關(guān)斷控制所述直流防護(hù)電路的導(dǎo)通或關(guān)斷。
[0013]在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0014]所述控制開關(guān)模塊包括:第一控制開關(guān)、第二控制開關(guān)；
[0015]所述比較模塊包括:與所述第一控制開關(guān)連接的所述第一比較器，以及與所述第二控制開關(guān)連接的所述第二比較器；
[0016]所述直流防護(hù)電路還包括負(fù)載電阻和連接在所述負(fù)載電阻兩端的運(yùn)放放大器，從反向輸入端口起，所述第一控制開關(guān)、所述第二控制開關(guān)與所述負(fù)載電阻依次串聯(lián)；
[0017]所述第一比較器的一輸入端與所述運(yùn)放放大器輸出端連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第一控制開關(guān)連接；
[0018]所述第二比較器的一輸入端與所述直流防護(hù)電路的正向輸入端口連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第二控制開關(guān)連接。
[0019]結(jié)合第一方面第一種的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0020]所述運(yùn)放放大器，用于對(duì)所述負(fù)載電阻兩端的電壓進(jìn)行放大，輸出第一電壓；
[0021]所述第一比較器，具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓的大小，若所述第一電壓大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述第一電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)飽和導(dǎo)通。
[0022]結(jié)合第一方面第一種的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0023]所述第二比較器，具體用于當(dāng)電流正向流通時(shí)，檢測(cè)所述直流防護(hù)電路輸入電壓的大小，若所述輸入電壓大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)處于放大狀態(tài)關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述輸入電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)飽和導(dǎo)通。
[0024]結(jié)合第一方面或第一方面第一種或第二種或第三種的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0025]所述直流防護(hù)電路還包括:跨接于所述直流防護(hù)電路正向輸入端口和反向輸入端口之間的壓敏電阻，用于當(dāng)所述輸入電壓超過所述參考電壓時(shí)進(jìn)行分流。
[0026]結(jié)合第一方面或第一方面第一種或第二種或第三種的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0027]所述第一控制開關(guān)和所述第二控制開關(guān)均為金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管MOSFETo
[0028]結(jié)合第一方面或第一方面第一種實(shí)現(xiàn)方式或第一方面第二種實(shí)現(xiàn)方式或第一方面第三種的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0029]所述輸入電容為電解電容。
[0030]本發(fā)明第二方面提供一種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，其中，可包括:
[0031]直流防護(hù)電路，所述直流防護(hù)電路設(shè)置于所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的直流電源輸入端口 ；其中，所述直流防護(hù)電路可包括:
[0032]控制開關(guān)模塊、比較模塊以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容；
[0033]其中，與所述控制開關(guān)模塊連接的所述比較模塊，用于當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓大于參考電壓時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓；當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓不大于所述參考電壓，控制所述控制開關(guān)模塊導(dǎo)通；
[0034]所述控制開關(guān)模塊，用于根據(jù)其導(dǎo)通或關(guān)斷控制所述直流防護(hù)電路的導(dǎo)通或關(guān)斷。
[0035]在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:[0036]所述控制開關(guān)模塊包括:第一控制開關(guān)、第二控制開關(guān)；
[0037]所述比較模塊包括:與所述第一控制開關(guān)連接的所述第一比較器，以及與所述第二控制開關(guān)連接的所述第二比較器；
[0038]所述直流防護(hù)電路還包括負(fù)載電阻和連接在所述負(fù)載電阻兩端的運(yùn)放放大器，從反向輸入端口起，所述第一控制開關(guān)、所述第二控制開關(guān)與所述負(fù)載電阻依次串聯(lián)；
[0039]所述第一比較器的一輸入端與所述運(yùn)放放大器輸出端連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第一控制開關(guān)連接；
