一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及壓電石英晶片構(gòu)造的技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，石英晶體諧振器通常由壓電石英晶片及封裝外殼構(gòu)成，其中壓電石英晶片為長方形或圓形，封裝外殼材料為陶瓷、玻璃等。壓電石英晶片上下兩面需蒸鍍電極，電極通過密封封裝的引線，與封裝外殼中的基座引腳相連。交流電壓可通過引腳連通石英晶片的上下電極，使石英晶片產(chǎn)生逆壓電效應(yīng)，從而產(chǎn)生振蕩。石英晶體諧振器因其頻率的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性等特性廣泛應(yīng)用在移動(dòng)電子設(shè)備、手機(jī)、移動(dòng)通信裝置等電子行業(yè)。
[0003]隨著移動(dòng)通信電子的迅速發(fā)展，器件小型化需求越來越高，石英晶體諧振器的小型化也勢在必行。在石英晶體諧振器小型化的進(jìn)程中，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)已很難生產(chǎn)，且成本較高。傳統(tǒng)的切條、腐蝕等工藝方式難以加工超小型石英晶片，已經(jīng)不能滿足小型化的要求。
[0004]石英晶體諧振器的諧振頻率較低時(shí)，為了提高能陷效應(yīng)，削弱石英晶片邊緣效應(yīng)，需改變石英晶片的外形。通常情況下，采用的是滾磨磨削方式，改變石英晶片外形，即雙凸曲面結(jié)構(gòu)。但因滾磨工藝的穩(wěn)定性差、重復(fù)性低，所以成本一直居高不下，因此，石英晶片技術(shù)亟待提升。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種成本低、可用于小型化石英晶片批量型生產(chǎn)、減弱邊緣產(chǎn)生的寄生振動(dòng)，并能夠增強(qiáng)石英晶片中心的能陷效應(yīng)、大幅度提升產(chǎn)品的一致性的新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片。
[0006]本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，它包括中央構(gòu)件、保護(hù)框和連接部，所述的中央構(gòu)件和保護(hù)框均呈矩形狀，保護(hù)框內(nèi)設(shè)置有型腔，型腔內(nèi)設(shè)置有中央構(gòu)件設(shè)置在型腔內(nèi)，中央構(gòu)件的頂表面設(shè)置有凸臺(tái)I，中央構(gòu)件的底表面設(shè)置有凸臺(tái)II，保護(hù)框的兩條長邊與中央構(gòu)件的兩條長邊之間形成有通槽A，保護(hù)框的兩條短邊與中央構(gòu)件的兩條短邊之間形成有通槽B，通槽A與通槽B連通，所述的保護(hù)框的任意一條短邊與中央構(gòu)件之間通過連接部相連接，連接部設(shè)置在任意一個(gè)通槽B內(nèi)。
[0007]所述的凸臺(tái)I和凸臺(tái)II為圓形凸臺(tái)、矩形凸臺(tái)或梯形凸臺(tái)。
[0008]所述的連接部的形狀為矩形或梯形。
[0009]所述的壓電石英晶片的長度為0.8-3.2mm。
[0010]所述的壓電石英晶片的寬度為0.6-2.5mm。
[0011]所述的中央構(gòu)件、保護(hù)框和連接部的材質(zhì)均為石英。
[0012]本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)本實(shí)用新型的中央構(gòu)件的頂表面設(shè)置有凸臺(tái)I，中央構(gòu)件的底表面設(shè)置有凸臺(tái)II，凸臺(tái)I和凸臺(tái)II能夠減弱邊緣產(chǎn)生的寄生振動(dòng)，并能夠增強(qiáng)石英晶片中心的能陷效應(yīng)。(2)本實(shí)用新型可用于小型化石英晶片批量型生產(chǎn)、大幅度提升了晶片和晶體的制造效率，同時(shí)一致性也得到提升。(3)當(dāng)保護(hù)框受到外界力的作用時(shí)，力不會(huì)傳遞到中央構(gòu)件上，從而很好地保護(hù)了中央構(gòu)件。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為圖1的俯視圖；
