具有溫度控制的靜電夾具的制作方法
【專利摘要】在此提供一種裝置的實(shí)施方式，所述裝置用于控制處理腔室中的靜電夾具的溫度。在一些實(shí)施方式中，裝置包含：靜電夾具，所述靜電夾具設(shè)置于處理腔室中，所述靜電夾具包含陶瓷板，所述陶瓷板具有基板支撐表面；以及冷卻組件，所述冷卻組件包含多個(gè)冷卻板，所述多個(gè)冷卻板設(shè)置于所述靜電夾具之下以調(diào)整所述靜電夾具的冷卻能力。在一些實(shí)施方式中，所述多個(gè)冷卻板包含內(nèi)冷卻板與外冷卻板，所述內(nèi)冷卻板配置成用以控制所述靜電夾具的中心部分的溫度，所述外冷卻板配置成用以控制所述靜電夾具的外部分的溫度。在一些實(shí)施方式中，所述多個(gè)冷卻板包含上冷卻板與下冷卻板，所述上冷卻板接觸所述靜電夾具的底表面，所述下冷卻板接觸所述上冷卻板的底表面。
【專利說明】具有溫度控制的靜電夾具
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及用于支撐基板的靜電夾具。
【背景技術(shù)】
[0002]靜電夾具可被用來固定即將被處理的基板至基板支撐件。靜電夾具的元件可包括電極與溝槽(groove)，電極固定基板，溝槽設(shè)置在靜電夾具的表面中以提供背側(cè)氣體(backside gas)至基板背側(cè)表面。一些典型的靜電夾具在當(dāng)只使用一個(gè)冷卻板時(shí)具有固定的冷卻能力。然而，單一的冷卻板不依據(jù)溫度使用或基板冷卻需求而提供可變的冷卻能力。靜電夾具的這些元件可能會(huì)影響基板的處理。因此，本文提供改進(jìn)的靜電夾具的設(shè)計(jì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在此提供靜電夾具的實(shí)施方式，所述靜電夾具具有在處理腔室中使用的溫度控制。在一些實(shí)施方式中，裝置包含:靜電夾具，所述靜電夾具設(shè)置于處理腔室內(nèi)，所述靜電夾具包含陶瓷板，所述陶瓷板具有基板支撐表面；以及冷卻組件，所述冷卻組件包含多個(gè)冷卻板，所述多個(gè)冷卻板設(shè)置于所述靜電夾具之下以調(diào)整所述靜電夾具的冷卻能力。在一些實(shí)施方式中，所述多個(gè)冷卻板包含內(nèi)冷卻板與外冷卻板，所述內(nèi)冷卻板配置成用以控制所述靜電夾具的中心部分的溫度，而所述外冷卻板配置成用以控制所述靜電夾具的外部分的溫度。在一些實(shí)施方式中，所述多個(gè)冷卻板包含上冷卻板與下冷卻板，所述上冷卻板接觸所述靜電夾具的底表面，而所述下冷卻板接觸所述上冷卻板的底表面。
[0004]在一些實(shí)施方式中，一種用于處理基板的裝置，所述裝置包含:腔室，所述腔室界定處理區(qū)域；靜電夾具，所述靜電夾具用于將基板固定于所述處理區(qū)域中，所述靜電夾具包含陶瓷板、多個(gè)電極、多個(gè)溝槽及多個(gè)電源，所述陶瓷板具有基板支撐表面，所述多個(gè)電極設(shè)置于所述陶瓷板內(nèi)，其中所述多個(gè)電極的每一電極都是單獨(dú)可控的，所述多個(gè)溝槽形成于所述陶瓷板的所述基板支撐表面中，每一個(gè)電源都耦接至所述多個(gè)電極中的相應(yīng)電極以使得每一個(gè)電極都是獨(dú)立受控的；冷卻組件，所述冷卻組件包含多個(gè)冷卻板，這些冷卻板設(shè)置于所述靜電夾具之下以調(diào)整所述靜電夾具的冷卻能力。
[0005]本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式被描述于下文。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]能通過參考各附圖中描繪的本發(fā)明的示例性實(shí)施方式來理解上文簡(jiǎn)要概述的且在下文中更加詳細(xì)論述的本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，應(yīng)注意的是，附圖僅示出本發(fā)明的典型實(shí)施方式，且因此附圖不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他同等有效的實(shí)施方式。