[0040]所述第二比較器的一輸入端與所述直流防護(hù)電路的正向輸入端口連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第二控制開關(guān)連接。
[0041]結(jié)合第二方面第一種的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0042]所述運(yùn)放放大器，用于對(duì)所述負(fù)載電阻兩端的電壓進(jìn)行放大，輸出第一電壓；
[0043]所述第一比較器，具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓的大小，若所述第一電壓大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述第一電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)飽和導(dǎo)通。
[0044]結(jié)合第二方面第一種的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0045]所述第二比較器，具體用于當(dāng)電流正向流通時(shí)，檢測(cè)所述直流防護(hù)電路輸入電壓的大小，若所述輸入電壓大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)處于放大狀態(tài)關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述輸入電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)飽和導(dǎo)通。
[0046]結(jié)合第二方面或第二方面第一種或第二種或第三種的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0047]所述直流防護(hù)電路還包括:跨接于所述直流防護(hù)電路正向輸入端口和反向輸入端口之間的壓敏電阻，用于當(dāng)所述輸入電壓超過所述參考電壓時(shí)進(jìn)行分流。
[0048]結(jié)合第二方面或第二方面第一種或第二種或第三種的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0049]所述第一控制開關(guān)和所述第二控制開關(guān)均為金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管MOSFETo
[0050]結(jié)合第二方面或第二方面第一種實(shí)現(xiàn)方式或第二方面第二種實(shí)現(xiàn)方式或第二方面第三種實(shí)現(xiàn)方式的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中:
[0051]所述輸入電容為電解電容。
[0052]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備具有以下優(yōu)點(diǎn):其中，所述直流防護(hù)電路包括控制開關(guān)模塊、比較模塊以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容；浪涌發(fā)生之前，所述控制開關(guān)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容兩端的電壓與輸入電壓基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓增大，輸入電容上面的電壓迅速上升，當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓大于所述參考電壓時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以使得所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓；當(dāng)浪涌退后，輸入電容上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓時(shí)，所述控制開關(guān)模塊導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。也就是通過閉環(huán)控制經(jīng)過防護(hù)器件的電壓，在浪涌發(fā)生的時(shí)候，采用限壓的保護(hù)策略，確保后級(jí)開關(guān)電源的輸入電壓低于安全電壓，提升設(shè)備內(nèi)部電源的可靠性；進(jìn)一步地，還可以利用設(shè)備直流電源輸入端口的緩啟動(dòng)器件(第一控制開關(guān)和第二控制開關(guān))，減少設(shè)備直流端口防護(hù)部分的器件的占用印刷電路板PCB的面積。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0053]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0054]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中一種直流防護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中另一種直流防護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直流防護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直流防護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，用于提高后級(jí)開關(guān)電源器件的可靠性，減少設(shè)備DC端口防護(hù)部分的器件占用PCB的面積。
