專利名稱：針對光耦合器電流傳輸比變化來優(yōu)化隔離式電源回路增益的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及針對光耦合器傳輸比的變化來優(yōu)化隔離式電源回路的增益。
背景技術(shù)：
本部分提供與本公開相關(guān)的未必是現(xiàn)有技術(shù)的背景信息。普遍使用隔離式電源轉(zhuǎn)換器來提供兩個不相關(guān)的系統(tǒng)(比如電源與電負載)之間的電氣隔離。在許多情況下，要求隔離式電源轉(zhuǎn)換器滿足安全規(guī)范。因此，必須在電源轉(zhuǎn)換器的電源級和控制回路中提供隔離。通常使用變換器來提供電源級隔離。經(jīng)常通過光耦合器(也稱為光隔離器)提供反饋控制回路中的隔離。使用光耦合器的缺點在于其電流傳輸比(CTR)的單元到單元的變化。電源的性能(包括電源的回路增益)與電源的光耦合器的CTR有關(guān)，但不限于此。因此，從一個光耦合器到另一個光耦合器的CTR的變化強加了約束給控制回路的設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容
本部分提供對本公開的概述，而非對本公開的完整范圍或者所有特征的全面公開。根據(jù)本公開的一個方面，提供一種優(yōu)化用于隔離式開關(guān)模式電源中的數(shù)字控制器的增益調(diào)整值Kadj的方法。該電源包括光耦合器，該光耦合器具有在由最小電流傳輸比(CTRmin)和最大電流傳輸比(CTRmax)限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比(CTRx)。該方法包括確定光耦合器的CTRx,基于所確定的光耦合器的CTRx確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx,以及將該最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx存儲在數(shù)字控制器中。根據(jù)本公開的另一方面，一種隔離式開關(guān)模式電源包括具有輸出端的電源電路以及用于該電源電路的控制電路。該控制電路包括數(shù)字控制器和光耦合器，該光耦合器具有在由最小電流傳輸比(CTRmin)和最大電流傳輸比(CTRmax)限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比(CTRx)。該數(shù)字控制器具有與電源電路的輸出端耦合的反饋端以及與光耦合器耦合的誤差電壓端。該控制電路被配置為確定當(dāng)輸出端耦合到已知負載時光耦合器的CTRx;基于所確定的CTRx確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx ;以及存儲所確定的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx以便以后數(shù)字控制器用于控制電源電路的工作。根據(jù)本文中提供的描述，適用本公開的其它方面和領(lǐng)域?qū)⒆兊蔑@而易見。應(yīng)當(dāng)理解，本公開的各個方面可以單獨地或者與一個或多個其它方面結(jié)合起來實施。還應(yīng)當(dāng)理解，本文中的描述和具體示例僅意在舉例說明而絕非意在限制本公開的范圍。


本文中描述的附圖僅用于舉例說明所選擇的實施例而并非所有可能的實現(xiàn)，并且不意在限制本公開的范圍。圖1是根據(jù)本公開的一個示例性實施例的隔離式開關(guān)模式電源的框圖。
圖2是根據(jù)本公開的一個方面的方法的流程圖，該方法用于優(yōu)化由具有光耦合器的隔離式開關(guān)模式電源中的數(shù)字控制器使用的增益調(diào)整值Kadj。圖3是用于確定光耦合器的電流傳輸比的測試電路的電路圖。圖4A至圖4C分別示出了在優(yōu)化樣本電源單元的增益調(diào)整值之前該樣本電源單元的相位裕度、增益裕度和動態(tài)頻率響應(yīng)。圖5A至圖5C分別示出了在優(yōu)化樣本電源單元的增益調(diào)整值之后該樣本電源單元的相位裕度、增益裕度和動態(tài)頻率響應(yīng)。對應(yīng)的附圖標(biāo)記在附圖中的這些視圖中始終表示對應(yīng)的部分。
