用于led外延生長(zhǎng)的石墨承載盤(pán)及外延設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于LED外延生長(zhǎng)的石墨承載盤(pán)及外延設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de，LED)為一種固態(tài)半導(dǎo)體元件，其至少包含一P-N結(jié)，此P-N結(jié)形成于P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間。當(dāng)于P-N上施予一定程度的偏壓時(shí)，P型半導(dǎo)體中的空穴與N型半導(dǎo)體中的電子會(huì)結(jié)合而發(fā)光，此光產(chǎn)生的區(qū)域稱為發(fā)光區(qū)。
[0003]LED的主要特征在于尺寸小、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)、反應(yīng)快速、可靠度高和色度良好，目前已廣泛使用在顯示、照明、汽車(chē)、植物照明等領(lǐng)域。
[0004]LED在制備過(guò)程中需要在襯底上外延生長(zhǎng)多層外延層，以藍(lán)寶石襯底為例，需將多片藍(lán)寶石襯底放入外延爐中的石墨承載盤(pán)上，參圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中石墨承載盤(pán)的外延布局結(jié)構(gòu)不意圖，石墨承載盤(pán)10’為圓形，直徑為530mm，襯底也為圓形，直徑為51mm，石墨承載盤(pán)上設(shè)有若干用于收容襯底的圓形收容部101’，每個(gè)收容部的直徑為51mm，襯底可以放置于石墨承載盤(pán)上的收容部101，內(nèi)，然后在外延爐中進(jìn)行外延生長(zhǎng)。
[0005]圖1中，收容部呈蜂窩狀相鄰設(shè)置，每個(gè)收容部與相鄰的收容部均相切設(shè)置，石墨承載盤(pán)的中心0位于正中心三個(gè)收容部的中心，以0為中心向外擴(kuò)散，收容部可分為5層，其收容部的數(shù)量分別為3、9、15、21、21個(gè)，石墨承載盤(pán)上總共有69個(gè)收容部，能夠同時(shí)收容69個(gè)襯底同時(shí)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，其中，最外一層的收容部與石墨承載盤(pán)的側(cè)邊距離不同，且最外一層的收容部之間不是全部相鄰設(shè)置，最外側(cè)留有較大的間距，造成了石墨承載盤(pán)邊緣區(qū)域的浪費(fèi)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于LED外延生長(zhǎng)的石墨承載盤(pán)及外延設(shè)備，其能夠充分利用石墨承載盤(pán)的邊緣區(qū)域，承載更多的襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:
[0008]—種用于LED外延生長(zhǎng)的石墨承載盤(pán)，所述石墨承載盤(pán)上設(shè)有若干用于收容襯底的圓形的收容部，所述收容部包括由石墨承載盤(pán)中心向外擴(kuò)散的若干層，第一層為一個(gè)收容部，石墨承載盤(pán)的中心與第一層中收容部的中心同心設(shè)置，收容部呈蜂窩狀相鄰設(shè)置，每個(gè)收容部與相鄰的收容部均相切設(shè)置。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述收容部除第一層和最外一層之外，每一層的收容部呈正六邊形分布。
[0010]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述石墨承載盤(pán)的直徑為530mm，每個(gè)收容部的直徑為51mm，所述石墨承載盤(pán)上包括85個(gè)收容部。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述收容部呈蜂窩狀設(shè)置為六層。
[0012]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述收容部分為第一層至第六層，第一層至第六層收容部的數(shù)量分別為1、6、12、18、24、24個(gè)。
[0013]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第五層的收容部呈正六邊形分布，且每一邊的外側(cè)設(shè)有4個(gè)第六層中的收容部，第六層中的每個(gè)收容部均與第五層中每一邊的兩個(gè)收容部相切設(shè)置。
[0014]相應(yīng)地，本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種外延設(shè)備，所述外延設(shè)備包括上述的石墨承載盤(pán)。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0016]石墨承載盤(pán)上設(shè)置有若干呈蜂窩狀相鄰設(shè)置的收容部，且石墨承載盤(pán)的中心設(shè)置有一個(gè)收容部，直徑為530mm的石墨承載盤(pán)上能夠設(shè)置85個(gè)直徑為51mm的圓形收容部，大大減小了石墨承載盤(pán)邊緣浪費(fèi)的面積；
[0017]能夠增加外延設(shè)備每一爐外延片的產(chǎn)量，大大提高了外延效率，降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0018]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中石墨承載盤(pán)的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0020]圖2為本實(shí)用新型一【具體實(shí)施方式】中石墨承載盤(pán)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0022]本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于LED外延生長(zhǎng)的石墨承載盤(pán)，所述石墨承載盤(pán)上設(shè)有若干用于收容襯底的圓形的收容部，所述收容部包括由石墨承載盤(pán)中心向外擴(kuò)散的若干層，第一層為一個(gè)收容部，石墨承載盤(pán)的中心與第一層中收容部的中心同心設(shè)置，收容部呈蜂窩狀相鄰設(shè)置，每個(gè)收容部與相鄰的收容部均相切設(shè)置。
[0023]進(jìn)一步地，收容部除第一層和最外一層之外，每一層的收容部呈正六邊形分布。
[0024]參圖2所示，在本實(shí)用新型的一【具體實(shí)施方式】中，石墨承載盤(pán)10上設(shè)有若干用于收容襯底的圓形的收容部101，石墨承載盤(pán)10的中心為0，收容部包括由石墨承載盤(pán)中心向外擴(kuò)散的六層。
[0025]其中，本實(shí)施方式中石墨承載盤(pán)的直徑為530mm，每個(gè)收容部的直徑設(shè)為51mm，石墨承載盤(pán)上一共設(shè)置有85個(gè)蜂窩狀排布的收容部，可同時(shí)收容85個(gè)襯底，同時(shí)進(jìn)行外延層的外延生長(zhǎng)工藝。
[0026]以下對(duì)第一層-第六層收容部詳細(xì)進(jìn)行說(shuō)明。
[0027]第一層僅設(shè)置為1個(gè)收容部，該收容部的中心與石墨承載盤(pán)的中心相同，也為0。
[0028]第二層包括6個(gè)收容部，第二層的6個(gè)收容部圍繞第一層的1個(gè)收容部設(shè)置，第二層中的每個(gè)收容部均與第一層中的收容部相切設(shè)置。且第二層的6個(gè)收容部呈正六邊形分布，即第二層的6個(gè)收容部的中心的連線為正六邊形。
[0029]第三層包括12個(gè)收容部，第三層的12個(gè)收容部圍繞第二層的6個(gè)收容部設(shè)置，第三層中的每個(gè)收容部至少與第二層中的一個(gè)收容部相切設(shè)置。且第三層中的12個(gè)收容部也呈正六邊形分布，即第三層中的12個(gè)收容部的中心的連線為正六邊形。
[0030]第四層包括18個(gè)收容部，第四層的18個(gè)收容部圍繞第三