[0060]為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而非全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0061]本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三” “第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0062]下面通過具體實(shí)施例，分別進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0063]請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直流防護(hù)電路100的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，該直流防護(hù)電路100可包括:
[0064]控制開關(guān)模塊101、比較模塊102以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容Cl ；
[0065]其中，與所述控制開關(guān)模塊101連接的所述比較模塊102，用于當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓大于參考電壓Vref時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以控制所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref ；當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓不大于所述參考電壓Vref，控制所述控制開關(guān)模塊101導(dǎo)通；[0066]所述控制開關(guān)模塊101，用于根據(jù)其導(dǎo)通或關(guān)斷控制所述直流防護(hù)電路100的導(dǎo)通或關(guān)斷。
[0067]其中，如圖2中的輸入電壓回路RTN (Input Voltage)與-48V處設(shè)置的防護(hù)電路為所述直流防護(hù)電路100。所述RTN端口和-48V端口為該直流防護(hù)電路100的電源輸入端口，其中，所述RTN端口為該直流防護(hù)電路100的正向輸入端口，所述-48V端口為該直流防護(hù)電路100的反向輸入端口，可以理解的是，本實(shí)施例中僅以普遍使用的電源輸入值-48V為例子進(jìn)行圖示，在某些實(shí)施方式中，反向輸入端口還可以設(shè)定為-36V、-42V等，此處舉例不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。
[0068]可以理解的是，所述參考電壓Vref為預(yù)先設(shè)置，其為所述直流防護(hù)電路100后級(jí)(即所述輸入電容Cl后面的開關(guān)電源)可承受的最大電壓，即安全電壓。
[0069]當(dāng)所述直流防護(hù)電路100處于正常工作時(shí)，也就是浪涌發(fā)生之前，所述控制開關(guān)模塊101處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin (即RTN端口和-48V端口之間的電壓)基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓Vin增大，即RTN端口和-48V端口之間會(huì)出現(xiàn)高電壓，輸入電容Cl上面的電壓迅速上升，當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓大于所述參考電壓Vref時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊101關(guān)斷，以使得所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref ;當(dāng)浪涌退后，輸入電容Cl上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓Vref時(shí)，所述控制開關(guān)模塊導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。
[0070]由上述可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直流防護(hù)電路100包括控制開關(guān)模塊101、比較模塊102以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容Cl，通過閉環(huán)控制經(jīng)過防護(hù)器件的電壓，在浪涌發(fā)生的時(shí)候，采用限壓的保護(hù)策略，確保后級(jí)開關(guān)電源的輸入電壓(即輸入電容Cl上的電壓)低于安全電壓，提升設(shè)備內(nèi)部電源的可靠性；進(jìn)一步地，還可以利用設(shè)備直流電源輸入端口的緩啟動(dòng)器件，減少設(shè)備直流端口防護(hù)部分的器件的占用印刷電路板PCB的面積。
[0071]進(jìn)一步地，請(qǐng)參見圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的直流防護(hù)電路100的另一結(jié)構(gòu)示意圖，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中:
[0072]所述控制開關(guān)模塊101可包括:第一控制開關(guān)Q1、第二控制開關(guān)Q2，所述比較模塊102可包括:與所述第一控制開關(guān)Ql連接的所述第一比較器U1，以及與所述第二控制開關(guān)Q2連接的所述第二比較器U2 ；
[0073]所述直流防護(hù)電路100還可包括負(fù)載電阻Rl和連接在所述負(fù)載電阻Rl兩端的運(yùn)放放大器U3，從反向輸入端口起(即-48V端口)，所述第一控制開關(guān)Q1、所述第二控制開關(guān)Q2與所述負(fù)載電阻Rl依次串聯(lián)在反向輸入支路上；