[0015]圖3為圖2的A-A剖視圖；
[0016]圖4為圖1的仰視圖；
[0017]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例一基于石英基板經(jīng)制造工藝加工后產(chǎn)品俯視圖；
[0018]圖6為圖5的仰視圖；
[0019]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖8為圖7的俯視圖；
[0021]圖9為圖7的仰視圖；
[0022]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例二基于石英基板經(jīng)制造工藝加工后產(chǎn)品俯視圖；
[0023]圖11為圖10的仰視圖；
[0024]圖中，1-中央構(gòu)件，2-保護(hù)框，3-連接部，4-凸臺(tái)1，5_凸臺(tái)11，6_通槽A，7_通槽B，8-石英基板，9-切割定位孔。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述:
[0026]實(shí)施例一:
[0027]如圖1~4所不，一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，該石英晶片米用AT切型，此切型普遍應(yīng)用于石英晶體諧振器中，其中晶片的長邊平行于X軸，X軸是石英晶體的電軸，短邊平行于Z’軸，厚度方向平行于Y’軸。不排除，石英晶片的長邊平行于Z’軸，寬度平行于X軸，厚度方向平行于Y’軸，該壓電石英晶片包括中央構(gòu)件1、保護(hù)框2和連接部3，中央構(gòu)件1、保護(hù)框2和連接部3的材質(zhì)均為石英，所述的中央構(gòu)件I和保護(hù)框2均呈矩形狀，保護(hù)框2內(nèi)設(shè)置有型腔，型腔內(nèi)設(shè)置有中央構(gòu)件I設(shè)置在型腔內(nèi)，中央構(gòu)件I的頂表面設(shè)置有凸臺(tái)14，中央構(gòu)件I的底表面設(shè)置有凸臺(tái)115，凸臺(tái)14和凸臺(tái)115能夠減弱邊緣產(chǎn)生的寄生振動(dòng)，并能夠增強(qiáng)石英晶片中心的能陷效應(yīng)。所述的保護(hù)框2的兩條長邊與中央構(gòu)件I的兩條長邊之間形成有通槽A6。如圖1~4所示，保護(hù)框2的兩條短邊與中央構(gòu)件I的兩條短邊之間形成有通槽B7，通槽A6與通槽B7連通，所述的保護(hù)框2的任意一條短邊與中央構(gòu)件I之間通過連接部3相連接，連接部3設(shè)置在任意一個(gè)通槽B7內(nèi)。
[0028]所述的凸臺(tái)14和凸臺(tái)115為圓形凸臺(tái)、矩形凸臺(tái)或梯形凸臺(tái)。所述的連接部3的形狀為矩形或梯形，本實(shí)施例中凸臺(tái)14和凸臺(tái)115均為矩形凸臺(tái)，本實(shí)施例中連接部3均為矩形狀。
[0029]所述的壓電石英晶片的長度為0.8~3.2mm，本實(shí)施例中的長度為1.6_，所述的壓電石英晶片的寬度為0.6-2.5mm，本實(shí)例中的寬度為1.2mm，該石英晶片的諧振頻率為t=1664/F，t表示石英晶片的厚度，單位為μπι ;F表示諧振頻率，單位為MHz，本實(shí)例中的石英晶片的諧振頻率在8MHz ~70MHz之間。
[0030]如圖5和圖6所示，一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其加工步驟如下:
[0031]S1、取出一定規(guī)格的石英基板8，并對石英基板8的上、下表面進(jìn)行研磨、拋光處理；
[0032]S2、通過旋涂或噴淋方式在石英基板8表面形成厚度均勻的光刻抗刻蝕保護(hù)層ER，然后使用光刻曝光在光刻抗刻蝕保護(hù)層ER上，在表面形成待刻蝕圖形；
[0033]S3、通過濕法刻蝕或干法刻蝕方式在石英基板8上表面刻蝕，從而在石英基板8表面形成凸臺(tái)14和凸臺(tái)115，凸臺(tái)14和凸臺(tái)115的刻蝕深度通過控制濕法刻蝕或干法刻蝕反應(yīng)時(shí)間決定；
[0034]S4、去除步驟S3中的光刻抗刻蝕保護(hù)層ER并將石英基板8表面清洗干凈；
[0035]S5、清洗結(jié)束后，先通過旋涂或噴淋方式在石英基板8表面形成厚度均勻的光刻抗刻蝕保護(hù)層ER，再使用光刻曝光在光刻抗刻蝕保護(hù)層ER上表面形成待刻蝕圖形；
