低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及的是一種低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，屬于互感器技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在互感器生產(chǎn)和使用過程中，局放的好壞不僅反應(yīng)了互感器內(nèi)在品質(zhì)的優(yōu)劣，更牽涉到互感器的使用壽命，所以互感器局放問題一直是互感器生產(chǎn)廠家和用戶比較關(guān)注的問題。隨著技術(shù)的發(fā)展，不少互感器都能夠達到較低的局放值，但是仍有一些結(jié)構(gòu)的互感器局放值存在一定的問題，如一些單匝結(jié)構(gòu)的互感器在進行局放高點試驗時局放值偏高，不能夠滿足用戶要求，有時甚至?xí)驗椴荒軡M足國標(biāo)而報廢，不僅浪費了材料，同時使產(chǎn)品的交貨期也得不到保證。
[0003]現(xiàn)有單匝互感器結(jié)構(gòu)，該種結(jié)構(gòu)僅對互感器一次端子(由Pl端子3、P2端子7構(gòu)成)和導(dǎo)電桿4構(gòu)成的一次繞組做電場均勾包覆，Pl出線端子3和P2出線端子7之間未做任何屏蔽或電場處理措施，在高電壓作用下，一次繞組將會出現(xiàn)電場分布不均，尤其在兩個一次出線端子之間電場隨著介質(zhì)的突變出現(xiàn)較大的畸變，同時也存在尖端等不良情況，在一次端子施加電壓時，一次端子附近將會因電場的不均勻和電場的畸變出現(xiàn)電極間放電、沿面放電、尖端放電等多種放電情況。在測試電壓狀態(tài)下測量其局放值時，其視在放電量較大，對互感器進行多次處理后，排除表面等其他因素時仍不能降低其局放值，如圖3所示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型提出的是一種低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，其目的旨在克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述缺陷，提高局放的質(zhì)量，滿足用戶要求。
[0005]本實用新型的技術(shù)解決方案:低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，包括半導(dǎo)體皺紋紙2、P1端子3、導(dǎo)電桿4、互感器線圈6、P2端子7，其特征是一次端子的下方設(shè)有導(dǎo)電桿4，電桿4的內(nèi)側(cè)設(shè)有C形半導(dǎo)體紙板5 ;C形半導(dǎo)體紙板5通過半導(dǎo)體皺紋紙2固定在導(dǎo)電桿4上；互感器線圈6套入互感器一次繞組中。
[0006]本實用新型的優(yōu)點:使整個互感器一次繞組在高電壓下形成一個均勻的電場，互感器器身各部位電場場強分布均勻，場強過度平緩，場強無畸變情況。在測試電壓狀態(tài)下測量其局放值時，其視在放電量較小，在高電壓狀態(tài)下能減小互感器內(nèi)部的局放值。
【附圖說明】
[0007]圖1是半導(dǎo)體紙板簡要制作圖；
[0008]圖2是低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖3原有單匝互感器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中的I是硬絕緣紙板、2是半導(dǎo)體皺紋紙、3是Pl端子、4是導(dǎo)電桿、5是C型半導(dǎo)體紙板、6是互感器線圈、7是P2端子。
【具體實施方式】
[0011]如附圖所示，低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，包括半導(dǎo)體皺紋紙2、Pl端子3、導(dǎo)電桿4、互感器線圈6、P2端子7，其特征是一次端子的下方設(shè)有導(dǎo)電桿4，電桿4的內(nèi)側(cè)設(shè)有C形半導(dǎo)體紙板5 ;C形半導(dǎo)體紙板5通過半導(dǎo)體皺紋紙2固定在導(dǎo)電桿4上；互感器線圈6套入互感器一次繞組中。
[0012]所述的一次端子由Pl出線端子3和P2出線端子7構(gòu)成；
[0013]所述的C形半導(dǎo)體紙板5是由硬絕緣紙板1、半導(dǎo)體皺紋紙2纏繞而成，所述的硬絕緣紙板I的寬度與一次端子寬度一致；
[0014]所述的Pl端子3和P2端子7與導(dǎo)電桿4焊接；
[0015]所述的互感器一次繞組由Pl端子3、P2端子7、導(dǎo)電桿4構(gòu)成；
[0016]低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器的制造方法，包括如下步驟:
[0017](I)制作C型半導(dǎo)體紙板5，包括，
[0018]I)先將半導(dǎo)體皺紋紙2以半疊一層的纏繞方式纏繞在硬絕緣紙板I上；
[0019]2)纏繞時保證整個硬絕緣紙板I被半導(dǎo)體皺紋紙2覆蓋；
[0020]3)硬絕緣紙板I的寬度與一次端子寬度一致，制作完成后待用，一次端子包括Pl出線端子和P2出線端子，
[0021]4)將互感器Pl端子3和P2端子7與導(dǎo)電桿4進行焊接，完成焊接后將互感器線圈6套入互感器一次繞組中，互感器一次繞組由Pl端子3、P2端子7、導(dǎo)電桿4構(gòu)成；如圖1所示；
[0022](2)先用半導(dǎo)體皺紋紙2對互感器一次端子和導(dǎo)電桿4進行整體包覆；
[0023](3)將制作完成后的C型半導(dǎo)體紙板5放置互感器Pl端子3和P2端子7的背面；
[0024](4)將C型半導(dǎo)體紙板5固定在Pl端子3和P2端子7的背面；
[0025](5)用半導(dǎo)體皺紋紙2將C型半導(dǎo)體紙板5與互感器的一次繞組再做整體包覆；
[0026](6)完成上述步驟后，C型半導(dǎo)體紙板5與互感器一次繞組在高電壓下形成一個均勻的電場，互感器器身各部位電場場強分布均勻，場強過度平緩，同時場強無畸變情況。在測試電壓狀態(tài)下測量其局放值時，其視在放電量較小，如圖2所示。
[0027]具體實施案例:按圖2新結(jié)構(gòu)制作5臺35kV電流互感器進行局放試驗，局放試驗時對Pl端子3或者P2端子7施加高電壓，互感器線圈6的出線端子接接地線，按國標(biāo)局部放電程序進行試驗，對互感器一次端子3或7施加工頻電壓至額定電壓時互感器未出現(xiàn)可視局部放電情況，繼續(xù)施加至1.5倍額定電壓開始出現(xiàn)放電，繼續(xù)升壓至額定工頻耐壓的80%保持60S，開始降壓，降壓至1.2Um/ V 3電壓時檢測其視在放電量，其結(jié)果為l_5pC，優(yōu)于國標(biāo)。
[0028]試驗結(jié)果證明該電流互感器新結(jié)構(gòu)在局部放電性能方面遠遠優(yōu)于老結(jié)構(gòu)。
【主權(quán)項】
1.低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，包括半導(dǎo)體皺紋紙、Pi端子、導(dǎo)電桿、互感器線圈、P2端子，其特征是一次端子的下方設(shè)有導(dǎo)電桿，電桿的內(nèi)側(cè)設(shè)有C形半導(dǎo)體紙板；C形半導(dǎo)體紙板通過半導(dǎo)體皺紋紙固定在導(dǎo)電桿上；互感器線圈套入互感器一次繞組中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，其特征是所述的一次端子由Pl出線端子和P2出線端子構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，其特征是所述的C形半導(dǎo)體紙板是由硬絕緣紙板、半導(dǎo)體皺紋紙纏繞而成。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，其特征是所述的硬絕緣紙板的寬度與一次端子寬度一致。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，其特征是所述的Pl端子和P2端子與導(dǎo)電桿焊接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，其特征是所述的互感器一次繞組由Pl端子、P2端子、導(dǎo)電桿構(gòu)成。
【專利摘要】本實用新型是一種低局放值的單匝結(jié)構(gòu)互感器，包括半導(dǎo)體皺紋紙2、P1端子3、導(dǎo)電桿4、互感器線圈6、P2端子7，其特征是一次端子的下方設(shè)有導(dǎo)電桿4，電桿4的內(nèi)側(cè)設(shè)有C形半導(dǎo)體紙板5；C形半導(dǎo)體紙板5通過半導(dǎo)體皺紋紙2固定在導(dǎo)電桿4上；互感器線圈6套入互感器一次繞組中。優(yōu)點：使整個互感器一次繞組在高電壓下形成一個均勻的電場，互感器器身各部位電場場強分布均勻，場強過度平緩，場強無畸變情況。在測試電壓狀態(tài)下測量其局放值時，其視在放電量較小，在高電壓狀態(tài)下能減小互感器內(nèi)部的局放值。
【IPC分類】H01F27/28, H01F27/29, H01F38/20
【公開號】CN204927009
【申請?zhí)枴緾N201520586163
【發(fā)明人】陳耀剛, 婁軍峰, 劉軍超, 張偉
【申請人】河南森源電氣股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月6日