[0074]所述第一比較器Ul的一輸入端與所述運(yùn)放放大器U3輸出端連接，所述第一比較器Ul的另一輸入端為所述參考電壓Vref輸入端，其輸出端與所述第一控制開關(guān)Ql連接；
[0075]所述第二比較器U2的一輸入端與所述直流防護(hù)電路100的正向輸入端口(即RTN端口)連接，所述第二比較器U2的另一輸入端為所述參考電壓Vref輸入端，其輸出端與所述第二控制開關(guān)Q2連接。
[0076]另外，所述直流防護(hù)電路100中的輸入電容Cl，由于所述輸入電容Cl為所述直流防護(hù)電路100后級(jí)電源的輸入電容，因此所述輸入電容Cl可以為電解電容，該電解電容跨接于所述直流防護(hù)電路100正向輸入支路和反向輸入支路之間。在設(shè)備正常工作時(shí)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin (即RTN端口和-48V端口之間的電壓)基本相同。
[0077]進(jìn)一步地，所述直流防護(hù)電路100還可包括:
[0078]跨接于所述直流防護(hù)電路100正向輸入端口和反向輸入端口之間的壓敏電阻Z1，所述壓敏電阻Zl用于當(dāng)所述輸入電壓Vin超過所述參考電壓Vref時(shí)進(jìn)行分流。
[0079]如圖3所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2可以均為金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),容易想到的是，本實(shí)施例中對(duì)所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2類型的限定僅僅作為舉例說明。
[0080]其中，所述直流防護(hù)電路100從反向輸入端口(-48V端口)起，所述第一控制開關(guān)Q1、所述第二控制開關(guān)Q2與所述負(fù)載電阻Rl依次串聯(lián)在所述直流防護(hù)電路100的反向輸入支路上，其中，所述第一控制開關(guān)Ql的漏極與反向輸入端口(-48V端口)相連，所述第一控制開關(guān)Ql的源極與所述第二控制開關(guān)Q2的源極相連，所述第二控制開關(guān)Q2的漏極與所述負(fù)載電阻Rl相連，所述第一比較器Ul輸出端與所述第一控制開關(guān)Ql的柵極連接，所述第二比較器U2輸出端與所述第二控制開關(guān)Q2的柵極連接；本實(shí)施例中，所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2可用于緩啟動(dòng)和防反接。
[0081]所述運(yùn)放放大器U3的兩個(gè)輸入端分別連接在所述負(fù)載電阻Rl的兩端，用于對(duì)所述負(fù)載電阻Rl兩端的電壓進(jìn)行放大，其輸出端輸出第一電壓Vl ;可以理解的是，由于設(shè)備正常工作時(shí)，流經(jīng)負(fù)載電阻Rl上的電流很小，并且該負(fù)載電阻Rl的電阻值也較小，因此，該實(shí)施方式中，需要將所述負(fù)載電阻Rl兩端的電壓進(jìn)行放大比較。
[0082]在該實(shí)施方式下，如圖3所示，假設(shè)所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2均為緩啟動(dòng)的MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管:
[0083]則所述第一比較器U1，具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓Vl的大小，若所述第一電壓VI大于所述參考電壓Vref,則控制所述第一控制開關(guān)Ql處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref，若所述第一電壓不大于所述參考電壓Vref，則控制所述第一控制開關(guān)Ql飽和導(dǎo)通。
[0084]所述第二比較器U2，具體用于當(dāng)電流正向流通時(shí)，檢測(cè)所述直流防護(hù)電路100輸入電壓Vin的大小，若所述輸入電壓Vin大于所述參考電壓Vref，則控制所述第二控制開關(guān)Q2處于放大狀態(tài)關(guān)斷，以使所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref，若所述輸入電壓不大于所述參考電壓Vref，則控制所述第二控制開關(guān)Q2飽和導(dǎo)通。
[0085]基于此，如圖3所示，下面簡(jiǎn)單地介紹一下電路的工作原理。
[0086]設(shè)備正常工作時(shí)，電流正向流通，經(jīng)由正向輸入端口(RTN端口)流進(jìn)，依次經(jīng)過輸入電容Cl、負(fù)載電阻R1、第二控制開關(guān)Q2、第一控制開關(guān)Ql后，流向反向輸入端口(-48V端口);浪涌發(fā)生之前，所述第二控制開關(guān)Q2、第一控制開關(guān)Ql均處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin (即RTN端口和-48V端口之間的電壓)基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓Vin增大，即RTN端口和-48V端口之間會(huì)出現(xiàn)高電壓，輸入電容Cl上面的電壓迅速上升，當(dāng)?shù)诙容^器U2檢測(cè)到所述輸入電壓Vin (即輸入電容Cl兩端的電壓)大于所述參考電壓Vref時(shí)，第二比較器U2控制緩啟動(dòng)第二控制開關(guān)Q2的柵極電壓，使得第二控制開關(guān)Q2處于放大狀態(tài)，以及讓輸入電容Cl上的電壓不超過所述參考電壓Vref ;在該控制過程中，第二控制開關(guān)Q2處于閉環(huán)狀態(tài)，工作于可變電阻區(qū)；當(dāng)浪涌退后，輸入電容Cl上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓Vref時(shí)，所述第二控制開關(guān)Q2導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。