[0036]S6、通過濕法刻蝕、干法刻蝕、激光刻蝕、物理噴砂等方式在石英基板8上表面刻蝕，從而形成通槽A6和通槽B7 ；
[0037]S7、去除光刻抗刻蝕保護(hù)層ER并將石英基板8表面清洗干凈，從而制得具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片；
[0038]S8、在石英基板8上加工出切割定位孔9 ;
[0039]S9、使用激光切割或刀片切割沿著切割定位孔9對石英基板8進(jìn)行切割分離，從而實(shí)現(xiàn)了石英晶片的加工。
[0040]實(shí)施例二:
[0041]如圖7~9所示，本實(shí)施二與實(shí)施例一的不同點(diǎn)在于:所述的保護(hù)框2的任意一條短邊與中央構(gòu)件I之間連接有兩個(gè)連接部3，兩個(gè)連接部3增加了中央構(gòu)件I和與護(hù)框2之間的機(jī)械強(qiáng)度。
[0042]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其特征在于:它包括中央構(gòu)件(1)、保護(hù)框(2)和連接部(3)，所述的中央構(gòu)件(I)和保護(hù)框(2)均呈矩形狀，保護(hù)框(2)內(nèi)設(shè)置有型腔，型腔內(nèi)設(shè)置有中央構(gòu)件(I)設(shè)置在型腔內(nèi)，中央構(gòu)件(I)的頂表面設(shè)置有凸臺(tái)I (4)，中央構(gòu)件(I)的底表面設(shè)置有凸臺(tái)II (5)，保護(hù)框(2)的兩條長邊與中央構(gòu)件(I)的兩條長邊之間形成有通槽A (6)，保護(hù)框(2)的兩條短邊與中央構(gòu)件(I)的兩條短邊之間形成有通槽B (7)，通槽A (6)與通槽B (7)連通，所述的保護(hù)框(2)的任意一條短邊與中央構(gòu)件(I)之間通過連接部(3)相連接，連接部(3)設(shè)置在任意一個(gè)通槽B (7)內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其特征在于:所述的凸臺(tái)I (4)和凸臺(tái)II (5)為圓形凸臺(tái)、矩形凸臺(tái)或梯形凸臺(tái)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其特征在于:所述的連接部(3)的形狀為矩形或梯形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其特征在于:所述的壓電石英晶片的長度為0.8-3.2mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其特征在于:所述的壓電石英晶片的寬度為0.6-2.5mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，其特征在于:所述的中央構(gòu)件(I)、保護(hù)框(2 )和連接部(3 )的材質(zhì)均為石英。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種新型具有雙凸結(jié)構(gòu)的壓電石英晶片，它包括中央構(gòu)件（1）、保護(hù)框（2）和連接部（3），保護(hù)框（2）內(nèi)設(shè)置有型腔，中央構(gòu)件（1）的頂表面設(shè)置有凸臺(tái)I（4），中央構(gòu)件（1）的底表面設(shè)置有凸臺(tái)II（5），保護(hù)框（2）的兩條長邊與中央構(gòu)件（1）的兩條長邊之間形成有通槽A（6），保護(hù)框（2）的兩條短邊與中央構(gòu)件（1）的兩條短邊之間形成有通槽B（7），通槽A（6）與通槽B（7）連通，連接部（3）設(shè)置在任意一個(gè)通槽B（7）內(nèi)。本實(shí)用新型的有益效果是：可用于小型化石英晶片批量型生產(chǎn)、減弱邊緣產(chǎn)生的寄生振動(dòng)，并能夠增強(qiáng)石英晶片中心的能陷效應(yīng)、提高加工精度、大幅度提升產(chǎn)品的一致性。
【IPC分類】H03H9/19
【公開號】CN204836102
【申請?zhí)枴緾N201520534200
【發(fā)明人】葉竹之, 陸旺, 雷晗
【申請人】成都泰美克晶體技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年7月22日