一種薄膜晶體管基板及對(duì)位標(biāo)記的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種薄膜晶體管基板及對(duì)位標(biāo)記，所述對(duì)位標(biāo)記用于薄膜晶體管的光刻工序中的對(duì)位，所述對(duì)位標(biāo)記包括兩層，分別為金屬膜層和摻雜半導(dǎo)體層，所述金屬膜層位于所述摻雜半導(dǎo)體層上方。本實(shí)用新型提供的薄膜晶體管上的對(duì)位標(biāo)記，在形成時(shí)利用一灰階光掩膜，使對(duì)位標(biāo)記只包括金屬膜層和摻雜半導(dǎo)體，使后續(xù)的光刻工序能夠利用對(duì)位標(biāo)記實(shí)現(xiàn)在線對(duì)位并能保證精確對(duì)位，既提高了生產(chǎn)效率，又保證了較高的良品率。
【專利說明】
一種薄膜晶體管基板及對(duì)位標(biāo)記
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及液晶面板制造領(lǐng)域，特別是一種薄膜晶體管基板及對(duì)位標(biāo)記。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)，具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]TFT陣列基板通常利用光刻工藝制作。光刻工藝是以光刻膠為材料，在玻璃基板表面形成TFT結(jié)構(gòu)的圖形。這個(gè)圖形的作用在于保護(hù)在它下面的薄膜，使其在下一道蝕刻工藝中不被蝕掉，從而最終在薄膜上形成需要保護(hù)的圖形。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)制作薄膜晶體管的灰階(HalfTone)工藝中，當(dāng)完成高透(hightransmiss1n，HT)膜層工藝后需要進(jìn)行下一層膜層對(duì)位時(shí)，對(duì)位標(biāo)記一般會(huì)包括金屬膜層、摻雜半導(dǎo)體層及半導(dǎo)體層三層或更多層，多層灰階會(huì)對(duì)機(jī)臺(tái)的捕捉造成干擾，經(jīng)常發(fā)生在線(online)對(duì)位失敗現(xiàn)象，需要人工調(diào)試，而人工調(diào)試會(huì)出現(xiàn)對(duì)位精度差的現(xiàn)象，最終導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量不合格和進(jìn)程緩慢。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管基板及對(duì)位標(biāo)記，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)位精度不高的技術(shù)問題。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供一種對(duì)位標(biāo)記，所述對(duì)位標(biāo)記用于薄膜晶體管的光刻工序中的對(duì)位，所述對(duì)位標(biāo)記包括兩層，分別為金屬膜層和摻雜半導(dǎo)體層，所述金屬膜層位于所述摻雜半導(dǎo)體層上方。
[0007]優(yōu)選地，所述對(duì)位標(biāo)記采用光刻工藝形成，并在光刻過程中采用一灰階光掩膜。
[0008]優(yōu)選地，所述金屬膜層和所述摻雜半導(dǎo)體層的形狀相同。
[0009]優(yōu)選地，所述金屬膜層的面積小于所述摻雜半導(dǎo)體層的面積。
[0010]優(yōu)選地，所述對(duì)位標(biāo)記為長(zhǎng)條形、十字形或工字形。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的第二方面，提供一種薄膜晶體管基板，所述基板包括標(biāo)記區(qū)和器件區(qū)，所述標(biāo)記區(qū)與所述器件區(qū)不包括重合部分;在所述標(biāo)記區(qū)內(nèi)形成有上述對(duì)位標(biāo)記。
[0012]優(yōu)選地，所述標(biāo)記區(qū)位于靠近所述基板邊緣的區(qū)域內(nèi)。
[0013]優(yōu)選地，所述標(biāo)記區(qū)內(nèi)設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)對(duì)位標(biāo)記。
[0014]優(yōu)選地，所述多個(gè)對(duì)位標(biāo)記相互平行或垂直。
[0015]本實(shí)用新型提供的薄膜晶體管上的對(duì)位標(biāo)記，在形成時(shí)利用一灰階光掩膜，使對(duì)位標(biāo)記只包括金屬膜層和摻雜半導(dǎo)體。使后續(xù)的光刻工序能夠利用對(duì)位標(biāo)記實(shí)現(xiàn)在線對(duì)位并能保證精確對(duì)位，既提高了生產(chǎn)效率，又保證了較高的良品率。
【附圖說明】
[0016]通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中:
[0017]圖1-7為TFT陣列基板蝕刻過程示意圖；