[0087]相反地，當(dāng)所述直流防護(hù)電路100的電流反向流通時(shí)，即電路中電流經(jīng)由反向輸入端口(-48V端口)流進(jìn)，依次經(jīng)過第一控制開關(guān)Q1、第二控制開關(guān)Q2、負(fù)載電阻R1、輸入電容Cl后，流向正向輸入端口(RTN端口)；
[0088]所述第一比較器U1，具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓Vl的大小，若所述第一電壓Vl大于所述參考電壓Vref,則控制所述第一控制開關(guān)Ql處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref，若所述第一電壓Vl不大于所述參考電壓Vref，則控制所述第一控制開關(guān)Ql飽和導(dǎo)通。
[0089]可以理解的是，圖3中所示的第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2亦可替換為與之功能類似的晶體三極管，而替換的晶體三極管的各端口與其它器件的連接方式，與第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2類似，此處不再詳述。
[0090]由上述可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種直流防護(hù)電路100，包括控制開關(guān)模塊101、比較模塊102以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容Cl ;浪涌發(fā)生之前，所述控制開關(guān)模塊101 (包括第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2)處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓Vin增大，輸入電容Cl上面的電壓迅速上升，當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓大于所述參考電壓Vref時(shí)，控制所述第一控制開關(guān)Ql/第二控制開關(guān)Q2關(guān)斷，以使得所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref ;當(dāng)浪涌退后，輸入電容Cl上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓Vref時(shí)，所述第一控制開關(guān)Ql/第二控制開關(guān)Q2導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。也就是通過閉環(huán)控制經(jīng)過防護(hù)器件的電壓，在浪涌發(fā)生的時(shí)候，采用限壓的保護(hù)策略，確保后級(jí)開關(guān)電源的輸入電壓低于安全電壓，提升設(shè)備內(nèi)部電源的可靠性；并且，由于利用設(shè)備直流電源輸入端口的緩啟動(dòng)器件(第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2)，減少設(shè)備直流端口防護(hù)部分的器件的占用印刷電路板PCB的面積。
[0091]為便于更好的實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例提供的直流防護(hù)電路100，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備200。其中該實(shí)施例中名詞的含義與上述直流防護(hù)電路100中相同，具體實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)可以參考上述實(shí)施例中的說明。
[0092]請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備200的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備200可以包括:
[0093]直流防護(hù)電路201，其中，所述直流防護(hù)電路201可為如上述實(shí)施例描述的所述的直流防護(hù)電路100，所述直流防護(hù)電路100設(shè)置于所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備200的直流電源輸入端口。
[0094]例如:如圖2所示，所述直流防護(hù)電路100可以包括:
[0095]控制開關(guān)模塊101、比較模塊102以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容Cl ；
[0096]其中，與所述控制開關(guān)模塊101連接的所述比較模塊102，用于當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓大于參考電壓Vref時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以控制所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref ；當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓不大于所述參考電壓Vref，控制所述控制開關(guān)模塊101導(dǎo)通；
[0097]所述控制開關(guān)模塊101，用于根據(jù)其導(dǎo)通或關(guān)斷控制所述直流防護(hù)電路100的導(dǎo)通或關(guān)斷。