具體實施例方式現(xiàn)在，將參照附圖對示例性實施例進行更充分的描述。提供示例性實施例是為了使本公開是透徹的，從而向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達范圍。陳述大量具體的細節(jié)(比如具體的部件、器件和方法)是為了提供對本公開的實施例的透徹理解。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然，不需要使用具體的細節(jié)，可以用許多不同的形式來實施示例性實施例，而且任何示例性實施例都不應(yīng)當(dāng)被視為限制本公開的范圍。在一些示例性實施例中，不詳細地描述公知的處理、公知的器件結(jié)構(gòu)以及公知的技術(shù)。本文中使用的術(shù)語僅用于描述具體示例性實施例而不意在限制。如本文中所使用的，“一個”、“一種”和“該”這些單數(shù)形式也可以意在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有清楚表示。術(shù)語“包括”、“包含”和“具有”均是包括性的，從而說明所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元素和/或部件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、部件和/或其組合的存在或增加。本文中描述的方法步驟、處理和操作不應(yīng)當(dāng)被視為必須按照所討論或圖示的具體順序來執(zhí)行，除非被特別地確認為有執(zhí)行順序。還應(yīng)當(dāng)理解，可以采用另外的或替代的步驟。根據(jù)本公開的一個方面的隔離式開關(guān)模式電源被示出在圖1中，其整體上用附圖標(biāo)記100表示。如圖1中所示，電源100包括電源電路102和用于控制電源電路102的工作的控制電路106。電源電路102包括輸出端104和至少一個變換器TXl。控制電路106包括數(shù)字控制器108和光耦合器110。數(shù)字控制器108包括與輸出端104耦合的反饋端112以及經(jīng)由電阻器Rl與光耦合器110耦合的誤差電壓端114。光耦合器110具有在由最小電流傳輸比(CTRmin)和最大電流傳輸比(CTRmax)限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比(CTRX)。此外，數(shù)字控制器108通常存儲并使用本文中稱為增益調(diào)整值Kadj的數(shù)據(jù)值來對電源100的回路增益進行調(diào)整。如以下進一步解釋的，可以針對光耦合器110的CTRx優(yōu)化由數(shù)字控制器108存儲并使用的增益調(diào)整值Kadj，以改善電源100的性能。如圖1中示出的，控制電路106可以進一步包括用于對電源電路102的初級側(cè)的一個或多個電源開關(guān)(未示出)進行控制的PWM(脈寬調(diào)制)控制器116。數(shù)字控制器108可以包括內(nèi)部存儲器和/或外部存儲器，并且還可以包括輸入端，該輸入端用于使用任意適合的通信總線(例如PMBus (電源管理總線)、I2C(內(nèi)部集成電路總線)等)與外部編程裝置118連接。應(yīng)當(dāng)是顯而易見的，在本公開的各種應(yīng)用中可以省略圖1中示出的隔離式電源100的一個或多個部件。此外，在某些應(yīng)用中可以包括圖1中未具體示出的其它部件，比如輸出電流傳感器、在誤差電壓端114與光耦合器110之間的用于驅(qū)動光耦合器的緩沖器、在輸出端104與數(shù)字控制器108之間的電壓調(diào)整器件等。圖2示出了根據(jù)本公開的另一方面的方法200，該方法200用于優(yōu)化由具有光耦合器的隔離式開關(guān)模式電源中的數(shù)字控制器使用的增益調(diào)整值Kadj。該光耦合器具有在由最小電流傳輸比(CTRmin)和最大電流傳輸比(CTRmax)限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比(CTRx)。方法200—般可應(yīng)用于包括數(shù)字控制器和光耦合器的任意隔離式電源。這樣的電源的一個示例為圖1的隔離式電源100。如圖2中所示，方法200包括在步驟202中確定光耦合器的CTRx ;在步驟204中基于所確定的光耦合器的CTRx確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx ；以及在步驟206中將所確定的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx存儲在數(shù)字控制器中。進一步討論步驟202，可以用任意適合的方式來確定光耦合器的CTRX。例如，光耦合器的CTRx可以由光耦合器的制造商或供應(yīng)商提供，從而得以確定。在其它情況下，可能僅CTR值的范圍是已知的，例如，供應(yīng)商可以指明具有相同的零件號碼的光耦合器將具有落在由CTRmin和CTRmax限定的范圍(含端值)內(nèi)的具體的CTRX。