[0018]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例的對(duì)位標(biāo)記的設(shè)置位置示意圖；
[0020]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例的對(duì)位標(biāo)記形狀示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種薄膜晶體管基板及對(duì)位標(biāo)記的【具體實(shí)施方式】、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及功效，詳細(xì)說明如后。
[0022]有關(guān)本實(shí)用新型的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過【具體實(shí)施方式】的說明，當(dāng)可對(duì)本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對(duì)本實(shí)用新型加以限制。
[0023]請(qǐng)同時(shí)參考圖1-圖10，圖1-7為TFT陣列基板蝕刻過程示意圖，圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例的對(duì)位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例的對(duì)位標(biāo)記的設(shè)置位置示意圖，圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例的對(duì)位標(biāo)記形狀示意圖。
[0024]如圖1和圖9所示，基板I包括器件區(qū)11和標(biāo)記區(qū)12，標(biāo)記區(qū)12位于器件區(qū)11所在區(qū)域的外側(cè)，即標(biāo)記區(qū)12與器件區(qū)11之間不包括相互重疊的部分，優(yōu)選地，標(biāo)記區(qū)12設(shè)置在靠近基板I的邊緣處。標(biāo)記區(qū)12內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)對(duì)位標(biāo)記8，對(duì)位標(biāo)記8形成于薄膜晶體管的制作過程中，用于薄膜晶體管的光刻工序中的對(duì)位。在器件區(qū)11形成薄膜晶體管。
[0025]在器件區(qū)11內(nèi)形成有柵極2，柵極2為在基板I上采用磁控濺射設(shè)備沉積柵金屬薄膜，并利用構(gòu)圖工藝形成的，優(yōu)選地，柵極2的材料可以是鉬、鋁、銅或者鎢等金屬。在基板I設(shè)置有柵極2的面上，完全覆蓋基板I的形成絕緣層3，絕緣層3優(yōu)選用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備沉積形成，絕緣層3的材料可以是SiNx或S1x，該等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2、Cl2、NH3、N2的混合氣體。在絕緣層3上完全覆蓋絕緣層3的形成有半導(dǎo)體層4，半導(dǎo)體層4為在絕緣層3上形成的透明的半導(dǎo)體薄膜，優(yōu)選用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備沉積形成。在沉積半導(dǎo)體薄膜時(shí)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)氣體為SiH4、Hd^混合氣體或者SiH2Cl2、H2的混合氣體。在半導(dǎo)體層4上完全覆蓋半導(dǎo)體層4的形成有摻雜半導(dǎo)體層5，摻雜半導(dǎo)體層5為在半導(dǎo)體層4上形成的摻雜半導(dǎo)體薄膜，優(yōu)選用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備沉積形成。在沉積半導(dǎo)體薄膜時(shí)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)氣體為SiH4、PH3、Hd^混合氣體或者SiH2Cl2、PH3、H2的混合氣體。在摻雜半導(dǎo)體層5上完全覆蓋摻雜半導(dǎo)體層5的形成有金屬膜層6，金屬膜層6為在摻雜半導(dǎo)體層5上沉積形成的金屬薄膜，該金屬薄膜為鉬、鋁、銅或鎢等金屬中的至少兩種組成的復(fù)合金屬膜。在金屬膜層6上涂覆光刻膠，形成光刻膠層7。在光刻膠層7上與柵極2相對(duì)應(yīng)的位置形成有與柵極2輪廓形狀相同的溝道71，并在標(biāo)記區(qū)12內(nèi)形成凸起72，優(yōu)選地，凸起72為長(zhǎng)條形，并設(shè)置有多個(gè)。