[0007]圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板支撐件的示意側(cè)視圖。
[0008]圖2A-C描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的靜電夾具的示意側(cè)視圖與頂視圖。
[0009]圖3描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的面對(duì)靜電夾具的表面的基板中的溝槽的自上而下(top down)的示意圖。
[0010]圖4A-B描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的靜電夾具中的電極的自上而下的示意圖。
[0011]為便于理解，盡可能使用相同的標(biāo)記數(shù)字來表示各附圖所共有的相同元件。附圖并未按比例繪制且可為了清楚而簡(jiǎn)化。預(yù)期一個(gè)實(shí)施方式的元件及特征可有利地并入其他實(shí)施方式中而不需進(jìn)一步詳述。
【具體實(shí)施方式】
[0012]在此提供靜電夾具的實(shí)施方式。本發(fā)明的裝置可有利地提供被改良的基板處理，例如通過下列方式，比如通過限制介于基板支撐件元件與等離子體之間的電弧和/或通過可控制地調(diào)整由靜電夾具向設(shè)置在所述靜電夾具上的基板的各區(qū)域提供的夾持功率量。另夕卜，靜電夾具可被安裝以使得靜電夾具可以是可拆卸的和/或可更換的。在一些實(shí)施方式中，基板支撐件可在高溫下使用，例如，溫度范圍從約200攝氏度至約450攝氏度。在一些實(shí)施方式中，基板支撐件可與直徑大于約400毫米的基板一起使用。其他和進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)將在下面討論。
[0013]圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的基板支撐件100的側(cè)視示意圖。如圖1所示，基板支撐件100被配置在裝載位置以接收或移除基板101。例如，如圖1所示，在裝載位置，基板101可安置在基板支撐件100上方的多個(gè)升降銷(lift pin)103上。升降銷103相對(duì)于基板支撐件100的支撐表面是可移動(dòng)的，例如，通過升降銷孔107，升降銷孔107促進(jìn)升降銷103的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。基板支撐件100可被設(shè)置在處理腔室中(腔室壁102的剖視圖在圖1中示出)。處理腔室可以是任何合適的基板處理腔室。
[0014]基板支撐件100可包括主體104。主體104可具有內(nèi)部容積106。內(nèi)部容積106與處理腔室的處理容積108隔開。內(nèi)部容積106可保持在，例如，約14.7磅每平方英寸(psi)的氣氛下，或保持在惰性氣氛下，比如氮(N2)或類似氣氛。內(nèi)部容積106進(jìn)一步與任何可能存在于處理腔室的處理容積108中的氣體隔離，且進(jìn)一步被保護(hù)免于接觸任何可能存在于處理腔室的處理容積108中的氣體。處理容積108可保持在大氣壓或低于大氣壓的壓強(qiáng)下。
[0015]內(nèi)部容積106可由靜電夾具110以及饋通(feedthrough)結(jié)構(gòu)111封閉，靜電夾具110在主體104的上端105處，饋通結(jié)構(gòu)111可被焊接或銅焊(braze)至主體104的下開口 114。例如，如圖1所示，波紋管(bellows) 112可圍繞饋通結(jié)構(gòu)111的至少一部分且將處理容積108與腔室外部以及內(nèi)部容積106隔開。波紋管112可提供柔性部分，以方便基板支撐件100的運(yùn)動(dòng)，波紋管112亦可提供途徑以用于提供氣體、電功率、冷卻劑及類似物至基板支撐件100。氣體、電功率、冷卻劑及類似物可由饋通結(jié)構(gòu)111提供。