[0098]其中，如圖2中的輸入電壓回路RTN (Input Voltage)與-48V處設(shè)置的防護(hù)電路為所述直流防護(hù)電路100。所述RTN端口和-48V端口為該直流防護(hù)電路100的電源輸入端口，其中，所述RTN端口為該直流防護(hù)電路100的正向輸入端口，所述-48V端口為該直流防護(hù)電路100的反向輸入端口，可以理解的是，本實(shí)施例中僅以普遍使用的電源輸入值-48V為例子進(jìn)行圖示，在某些實(shí)施方式中，反向輸入端口還可以設(shè)定為-36V、-42V等，此處舉例不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。
[0099]可以理解的是，所述參考電壓Vref為預(yù)先設(shè)置，其為所述直流防護(hù)電路100后級(jí)(即所述輸入電容Cl后面的開關(guān)電源)可承受的最大電壓。
[0100]其中，當(dāng)所述直流防護(hù)電路100處于正常工作時(shí)，也就是浪涌發(fā)生之前，所述控制開關(guān)模塊101處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin (即RTN端口和-48V端口之間的電壓)基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓Vin增大，即RTN端口和-48V端口之間會(huì)出現(xiàn)高電壓，輸入電容Cl上面的電壓迅速上升，當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓大于所述參考電壓Vref時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊101關(guān)斷，以使得所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref ;當(dāng)浪涌退后，輸入電容Cl上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓Vref時(shí)，所述控制開關(guān)模塊101導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。
[0101]進(jìn)一步地，請(qǐng)參見圖3，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中:
[0102]所述控制開關(guān)模塊101可包括:第一控制開關(guān)Q1、第二控制開關(guān)Q2，所述比較模塊102可包括:與所述第一控制開關(guān)Ql連接的所述第一比較器U1，以及與所述第二控制開關(guān)Q2連接的所述第二比較器U2 ；
[0103]所述直流防護(hù)電路100還可以包括負(fù)載電阻Rl和連接在所述負(fù)載電阻Rl兩端的運(yùn)放放大器U3，從反向輸入端口起(即-48V端口)，所述第一控制開關(guān)Q1、所述第二控制開關(guān)Q2與所述負(fù)載電阻Rl依次串聯(lián)在反向輸入支路上；
[0104]所述第一比較器Ul的一輸入端與所述運(yùn)放放大器U3輸出端連接，所述第一比較器Ul的另一輸入端為所述參考電壓Vref輸入端，其輸出端與所述第一控制開關(guān)Ql連接；
[0105]所述第二比較器U2的一輸入端與所述直流防護(hù)電路100的正向輸入端口(即RTN端口)連接，所述第二比較器U2的另一輸入端為所述參考電壓Vref輸入端，其輸出端與所述第二控制開關(guān)Q2連接。
[0106]另外，所述直流防護(hù)電路100中的輸入電容Cl，由于所述輸入電容Cl為所述直流防護(hù)電路100后級(jí)電源的輸入電容，因此所述輸入電容Cl可以為電解電容，該電解電容跨接于所述直流防護(hù)電路100正向輸入支路和反向輸入支路之間。在設(shè)備正常工作時(shí)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin (即RTN端口和-48V端口之間的電壓)基本相同。
[0107]進(jìn)一步地，所述直流防護(hù)電路100還可以包括:
[0108]跨接于所述直流防護(hù)電路100正向輸入端口和反向輸入端口之間的壓敏電阻Z1，所述壓敏電阻Zl用于當(dāng)所述輸入電壓Vin超過所述參考電壓Vref時(shí)進(jìn)行分流。
[0109]如圖3所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2可以均為金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),容易想到的是，本實(shí)施例中對(duì)所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2類型的限定僅僅作為舉例說明。[0110]其中，所述直流防護(hù)電路100從反向輸入端口(-48V端口)起，所述第一控制開關(guān)Q1、所述第二控制開關(guān)Q2與所述負(fù)載電阻Rl依次串聯(lián)在所述直流防護(hù)電路100的反向輸入支路上，其中，所述第一控制開關(guān)Ql的漏極與反向輸入端口(-48V端口)相連，所述第一控制開關(guān)Ql的源極與所述第二控制開關(guān)Q2的源極相連，所述第二控制開關(guān)Q2的漏極與所述負(fù)載電阻Rl相連，所述第一比較器Ul輸出端與所述第一控制開關(guān)Ql的柵極連接，所述第二比較器U2輸出端與所述第二控制開關(guān)Q2的柵極連接；本實(shí)施例中，所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2可用于緩啟動(dòng)和防反接。
[0111]所述運(yùn)放放大器U3的兩個(gè)輸入端分別連接在所述負(fù)載電阻Rl的兩端，用于對(duì)所述負(fù)載電阻Rl兩端的電壓進(jìn)行放大，其輸出端輸出第一電壓Vl ;可以理解的是，由于設(shè)備正常工作時(shí)，流經(jīng)負(fù)載電阻Rl上的電流很小，并且該負(fù)載電阻Rl的電阻值也較小，因此，該實(shí)施方式中，需要將所述負(fù)載電阻Rl兩端的電壓進(jìn)行放大比較。
