專利名稱：一種變頻器的電解電容與igbt的連接結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前市場上的變頻器從電解電容到IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)的母線銅排走法主要有以下兩種1、如圖1所示，電解電容3正極、負極和IGBT 4出線端平齊，這樣從電解電容3到IGBT 4的正母排6、負母排8在中間加絕緣隔片7，形成疊層母排，這樣的弊端是電解電容3必須和IGBT 4平齊，這樣電解電容4在風(fēng)道5中的高度就比較低，在風(fēng)道5里的體積也就比較大，阻礙了風(fēng)道5，使變頻器散熱受到影響。2、如圖2所示，電解電容30正極、負極比IGBT 40高，正母排60、負母排80疊層后，在與IGBT 40連接的中間折彎，兩個母排不同時折彎(也就是說，折彎后不再疊層)。這種方式，電解電容30抬高，不再阻擋風(fēng)道50，但是兩個母排折彎后沒有重疊會形成比較大的寄生電感,對整機的可靠性不利。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提出一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)，其能解決可靠性差的問題。為了達到上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案如下一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)，其包括機箱，以及位于機箱內(nèi)的散熱器、IGBT、電解電容，散熱器位于IGBT的底部，電解電容的底部與機箱、散熱器之間形成有風(fēng)道，機箱上開設(shè)有進風(fēng)口，進風(fēng)口與風(fēng)道連通；電解電容的正極、負極均高于IGBT的正極、負極，電解電容的正極通過正母排與IGBT的正極連接，電解電容的負極通過負母排與IGBT的負極連接，正母排與負母排相互疊置，且正母排與負母排之間設(shè)有第一絕緣片。優(yōu)選的，IGBT的一側(cè)連接有并聯(lián)輸出銅排，正母排或負母排與并聯(lián)輸出銅排之間設(shè)有第二絕緣片。優(yōu)選的，正母排、負母排均由銅材料制成。本實用新型具有如下有益效果從電解電容到IGBT之間的正母排和負母排全部相互疊置，既不影響風(fēng)道散熱，又使電感減到最小，提聞廣品的可罪性。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的另一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3為本實用新型實施例一的變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4為本實用新型實施例二的變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)的示意圖。[0016]附圖標(biāo)記:100、機箱;200、散熱器;300、電解電容;400、IGBT ;500、風(fēng)道;600、正母排；700、第一絕緣片；800、負母排；1100、進風(fēng)口 ；9、第二絕緣片；10、并聯(lián)輸出銅排。
具體實施方式
下面，結(jié)合附圖以及具體實施方式
，對本實用新型做進一步描述實施例一如圖3所示，一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)，其包括機箱100，以及位于機箱100內(nèi)的散熱器200、IGBT 400、電解電容300，散熱器200位于IGBT 400的底部，電解電容300的底部與機箱100、散熱器200之間形成有風(fēng)道500，機箱100上開設(shè)有進風(fēng)口1100，進風(fēng)口 1100與風(fēng)道500連通；電解電容300的正極、負極均高于IGBT 400的正極、負極，電解電容300的正極通過正母排600與IGBT 400的正極連接，電解電容300的負極通過負母排800與IGBT 400的負極連接，正母排600與負母排800相互疊置，即正母排600與負母排800之間同時折彎，實現(xiàn)全程疊層，且正母排600與負母排800之間設(shè)有第一絕緣片 700。正母排600、負母排800均由銅材料制成。實施例二如圖4所示，本實施例與實施例二的區(qū)別在IGBT還具有并聯(lián)輸出端。具體的，IGBT400的一側(cè)連接有并聯(lián)輸出銅排10，負母排800與并聯(lián)輸出銅排10之間設(shè)有第二絕緣片9，以增大負母排800與IGBT 400的并聯(lián)輸出銅排10之間的安規(guī)距離。將正負母排從電解電容到IGBT整段全部疊在一起，中間通過絕緣片隔離，使正負母排圍成的面積幾乎降到最小，使其產(chǎn)生的寄生電感降到最小，這樣就會大大提高變頻器產(chǎn)品的穩(wěn)定性，從整體結(jié)構(gòu)上看，整齊大方。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實用新型權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括機箱，以及位于機箱內(nèi)的散熱器、IGBT、電解電容,散熱器位于IGBT的底部，電解電容的底部與機箱、散熱器之間形成有風(fēng)道，機箱上開設(shè)有進風(fēng)口，進風(fēng)口與風(fēng)道連通；電解電容的正極、負極均高于IGBT的正極、負極，電解電容的正極通過正母排與IGBT的正極連接，電解電容的負極通過負母排與IGBT的負極連接,正母排與負母排相互疊置,且正母排與負母排之間設(shè)有第一絕緣片。
2.如權(quán)利要求1所述的變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，IGBT的一側(cè)連接有并聯(lián)輸出銅排，正母排或負母排與并聯(lián)輸出銅排之間設(shè)有第二絕緣片。
專利摘要本實用新型涉及一種變頻器的電解電容與IGBT的連接結(jié)構(gòu)，其包括機箱，以及位于機箱內(nèi)的散熱器、IGBT、電解電容，散熱器位于IGBT的底部，電解電容的底部與機箱、散熱器之間形成有風(fēng)道，機箱上開設(shè)有進風(fēng)口，進風(fēng)口與風(fēng)道連通；電解電容的正極、負極均高于IGBT的正極、負極，電解電容的正極通過正母排與IGBT的正極連接，電解電容的負極通過負母排與IGBT的負極連接，正母排與負母排相互疊置，且正母排與負母排之間設(shè)有第一絕緣片。從電解電容到IGBT之間的正母排和負母排全部相互疊置，既不影響風(fēng)道散熱，又使電感減到最小，提高產(chǎn)品的可靠性。
文檔編號H02M1/00GK202872621SQ20122060378
公開日2013年4月10日 申請日期2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月15日
發(fā)明者李運明 申請人:江蘇吉泰科電氣股份有限公司