
本發(fā)明涉及一種用于高壓直流輸電組件、尤其是高壓直流輸電變壓器或高壓直流輸電扼流閥的布線裝置的分離點。所述布線裝置在在分離點上通過至少一個外部套管和與所述外部套管搭接的內(nèi)部套管形成。在這些套管內(nèi)可以導(dǎo)引電導(dǎo)線。套管通常為實現(xiàn)電屏蔽而由導(dǎo)電的、尤其是金屬材料、例如銅制成并且可以作為電極連接到地電位上。此外,套管通過多個內(nèi)外嵌套的固體屏蔽件錯接,其中,在套管與相鄰固體屏蔽件之間并且在所述固體屏蔽件相互之間留出環(huán)形縫隙以便用變壓器油填充。因此,形成一種多殼式結(jié)構(gòu),其中,該結(jié)構(gòu)以變壓器油浸漬。由此可以用變壓器油填充環(huán)形縫隙,并且固體屏蔽件在由吸附性材料,尤其是纖維素材料構(gòu)成時可以用變壓器油浸透。
背景技術(shù):開頭所述類型的分離點例如從DE102006008922A1中已知。分離點由兩個套管組成,其中,位于分離點區(qū)域外部的套管理解為外部套管。第二套管的直徑在分離點區(qū)域內(nèi)減小為,使得它可以插入外部套管中并因此在分離點區(qū)域內(nèi)形成內(nèi)部套管。此外,在出現(xiàn)公差時,通過內(nèi)部套管在外部套管中移動一段距離,分離點能夠?qū)崿F(xiàn)軸向補償。同樣地適用于包圍分離點的、由壓榨紙板構(gòu)成的固體屏蔽件。為使更容易移動和安裝,分離點的各個元件設(shè)有滑動面和在端側(cè)上加厚的端部,這意味著一定的制造耗費。高壓直流輸電組件一般理解為用于傳輸高壓直流電并且包含導(dǎo)引電流的元件的組件。尤其在此需要變壓器或扼流閥作為高壓直流輸電組件。當(dāng)然,也需要不同的高壓直流輸電組件來電連接。其他的高壓直流輸電組件是在這些布線裝置或絕緣套管中通過殼體部件的分離點,在殼體部件中裝有另外的高壓直流輸電組件。除了待導(dǎo)引的高壓直流電外,交流電也例如出現(xiàn)在變壓器線圈和扼流線圈中。按本發(fā)明的高壓直流輸電組件應(yīng)當(dāng)適合用于傳輸至少100kV的高壓直流電,優(yōu)選適合用于傳輸大于500kV的高壓直流電。由US4,521,450已知,將可浸漬的、由纖維素纖維構(gòu)成的實心材料浸入水性的氧化劑,例如由三氯化鐵(III)溶液,硫酸鈰(IV),鐵(III)氰化鉀或磷鉬酸組成的弱酸性溶液中。然后,濕潤的纖維素材料與液態(tài)或蒸汽態(tài)的吡咯化合物在室溫下一直處理,直到吡咯與氧化劑的濃度有關(guān)地聚合為止。將這樣浸漬過的纖維素材料在室溫下干燥24小時。氧化劑一方面保證吡咯化合物的聚合,此外還保證增大導(dǎo)電性。因此,這種浸漬過的纖維素材料的電阻率ρ會受到吡咯的濃度和氧化劑的種類受影響。此外,如果涉及形成電場的情況下、例如在電導(dǎo)體的絕緣層上減小峰值,已知納米復(fù)合物也可以用作分級電場的材料。為此,按WO2004/038735A1也可以使用例如由聚合物組成的材料。在這種材料中分散有填料,其顆粒是納米顆粒,也就是說具有最大100nm的平均直徑。按US2007/0199729A1,對于這種納米顆粒還可以使用半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度處于0eV到5eV的范圍內(nèi)。借助所使用的、例如由ZnO組成的納米顆??梢哉{(diào)節(jié)納米復(fù)合物的電阻。若在混入納米顆粒時超過一定的體積份額,該份額視納米顆粒的大小而定地為10至20%體積百分比,則納米復(fù)合物的電阻率明顯減小,其中,納米復(fù)合物的導(dǎo)電性可以以這種方式調(diào)節(jié)并且可以與所需條件匹配。尤其可以調(diào)節(jié)數(shù)量級1012Ωm的電阻率。