[0016]波紋管112可在下開口 114處，例如，通過焊接或銅焊而被耦接到主體104。波紋管112的相對(duì)下端116可被耦接到腔室壁102中的開口 118。例如，如圖1所示，波紋管112的下端116可包括凸緣117，凸緣117可通過O形環(huán)119或銅墊片或類似物耦接至腔室壁102。O形環(huán)119可安置在溝槽中，所述溝槽在腔室壁102的面對(duì)處理容積的表面上。波紋管112與主體104以及腔室壁102的其他耦接方式和其他設(shè)計(jì)是可能的。
[0017]基板支撐件100可包括冷卻板134，冷卻板134設(shè)置在靜電夾具110下面的內(nèi)部容積106中。例如，如在一些實(shí)施方式中，冷卻板134可直接接觸靜電夾具110的面對(duì)內(nèi)部容積的表面。然而，冷卻板134的這個(gè)實(shí)施方式僅僅是示例性的且冷卻板可不直接接觸靜電夾具110。冷卻板134可包括多個(gè)冷卻通道(未圖示)，所述冷卻通道用于使冷卻劑循環(huán)穿過冷卻板134。冷卻劑可包括任何合適的液體或氣體冷卻劑。在一些實(shí)施方式中，冷卻劑可通過冷卻劑源136被供給到冷卻板134，冷卻劑源136通過饋通結(jié)構(gòu)111耦接到冷卻板134。例如，冷卻板134可通過一個(gè)或更多個(gè)彈簧135或任何合適的接合機(jī)構(gòu)而接合至靜電夾具110。冷卻板134的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式示于圖2A-C中且論述如下。
[0018]靜電夾具110可包括陶瓷板120。如圖1所示，陶瓷板120可安置于環(huán)122上，環(huán)122設(shè)置在主體104的上端105與靜電夾具110之間。例如，環(huán)122可包含K0VAR?，或任何合適的材料。例如，通過將環(huán)122焊接或銅焊到靜電夾具110以及主體104的上端105 二者，環(huán)122可將靜電夾具110固定到主體104的上端105。陶瓷板120可包含任何適合的陶瓷材料，比如氮化鋁(A1N)、氧化鋁(A1203)、或被摻雜的陶瓷，所述被摻雜的陶瓷比如鈦摻雜的氧化鋁或鈣摻雜的氮化鋁或類似物。如圖1所示，陶瓷板120可包括多個(gè)溝槽124，多個(gè)溝槽124形成在陶瓷板120的基板支撐表面中。這些溝槽可用于，例如，提供背側(cè)氣體至基板101的背側(cè)表面。在下面將針對(duì)圖3更詳細(xì)地論述溝槽。陶瓷板120可進(jìn)一步包括多個(gè)電極126，可使用多個(gè)電極126將基板101固定在靜電夾具110的處理表面128上。在下面將更詳細(xì)地論述電極126且于圖4A-B中示出電極126。
[0019]靜電夾具110還可包括一個(gè)或更多個(gè)加熱器123。所述一個(gè)或更多個(gè)加熱器123可被耦接到一個(gè)或更多個(gè)電源125且可以是獨(dú)立可控的。下面將根據(jù)圖2A-C更詳細(xì)地論述所述一個(gè)或更多個(gè)加熱器123。
[0020]如圖2A所示，靜電夾具110可包括沉積環(huán)206，沉積環(huán)206設(shè)置成圍繞陶瓷板120且覆蓋陶瓷板120的暴露部分的至少一些，如圖2所示。在一些實(shí)施方式中，陶瓷板120和沉積環(huán)206之間存在間隙201。然而，間隙201可以是可選的，并且在一些實(shí)施方式中，沉積環(huán)206可接觸陶瓷板120。沉積環(huán)206可包括氧化鋁(A1203)、碳化硅(SiC)、不銹鋼、鈦(Ti)或類似物之一或更多。沉積環(huán)206可用于保護(hù)靜電夾具110的暴露部分在基板處理期間免于損壞或防止材料沉積到這樣的表面上。例如，損傷可包含電弧放電(arcing)或類似物。