在這種情況下，可以在將光耦合器安裝在隔離式電源中之前，通過測試來確定具有該零件號碼的具體的光耦合器的CTRX?；蛘撸梢栽趯⒐怦詈掀靼惭b在隔離式電源中之后，通過對電源單元和/或類似電源單元進行適當(dāng)?shù)臏y試來確定光耦合器的CTRX。下文描述在將光耦合器安裝在電源單元中之前或之后確定具體的光耦合器的CTRx的一些示例方法。參照圖2中的步驟204，可以基于(步驟202中確定的)CTRx通過計算(例如模擬)和/或測試來確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx。對于本公開而言，不管電源單元的光耦合器的CTRx為多少，當(dāng)由電源單元中的數(shù)字控制器存儲并使用的增益調(diào)整值Kadj使得電源能夠滿足性能規(guī)范時，則認為該增益調(diào)整值Kadj是最優(yōu)的，其中所述性能規(guī)范比如是增益裕度、相位裕度和/或動態(tài)回路響應(yīng)規(guī)范。在一些實施例中，首先通過計算和/或測試確定增益調(diào)整值Kadjmx,該增益調(diào)整值KadjMX表示在電源的光耦合器的CTRx等于CTRmax的情況下使得電源能夠滿足性能規(guī)范的增益調(diào)整值。這樣，使用以下等式來確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx Kadjx = KadjMX · CTRmax+ CTRx在以任意適合的方式確定了最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx之后，如圖2的步驟206中所示，將該最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx存儲在數(shù)字控制器(必要時包括由數(shù)字控制器使用的外部存儲器)中，以便以后數(shù)字控制器用來在控制隔離式電源單元中的相關(guān)電源電路。在一些實施例中，根據(jù)以下等式來確定具體電源單元中的光耦合器的CTRx
r π ητ — CTRmax ~ CTRminητ c I Kx ——V EAX ~ VEAMIN J + CY Hmin
^ EAMAX ~ ^ EAMIN其中VEAX表示當(dāng)電源耦合到已知負載并且數(shù)字控制器正在使用增益調(diào)整值Kadjmx工作時數(shù)字控制器輸出(或者將輸出)的誤差電壓(例如在圖1中的端114處)；Veamin表示當(dāng)電源耦合到已知負載、電源的光耦合器的CTRx等于CTRmin并且數(shù)字控制器正在使用默認增益調(diào)整值Kadj11工作時數(shù)字控制器將輸出的誤差電壓；以及Veamax表示當(dāng)電源耦合到已知負載、電源的光耦合器的CTRx等于CTRmax并且數(shù)字控制器正在使用默認增益調(diào)整值Kadj11工作數(shù)字控制器將輸出的誤差電壓。類似于參數(shù)Kad jMX，參數(shù)VEAX、Veamin和Veamax可以通過計算(比如電路模擬)來確定。然而，這樣的計算將基于多種假定，比如舉例來說，輸出電容的等效串聯(lián)電阻(可隨溫度變化)、數(shù)字控制器的采樣率(可具有單元到單元的變化)等。因此，優(yōu)選地，可以基于對電源單元和/或類似電源單元的實際測試來確定這些值。 在一個優(yōu)選實施例中，基于對樣本電源單元的測試在預(yù)優(yōu)化過程中確定參數(shù)VEAX、Veamin和VEMAX。然后，存儲這些參數(shù)，用于以后在優(yōu)化過程中使用，其中，確定用于類似電源(即與樣本電源單元具有相同設(shè)計的電源)的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx。下文參照圖3至圖5描述這些過程。預(yù)優(yōu)化過程開始于確定將在樣本電源單元中使用的光耦合器的CTRX。這可以通過將光耦合器安裝在圖3中示出的示例測試電路中來完成。必要時，圖3中的電壓源V。。被設(shè)置為與供應(yīng)商用來確定光耦合器的等級(即CTR的范圍)的值相同的值。類似地，電阻器Rl的值優(yōu)選地被設(shè)置為使得通過二極管的正向電流If的值與供應(yīng)商用來確定光耦合器的等級的值相同。測量通過光耦合器的集電極的電流Ic。然后，可以使用以下等式來計算光耦合器的CTRx CTRx = Ic/If * 100%。接下來，將光耦合器安裝在樣本電源單元中。然后，測量當(dāng)電源耦合到已知負載且數(shù)字控制器使用初始的或默認的增益調(diào)整值Kadj11工作時數(shù)字控制器輸出的誤差電壓(例如在圖1的電源中的端114處)。對于該示例，假定電源耦合到半負載，那么測得的誤差電壓為VEAiMlS?？