因此,若通過納米復(fù)合物達(dá)到電壓降,該電壓降導(dǎo)致電勢更均勻的分布并因此也以適合的方式使所產(chǎn)生的電場梯度化。由此可以減小所產(chǎn)生的電場峰值,從而有利地提高了擊穿強度。在電導(dǎo)體受到交流電壓時,同樣存在電場梯度化效果,當(dāng)然該電場梯度化效果依照另外的機制。納米復(fù)合物削弱電場的效果在此與納米復(fù)合物的電容率有關(guān),其中,電容率ε是材料可透過電場的能力的一個度量。該電容率也稱作介電常數(shù),其中,下面應(yīng)使用概念“電容率”。人們也將通過電容率εr=ε/ε0表示的材料電容率ε與電場常數(shù)ε0(真空電容率)所成的比率稱作相對電容率。相對電容率越高,所使用的材料相比真空削弱電場的效果也就越大。下面僅涉及所使用材料的電容率。此外,WO2006/122736A1描述一種由纖維素纖維和納米管,優(yōu)選碳納米管(下面稱CNT)組成的系統(tǒng),其中,可以設(shè)定由6至75Ωm換算的電阻率。該納米復(fù)合物例如應(yīng)當(dāng)用作電阻加熱裝置,其中,考慮材料從電能轉(zhuǎn)換成熱能的能力來設(shè)計傳導(dǎo)性。為此,需要碳納米管對纖維素纖維有足夠的覆蓋度。WO2006/131011A1描述一種插槽,該插槽還可以由浸漬過的紙卷構(gòu)成。材料BN也被用作浸漬的材料。該材料也可以以摻雜的形式使用。此外,應(yīng)當(dāng)使用具有在纖維素材料中的濃度低于滲濾閾值的顆粒,以便不會出現(xiàn)顆粒的相互電接觸。由于此原因,納米復(fù)合物的電阻率基本上不被影響。從本申請時刻之后公開的、申請?zhí)枮镈E102010041630.4的申請中已知一種具有半導(dǎo)體或非導(dǎo)體納米顆粒的納米復(fù)合物,這些納米顆粒分散在纖維素材料,例如壓榨紙板中,該纖維素材料在變壓器中可以用作使電場梯度化的材料。分散在纖維素材料中的納米顆粒的至少一部分具有由導(dǎo)電聚合物制成的包皮。例如可以使用紙、紙板或壓榨紙板作為纖維素材料。該纖維素材料具有由纖維素纖維制成的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在其整體上構(gòu)成纖維素材料的結(jié)合。例如可以使用Si,SiC,ZnO,BN,GaN,A1N或C,尤其是氮化硼納米管(下面稱作BNNT)作為半導(dǎo)體或非導(dǎo)體的納米顆粒。可以使用在DE102007018540A1中提及的聚合物作為導(dǎo)電的聚合物。例如聚吡咯、聚苯胺,聚噻吩,聚對苯撐,聚對苯撐乙烯和所述聚合物的衍生物,稱作導(dǎo)電的聚合物。PEDOT是這種聚合物特別的例子,該PEDOT的商品名為Baytron,由拜耳公司生產(chǎn)。PEDOT以其分類學(xué)名稱也稱作聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。按本申請時刻之前公開的申請?zhí)枮镈E102010041635.5的申請,也可以規(guī)定,浸漬物由聚合物組成,該聚合物由負(fù)電荷的離聚物(尤其是PSS)和正電荷的離聚物交聯(lián)而成??梢允褂脙?yōu)選PEDOT或PANI。已提及的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)稱作PEDOT作為正電荷的離聚物。PANI是聚苯胺,PSS是聚磺苯乙烯。負(fù)電荷和正電荷的離聚物的使用能夠有利地實現(xiàn)纖維素材料特別簡單的制造。離聚物會很容易在水中溶解并因此輸送給同樣基于水的纖維素材料的制造過程。通過在制造纖維素材料之后交聯(lián)離聚物,纖維素材料的電阻率下降。在此離聚物聚合并且在纖維素材料中形成導(dǎo)電...