[0021]如圖2A所示，沉積環(huán)206可具有表面輪廓，所述表面輪廓大致平坦且在當(dāng)基板101被設(shè)置在靜電夾具110的處理表面128上的處理位置時(shí)，所述表面輪廓在基板101的水平面之下?；蛘?，(未圖示)沉積環(huán)206可具有傾斜輪廓，比如靠近基板101的外圍邊緣較厚且靠近陶瓷板120的外圍邊緣較薄。例如，傾斜的輪廓可減少污染物、處理材料或類似物在沉積環(huán)206上的積累。
[0022]在一些實(shí)施方式中，氣源(B卩，下面論述的且在圖1中示出的氣源130)可通過一個(gè)或更多個(gè)多孔插頭211耦接到多個(gè)溝槽124。例如，一個(gè)或更多個(gè)多孔插頭211可包括任何合適的多孔陶瓷材料，比如氮化鋁(A1N)、氧化鋁(Al2O3)或類似材料。所述一個(gè)或更多個(gè)多孔插頭211可被用來以所希望的流率(flow rate)提供氣體至溝槽124，例如，比如以將限制或防止因接近電極126而產(chǎn)生氣體電弧的密度或流率提供氣體至溝槽124，電極126可工作在如下面所論述的高頻率和/或功率下。例如，在一些實(shí)施方式中，可通過環(huán)213將一個(gè)或更多個(gè)多孔插頭211耦接到陶瓷板120的面向內(nèi)部容積的表面。例如，環(huán)213可以是K0VAR?或類似物，并且可通過任何合適的銅焊材料而將環(huán)213耦接到陶瓷板120的面向內(nèi)部容積的表面，所述銅焊材料比如銅銀或類似物。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)多孔插頭211可通過結(jié)構(gòu)215被耦接到環(huán)213，結(jié)構(gòu)215比如金屬套筒或多個(gè)金屬銷，金屬套筒或金屬銷可銅焊或焊接至環(huán)213的內(nèi)部表面。在一些實(shí)施方式中，氣體管線217可銅焊或焊接到環(huán)213以提供來自氣源130的氣體，如下面所論述。
[0023]在一些實(shí)施方式中，冷卻板134可包括內(nèi)冷卻板212和外冷卻板214。在一些實(shí)施方式中，如圖2B中自上而下的視圖所示，內(nèi)冷卻板212可設(shè)置成圍繞中心氣體管線217且外冷卻板214可設(shè)置成包圍多個(gè)外氣體管線217。例如，內(nèi)冷卻板212和外冷卻板214可用于依據(jù)靜電夾具110如何被利用而調(diào)整冷卻能力，比如電功率是如何提供至電極126和/或一個(gè)或更多個(gè)加熱器123或類似物的。另外，內(nèi)冷卻板212和外冷卻板214可被用來改善基板溫度控制或使基板支撐件100從高溫降溫。例如，內(nèi)冷卻板212和外冷卻板214可被調(diào)制成用以控制基板101與一個(gè)或更多個(gè)加熱器123之間的熱傳遞。
[0024]在一些實(shí)施方式中，冷卻板134可包括上冷卻板216和下冷卻板218，如圖2C所示。上冷卻板216和下冷卻板218可被用來提供如上面關(guān)于內(nèi)冷卻板212和外冷卻板214所論述的類似的益處，上冷卻板216和下冷卻板218可被堆疊以使得上冷卻板通過箔(foil)來接觸靜電夾具110，而下冷卻板接觸上冷卻板。通過獨(dú)立地控制流至上冷卻板和下冷卻板的冷卻劑流，在陶瓷主體120與冷卻板組件134之間實(shí)現(xiàn)可變的熱傳遞。
[0025]在一些實(shí)施方式中，上冷卻板216和下冷卻板218的每一個(gè)冷卻板都可提供遍及冷卻板134的整個(gè)直徑的均勻的冷卻。在其他實(shí)施方式中，上冷卻板216和下冷卻板218的每一個(gè)冷卻板都可提供不同的冷卻至冷卻板134的內(nèi)區(qū)域和外區(qū)域。也就是說，在一些實(shí)施方式中，上冷卻板216和下冷卻板218可與內(nèi)冷卻板212和外冷卻板214結(jié)合。