[0112]在該實(shí)施方式下，如圖3所示，假設(shè)所述第一控制開關(guān)Ql和所述第二控制開關(guān)Q2均為緩啟動(dòng)的MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管:
[0113]則所述第一比較器Ul，可具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓Vl的大小，若所述第一電壓VI大于所述參考電壓Vref,則控制所述第一控制開關(guān)Ql處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref，若所述第一電壓Vl不大于所述參考電壓Vref，則控制所述第一控制開關(guān)Ql飽和導(dǎo)通。
[0114]所述第二比較器U2，可具體用于當(dāng)電流正向流通時(shí)，檢測(cè)所述直流防護(hù)電路100輸入電壓Vin的大小，若所述輸入電壓Vin大于所述參考電壓Vref，則控制所述第二控制開關(guān)Q2處于放大狀態(tài)關(guān)斷，以使所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref，若所述輸入電壓Vin不大于所述參考電壓Vref，則控制所述第二控制開關(guān)Q2飽和導(dǎo)通。
[0115]基于此，如圖3所示，下面簡(jiǎn)單地介紹一下該電路的工作原理。
[0116]設(shè)備正常工作時(shí)，電流正向流通，經(jīng)由正向輸入端口( RTN端口)流進(jìn)，依次經(jīng)過輸入電容Cl、負(fù)載電阻R1、第二控制開關(guān)Q2、第一控制開關(guān)Ql后，流向反向輸入端口(-48V端口);浪涌發(fā)生之前，所述第二控制開關(guān)Q2、第一控制開關(guān)Ql均處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin (即RTN端口和-48V端口之間的電壓)基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓Vin增大，即RTN端口和-48V端口之間會(huì)出現(xiàn)高電壓，輸入電容Cl上面的電壓迅速上升，當(dāng)?shù)诙容^器U2檢測(cè)到所述輸入電壓Vin (即輸入電容Cl兩端的電壓)大于所述參考電壓Vref時(shí)，第二比較器U2控制緩啟動(dòng)第二控制開關(guān)Q2的柵極電壓，使得第二控制開關(guān)Q2處于放大狀態(tài)，以及讓輸入電容Cl上的電壓不超過所述參考電壓Vref ;在該控制過程中，第二控制開關(guān)Q2處于閉環(huán)狀態(tài)，工作于可變電阻區(qū)；當(dāng)浪涌退后，輸入電容Cl上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓Vref時(shí)，所述第二控制開關(guān)Q2導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。
[0117]相反地，當(dāng)所述直流防護(hù)電路100的電流反向流通時(shí)，即電路中電流經(jīng)由反向輸入端口(-48V端口)流進(jìn)，依次經(jīng)過第一控制開關(guān)Q1、第二控制開關(guān)Q2、負(fù)載電阻R1、輸入電容Cl后，流向正向輸入端口(RTN端口)；
[0118]所述第一比較器U1，具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓Vl的大小，若所述第一電壓Vl大于所述參考電壓Vref,則控制所述第一控制開關(guān)Ql處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref，若所述第一電壓Vl不大于所述參考電壓Vref，則控制所述第一控制開關(guān)Ql飽和導(dǎo)通。
[0119]可以理解的是，圖3中所示的第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2亦可替換為與之功能類似的晶體三極管，而替換的晶體三極管的各端口與其它器件的連接方式，與第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2類似，此處不再詳述。
[0120]由上述可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備200，該網(wǎng)絡(luò)設(shè)備200包括直流防護(hù)電路100，其中，該直流防護(hù)電路100包括控制開關(guān)模塊101、比較模塊102以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容Cl ;浪涌發(fā)生之前，所述控制開關(guān)模塊(包括第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2)處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述輸入電容Cl兩端的電壓與輸入電壓Vin基本相同；當(dāng)浪涌發(fā)生時(shí)，輸入電壓Vin增大，輸入電容Cl上面的電壓迅速上升，當(dāng)所述輸入電容Cl兩端的電壓大于所述參考電壓Vref時(shí)，控制所述第一控制開關(guān)Ql/第二控制開關(guān)Q2關(guān)斷，以使得所述輸入電容Cl的電壓不超過所述參考電壓Vref ;當(dāng)浪涌退后，輸入電容Cl上面的電壓下降，當(dāng)其上面的電壓不超過所述參考電壓Vref時(shí)，所述第一控制開關(guān)Ql/第二控制開關(guān)Q2導(dǎo)通，設(shè)備恢復(fù)正常工作。也就是通過閉環(huán)控制經(jīng)過防護(hù)器件的電壓，在浪涌發(fā)生的時(shí)候，采用限壓的保護(hù)策略，確保后級(jí)開關(guān)電源的輸入電壓低于安全電壓，提升設(shè)備內(nèi)部電源的可靠性；并且，由于利用設(shè)備直流電源輸入端口的緩啟動(dòng)器件(第一控制開關(guān)Ql和第二控制開關(guān)Q2)，減少設(shè)備直流端口防護(hù)部分的器件的占用印刷電路板PCB的面積。
