一種大通流浪涌防護(hù)器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及大通流浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種大通流浪涌防護(hù)器件。
【背景技術(shù)】
[0002]浪涌是沿線路或電路傳送的電流、電壓或功率的瞬態(tài)波，其特征是先快速上升后緩慢下降，如果不進(jìn)行浪涌防護(hù)，則會(huì)造成設(shè)備暫停、死機(jī)、損壞、通信或電力線路事故等看得見(jiàn)的危害，還會(huì)造成一些隱性危害，比如說(shuō)設(shè)備性能下降、壽命減短，可靠性降低等。浪涌防護(hù)中的大通流指的是防護(hù)器件實(shí)現(xiàn)的最大放電電流Ipp(又稱為最大通流量)較其他防護(hù)器件大，最大放電電流Ipp指使用8/20 μ s電流波沖擊SPD —次能承受的最大放電電流。
[0003]現(xiàn)有的小型氣體放電管通常采用平面對(duì)稱放電結(jié)構(gòu)，由于整體尺寸的限制，電極發(fā)射面的尺寸較小，通流能力低，工頻續(xù)流遮斷能力差。此外，電極表面電子粉及表面金屬材料往往濺散到陶瓷管內(nèi)壁上而使氣體放電管電阻失效。目前浪涌防護(hù)器件的設(shè)計(jì)對(duì)防護(hù)等級(jí)要求越來(lái)越高，為提高安全防護(hù)性能和浪涌防護(hù)的大通流能力，設(shè)計(jì)出一種、封接致密性強(qiáng)、結(jié)合力度高，以及雷擊大能量條件運(yùn)行可靠無(wú)裂縫、無(wú)電極脫落無(wú)沿面放電造成的短路或者電壓不良的小直徑大通流氣體放電管十分必要。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種大通流浪涌防護(hù)器件，解決了現(xiàn)有的放電管封接致密性差、存在沿面放電導(dǎo)致短路或者電壓不良、以及大雷擊能量下有裂縫和電極脫落現(xiàn)象的問(wèn)題。
[0005]第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種大通流浪涌防護(hù)器件，包括用于密封氣體的密封腔體，以及包括延伸至所述密封腔體中的第一電極，所述密封腔體包括絕緣基底和與所述絕緣基底的端面上下封接的凹型電極，所述絕緣基底包括第一通孔，所述第一電極與所述第一通孔密封配合延伸至所述密封腔體中；
[0006]所述第一電極和所述凹型電極在所述密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對(duì)的端面。
[0007]結(jié)合第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，還包括:
[0008]位于所述密封腔體中的所述絕緣基底的表面上，接近所述第一電極和所述凹型電極并在所述第一電極和所述凹型電極之間延伸的導(dǎo)線。
[0009]結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)線為碳線。
[0010]結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述碳線為金屬碳線。
[0011]結(jié)合第一方面或者第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣基底為臺(tái)階型基底，所述凹型電極與所述絕緣基底的底層臺(tái)階上下封接。
[0012]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣基底的中心開(kāi)設(shè)有橫截面積小于所述臺(tái)階型基底的頂層臺(tái)階面積的所述第一通孔。
[0013]結(jié)合第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0014]所述臺(tái)階型基底為3層臺(tái)階型基底，所述3層臺(tái)階型基底的底層臺(tái)階沿坡面延伸至所述3層臺(tái)階型基底的中間層臺(tái)階。
[0015]結(jié)合第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0016]所述第一電極為T字型電極，所述T字型電極的橫邊與所述凹型電極在所述密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對(duì)的端面，所述T字型電極套設(shè)于所述第一通孔中，并卡設(shè)封接至所述3層臺(tái)階型基底的頂層臺(tái)階表面。
[0017]結(jié)合第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述坡面上設(shè)置至少一條靠近并延伸于所述第一電極和所述凹型電極之間的碳線。
[0018]結(jié)合第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述用作放電間隙的一組相對(duì)的端面中的至少一端面涂覆陰極發(fā)射材料或者設(shè)有涂覆陰極發(fā)射材料的網(wǎng)格或者凹槽。