梢愿鶕?jù)以下等式計算通過光耦合器的集電極的對應(yīng)電流Ic￥_ Ic 半負載=CTRx* ( (Vea半負載 _Vcc)/Rl)。使用計算出的值，可以按照下列等式計算當(dāng)電源的光耦合器的CTRx等于CTRmax(同時電源耦合到半負載)時數(shù)字控制器將輸出的誤差電壓Veamax Veamax = ((Ic 半負載 *R1)/CTRmax)+Vcc類似地，可以按照下列等式計算當(dāng)電源的光耦合器的CTRx等于CTRmin(同時電源耦合到半負載)時數(shù)字控制器將輸出的誤差電壓Veamin:Veamin — ((Ic 半負載 *R1)/CTRmin)+Vcc接下來，(例如使用分壓計)調(diào)整樣本電源單元中的Rl的值，使得當(dāng)電源耦合到半負載時，數(shù)字控制器輸出的誤差電壓等于計算出的值VEAMAX。此時，樣本電源單元正在使用電流傳輸比等于CTRmax的的光耦合器模擬其工作?，F(xiàn)在通過波特圖(bode plot)或其它適合的工具評估樣本電源單元的性能。例如，樣本電源單元可以具有如圖4A中示出的24. 40度的相位裕度，然而，電源規(guī)范需要大于45度的相位裕度。類似地，樣本電源單元可以具有如圖4B中示出的-8. 07dB的增益裕度，然而，需要至少_12dB的增益裕度。此外，樣本電源單元可以具有如圖4C中示出的動態(tài)回路響應(yīng)(即響應(yīng)于階躍載荷(step-load)狀態(tài))，該動態(tài)回路響應(yīng)過沖電壓上限并下沖電壓下限。因此，必要時應(yīng)當(dāng)調(diào)整(即優(yōu)化)樣本電源單元中的數(shù)字控制器使用的默認增益調(diào)整值KadjD，直到滿足適用的性能規(guī)范為止。該調(diào)整例如可以引起如圖5A、5B和5C中示出的改善的增益裕度、相位裕度和動態(tài)回路響應(yīng)。在確定了(當(dāng)電源耦合到半負載并且正在使用電流傳輸比等于CTRmax的光耦合器模擬其工作時)滿足所需規(guī)范的具體的增益調(diào)整值Kadj之后，可以將該具體的增益調(diào)整值作為KadjMX存儲在樣本電源單元的數(shù)字控制器中。此外，在對每個類似電源單元開始以下描述的優(yōu)化過程之前還應(yīng)當(dāng)將參數(shù)KadjMX存儲在所有其它類似電源單元中。此外，在所討論的具體實施例中，在開始優(yōu)化過程之前，應(yīng)當(dāng)(在每個數(shù)字控制器和/或在電源單元外部的編程裝置中)存儲以下參數(shù)CTRmin、CTRmax, Veamin, Veamaj^PKadjmx (如果這些參數(shù)尚未被存儲的話)。這時，可以針對每個類似電源單元使用以下過程來確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx。首先，確定當(dāng)電源單元耦合到半負載并且數(shù)字控制器正在使用增益調(diào)整值Kad jMX工作時數(shù)字控制器輸出的誤差電壓。然后，使用下列等式、已知的CTRmin和CTRmax的值以及在以上描述的預(yù)優(yōu)化過程中確定的Veamin和Veamax的值來計算該具體電源單元中的光耦合器的CTRx
Γ n /^rTO _ CTRmax CTRmin “， τ/ \ , /^rTOCI Kx —~^EAX ~ VEAMIN J + CY Hmin
^ EAMAX ~ ^ EAMIN接下來，使用下列等式來計算用于該具體電源單元的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx:Kadjx = KadjMX · CTRmax +CTRx。
最后，將該最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx存儲在該具體電源單元的數(shù)字控制器中。這可能包括關(guān)停該電源單元；使電源單元在其引導(dǎo)加載(bootload)模式下工作；用用于該具體單元的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx來替換先前存儲的增益調(diào)整值Kadjmx ；以及關(guān)停電源單元以退出引導(dǎo)加載模式。然后可以對下一類似電源單元重復(fù)該優(yōu)化過程。再參照圖1，數(shù)字控制器108可以被配置成(例如通過軟件)執(zhí)行圖2的方法200，以使得針對光耦合器110的具體CTRx來優(yōu)化數(shù)字控制器的增益調(diào)整值Kadj。取決于所使用的具體方法，數(shù)字控制器108可以存儲要用于執(zhí)行圖2的方法200的一個或多個參數(shù)。