[0026]在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)加熱器123可包括多個(gè)加熱器123，如圖2A和圖2C所示。例如，在一些實(shí)施方式中，多個(gè)加熱器123可包括:中心加熱器220 ;中間加熱器222，所述中間加熱器222設(shè)置在中心加熱器220周圍；以及外加熱器224，所述外加熱器224設(shè)置在中間加熱器222周圍。中心、中間和外加熱器220、222、224的每一個(gè)加熱器都可被耦接到相同或不同的一個(gè)或更多個(gè)電源125，且通過溫度反饋回路而被獨(dú)立地控制。例如，第一熱電偶221可監(jiān)測(cè)陶瓷板120的靠近中心加熱器220的位置的溫度中心。同樣，熱電偶223和225可分別監(jiān)測(cè)陶瓷板120的靠近中間、外加熱器222、224的位置的溫度。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式而在圖3中示出設(shè)置在靜電夾具110的處理表面128中的多個(gè)溝槽124。例如，如上面所論述的多個(gè)溝槽124可被用來提供氣體至基板101的背側(cè)。例如，氣體可用來促進(jìn)陶瓷板120與基板101之間均勻的熱傳遞。另外，溝槽124的壓強(qiáng)可被，例如，壓強(qiáng)傳感器(transducer)或任何合適的壓強(qiáng)感測(cè)裝置監(jiān)測(cè)。例如，在溝槽124中的壓降可產(chǎn)生基板101被損壞的信號(hào)，例如，比如開裂或類似損壞。因壓降的緣故，腔室中的沉積處理可停止以防止靜電夾具110暴露于處理環(huán)境。
[0028]在一些實(shí)施方式中，多個(gè)溝槽124可包括多個(gè)環(huán)形溝槽302、多個(gè)徑向溝槽304以及多個(gè)偏移(offset)溝槽306，如圖3所示。在一些實(shí)施方式中，偏移溝槽306是非徑向偏移溝槽。如在此所使用的，非徑向溝槽是不沿著從陶瓷板120的中心徑向延伸的線的溝槽。例如,在一些實(shí)施方式中，多個(gè)環(huán)形溝槽302可為同軸的且通過多個(gè)偏移溝槽306流體相通。多個(gè)徑向溝槽304可流體相通且設(shè)置在最里面的環(huán)形溝槽的內(nèi)部以及最外面的環(huán)形溝槽的外部。然而，這樣的設(shè)計(jì)僅僅是示例性的，并且其他的配置是可能的。例如，在一些實(shí)施方式中，徑向溝槽不從陶瓷板120的內(nèi)部連續(xù)地延伸到陶瓷板120的外圍邊緣。在一些實(shí)施方式中，徑向溝槽不延伸超過一組環(huán)形溝槽之間，或不延伸長(zhǎng)于任何適于限制在溝槽124中由等離子體形成電弧的長(zhǎng)度。例如，在高功率或高頻率下電弧放電可產(chǎn)生于長(zhǎng)的、連續(xù)的徑向溝槽中。因此,在一些實(shí)施方式中，引入多個(gè)偏移溝槽306以限制徑向溝槽304的長(zhǎng)度。例如，如果使用長(zhǎng)的、連續(xù)的徑向溝槽，則在高功率和/或高頻率下電弧放電可產(chǎn)生于流過溝槽的氣體中。在一些實(shí)施方式中，徑向和/或偏移溝槽304、306的長(zhǎng)度范圍可從約2公分至約5公分。然而，其他長(zhǎng)度可被利用。
[0029]圖4A-B示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的多個(gè)電極126。例如，如上面所論述的多個(gè)電極126，多個(gè)電極126可被用來固定基板101至靜電夾具110的處理表面128。例如，在一些實(shí)施方式中，如圖4A-B中排列的多個(gè)電極126可被利用以用于從靜電夾具110受控地卸除夾持，以夾持弓形基板或類似基板。例如，在卸除夾持期間，氣體可仍然流過溝槽124且/或溝槽中的壓強(qiáng)比處理容積108中的壓強(qiáng)還高。因此，例如，為了防止基板101跳下靜電夾具110，一些電極126可在其他電極關(guān)閉之前關(guān)閉以逐步卸除夾持基板101。例如，在夾持過程中，較大的基板，比如400毫米或更大，可呈弓形。因此，為了使弓形基板對(duì)照靜電夾具110平坦化，一些電極126可在比其他的電極126更高的功率和/或頻率之下工作，以使基板變平。