[0019]結(jié)合第一方面的第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第十種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一電極和所述凹型電極的表面分別延伸一用于連接至外部電路的連接端子。
[0020]結(jié)合第一方面的第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第十一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述T字型電極的橫邊為倒錐形或者倒梯形。
[0021]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的大通流浪涌防護(hù)器件，包括用于密封氣體的密封腔體，以及包括延伸至所述密封腔體中的第一電極，所述密封腔體包括絕緣基底和與所述絕緣基底的端面上下封接的凹型電極，能夠使封接料充分的浸潤(rùn)于封接表面，解決了現(xiàn)有的放電管封接致密性差的問(wèn)題，另一方面，上下封接結(jié)構(gòu)可以通過(guò)絕緣基底的厚度距離隔開(kāi)第一電極和凹型電極，增加了第一電極和凹型電極的表面放電距離，減少了因臟污或者表面貼服的雜質(zhì)離子或者表面鍍層形成放電通道的可能性，進(jìn)而減少了沿面放電和短路或者電壓不良等現(xiàn)象，提升了大通流浪涌防護(hù)器件的抗外接干擾性。
[0022]另一方面，所述絕緣基底包括第一通孔，所述第一電極與所述第一通孔密封配合延伸至所述腔體中；所述第一電極和所述凹型電極在所述密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對(duì)的端面，上下封接結(jié)構(gòu)和依據(jù)通孔實(shí)現(xiàn)的卡位結(jié)構(gòu)可以避免雷擊大能量條件下絕緣基底或者電極的裂縫，或者避免電極脫落的嚴(yán)重問(wèn)題發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種大通流浪涌防護(hù)器件的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0025]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種大通流浪涌防護(hù)器件的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0026]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種大通流浪涌防護(hù)器件的結(jié)構(gòu)爆炸圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。下面通過(guò)具體實(shí)施例，分別進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0028]本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種大通流浪涌防護(hù)器件，包括用于密封氣體的密封腔體，以及包括延伸至密封腔體中的第一電極，密封腔體包括絕緣基底和與絕緣基底的端面上下封接的凹型電極，絕緣基底包括第一通孔，第一電極與第一通孔密封配合延伸至密封腔體中；
[0029]第一電極和凹型電極在密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對(duì)的端面。
[0030]作為一種可選的實(shí)施方式，大通流浪涌防護(hù)器件還包括:
[0031]位于密封腔體中的絕緣基底的表面上，接近第一電極和凹型電極并在第一電極和凹型電極之間延伸的導(dǎo)線。
[0032]作為一種可選的實(shí)施方式，導(dǎo)線為碳線。
[0033]作為一種可選的實(shí)施方式，碳線為金屬碳線。
[0034]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，絕緣基底為臺(tái)階型基底，凹型電極與絕緣基底的底層臺(tái)階上下封接。
[0035]作為一種可選的實(shí)施方式，絕緣基底的中心開(kāi)設(shè)有橫截面積小于臺(tái)階型基底的頂層臺(tái)階面積的第一通孔。
[0036]作為一種可選的實(shí)施方式，臺(tái)階型基底為3層臺(tái)階型基底，3層臺(tái)階型基底的底層臺(tái)階沿坡面延伸至3層臺(tái)階型基底的中間層臺(tái)階。
[0037]作為一種可選的實(shí)施方式，第一電極為T字型電極，T字型電極的橫邊與凹型電極在密封腔體中形成用作放電間隙的一組相對(duì)的端面，T字型電極套設(shè)于第一通孔中，并卡設(shè)封接至3層臺(tái)階型基底的頂層臺(tái)階表面。
[0038]作為一種可選的實(shí)施方式，坡面上設(shè)置至少一條靠近并延伸于第一電極和凹型電極之間的碳線。
[0039]作為一種可選的實(shí)施方式，用作放電間隙的一組相對(duì)的端面中的至少一端面涂覆陰極發(fā)射材料或者設(shè)有涂覆陰極發(fā)射材料的網(wǎng)格或者凹槽。
[0040]作為一種可選的實(shí)施方式，第一電極和凹型電極的表面分別延伸一用于連接至外部電路的連接端子。
[0041]作為一種可選的實(shí)施方式，T字型電極的橫邊為