[0121]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，在上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述，在此不再贅述。
[0122]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的直流防護(hù)電路及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種直流防護(hù)電路，其特征在于，包括: 控制開關(guān)模塊、比較模塊以及所述直流防護(hù)電路后級(jí)電源的輸入電容； 其中，與所述控制開關(guān)模塊連接的所述比較模塊，用于當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓大于參考電壓時(shí)，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓；當(dāng)所述輸入電容兩端的電壓不大于所述參考電壓，控制所述控制開關(guān)模塊導(dǎo)通； 所述控制開關(guān)模塊，用于根據(jù)其導(dǎo)通或關(guān)斷控制所述直流防護(hù)電路的導(dǎo)通或關(guān)斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流防護(hù)電路，其特征在于: 所述控制開關(guān)模塊包括:第一控制開關(guān)、第二控制開關(guān)； 所述比較模塊包括:與所述第一控制開關(guān)連接的所述第一比較器，以及與所述第二控制開關(guān)連接的所述第二比較器； 所述直流防護(hù)電路還包括負(fù)載電阻和連接在所述負(fù)載電阻兩端的運(yùn)放放大器，從反向輸入端口起，所述第一控制開關(guān)、所述第二控制開關(guān)與所述負(fù)載電阻依次串聯(lián)； 所述第一比較器的一輸入端與所述運(yùn)放放大器輸出端連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第一控制開關(guān)連接； 所述第二比較器的一輸入端與所述直流防護(hù)電路的正向輸入端口連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第二控制開關(guān)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直流防護(hù)電路，其特征在于: 所述運(yùn)放放大器，用于對(duì)所述負(fù)載電阻兩端的電壓進(jìn)行放大，輸出第一電壓； 所述第一比較器，具體用于當(dāng)電流反向流通時(shí)，檢測(cè)所述第一電壓的大小，若所述第一電壓大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述第一電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)飽和導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直流防護(hù)電路，其特征在于: 所述第二比較器，具體用于當(dāng)電流正向流通時(shí)，檢測(cè)所述直流防護(hù)電路輸入電壓的大小，若所述輸入電壓大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)處于放大狀態(tài)關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述輸入電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)飽和導(dǎo)通。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的直流防護(hù)電路，其特征在于，所述直流防護(hù)電路還包括: 跨接于所述直流防護(hù)電路正向輸入端口和反向輸入端口之間的壓敏電阻，用于當(dāng)所述輸入電壓超過所述參考電壓時(shí)進(jìn)行分流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的直流防護(hù)電路，其特征在于: 所述第一控制開關(guān)和所述第二控制開關(guān)均為金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管MOSFET。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的直流防護(hù)電路，其特征在于: 所述輸入電容為電解電容。
8.—種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，其特征在于，包括: 直流防護(hù)電路，其中，所述直流防護(hù)電路為如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的直流防護(hù)電路，所述直流防護(hù)電路設(shè)置于所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的直流電源輸入端口。
【文檔編號(hào)】H02H3/20GK103715649SQ201310718810
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月20日
【發(fā)明者】楊文科 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司