這樣的參數(shù)可以包括例如以上討論的參數(shù)CTRMIN、CTRmx、VEAMIN、VEAmx和Kadjmx?？梢酝ㄟ^外部命令信號或觸發(fā)機制(例如，電源的在開關(guān)PSON上的兩個連續(xù)觸發(fā)器)來觸發(fā)數(shù)字控制器108執(zhí)行該方法?；蛘?，可以由電源單元外部的編程裝置(比如，圖1中示出的編程裝置118)來執(zhí)行圖2的方法200，該電源單元外部的編程裝置可以確定用于每個電源單元的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx，然后將這樣的值存儲在數(shù)字控制器中。在這種情況下，編程裝置可以存儲要用于執(zhí)行圖2的方法200的一個或多個參數(shù)，這些參數(shù)可以包括以上討論的參數(shù)CTRmin、CTRjkx、Veamin> Veamax 和 Kadjmx。為了示例和說明提供了以上對實施例的描述。該描述不意在是排他性的或限制本公開。盡管沒有特別示出或描述，但具體實施例的各個部分或特征通常不限于該具體實施例，而是必要時可互換并且可以在選擇的實施例中使用。還可以用許多方式變化具體實施例的各個部分或特征。這樣的變化不應(yīng)當(dāng)被視作背離本公開，并且所有這樣的修改意在包含在本公開的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種優(yōu)化用于隔離式開關(guān)模式電源中的數(shù)字控制器的增益調(diào)整值Kadj的方法，所述電源包括光稱合器，所述光稱合器具有在由最小電流傳輸比CTRmin和最大電流傳輸比CTRmax限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比CTRx，所述方法包括 確定所述光耦合器的CTRx ； 基于所確定的所述光耦合器的CTRx確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx ；以及 將所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx存儲在所述數(shù)字控制器中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述光耦合器的CTRx包括確定當(dāng)所述電源耦合到已知負載并且所述數(shù)字控制器正在使用與CTRmax關(guān)聯(lián)的增益調(diào)整值KadjMX工作時所述數(shù)字控制器輸出的誤差電壓VEAX。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，確定所述光耦合器的CTRx包括基于所確定的誤差電壓Veax和存儲的參數(shù)來計算所述光耦合器的CTRX。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述存儲的參數(shù)包括KadjMX、CTRmin,CTRmax、與CTRmin關(guān)聯(lián)的誤差電壓Veamin和與CTRmax關(guān)聯(lián)的誤差電壓VEAMAX。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括基于耦合到所述已知負載的類似電源單元中的光耦合器的電流傳輸比和所述類似電源單元中的數(shù)字控制器輸出的誤差電壓來確定Veamin 和 Veamax, 并存儲Veamin和V_)i。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括在將所述類似電源單元中的光耦合器安裝在所述類似電源單元中之前確定所述類似電源單元中的光耦合器的電流傳輸比。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，確定所述類似電源單元中的光耦合器的電流傳輸比包括使用測試電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求5、6或7所述的方法，還包括通過確定當(dāng)所述類似電源單元正在使用電流傳輸比等于CTRmaJ^光耦合器模擬其工作時滿足所述類似電源單元中的性能規(guī)范的增益調(diào)整值Kadj，來確定Kadj^，并存儲KadjMX。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，確定所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx包括基于所確定的CTRx和另外的存儲的參數(shù)來計算所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，用于計算所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx的所述另外的存儲的參數(shù)包括參數(shù)CTRmax和KadjMX。