[0030]如圖4A所示，多個(gè)電極126可排列成同軸圖案，其中多個(gè)外部電極404設(shè)置在多個(gè)內(nèi)部電極402周圍。例如,如圖4A所示，陶瓷板120的每個(gè)四分之一圓(quadrant)都包括一個(gè)外部電極404，外部電極404設(shè)置在一個(gè)內(nèi)部電極的徑向外側(cè)。然而，可利用任何合適數(shù)目的內(nèi)部和外部電極402、404。此外，各相鄰電極的極性可被控制為彼此相反以致沒有兩個(gè)相鄰電極有相同的極性。
[0031]如圖4B所示，多個(gè)電極126可排列在圍繞陶瓷板120的徑向圖案中，其中每個(gè)電極都占據(jù)區(qū)域406，區(qū)域406介于陶瓷板120的中心與外圍邊緣之間，區(qū)域406由徑向角408界定。例如，如圖4B所示，在一些實(shí)施方式中，可具有占用八個(gè)區(qū)域406的八個(gè)電極126，其中每個(gè)區(qū)域406都由相同的徑向角408界定。此外，各相鄰電極的極性可被控制為彼此相反以致沒有兩個(gè)相鄰電極有相同的極性。
[0032]回到圖1，基板支撐件100可包括饋通結(jié)構(gòu)111以提供一種途徑來，例如，提供氣體至多個(gè)溝槽124，提供電功率至多個(gè)電極126，或提供來自外部源的類似物至處理腔室。例如，如圖1所示，氣源130和電源131、132可通過饋通結(jié)構(gòu)111分別耦接至多個(gè)溝槽124和多個(gè)電極126。例如，(未圖示)電源131、132可以是多個(gè)電源，例如，以使得每個(gè)電源都可耦接到每個(gè)電極126以使得每個(gè)電極126都可被獨(dú)立地控制。例如，電源132可被利用以提供頻率范圍從約13.56MHz至約IOOMHz的RF (射頻)功率。在一些實(shí)施方式中，所述頻率可以是約60MHz。例如，電源131可用于提供DC (直流)電源，例如，以夾持或卸除夾持基板101。例如，氣源130可在多于一個(gè)入口點(diǎn)處耦接到多個(gè)溝槽124，如圖1所示。例如，中心氣體管線可用于提供氣體至中心入口點(diǎn)且外氣體管線可用來提供氣體至多個(gè)外入口點(diǎn)，如圖1所示。然而，提供氣體至溝槽124的其他合適的實(shí)施方式是可能的。
[0033]在操作時(shí)，為了從裝載位置移動(dòng)基板支撐件至處理位置，升降機(jī)構(gòu)138可接合饋通結(jié)構(gòu)111，以使得饋通結(jié)構(gòu)111將基板支撐件升至處理位置。當(dāng)基板支撐件100朝向基板101上升時(shí)升降銷103可保持靜止，基板101放在升降銷103上，如圖1所示。[0034]雖然前述說明是針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，然在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計(jì)出本發(fā)明的其他與進(jìn)一步的實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.用于在處理腔室中控制靜電夾具的溫度的裝置，所述裝置包含: 靜電夾具，所述靜電夾具設(shè)置于處理腔室中，所述靜電夾具包含陶瓷板，所述陶瓷板具有基板支撐表面；以及 冷卻組件，所述冷卻組件包含多個(gè)冷卻板，所述多個(gè)冷卻板設(shè)置于所述靜電夾具之下以調(diào)整所述靜電夾具的冷卻能力。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述冷卻組件通過一個(gè)或更多個(gè)彈簧接合至所述靜電夾具，這些彈簧設(shè)置于所述冷卻組件的底表面與所述處理腔室的主體之間。