[0026]如圖2-8所示，在溝道71的位置通過兩道蝕刻工藝先后將金屬膜層6與摻雜半導(dǎo)體層5位于溝道71區(qū)域內(nèi)的部分蝕刻掉;然后對(duì)標(biāo)記區(qū)12內(nèi)的光刻膠層7通過灰化(Ashing)工藝進(jìn)行處理，將凸起72部分之外的光刻膠層7去掉;再對(duì)標(biāo)記區(qū)12進(jìn)行蝕刻，去掉凸起72部分之外的金屬膜層6,然后再通過蝕刻工序?qū)ζ骷^(qū)11與標(biāo)記區(qū)12同時(shí)進(jìn)行蝕刻，該工序中使用一灰階光掩膜，對(duì)摻雜半導(dǎo)體層5進(jìn)行蝕刻，由于利用了一灰階光掩膜使摻雜半導(dǎo)體層 5不會(huì)被完全刻穿;至此，完成蝕刻工藝，然后利用灰化工藝去除殘留的光刻膠層7。此時(shí)，在每個(gè)凸起72位置形成一個(gè)對(duì)位標(biāo)記8。[〇〇27] 具體地，如圖8所示，在標(biāo)記區(qū)12內(nèi)形成至少一個(gè)對(duì)位標(biāo)記8，對(duì)位標(biāo)記8由金屬膜層6和摻雜半導(dǎo)體層5兩層組成，金屬膜層6位于摻雜半導(dǎo)體層5上方，金屬膜層6和摻雜半導(dǎo)體層5的形狀相同或金屬膜層6的面積小于摻雜半導(dǎo)體層5的面積。在進(jìn)行后續(xù)光刻工序機(jī)臺(tái)對(duì)位捕捉點(diǎn)時(shí)，由于對(duì)位標(biāo)記8只有金屬膜層6和摻雜半導(dǎo)體層5兩層，不存在半導(dǎo)體層4 或其他層灰階干擾識(shí)別的情況，可以在線完成對(duì)位標(biāo)記的捕捉，并能夠?qū)崿F(xiàn)精確對(duì)位。
[0028]如圖10所示，對(duì)位標(biāo)記8為長(zhǎng)條形，且為整塊的長(zhǎng)條形金屬層。具體地，多個(gè)對(duì)位標(biāo)記可以相互平行或垂直。在其他可行性實(shí)施方式中對(duì)位標(biāo)記8還能夠設(shè)置成十字形、工字形等其它形狀。
[0029]本實(shí)用新型在形成對(duì)位標(biāo)記8時(shí)采用一灰階光掩膜，使對(duì)位標(biāo)記8只包括金屬膜層 6和摻雜半導(dǎo)體層5,避免了在后續(xù)的光刻工序中機(jī)臺(tái)捕捉對(duì)位標(biāo)記8是多余的灰階干擾，能夠?qū)崿F(xiàn)在線對(duì)位，無需人工進(jìn)行調(diào)試，減少了人力的消耗，并且，在線對(duì)位能保證精確對(duì)位， 既提尚了廣能又提尚了良品率。
[0030]應(yīng)當(dāng)說明的是，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。 在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。[〇〇31]最后應(yīng)說明的是:顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型所作的舉例， 而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種對(duì)位標(biāo)記，其特征在于，所述對(duì)位標(biāo)記用于薄膜晶體管的光刻工序中的對(duì)位，所述對(duì)位標(biāo)記包括兩層，分別為金屬膜層和摻雜半導(dǎo)體層，所述金屬膜層位于所述摻雜半導(dǎo)體層上方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)位標(biāo)記，其特征在于，所述對(duì)位標(biāo)記采用光刻工藝形成，并在光刻過程中采用一灰階光掩膜。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)位標(biāo)記，其特征在于，所述金屬膜層和所述摻雜半導(dǎo)體層的形狀相同。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)位標(biāo)記，其特征在于，所述金屬膜層的面積小于所述摻雜半導(dǎo)體層的面積。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)位標(biāo)記，其特征在于，所述對(duì)位標(biāo)記為長(zhǎng)條形、十字形或工字形。6.—種薄膜晶體管基板，其特征在于，所述基板包括標(biāo)記區(qū)和器件區(qū)，所述標(biāo)記區(qū)與所述器件區(qū)不包括重合部分;在所述標(biāo)記區(qū)內(nèi)形成有權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的對(duì)位標(biāo)記。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述標(biāo)記區(qū)位于靠近所述基板邊緣的區(qū)域內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述標(biāo)記區(qū)內(nèi)設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)對(duì)位標(biāo)記。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述多個(gè)對(duì)位標(biāo)記相互平行或垂直。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK205609514SQ201620279054
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年4月6日
【發(fā)明人】黃舒寧
【申請(qǐng)人】昆山龍騰光電有限公司