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，還包括將所確定的所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx存儲在所述數(shù)字控制器中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx的確定和存儲由所述數(shù)字控制器執(zhí)行。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，還包括將參數(shù)CTRmin、CTRmax,Kadjmx, Veamin和Veamax存儲在所述數(shù)字控制器中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx的確定和存儲由所述開關(guān)模式電源外部的編程裝置執(zhí)行。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括將參數(shù)CTRmin、CTRmax,KadjMX、Veamin和Veamax存儲在所述開關(guān)模式電源外部的編程裝置中。
16.一種隔離式開關(guān)模式電源，包括數(shù)字控制器和光耦合器，所述光耦合器具有在由最小電流傳輸比CTRmin和最大電流傳輸比CTRmax限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比CTRx，所述數(shù)字控制器被配置為執(zhí)行權(quán)利要求1至4、9和10之一所述的方法。
17.—種隔離式開關(guān)模式電源,包括 具有輸出端的電源電路；以及 用于所述電源電路的控制電路，所述控制電路包括數(shù)字控制器和光耦合器，所述光耦合器具有在由最小電流傳輸比CTRmin和最大電流傳輸比CTRmax限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比CTRx，所述數(shù)字控制器具有與所述電源電路的輸出端耦合的反饋端以及與所述光耦合器耦合的誤差電壓端，所述控制電路被配置為確定當(dāng)所述輸出端耦合到已知負載時所述光耦合器的CTRx ;基于所確定的CTRx確定最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx ；以及存儲所確定的最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx以便以后所述數(shù)字控制器用于控制所述電源電路的工作。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的隔離式開關(guān)模式電源，其中，所述數(shù)字控制器被配置為使用存儲器中存儲的參數(shù)來確定所述光耦合器的CTRx和所述最優(yōu)增益調(diào)整值Kadjx。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的隔離式開關(guān)模式電源，其中，所述存儲器中存儲的參數(shù)包括CTRminXTRmax、與CTRmax關(guān)聯(lián)的增益調(diào)整值KadjMX、與CTRmin關(guān)聯(lián)的誤差電壓Veamin以及與CTRmax關(guān)聯(lián)的誤差電 Veamax °
全文摘要
公開了針對光耦合器傳輸比變化來優(yōu)化隔離式電源回路增益。一種優(yōu)化用于隔離式開關(guān)模式電源中的數(shù)字控制器的增益調(diào)整值Kadj的方法。該電源包括光耦合器，該光耦合器具有在由最小電流傳輸比(CTRMIN)和最大電流傳輸比(CTRMAX)限定的范圍內(nèi)的電流傳輸比(CTRX)。該方法包括確定光耦合器的CTRX；基于所確定的光耦合器的CTRX確定最優(yōu)增益調(diào)整值KadjX；以及將該最優(yōu)增益調(diào)整值KadjX存儲在數(shù)字控制器中。該方法可以由數(shù)字控制器或者電源外部的編程裝置來執(zhí)行。
文檔編號H02M1/00GK103036395SQ201110460358
公開日2013年4月10日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者安東尼奧·雷梅蒂奧·索列諾, 喬納森·羅斯·貝爾納多·福尼 申請人:雅達電子國際有限公司