3.如權(quán)利要求1至2的任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述多個(gè)冷卻板的每一個(gè)冷卻板都包含一個(gè)或更多個(gè)冷卻劑通道，這些冷卻劑通道被配置成用以使冷卻劑循環(huán)通過這些冷卻板。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述多個(gè)冷卻板包含內(nèi)冷卻板與外冷卻板，所述內(nèi)冷卻板被配置成用以控制所述靜電夾具的中心部分的溫度，所述外冷卻板被配置成用以控制所述靜電夾具的外部分的溫度。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述內(nèi)冷卻板以及所述外冷卻板的溫度是獨(dú)立可控的。
6.如權(quán)利要求4所 述的裝置，其中所述內(nèi)冷卻板以及所述外冷卻板的頂表面與所述靜電夾具的底表面接觸。
7.如權(quán)利要求4所述的裝置，進(jìn)一步包含: 多個(gè)溝槽，所述多個(gè)溝槽形成于所述陶瓷板的所述基板支撐表面中，所述多個(gè)溝槽被配置成用以當(dāng)基板設(shè)置于所述靜電夾具上時(shí)使氣體流過所述基板的底表面； 中心氣體管線，所述中心氣體管線用以通過在所述陶瓷板中的中心入口點(diǎn)提供氣體至所述多個(gè)溝槽至少之一 '及 多個(gè)外氣體管線，所述多個(gè)外氣體管線用以通過在所述陶瓷板內(nèi)的多個(gè)外入口點(diǎn)至所述多個(gè)溝槽的至少一些溝槽。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述內(nèi)冷卻板設(shè)置成圍繞所述中心氣體管線，且所述外冷卻板設(shè)置成圍繞所述多個(gè)外氣體管線。
9.如權(quán)利要求4至8的任一項(xiàng)所述的裝置，進(jìn)一步包含: 一個(gè)或更多個(gè)電極，所述一個(gè)或更多個(gè)電極設(shè)置于所述陶瓷板內(nèi)；以及 一個(gè)或更多個(gè)加熱器，所述一個(gè)或更多個(gè)加熱器設(shè)置于所述陶瓷板內(nèi)， 其中所述內(nèi)冷卻板與所述外冷卻板被配置成用以基于下列兩條件至少之一來調(diào)整冷卻能力:(a)提供至所述一個(gè)或更多個(gè)電極的電功率的量，或(b)由所述一個(gè)或更多個(gè)加熱器提供的熱。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述內(nèi)冷卻板與所述外冷卻板被配置以被調(diào)制以在存在基板時(shí)控制所述一個(gè)或更多個(gè)加熱器與所述基板之間的熱傳遞。
11.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述多個(gè)冷卻板包含上冷卻板與下冷卻板，所述上冷卻板接觸所述靜電夾具的底表面，所述下冷卻板接觸所述上冷卻板的底表面。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中熱傳導(dǎo)箔設(shè)置于所述上冷卻板與所述靜電夾具之間。
13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中通過獨(dú)立地控制冷卻劑流而使所述內(nèi)冷卻板與所述外冷卻板的溫度是獨(dú)立可控的，所述冷卻劑流流至所述上冷卻板與所述下冷卻板。
14.如權(quán)利要求4至8的任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述內(nèi)冷卻板與所述外冷卻板的每一冷卻板都包含上冷卻板與下冷卻板，且其中包含在所述內(nèi)冷卻板與所述外冷卻板中的所述上冷卻板與所述下冷卻板的溫度能被獨(dú)立地控制。
【文檔編號(hào)】H02N13/00GK103843129SQ201280049055
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月30日
【發(fā)明者】維賈伊·D·帕克赫, 史蒂芬·V·桑索尼, 振雄·馬修·蔡 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司